CN111934073B - 一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器 - Google Patents

一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器 Download PDF

Info

Publication number
CN111934073B
CN111934073B CN202011030860.1A CN202011030860A CN111934073B CN 111934073 B CN111934073 B CN 111934073B CN 202011030860 A CN202011030860 A CN 202011030860A CN 111934073 B CN111934073 B CN 111934073B
Authority
CN
China
Prior art keywords
microstrip
substrate
integrated waveguide
metalized
band filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011030860.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111934073A (zh
Inventor
董元旦
朱谊龙
杨涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd
Original Assignee
Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd filed Critical Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd
Priority to CN202011030860.1A priority Critical patent/CN111934073B/zh
Publication of CN111934073A publication Critical patent/CN111934073A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111934073B publication Critical patent/CN111934073B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/212—Frequency-selective devices, e.g. filters suppressing or attenuating harmonic frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20309—Strip line filters with dielectric resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/2039—Galvanic coupling between Input/Output

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器，将一个、或者两个终端短路的微带谐振器级联在两个基片集成波导谐振腔之间，构成三阶、或者四阶混合结构的滤波器，滤波器整体呈旋转对称结构。所提供的小型化宽阻带滤波器能实现较高的品质因数，维持较低的***损耗，同时具备小型化的特点，滤波器具有较宽的阻带带宽，较高的选择性。

Description

一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器
技术领域
本发明涉及微波带通滤波器，尤其是一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器。
背景技术
微波带通滤波器作为无线通信***中的一个重要器件，其作用是使需要的信号低损耗通过，同时抑制干扰信号。随着无线通信技术的不断发展，并且为了进一步追求通信质量、速度以及容量，也对各类微波器件及***的整体性能提出了更高的要求，其中实现微波滤波器的高性能设计便是当前许多研究学者与企业追求的目标。高性能滤波器的特性包括小型化、高功率容量、高选择性，以及实现较宽的阻带抑制性能等等。
在过去的十几年间，基于基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)技术的滤波器受到了学术界和工业界的广泛关注。基片集成波导滤波器具有一般平面的电路易集成的特性，容易加工制造，它也具有波导器件的高功率容量、高品质因数和低插损等特点，但其不足是电路物理尺寸较大，同时其高次谐振模式距离通带较近，难以形成宽的阻带抑制性能。如文献“Substrate Integrated Waveguide Filter With ImprovedStopband Performance for Satellite Ground Terminal”提出了一种工作在Ka波段的基片集成波导滤波器，该滤波器实现了较低的***损耗，但其高次模式距离通带较近，仅实现了约1.6倍频程的阻带抑制特性。
而基于微带技术的滤波器则具有相反的特性，它通常能实现约3倍频程左右的阻带带宽，同时具有远小于基片集成波导滤波器的物理尺寸。微带滤波器的另一个优点是其具有很强的设计自由度，谐振器之间很容易实现电耦合、磁耦合、以及混合耦合，从而带来滤波器结构与拓扑设计上的优势，如传输零点的引入，并且实现传输零点的可控。尽管具有许多优势，微带滤波器也面临一些其他的问题，如它的频率难以做得很高，否则将会引入较大的辐射损耗，从而降低滤波器整体的品质因数。
综上所述，目前的微带滤波器和基片集成波导滤波器均存在各自的缺陷，急需一种设计更为合理的滤波器，以满足高性能滤波器的需求。
发明内容
本发明的目的在于解决上述问题，提供一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器。
本发明的目的之一是这样实现的，一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器，包括介质基板，所述介质基板上设置有金属化过孔，金属化过孔连接基板顶面的金属层和基板底面的金属层，通过金属化过孔围成有中心对称封闭腔体，中心对称封闭腔体内沿腔体的一条中心线设置有一列金属化过孔，从而将中心对称封闭腔体分隔为两个基片集成波导谐振腔，两个基片集成波导谐振腔之间级联有至少一个终端短路的微带谐振器；所述介质基板上还设置有一对输入输出端口，输入输出端口的两个共面波导馈电线分别连接到两个所述基片集成波导谐振腔，滤波器整体呈旋转对称结构。
优选的，所述两个基片集成波导谐振腔之间级联有一个终端短路的微带谐振器，所述微带谐振器包括圆形贴片，圆形贴片通过其左右两侧相对设置的高阻抗微带线分别连接到所述两个基片集成波导谐振腔。
优选的，圆形贴片上下两侧分别设置有呈弧形分布的金属化过孔，微带谐振器整体呈现出对称结构。
优选的，呈弧形分布的金属化过孔所形成的弧线对应的圆心角为60度。
优选的，所述两个基片集成波导谐振腔之间级联有两个终端短路的微带谐振器，每个微带谐振器均包括圆形贴片，两个微带谐振器通过其中心短路的支节进行耦合，两个微带谐振器通过高阻抗微带线分别对应连接两个基片集成波导谐振腔。
进一步的，沿圆形贴片外侧设置有呈弧形分布的金属化过孔。
优选的，所述中心短路的支节为十字型枝节，十字型枝节的上下两端分别连接两个圆形贴片，十字型枝节的左右两端分别布置有一个金属化过孔。
优选的，所述中心对称封闭腔体为矩形腔体。
优选的，所述金属化过孔的直径为0.6mm，相邻两个金属化过孔的间距小于1mm。
优选的，所述微带谐振器为半波长微带谐振器，所述共面波导馈电线为50欧姆微带馈电线，共面波导馈电线延伸到所述基片集成波导谐振腔内部。
相对现有技术，本发明的显著进步性至少体现在：
本发明结合了微带技术与基片集成波导技术，实现了混合结构的滤波器设计，所提供的小型化宽阻带滤波器的品质因数高于传统的微带滤波器，而低于基片集成波导滤波器，能实现较高的品质因数，维持较低的***损耗；进一步的，相比与基片集成波导谐振腔，微带谐振器具有更小的物理尺寸，因为基于混合技术实现的滤波器具有小型化的特征；而与基片集成波导谐振腔相比，微带谐振器的高次模式谐振频率更高，通过将微带谐振器级联在两个基片集成波导谐振腔之间，能进一步抑制基片集成波导TE102和TE201模的谐振与传播，从而实现较宽的阻带带宽；此外，本发明的滤波器通过基片集成波导谐振腔与微带谐振器之间交叉耦合的引入，能在通带左右两侧产生传输零点，从而提高滤波器的选择性。
附图说明
图1为本发明实施例的三阶小型化宽阻带滤波器平面结构示意图；
图2为本发明实施例的三阶小型化宽阻带滤波器仿真的S参数响应曲线；
图3 为本发明实施例的四阶小型化宽阻带滤波器平面结构示意图；
图4为本发明实施例的四阶小型化宽阻带滤波器仿真的S参数响应曲线。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，对本发明作详细说明。应该说明的是，本发明的具体实施方式并不限于所提供的具体实施例。
本发明提供的一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器，包括介质基板，所述介质基板上设置有金属化过孔，金属化过孔连接基板顶面的顶层金属和基板底面的底层金属，通过金属化过孔围成有中心对称封闭腔体，中心对称封闭腔体内沿腔体的一条中心线设置有一列金属化过孔，从而将中心对称封闭腔体分隔为两个基片集成波导谐振腔，两个基片集成波导谐振腔之间级联有至少一个终端短路的微带谐振器；所述介质基板上还设置有一对输入输出端口，输入输出端口的两个共面波导馈电线分别连接到两个所述基片集成波导谐振腔，滤波器整体呈旋转对称结构。
基于以上发明构思，本发明提供以下具体的实施例：
参阅图1所示，本发明提供的第一种实施例的基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器，该滤波器包括设置于介质基板1上的两个基片集成波导谐振腔3、级联在所述两个基片集成波导谐振腔之间的第一微带谐振器4、以及分别连接到两个基片集成波导谐振腔3的共面波导输入输出馈电线5。进一步的，所述介质基板1上设置有金属化过孔2，金属化过孔2连接基板顶面的顶层金属和基板底面的底层金属，通过金属化过孔2围成有封闭的矩形腔体，所述矩形腔体内沿腔体的一条中心线还设置有一列金属化过孔2，从而将所述矩形腔体对称分隔为所述两个基片集成波导谐振腔3。进一步的，所述第一微带谐振器4为一个终端短路的半波长微带谐振器，第一微带谐振器包括圆形贴片，所述圆形贴片加载在滤波器的中心位置，圆形贴片的左右两侧相对设置有高阻抗微带线，圆形贴片通过所述高阻抗微带线对应连接到两个基片集成波导谐振腔，第一微带谐振器以及滤波器整体均呈现出旋转对称结构。应该说明的是，本实施例的滤波器中，两个基片集成波导谐振腔3的工作模式为TE101模，而第一微带谐振器4则工作在其主谐振模上，与基片集成波导谐振腔的工作频率一致，在基片集成波导谐振腔与微带谐振器之间形成合适的级间耦合时，就能形成三极点通带响应，构成一种三阶小型化宽阻带滤波器。基片集成波导谐振腔两个较近的高次模为TE102和TE201模，在该滤波器中，由于馈电位置位于滤波器中心，能抑制高次模TE201模；并且由于微带谐振器的引入，使得TE102模难以在谐振器之间进行传播，实现了滤波器的高次模抑制，从而具有较宽的阻带抑制特性。
作为进一步优选的实施方案，所述圆形贴片上下两侧对称设置有呈弧形分布的金属化过孔，呈弧形分布的金属化过孔的主要作用是调谐基片集成波导谐振腔3与第一微带谐振器4之间的磁耦合。呈弧形分布的金属化过孔所形成的弧线对应的圆心角可根据实际需要进行设置，作为一种具体的优选，本实施例中呈弧形分布的金属化过孔所形成的弧线对应的圆心角为60度。
作为一种优选的实施方案，金属化过孔直径设置为0.6mm，相邻两个金属化过孔的间距小于1mm。进一步的，连接到两个基片集成波导谐振腔的共面波导输入输出馈电线采用50欧姆微带馈电线，共面波导输入输出馈电线延伸到所述基片集成波导谐振腔内部，并按滤波器中心呈旋转对称特性。
还应该说明的是，作为一种可选择的实施方式，本实施例中的共面波导输入输出馈电线以及第一微带谐振器均是通过在基板的顶面刻蚀形成。具体的，输入、输出馈电线的两侧均刻蚀有两条与馈电线平行的矩形槽；沿第一微带谐振器的圆形贴片和高阻抗微带线边沿刻蚀形成有线槽，所述线槽位于第一微带谐振器与呈弧形分布的金属化过孔之间。
基于图1所示滤波器进行性能测试，滤波器的结构参数如表1所示；
表1
Figure 439048DEST_PATH_IMAGE001
可以理解的是，表1中的参数代表的是第一种实施例滤波器的结构参数，具体的：l 1表示基片集成波导谐振腔的长度，w 1表示基片集成波导谐振腔的宽度，w m1表示50欧姆微带馈电线的宽度，l s1表示50欧姆微带馈电线两侧的矩形槽延伸到腔体内部的长度，w s1表示矩形槽的宽度，p 1表示相邻两个金属化过孔的间距，d 1表示金属化过孔的直径，m 1表示高阻抗微带线长度，n 1表示高阻抗微带线宽度，g 1表示线槽宽度，r 1表示第一微带谐振器的圆形贴片的半径，θ 1表示金属化过孔所形成的弧线对应的圆心角。进一步的，本实施例采用标准的PCB加工工艺，介质基板采用Rogers5880基板，厚度为0.508mm，介电常数为2.2，损耗角正切为0.0009，基板上下表面为0.018mm的金属铜。
如图2所示，为第一种实施例滤波器的S参数响应曲线，图中，S11表示反射特性曲线，S21表示传输特性曲线。图2中呈现出等纹波的切比雪夫函数响应，滤波器的中心频率为10GHz，3dB带宽为1.2GHz。在25GHz范围内，该滤波器实现了良好的宽阻带抑制性能，基片集成波导的TE102和TE201模被抑制，带外抑制度大于25dB。
作为第二种实施例，参阅图3所示，本实施例的基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器，该滤波器包括设置于介质基板1上的两个基片集成波导谐振腔3、级联在所述两个基片集成波导谐振腔之间的第二微带谐振器6和第三微带谐振器7、以及分别连接到两个基片集成波导谐振腔3的共面波导输入输出馈电线5。进一步的，所述介质基板1上设置有金属化过孔2，金属化过孔2连接基板顶面的顶层金属和基板底面的底层金属，通过金属化过孔2围成有封闭的矩形腔体，所述矩形腔体内沿腔体的一条中心线还设置有一列金属化过孔，从而将所述矩形腔体对称分隔为所述两个基片集成波导谐振腔3。进一步的，所述第二微带谐振器6和第三微带谐振器7均为终端短路的半波长微带谐振器，第二微带谐振器和第三微带谐振器沿中心线分布设置，第二微带谐振器和第三微带谐振器均包括圆形贴片，两个微带谐振器通过其中心短路的支节8进行耦合，两个微带谐振器通过高阻抗微带线分别对应连接两个基片集成波导谐振腔3。进一步的，第二微带谐振器和第三微带谐振器中，沿圆形贴片外侧还设置有呈弧形分布的金属化过孔，呈弧形分布的金属化过孔所形成的弧线对应的圆心角可根据实际需要进行设置，滤波器整体呈现出旋转对称结构。
可以理解的是，本实施例的滤波器中，沿圆形贴片外侧设置的呈弧形分布的金属化过孔用以控制基片集成波导谐振腔与微带谐振器之间的耦合强度，同时也构成基片集成波导谐振腔的金属壁。而两个微带谐振器通过其中心短路的支节进行耦合，中心短路的支节越长，耦合强度越大。同样的，两个基片集成波导谐振腔工作在TE101模上，两个微带谐振器工作在其主模上，与基片集成波导谐振腔的频率一致。当四个谐振器之间形成合适的电磁耦合时，就能形成四极点通带响应，构成一种四阶小型化宽阻带滤波器。滤波器整体呈旋转对称结构，共面波导位于腔体的中心，能抑制TE201模，而两个基片集成波导腔体中心几乎没有耦合窗的存在，因而TE102模难以在两个基片集成波导谐振腔之间进行直接的耦合。同时，微带谐振器具有更高频率的高次谐振模式，因而能进一步抑制基片集成波导的高次模。
作为进一步的优选，所述中心短路的支节为十字型枝节，十字型枝节的上下两端分别连接两个圆形贴片，十字型枝节的左右两端分别布置有一个金属化过孔。
还应该说明的是，本实施例中的共面波导输入输出馈电线以及第二微带谐振器和第三微带谐振器均可通过在基板的顶面刻蚀形成。具体的，输入、输出馈电线的两侧均刻蚀有两条与馈电线平行的矩形槽；沿第二微带谐振器和第三微带谐振器的圆形贴片和高阻抗微带线边沿刻蚀形成有线槽，呈弧形分布的金属化过孔设置所述线槽外侧；同样的，中心短路的支节的边沿也刻蚀有线槽。此外，本实施例中的金属化过孔的直径设置、相邻两个金属化过孔的间距设置均可参考第一种实施例的设置。
基于图3所示滤波器进行性能测试，滤波器的结构参数如表2所示：
表2
Figure 749944DEST_PATH_IMAGE002
可以理解的是，表2中的参数表示的是第二种实施例滤波器的结构参数，其中的l 2、w 2、w m2、l s2、w s2、p 2、d 2、m 2、n 2、g 2、r 2、θ 2表示的参数含义参考第一实施例的相应参数，再此不做过多赘述。不同的是，表2中的d x 表示十字型枝节中的横向枝节的半长，d y 表示十字型枝节中的纵向枝节的半长。进一步的，本实施例采用标准的PCB加工工艺，介质基板采用Rogers5880基板，厚度为0.508mm，介电常数为2.2，损耗角正切为0.0009，基板上下表面为0.018mm的金属铜。
如图4所示，为第二种实施例的滤波器的S参数响应曲线，图中，S11表示反射特性曲线，S21表示传输特性曲线。图4中呈现出准椭圆函数响应；滤波器的中心频率为10GHz，3dB带宽为1.18GHz，在通带左侧产生了一个传输零点，通带右侧产生两个传输零点，实现了较高的选择性。并且在20GHz范围内，带外抑制度都大于30dB，具有较宽的阻带带宽。
以在本发明的实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“坚直”、“水平”、“中心”、“顶”、“底”、“顶部”、“底部”、“内”、“外”、“内侧”、“外侧”等指示的方位或位置关系
在本发明的实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“组装”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明的实施例的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (9)

1.基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器，包括介质基板，其特征在于：所述介质基板上设置有金属化过孔，金属化过孔连接基板顶面的金属层和基板底面的金属层，通过金属化过孔围成有中心对称封闭腔体，中心对称封闭腔体内沿腔体的一条中心线设置有一列金属化过孔，从而将中心对称封闭腔体分隔为两个基片集成波导谐振腔，两个基片集成波导谐振腔之间级联有至少一个终端短路的微带谐振器；所述介质基板上还设置有一对输入输出端口，输入输出端口的两个共面波导馈电线分别连接到两个所述基片集成波导谐振腔，滤波器整体呈旋转对称结构；
终端短路的微带谐振器包括圆形贴片及加载在圆形贴片左右相对侧的高阻抗微带线，高阻抗微带线分别连接到所述两个基片集成波导谐振腔，且圆形贴片外侧还设置有呈弧形分布的金属化过孔。
2.根据权利要求1所述的小型化宽阻带滤波器，其特征在于，所述两个基片集成波导谐振腔之间级联有一个终端短路的微带谐振器，圆形贴片上下两侧分别设置有呈弧形分布的金属化过孔，微带谐振器整体呈现出对称结构。
3.根据权利要求2所述的小型化宽阻带滤波器，其特征在于，呈弧形分布的金属化过孔所形成的弧线对应的圆心角为60度。
4.根据权利要求1所述的小型化宽阻带滤波器，其特征在于，所述两个基片集成波导谐振腔之间级联有两个终端短路的微带谐振器，每个微带谐振器均包括圆形贴片，两个微带谐振器通过中心短路的支节进行耦合，两个微带谐振器通过高阻抗微带线分别对应连接两个基片集成波导谐振腔。
5.根据权利要求4所述的小型化宽阻带滤波器，其特征在于，沿圆形贴片外侧设置有呈弧形分布的金属化过孔，金属化过孔覆盖与高阻抗微带线相对的一侧，且弧形分布的金属化过孔的端部金属化过孔延伸至设置高阻抗微带线的一侧。
6.根据权利要求5所述的小型化宽阻带滤波器，其特征在于，所述中心短路的支节为十字型枝节，十字型枝节的上下两端分别连接两个圆形贴片，十字型枝节的左右两端分别布置有一个金属化过孔。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的小型化宽阻带滤波器，其特征在于，所述中心对称封闭腔体为矩形腔体。
8.根据权利要求1所述的小型化宽阻带滤波器，其特征在于，所述金属化过孔的直径为0.6mm，相邻两个金属化过孔的间距小于1mm。
9.根据权利要求1所述的小型化宽阻带滤波器，其特征在于，所述微带线谐振器为半波长微带线谐振器，所述共面波导馈电线为50欧姆微带馈电线，共面波导馈电线延伸到所述基片集成波导谐振腔内部。
CN202011030860.1A 2020-09-27 2020-09-27 一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器 Active CN111934073B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011030860.1A CN111934073B (zh) 2020-09-27 2020-09-27 一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011030860.1A CN111934073B (zh) 2020-09-27 2020-09-27 一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111934073A CN111934073A (zh) 2020-11-13
CN111934073B true CN111934073B (zh) 2021-01-05

Family

ID=73333612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011030860.1A Active CN111934073B (zh) 2020-09-27 2020-09-27 一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111934073B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115347339B (zh) * 2022-09-14 2023-06-20 南京信息工程大学 一种基片集成波导的宽阻带带通滤波器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1838478A (zh) * 2006-01-26 2006-09-27 东南大学 微波毫米波基片集成波导介质谐振器天线
CN200950463Y (zh) * 2006-09-22 2007-09-19 东南大学 基片集成波导准感性通孔滤波器
CN202019043U (zh) * 2011-02-21 2011-10-26 上海大学 具有陡峭边带特性的基片集成波导滤波器
CN202275910U (zh) * 2011-10-25 2012-06-13 电子科技大学 基片集成波导小型化带通混合环
KR101430994B1 (ko) * 2013-10-24 2014-08-18 엘아이지넥스원 주식회사 군위성 단말기용 siw 기반 적층형 도파관 구조를 갖는 소형경량 듀플렉서
US10263310B2 (en) * 2014-05-14 2019-04-16 Gapwaves Ab Waveguides and transmission lines in gaps between parallel conducting surfaces
CN104953214B (zh) * 2015-05-14 2018-06-19 电子科技大学 一种毫米波siw滤波器及其设计方法
CN107317075A (zh) * 2017-06-14 2017-11-03 南京理工大学 基于矩形基片集成波导共用腔的双工器
CN107482288B (zh) * 2017-08-22 2019-03-01 电子科技大学 四分之一结构基片集成波导双通带电调谐滤波器
CN107946706B (zh) * 2017-10-26 2019-09-20 中山大学 基于微带和基片集成波导的双频带通滤波器及其设计方法
CN110336106B (zh) * 2019-07-19 2021-05-25 成都频岢微电子有限公司 一种小型化基片集成波导高阶滤波器
CN110398502B (zh) * 2019-07-29 2022-02-11 西南大学 基于双重入式谐振腔和微流控技术的微波传感器
CN111446532B (zh) * 2020-03-26 2021-01-05 成都频岢微电子有限公司 一种基于基片集成波导的同轴谐振腔及其滤波器
CN111403861B (zh) * 2020-03-26 2021-04-13 电子科技大学 一种uir加载的三阶双通带基片集成波导滤波器

Also Published As

Publication number Publication date
CN111934073A (zh) 2020-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101010401B1 (ko) 유전체 모노-블럭 트리플-모드 마이크로웨이브 딜레이 필터
CN110797614B (zh) 一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器
CA2660553A1 (en) A waveguide filter
CN109830789B (zh) 一种基于折叠基片集成波导和互补开口谐振环的宽带带通滤波器
CN113300065B (zh) 基于三角形基片集成波导的混合模式带通滤波器
Wang et al. Compact microstrip bandstop filters using stepped-impedance resonator (SIR) and spur-line sections
CN112928409A (zh) 具有宽阻带和高选择性的微带带通滤波器
EP3667810B1 (en) Filters having resonators with negative coupling
CN114335955A (zh) 基于hmsiw-sspp混合模式的不等分带通滤波功分器
CN111934073B (zh) 一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器
CN116759779B (zh) 一种5g毫米波滤波功分模块
CN111740192B (zh) 一种叉指结构加载的基片集成波导滤波器
Xue et al. Microstrip wideband bandpass filter with six transmission zeros using transversal signal-interaction concepts
CN111613861A (zh) 具有宽阻带抑制的双模siw滤波器
CN109755711B (zh) 双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器
CN111293390A (zh) 一种uir加载的三阶双通带基片集成波导滤波器
CN114284664B (zh) 基于混合折叠基片集成波导谐振腔和新型带状线耦合的带通滤波器
CN113314817B (zh) 双层三角形基片集成波导滤波器
CN111463525B (zh) 基于共面波导的小型化的三阶sd-hmsiw带通滤波器
An et al. An SIW quasi-elliptic filter with a controllable bandwidth based on cross coupling and dual-mode resonance cavity
Huang et al. Design of miniaturized vertically stacked SIW filters in LTCC
Bayati et al. Compact SIW directional filter using substrate integrated circular cavities
Gao et al. New Dual-Passband SIW Filter with Loaded T-Slot
Du et al. A capacitive cross-coupling structure for ceramic-filled cavity filters
CN115395191B (zh) 一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant