CN111983861A - 液晶显示面板及液晶显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种液晶显示面板及液晶显示面板的制备方法,所述液晶显示面板包括:第一衬底基板;公共电极,设置于所述第一衬底基板的一侧;金属遮光层,设置于所述第一衬底基板远离所述公共电极的一侧;及导电球,设置于所述公共电极与所述金属遮光层之间,导通所述公共电极和所述金属遮光层。本发明通过在所述液晶显示面板内用金属遮光层代替黑色矩阵,并用导电球将所述金属遮光层和所述公共电极连接导通,实现了所述金属遮光层与所述公共电极并联连接,使得所述公共电极的电阻减小、导电性能增大,能够有效提高所述公共电极的抗干扰能力和降低水平串扰的风险,同时所述金属遮光层的制程精度高,不容易遮挡像素显示区,有效提高了开口率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种液晶显示面板及液晶显示面板的制备方法。
背景技术
液晶显示器的显示原理是通过下板的数据线给像素电极输入不同的信号,所述像素电极和上板共电极之间形成电容,使液晶盒内的液晶偏转一定角度,再通过彩色滤光层,从而实现五颜六色的显示需求,但是所述上板共电极是一整面的,在于像素电极之间存在电容之外也会和扫描线/数据线之间产生寄生电容,当扫描线和数据线信号发生变化时,会干扰上板共电极的电压,如果在短时间内不能恢复到原始设定的电位,就可能产生水平串扰,特别是所述数据线的变化对上板共电极产生的影响更明显。另外,所述上板共电极通常采用黑色矩阵(Black Matrix,BM)用来遮挡来自背光板的光,但是所述黑色矩阵的制程精度相对较低,通常会偏移到所述显示器的显示区内,降低像素的开口率,影响光线的穿透率。
如图1所示,图1为现有技术中液晶显示面板的结构示意图。所述液晶显示面板包括上板玻璃101、黑色矩阵102、上板共电极103、下板玻璃104和彩色滤光层105。在现有设计中,上板一般采用氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)作为共电极材料,但是氧化铟锡作为电极材料本身导电性能差,方块电阻是相同体积金属的上百倍甚至是上千倍,在信号收到干扰时恢复到原始设定值的时间增加。而所述黑色矩阵采用的这种材料制成精度差,容易偏移到像素显示区内特别是像素长边的所述黑色矩阵对开口率的影响非常大。
综上所述,现有技术中存在公共电极导电性能差、公共电极电位复位慢、易出现水平串扰以及开口率低等技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种液晶显示面板及液晶显示面板的制备方法,用于解决现有技术中存在公共电极导电性能差、公共电极电位复位慢、易出现水平串扰以及开口率低等技术问题。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种液晶显示面板,包括:
第一衬底基板;
公共电极,设置于所述第一衬底基板的一侧;
金属遮光层,设置于所述第一衬底基板远离所述公共电极的一侧;及
至少一导电球,设置于所述公共电极与所述金属遮光层之间,导通所述公共电极和所述金属遮光层。
在本发明的一些实施例中,所述第一衬底基板中开设有至少一个通孔,所述导电球填充于所述通孔中。
在本发明的一些实施例中,所述金属遮光层为开设有多个相互间隔开孔的金属层。
在本发明的一些实施例中,所述金属遮光层和所述导电球的方块电阻均小于所述公共电极的方块电阻。
在本发明的一些实施例中,所述导电球在所述公共电极上的投影与所述金属遮光层在所述公共电极上的投影重合。
在本发明的一些实施例中,还包括:第二衬底基板、彩色滤光层和绝缘保护层,所述第二衬底基板与所述第一衬底基板相对设置。
在本发明的一些实施例中,所述彩色滤光层设置于所述第二衬底基板靠近所述第一衬底基板的一侧,所述绝缘保护层设置于所述金属遮光层远离所述第一衬底基板的一侧。
第二方面,本发明提供一种液晶显示面板的制备方法,所述制备方法用于制备如第一方面中任一所述的液晶显示面板,包括以下步骤:
提供一第一衬底基板,所述第一衬底基板中开设有至少一个通孔;
在所述第一衬底基板的一侧制备金属遮光层;
在所述通孔处制备导电球;及
在所述第一衬底基板远离所述金属遮光层一侧制备公共电极,通过所述导电球导通所述公共电极和所述金属遮光层。
在本发明的一些实施例中,还包括在所述金属遮光层远离所述第一衬底基板一侧表面制备绝缘保护层,以保护所述金属遮光层在制程中不受磨损或腐蚀。
在本发明的一些实施例中,包括:制备所述金属遮光层和所述公共电极的方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法或喷墨打印法;及在所述通孔处制备导电球包括注射或滴入法。
相较于现有的液晶显示面板,本发明通过在所述液晶显示面板内用金属遮光层代替黑色矩阵,并用导电球将所述金属遮光层和公共电极连接导通,由于所述金属遮光层的方块电阻比所述公共电极小,实现了所述金属遮光层与所述公共电极并联连接,就使得所述公共电极的电阻减小、导电性能增大,从而受到信号干扰时恢复到初始电位的速度快能力强,能够有效提高所述公共电极的抗干扰能力和降低水平串扰的风险,同时所述金属遮光层的制程精度高,不容易产生偏移遮挡像素显示区,有效提高了开口率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中液晶显示面板的结构示意图
图2为本发明一个实施例中液晶显示面板的结构示意图;
图3为本发明一个实施例中制备方法的流程图;及
图4A~4E为本发明一个实施例中制备方法的分步示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
现有技术中存在公共电极导电性能差、公共电极电位复位慢、易出现水平串扰以及开口率低等技术问题。
基于此,本发明实施例中提供一种液晶显示面板及液晶显示面板的制备方法,以下分别进行详细说明。
首先,本发明实施例提供一种液晶显示面板,如图2所示,为本发明一个实施例中液晶显示面板的结构示意图。所述液晶显示面板包括:第一衬底基板201;公共电极204,设置于所述第一衬底基板201的一侧;金属遮光层202,设置于所述第一衬底基板201远离所述公共电极204的一侧;及导电球203,设置于所述公共电极204与所述金属遮光层202之间,导通所述公共电极204和所述金属遮光层202。
相较于现有的液晶显示面板,本发明通过在所述液晶显示面板内用金属遮光层202代替黑色矩阵,并用导电球203将所述金属遮光层202和公共电极204连接导通,由于所述金属遮光层202的方块电阻比所述公共电极204小,实现了所述金属遮光层202与所述公共电极204并联连接,就使得所述公共电极204的电阻减小、导电性能增大,从而受到信号干扰时恢复到初始电位的速度快能力强,能够有效提高所述公共电极204的抗干扰能力和降低水平串扰的风险,同时所述金属遮光层202的制程精度高,不容易产生偏移遮挡像素显示区,有效提高了开口率。
在上述实施例的基础上,所述液晶显示面板还包括第二衬底基板206、彩色滤光层207和绝缘保护层205,所述第二衬底基板206与所述第一衬底基板201相对设置,所述彩色滤光层207设置于所述第二衬底基板206靠近所述第一衬底基板201的一侧,所述绝缘保护层205设置于所述金属遮光层202远离所述第一衬底基板201的一侧。
由于在本实施例中,所述金属遮光层202和所述公共电极204分别沉积于所述第一衬底基板201的两侧,相较于现有技术中将所述黑色矩阵和所述公共电极沉积于所述玻璃基板的同一侧,由于制备所述金属遮光层202的制程限制,制得的所述金属遮光层202的厚度一般是现有技术中所述黑色矩阵的厚度的2~3倍,若所述第一衬底基板201和所述第二衬底基板206的位置不变,所述公共电极204与所述第二衬底基板206的距离减小,寄生电容增加,对扫描线和信号线的影响很大,若保持所述公共电极204与所述第二衬底基板206的距离不变,则所述第一衬底基板201与所述第二衬底基板206的距离增大,液晶的用量增加,生产成本也随之增加。为了改善此现象,对所述金属遮光层202的位置进行优化,所述第一衬底基板201中开设有至少一个通孔,所述导电球203填充于所述通孔中。即可不改变所述第一衬底基板201与所述衬底基板206的距离,而把所述黑色矩阵替换成所述金属遮光层202,并且增设所述导电球203导通所述公共电极204与所述金属遮光层202。
优选的,所述金属遮光层202为开设有多个相互间隔开孔的金属层。所述金属遮光层202的图案为多条不透光的金属条分别按行列排列且相互交叉垂直,所述多条互相垂直分布的金属条的布设位置是对应于多条数据线及多条栅极线的位置。在所述多条金属条之间则对应分布有彩色滤光层207。同时,所述金属遮光层202采用金属材料,通常金属材料的方块电阻远远小于所述公共电极204的方块电阻,优选的,所述金属遮光层202为铝、铜、钼或钛中的至少一种。更优选的,所述导电球203也采用金属材料,为上述金属材料中的至少一种,则所述导电球203的方块电阻同样远小于所述公共电极204的方块电阻。
其中,在本发明实施例中,为了避免所述导电球203遮挡所述像素的显示区降低开口率,所述导电球203在所述公共电极204上的投影与所述金属遮光层202在所述公共电极204上的投影重合。此时,所述导电球203在所述公共电极204上的投影面积小于等于所述金属遮光层202在所述公共电极204上的投影面积,且所述导电球203对应的投影被所述金属遮光层202对应的投影完全覆盖,所述导电球203与所述金属遮光层202中的金属线条位置重合,并没有额外遮挡所述显示区,即该像素的开口率与仅设置所述金属遮光层202的开口率相同。
优选的,所述公共电极的材料为氧化铟锡。
为了更好地制得本发明实施例中液晶显示面板,在所述液晶显示面板的基础之上,本发明实施例中还提供一种液晶显示面板的制备方法,所述制备方法用于制备如上述实施例中所述的液晶显示面板。
如图3和4A~4E所示,图3为本发明一个实施例中制备方法的流程图,图4A~4E为本发明一个实施例中制备方法的分步示意图。
所述液晶显示面板的制备方法,包括以下步骤:
S1、提供一第一衬底基板201,所述第一衬底基板201中开设有至少一个通孔,如图4A所示;
S2、在所述第一衬底基板201的一侧制备金属遮光层202,如图4B所示;
S3、在所述通孔处制备导电球203,如图4C所示;
S4、在所述第一衬底基板201远离所述金属遮光层202一侧制备公共电极204,通过所述导电球203导通所述公共电极204和所述金属遮光层202,如图4D所示。
在一些实施例中,所述制备方法还包括在所述金属遮光层202远离所述第一衬底基板201一侧表面制备绝缘保护层205,以保护所述金属遮光层202在制程中不受磨损或腐蚀,如图4E所示。
具体的,制备所述金属遮光层202和所述公共电极204的方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法或喷墨打印法;及在所述通孔处制备导电球203包括注射或滴入法。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文针对其他实施例的详细描述,此处不再赘述。具体实施时,以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现,也可以进行任意组合,作为同一或若干个实体来实现,以上各个单元、结构或操作的具体实施可参见前面的方法实施例,在此不再赘述。
以上对本发明实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:
第一衬底基板;
公共电极,设置于所述第一衬底基板的一侧;
金属遮光层,设置于所述第一衬底基板远离所述公共电极的一侧;及
至少一导电球,设置于所述公共电极与所述金属遮光层之间,导通所述公共电极和所述金属遮光层。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一衬底基板中开设有至少一个通孔,所述导电球填充于所述通孔中。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述金属遮光层为开设有多个相互间隔开孔的金属层。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述金属遮光层和所述导电球的方块电阻均小于所述公共电极的方块电阻。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述导电球在所述公共电极上的投影与所述金属遮光层在所述公共电极上的投影重合。
6.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,还包括:第二衬底基板、彩色滤光层和绝缘保护层,所述第二衬底基板与所述第一衬底基板相对设置。
7.根据权利要求6所述的液晶显示面板,其特征在于,所述彩色滤光层设置于所述第二衬底基板靠近所述第一衬底基板的一侧,所述绝缘保护层设置于所述金属遮光层远离所述第一衬底基板的一侧。
8.一种液晶显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一第一衬底基板,所述第一衬底基板中开设有至少一个通孔;
在所述第一衬底基板的一侧制备金属遮光层;
在所述通孔处制备导电球;及
在所述第一衬底基板远离所述金属遮光层一侧制备公共电极,通过所述导电球导通所述公共电极和所述金属遮光层。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,还包括在所述金属遮光层远离所述第一衬底基板一侧表面制备绝缘保护层,以保护所述金属遮光层在制程中不受磨损或腐蚀。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,制备所述金属遮光层和所述公共电极的方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法或喷墨打印法;及在所述通孔处制备导电球包括注射或滴入法。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201124 |
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