CN111919512B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

设置于边框区域(F)的折弯区域(B)中，在无机叠层膜(La)上形成开口部(Sa)，俯视时，在开口部(Sa)岛状地设置有多个无机层叠膜(La)的剩余层(Lba)，并且在相邻的剩余层(Lba)之间配置有边框配线(22)。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机EL(Electroluminescence，电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在该有机EL显示装置中，提出了在具有可弯曲性的树脂基板上形成层叠有有机EL元件、各种膜等的柔性有机EL显示装置。此处，在有机EL显示装置中，设置有进行图像显示的矩形状的显示区域和在该显示区域周围的边框区域，并期望减小边框区域。于是，在柔性有机EL显示装置中，例如，当折弯端子侧的边框区域以缩小边框区域时，配置在该边框区域中的配线可能会断线。
例如，专利文献1公开了一种柔性显示装置，其中，通过形成折弯孔以去除与折弯区域对应的缓冲膜、栅极绝缘膜和层间绝缘膜中的每一个的一部分来防止配线的断线。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2014-232300号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，在柔性有机EL显示装置中，为了赋予显示区域防潮功能，使用具有在两个树脂膜之间***了无机绝缘膜的层叠结构的树脂基板。在该树脂基板的表面上，设置有底涂膜、栅极绝缘膜以及层间绝缘膜等无机膜。
这里，为了抑制配置在边框区域中的配线的损坏，去除在设置在边框区域中的折曲区域的无机膜，并且在被去除的部分中形成平坦化膜，在平坦化膜上形成配线。
在这种情况下，由于在折弯区域中的树脂基板的上层侧树脂膜的表面上不存在上述无机膜，因此在制造时的水洗工序中，上层侧树脂膜吸湿，存在上层侧树脂膜和其背面的无机绝缘膜之间的附着性降低的情况。结果，在制造时的折弯工序中，在上层侧树脂膜和无机绝缘膜之间的界面处发生剥离，显示装置的成品率降低。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，在折弯区域中，通过改进设置在树脂基板的表面上的无机膜的结构来抑制显示装置的成品率的降低。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明涉及的显示装置的特征在于，包括:树脂基板，按第一树脂膜、无机绝缘膜和第二树脂膜的顺序在所述树脂基板上层叠；发光元件，其构成显示区域，所述显示区域在所述树脂基板上隔着TFT层设置；边框区域，其设置于所述显示区域的周围；端子部，其设置于上述边框区域的端部；折弯区域，其设置于所述显示区域和所述端子部之间；至少一层无机膜，其设置于所述边框区域，构成层叠在所述树脂基板表面上的所述TFT层；边框平坦化膜，其以覆盖所述无机膜的方式设置于所述树脂基板的表面；边框配线，其设置在所述无机膜及所述边框平坦化膜的表面上，与所述发光元件连接并向所述端子部延伸；在所述折弯区域中，在所述无机膜形成有开口部，在俯视下，在所述开口部岛状地设置有多个所述无机膜的剩余层，并且在相邻的所述剩余层之间配置所述边框配线。
有益效果
根据本发明，在折弯工序中，抑制第二树脂膜和无机绝缘膜的界面处发生的剥离并抑制显示装置成品率的降低。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的平面图。
图2是沿着图1中的II-II线的有机EL显示装置的截面图。
图3是示出构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图4是示出构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。
图5是示出本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域中的折弯区域的平面图。
图6是示出本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的折弯区域的截面图，是图5的H-H处的截面图。
图7是示出本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的折弯区域的截面图，是图5的I-I处的截面图。
图8是仅示出本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的折弯区域的放大截面图，是图5的J-J处的放大截面图。
图9是示出用于形成无机层叠膜的剩余层的第一工序的截面图，该无机层叠膜构成本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置，且是图5的I-I处的截面图。
图10是示出用于形成无机层叠膜的剩余层的第二工序的截面图，该无机层叠膜构成本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置，且是图5的I-I处的截面图。
图11是示出用于形成无机层叠膜的剩余层的第三工序的截面图，该无机层叠膜构成本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置，且是图5的I-I处的截面图。
图12是示出本发明的第二实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域中的折弯区域的平面图，是相当于图5的图。
图13是仅示出本发明的第二实施方式涉及的有机EL显示装置的折弯区域的图12的J-J处的放大截面图，是相当于图8的图。
图14是示出本发明的第三实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域中的折弯区域的平面图，是相当于图5的图。
图15是仅示出本发明的第三实施方式涉及的有机EL显示装置的折弯区域的图14的J-J处的放大截面图，是相当于图8的图。
图16是示出本发明的第四实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域中的折弯区域的平面图，是相当于图5的图。
图17是仅示出本发明的第四实施方式涉及的有机EL显示装置的折弯区域的图16的J-J处的放大截面图，是相当于图8的图。
图18是仅示出本发明的第五实施方式涉及的有机EL显示装置的折弯区域的截面图，是相当于图7的图。
图19是仅示出本发明的第二实施方式涉及的有机EL显示装置的折弯区域的放大截面图，是相当于图8的图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。另外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
[第一实施方式]
图1～图11示出了本发明涉及的显示装置的第一实施方式。另外，作为包括发光元件的显示装置，在以下各实施方式中，示例了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置30a的平面图。此外，图2是沿着图1中的II-II线的有机EL显示装置30a的截面图。此外，图3是示出构成有机EL显示装置30a的TFT层29的等效电路图。此外，图4是构成有机EL显示装置30a的有机EL层16的截面图。此外，图5是有机EL显示装置30a的边框区域F中的折弯区域B的平面图。此外，图6是示出有机EL显示装置30a的折弯区域B的截面图，是图5的H-H处的截面图。此外，图7是示出有机EL显示装置30a的折弯区域B的截面图，是图5的I-I处的截面图。此外，图8是仅示出有机EL显示装置30a的折弯区域B的放大截面图，是图5的J-J处的放大截面图。此外，图9、图10以及图11是示出用于形成无机层叠膜La的剩余层Lba的第一、第二以及第三工序的截面图，该剩余层Lba构成有机EL显示装置30a，且是图5的I-I处的截面图。
如图1所示，有机EL显示装置30a具有被规定为矩形状并进行图像显示的显示区域D、以及被规定在显示区域D的周围的边框区域F(图中的阴影部分)。在此，如图2所示，在有机EL显示装置30a的显示区域D设置有有机EL元件19，并排列有呈矩阵状的多个像素。另外，在显示区域D的各像素中，例如，用于进行红色的灰度显示的子像素、用于进行绿色的灰度显示的子像素以及用于进行蓝色的灰度显示的子像素以相互相邻的方式排列。此外，如图1所示，图中边框区域F的右端部设置有端子部T。此外，如图1所示，在边框区域F中，在显示区域D和端子部T之间，将图中纵向作为折弯的轴在180°折弯(U字状)的折弯区域B沿着显示区域D的一边(图中右边)设置。另外，在本说明书中，折弯区域B指的是被包括折曲成U形的部分、从该折弯部分向显示区域D延伸的部分的U形的全区域。
如图2所示，有机EL显示装置30a在显示区域D中包括:树脂基板层10a；TFT层29，其设置在树脂基板层10a上；有机EL元件19，其作为发光元件设置在TFT层上；表面侧保护层25a，其设置在有机EL元件19的表面；以及背面侧保护层25b，其设置在有机EL元件19的背面。
如图2所示，树脂基板层10a按第一树脂膜23a、无机绝缘膜24a和第二树脂膜23b的顺序层叠构成。第一树脂膜23a和第二树脂膜23b例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等的有机树脂材料构成。第一树脂膜23a和第二树脂膜23b可以是相同的有机树脂材料，也可以是不同的有机树脂材料。另外，从提高第一树脂膜23a和第二树脂膜23b的紧密性的观点来看，优选为相同的有机树脂材料。第一树脂膜23a的厚度为5μm～15μm左右。第二树脂膜23b的厚度为5μm～15μm左右。
无机绝缘膜24a例如由氧化硅(SiO2)、四氮化三硅(Si3N4)等之类的氮化硅(SiNx(x为正数))、氮氧化硅(SiNO)等之类的氮氧化硅等构成。无机绝缘膜24a的厚度为0.1μm～1μm左右。另外，树脂基板层10a的厚度例如为10μm～30μm左右。
如图2所示，TFT层29包括:设置在树脂基板层10a上的底涂膜11aa、设置在底涂膜11aa上的多个第一TFT12a(参照图3)以及多个第二TFT12b、设置在各第一TFT12a、各第二TFT12b上的TFT平坦化膜13。在此，如图3所示，在TFT层29中，以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线26。此外，在TFT层29中，如图3所示，以在附图中的纵向上彼此平行延伸的方式设置有多条源极线27a。此外，在TFT层29中，如图3所示，以与各源极线27a相邻，并在附图中的纵向上彼此平行地延伸的方式设置有多条电源线27b。此外，在TFT层29中，如图3所示，在各子像素中分别设置有第一TFT12a、第二TFT12b和电容28。
底涂膜11aa例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，在各子像素中，第一TFT12a与对应的栅极线26及源极线27a连接。此外，如图3所示，在各子像素中，第二TFT12b连接到对应的第一TFT12a和电源线27b。在此，第一TFT12a和第二TFT12b例如包括:以岛状设置在底涂膜11aa上的半导体层、以覆盖半导体层的方式设置的栅极绝缘膜6a(参照图7)、以与半导体层的一部分重叠的方式设置在栅极绝缘膜6a上的栅极、以覆盖栅极的方式设置的层间绝缘膜9a(参照图7)、以及设置在第二层间绝缘膜9a上并且以彼此隔开的方式配置的源极和漏极。另外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT12a及第二TFT12b，但第一TFT12a及第二TFT12b也可以为底栅型的TFT。
如图3所示，在每个子像素中，电容器28与对应的第一TFT12a及电源线27b连接。在此，电容器28例如由与栅极同一的材料形成于同一层的一个电极、由与源极线同一的材料形成于同一层的另一个电极和设置在该一对电极之间的层间绝缘膜9a(参照图7)构成。
TFT平坦化膜13例如由聚酰亚胺树脂等的无色透明的有机树脂材料构成。
如图2所示，有机EL元件19包括依次设置在TFT平坦化膜13上的多个第一电极14、边缘罩15、多个有机EL层16、第二电极17以及密封膜18。
如图2所示，多个第一电极14以与多个子像素相对应的方式呈矩阵状设置在TFT平坦化膜13上。在此，如图2所示，第一电极14经由形成于TFT平坦化膜13的接触孔，与各TFT12的漏极电极连接。另外，第一电极14具有向有机EL层16注入空穴的功能。另外，为了提高对有机EL层16的空穴注入效率，第一电极14更优选由功函数大的材料形成。在此，作为构成第一电极14的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等之类的金属材料。另外，构成第一电极14的材料例如也可以为镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、或氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等之类的合金。此外，构成第一电极14的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极14例如也可以层叠由上述材料构成的多个层而形成。此外，作为功函数大的材料，例如可举出铟锡氧化物(ITO)及铟锌氧化物(IZO)等。
如图2所示，边缘罩15以覆盖各第一电极14的周缘部的方式设置成格子状。在此，作为构成边缘罩15的材料，例如可举出氧化硅(SiO2)、四氮化三硅(Si3N4)等的氮化硅(SiNx(x为正数))、氮氧化硅(SiNO)等的无机膜，或聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等有机膜。
如图2所示，多个有机EL层16配置在各第一电极14上并以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。此处，如图4所示，各有机EL层16包括依次设置在第一电极14上的空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4以及电子注入层5。
空穴注入层1还被称为阳极缓冲层，其使第一电极14和有机EL层16的能级接近，具有改进从第一电极14对有机EL层16的空穴注入效率的功能。此处，构成空穴注入层1的材料例如可列举***衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴输送层2具有提高空穴从第一电极14向有机EL层16的输送效率的功能。此处，构成空穴输送层2的材料例如可列举卟啉衍生物、芳香族三级胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对苯撑乙烯、聚硅烷、***衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是由第一电极14及第二电极17施加电压时，从第一电极14及第二电极17分别注入空穴及电子且重组空穴和电子的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，构成发光层3的材料可列举，例如金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。
电子输送层4具有使电子高效率地迁移至发光层3的功能。此处，作为构成电子输送层4的材料列举了如下：例如作为有机化合物的恶二唑衍生物、***衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
电子注入层5接近第二电极17和有机EL层16的能级，具有提高从第二电极17向有机EL层16注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件19的驱动电压。另外，电子注入层5也称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)之类的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图2所示，第二电极17以覆盖各有机EL层16和边缘罩15的方式设置。此外，第二电极17具有向有机EL层16注入电子的功能。此外，为了提高对有机EL层16的电子注入效率，第二电极17更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极17的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。此外，第二电极17例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等之类的合金形成。此外，第二电极17例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等之类的导电性氧化物形成。此外，第二电极17也可以通过层叠由上述材料构成的多个层来形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图2所示，密封膜18包括:以覆盖第二电极17的方式设置，并具有保护有机EL层16免受水分、氧影响的功能。在此，作为构成密封膜18的材料，例如可举出氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、四氮化三硅(Si3N4)等之类的氮化硅(SiNx(x为正数))、碳氮化硅(SiCN)等之类的无机材料、丙烯酸酯、聚脲、聚对亚苯基二甲基、聚酰亚胺、聚酰胺等之类的有机材料。
表面侧保护层25a和背面侧保护层25b例如由厚度2μm左右的聚酰亚胺树脂等构成。
如图5和图6所示，有机EL显示装置30a包括:在边框区域F中的树脂基板层10a、设置在树脂基板层10a的表面上的无机层叠膜La和第一平坦化膜(边框平坦化膜)21a、设置在无机层叠膜La和第一平坦化膜21a的边框配线22、覆盖边框配线22的第二平坦化膜21b。另外，在图5的平面图中，省略了边框配线22上的第二平坦化膜21b。
边框配线22与显示区域D的有机EL元件19的信号配线(栅极线、源线、电源线等)连接并延伸设置至端子部T。另外，边框配线22例如由钛膜(厚度200nm左右)/铝膜(厚度100nm左右)/钛膜(厚度200nm左右)等金属层叠膜构成。另外，在本实施方式中，尽管例示了由金属层叠膜构成的边框配线22，但边框配线22也可以由金属单层膜构成。
无机层叠膜La是构成TFT层29的至少一层无机膜，如图6和图7所示，该无机层叠膜La包括依次层叠在树脂基板层10a上的底涂膜11aa(第一无机层)、栅极绝缘膜6a(第二无机层)、由第一层间绝缘膜7a(第三无机层)和第二层间绝缘膜8a(第四无机层)构成的层间绝缘膜9a。即，无机层叠膜La由4层无机层构成。
在此，在本实施方式中，如图6及图7所示，在折弯区域B中，未设置无机层叠膜La的底涂膜11aa、栅极绝缘膜6a以及层间绝缘膜9a而形成有开口部Sa。如图6及图7所示，该开口部Sa通过使无机层叠膜La在其厚度方向Z上贯通而形成。
此外，在本实施方式中，如图5和图8所示，在俯视下，在开口部Sa以岛状设有(在图5和图8中为5个)无机层叠膜La的多个剩余层Lba，并且在相邻的剩余层Lba之间配置有边框配线22。
如图7所示，剩余层Lba是由无机层叠膜La的至少一层构成的无机膜，具备在树脂基板层10a上依次层叠的底涂膜11ba、栅极绝缘膜6ba、由第一层间绝缘膜7ba和第二层间绝缘膜8ba构成的层间绝缘膜9ba。
因此，在开口部Sa中的第二树脂膜23b中，与在表面不具有图7和图8所示的剩余层Lba的部分(以下，称为“切口部分”)Ca相比，抑制了表面具有残留层Lba的部分的吸湿，与位于其背面的无机绝缘膜24a之间的密合性提高。
这样，在开口部Sa中的第二树脂膜23b中，即使有局部地与无机绝缘膜24a的密合性差的地方(切口部分Ca)，也与其相邻地设置与无机绝缘膜24a的密合性优异的地方(表面具有剩余层Lba的部分)，由此在开口部Sa的第二树脂膜23b整体中，维持与无机绝缘膜24a的密合性。其结果，在折弯区域B中，能够抑制由树脂基板层10a的折弯引起的第二树脂膜23b与无机绝缘膜24a的界面处的剥离的发生。
此外，如上所述，如图5及图8所示，在俯视下，在相邻的剩余层Lba之间配置有边框配线22。换言之，剩余层Lba设置于在俯视下未配置有边框配线22的部分。这样，在俯视下，以岛状设置的多个剩余层Lba不与边框配线22重叠，因此，能够减少在将树脂基板层10a折弯时施加于剩余层Lba的应力。其结果是，能够抑制在折弯区域B因树脂基板层10a的折弯而引起的剩余层Lba的破损。
如图7所示，第一平坦化膜21a以覆盖剩余层Lba并且填埋开口部Sa的方式设置。然后，在开口部Sa的切口部分Ca处，第二树脂膜23b露出的同时设置第一平坦化膜21a，构成为第一平坦化膜21a和第二树脂膜23b直接接触。即，开口部Sa是在切口部分Ca使第二树脂膜23b与第一平坦化膜21a直接接触的贯通孔。
第一平坦化膜21a及第二平坦化膜21b例如由厚度2μm左右的聚酰亚胺树脂等有机绝缘膜构成。
此外，配置于显示区域D的表面侧保护层25a及背面侧保护层25b虽然也设于边框区域F的大部分，但不设于折弯区域B。
上述有机EL显示装置30构成为具有可弯曲性，在各子像素中，通过使有机EL层16的发光层3经由第一TFT12a和第二TFT12b适当地发光来进行图像显示。
本实施方式的有机显示装置30a可以如下那样制作。
例如，首先，在玻璃基板上利用公知的方法形成第一树脂膜23a，在第一树脂膜23a上形成无机绝缘膜24a，在无机绝缘膜24a上形成第二树脂膜23b，由此形成树脂基板层10a；接着，在所形成的树脂基板层10a的表面，利用公知的方法形成底涂膜11aa和有机EL元件19，在有机EL元件19上经由粘结层粘贴表面侧保护层25a后，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10a的背面经由粘接层粘贴背面侧保护层25b，由此能够制造有机EL显示装置30a。在此，边框区域F的边框配线22在形成构成有机EL元件19的TFT12的源电极和漏电极时形成。此外，边框区域F的第一平坦化膜21a在形成构成有机EL元件19的TFT12的源电极及漏电极之前，仅在边框区域F进行聚酰亚胺树脂等感光性有机绝缘膜的成膜并进行图案化而形成。
此外，折弯区域B中的无机层叠膜La的剩余层Lba例如以如下方式形成。首先，如图9所示，在成膜于树脂基板层10a上的无机绝缘膜11、无机绝缘膜6、无机绝缘膜7及无机绝缘膜8的层叠膜上涂布抗蚀剂，使用光刻法形成抗蚀剂图案Ra。在此，无机绝缘膜11例如由氧化硅膜(上层)/氮化硅膜(中层)/氧化硅膜(下层)等层叠膜构成。此外，无机绝缘膜6例如为氮化硅膜。此外，无机绝缘膜7由例如为氮化硅膜的单层膜构成。此外，无机绝缘膜8例如由氮化硅膜(上层)/氧化硅膜(下层)等的无机绝缘膜的层叠膜构成。
接着，通过干式蚀刻除去由抗蚀剂图案Ra露出的无机绝缘膜11、6、7及8，如图10所示，形成无机绝缘膜11a、栅极绝缘膜6a、第1层间绝缘膜7a及第2层间绝缘膜8a。此外，形成从无机绝缘膜11a、栅极绝缘膜6a、第1层间绝缘膜7a及第2层间绝缘膜8a分离的底涂膜11ba、栅极绝缘膜6ba、第1层间绝缘膜7ba及第2层间绝缘膜8ba。
最后，通过剥离抗蚀剂图案Ra，如图11所示，能够在折弯区域B的无机层叠膜La上形成开口部Sa，在该开口部Sa上形成由4层构成的剩余层Lba。另外，剩余层Lba形成为厚度1.5μm左右。
如以上说明，根据本实施方式的有机EL显示装置30a，能够得到以下的(1)和(2)的效果。
(1)在折弯区域B中的无机层叠膜La形成有开口部Sa，在俯视下，在开口部Sa以岛状设置有由无机层叠膜La的至少一层构成的多个剩余层Lba，并且在相邻的剩余层Lba之间配置边框配线22。因此，在开口部Sa的第二树脂膜23b中，与切口部分Ca相比，在表面设置有剩余层Lba的部分的吸湿被抑制，提高与位于其背面的无机绝缘膜24a的密合性。其结果，在开口部Sa的第二树脂膜23b整体中，维持与无机绝缘膜24a的密合性。如上所述，在折弯区域B中，能够抑制由树脂基板层10a的折弯引起的第二树脂膜23b与无机绝缘膜24a的界面上的剥离的发生，因此能够抑制有机EL显示装置30a的成品率的降低。
(2)在俯视下，在相邻的剩余层Lba之间配置边框配线22(即，剩余层Lba设于在俯视下未配置边框配线22的部分)。因此，以岛状设置的多个剩余层Lba在俯视下不与边框配线22重叠，因此能够减小在将树脂基板层10a折弯时施加于剩余层Lba的应力。其结果是，在折弯区域B中，能够抑制因树脂基板层10a的折弯而引起的剩余层Lba的破损，因此能够抑制有机EL显示装置30a的成品率的降低。
[第二实施方式]
接着，说明本发明的第二实施方式。图12是示出本发明的本实施方式涉及的有机EL显示装置30b的边框区域F中的折弯区域B的平面图，且是相当于图5的图。此外，图13是仅示出有机EL显示装置30b的折弯区域B的图12的J-J处的放大截面图，且是相当于图8的图。此外，包括折弯区域B以外的显示区域D以及边框区域F等的有机EL显示装置30b的整体结构与上述的第一实施方式的情况相同，因此在此省略详细的说明。此外，对与上述第一实施方式相同的构成部分标注相同的附图标记并省略其说明。
本实施方式的有机EL显示装置30b的特征在于，如图12和图13所示，在开口部Sb中，剩余层Lbb至少设于与边框配线22的延伸设置方向X大致正交的方向Y的两端这一点。更具体而言，在开口部Sb中，剩余层Lbb以与有机EL显示装置30b的上述方向Y的两端相接的方式仅设置于该两端。换言之，在俯视时，在有机EL显示装置30b的按照与上述方向Y的两端相连的方式设置的剩余层Lbb之间未设置剩余层Lbb。另外，在图12的平面图中，省略了边框配线22上的第二平坦化膜21b。
本实施方式的有机EL显示装置30b可以通过如下方式制造:在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置30a的制造方法中改变无机层叠膜La及剩余层Lba的图案形状。
如以上说明，根据本实施方式的有机EL显示装置30b，能够在上述(1)和(2)的效果的基础上，获得以下(3)和(4)的效果。
(3)在折弯区域B中，有时从有机EL显示装置30b的端部产生因树脂基板层10a的折弯而引起的第2树脂膜23b与无机绝缘膜24a的剥离，但通过构成为至少在开口部Sb中的与边框布线22的延伸设置方向X大致正交的方向Y的两端设置剩余层Lbb，从而在开口部Sb中，从有机EL显示装置30b的上述方向Y的两端向第2树脂膜23b的吸湿被抑制。其结果是，由于与无机绝缘膜24a的密合性被维持，因此能够抑制有机EL显示装置30b的成品率的降低。
(4)剩余层Lb仅设置于有机EL显示装置30b的上述方向Y的两端(即，在俯视时，在设置于有机EL显示装置30b的上述方向Y的两端的剩余层Lbb之间未设置剩余层Lbb)，因此，能够防止树脂基板层10a的折弯导致的剩余层Lbb的破损。其结果是，能够抑制有机EL显示装置30b的成品率的降低。
[第三实施方式]
接着，说明本发明的第三实施方式。图14是示出本实施方式涉及的有机EL显示装置30c的边框区域F中的折弯区域B的平面图，且是相当于图5的图。此外，图15是仅示出有机EL显示装置30c的折弯区域B的图14的J-J处的放大截面图，且是相当于图8的图。此外，包括折弯区域B以外的显示区域D以及边框区域F等的有机EL显示装置30c的整体结构与上述的第一实施方式的情况相同，因此在此省略详细的说明。此外，对与上述第一实施方式相同的构成部分标注相同的附图标记并省略其说明。
本实施方式的有机EL显示装置30c的特征在于，如图14和图15所示，剩余层Lbc沿着边框配线22的延伸设置方向X隔开间隙地设有多个(在图14中为30个)。即，如图14所示，剩余层Lbc作为由无机层叠膜La的至少一层构成的小片设置。另外，在图14的平面图中，省略了边框配线22上的第二平坦化膜21b。
本实施方式的有机EL显示装置30c可以通过如下方式制造:在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置30a的制造方法中改变无机层叠膜La及剩余层Lba的图案形状。
如以上说明，根据本实施方式的有机EL显示装置30c，能够在上述(1)和(2)的效果的基础上，获得以下(5)的效果。
(5)在开口部Sc，剩余层Lbc沿着边框配线22的延伸设置方向X隔开间隙地设有多个，从而在将树脂基板层10a折弯时使施加于剩余层Lbc的应力分散。此外，沿着树脂基板层10a的折弯的轴向(与边框配线22的延伸设置方向X大致正交的方向Y)设置有多个切口部Cc，因此在将树脂基板层10a折弯时施加于剩余层Lbc的应力进一步降低。其结果是，在折弯区域B中，能够进一步抑制因树脂基板层10a的折弯而引起的剩余层Lbc的破损，因而能够抑制有机EL显示装置30c的成品率的降低。
[第四实施方式]
接着，说明本发明的第四实施方式。图16是示出本实施方式涉及的有机EL显示装置30d的边框区域F中的折弯区域B的平面图，且是相当于图5的图。此外，图17是仅示出有机EL显示装置30d的折弯区域B的图16的J-J处的放大截面图，且是相当于图8的图。此外，包括折弯区域B以外的显示区域D以及边框区域F等的有机EL显示装置30d的整体结构与上述的第一实施方式的情况相同，因此在此省略详细的说明。此外，对与上述第一实施方式相同的构成部分标注相同的附图标记并省略其说明。
本实施方式的有机EL显示装置30d的特征在于，如图16和图17所示，在上述第二实施方式的有机EL显示装置30b中，剩余层Lbd沿着边框配线22的延伸设置方向X隔开间隙地设有多个(在图16中为4个)。即，如图16所示，剩余层Lbd与上述第三实施方式的有机EL显示装置30c的剩余层Lbc同样地，作为由无机层叠膜La的至少一层构成的小片设置。另外，在图16的平面图中，省略了边框配线22上的第二平坦化膜21b。
在本实施方式中，开口部Sd中的剩余层Lbd设置在从有机EL显示装置30d的边框配线22的与延伸设置方向X大致正交的方向Y的两端向第2树脂膜23b的吸湿受到抑制的必要最小限度的范围内。
本实施方式的有机EL显示装置30d可以通过如下方式制造:在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置30a的制造方法中改变无机层叠膜La及剩余层Lba的图案形状。
如以上说明，本实施方式的有机EL显示装置30d，能够在上述(1)和(2)的效果的基础上，获得以下(6)的效果。
(6)在开口部Sd中，剩余层Lbd仅设置在与边框配线22的延伸设置方向X大致正交的方向Y的两端，且沿着该方向X隔开间隙地设有多个，由此在折弯区域B，进一步降低将树脂基板层10a折弯时施加于剩余层Lbd的应力，能够进一步防止由树脂基板层10a的折弯引起的剩余层Lbd的破损。其结果是，能够抑制有机EL显示装置30d的成品率的降低。
[第五实施方式]
接着，说明本发明的第五实施方式。图18是示出本实施方式涉及的有机EL显示装置30e的折弯区域B的截面图，且是相当于图7的图。另外，包括折弯区域B以外的显示区域D以及边框区域F等的有机EL显示装置30e的整体结构与上述的第一实施方式的情况相同，因此在此省略详细的说明。此外，对与上述第一实施方式相同的构成部分标注相同的附图标记并省略其说明。
在本实施方式的有机EL显示装置30e中，如图18所示，开口部Se中的剩余层Lbe由底涂膜11be构成，底涂膜11be由无机层叠膜La的底涂膜11aa构成，在该底涂膜11be的表面设置半导体层31，半导体层31与第一平坦化膜21a接触。
半导体层31由构成底涂膜11aa等的硅材料、构成第一电极14或第二电极17的氧化物等构成。
本实施方式的有机EL显示装置30e可以通过在第一实施方式的有机EL显示装置30a的制造方法中，在对半导体进行图案化时，在折弯区域B形成在俯视时呈岛状的半导体层31而制造。在这种情况下，不需要对折弯区域B中的无机层叠膜La进行蚀刻并设置剩余层Lbe时所需的抗蚀剂的形成。此外，半导体层31上的第一层间绝缘膜7be及第二层间绝缘膜8be通过蚀刻而被去除。
如以上说明，根据本实施方式的有机EL显示装置30e，能够在上述(1)和(2)的效果的基础上，获得以下(7)和(8)的效果。
(7)在开口部Se中，通过形成在剩余层Lbe的表面设置半导体层31的构成，半导体层31作为蚀刻的阻止层发挥功能，因此，无需在无机层叠膜La上形成抗蚀剂即可设置剩余层Lbe。
(8)半导体层31上的第一层间绝缘膜7be及第二层间绝缘膜8be通过蚀刻而被除去，因此，在弯曲区域B中，可以进一步降低在折弯树脂基板层10a时施加于剩余层Lbe的应力。其结果是，能够抑制有机EL显示装置30e的成品率的降低。
[第六实施方式]
接着，说明本发明的第六实施方式。图19是仅示出本实施方式涉及的有机EL显示装置30f的折弯区域B的图12的放大截面图，且是相当于图8的图。另外，包括折弯区域B以外的显示区域D以及边框区域F等的有机EL显示装置30f的整体结构与上述的第一实施方式的情况相同，因此在此省略详细的说明。此外，对与上述第一实施方式相同的构成部分标注相同的附图标记并省略其说明。
在本实施方式的有机EL显示装置30f中，如图19所示，以俯视时与开口部Sf中的未设置剩余层Lbf的部分(即，切口部分Cf)重叠的方式，在树脂基板层10b中的无机绝缘膜24b形成基板侧开口部U。
成为在无机绝缘膜24b中的基板侧开口部U，第一树脂膜23a露出，并且设置第二树脂膜23b，第一树脂膜23a和第二树脂膜23b直接接触的构成。即，基板侧开口部U是使第一树脂膜23a与第二树脂膜23b直接接触的贯通孔。
本实施方式的有机EL显示装置30f可以通过在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置30a的制造方法中，例如能够通过如下方式形成树脂基板层10b来制造。在第一树脂膜23a上形成无机绝缘膜24a后，仅在折弯区域B成膜聚酰亚胺树脂等感光性有机绝缘膜，图案形成为规定形状。
如以上说明，根据本实施方式的有机EL显示装置30f，能够在上述(1)和(2)的效果的基础上，获得以下(9)的效果。
(9)在开口部Sf中，以俯视时与切口部分Cf重叠的方式，在树脂基板层10b中的无机绝缘膜24b形成基板侧开口部U，因此在折弯区域B中，能够进一步降低将树脂基板层10a折弯时施加于剩余层Lbf的应力。其结果是，能够抑制有机EL显示装置30f的成品率的降低。
[其他实施方式]
在上述第一～第四及第六实施方式中，剩余层Lb由在底涂膜11b的表面依次层叠有栅极绝缘膜6b、第一层间绝缘膜7b及第二层间绝缘膜8b的4层构成，但也可以由底涂膜11b的一层构成，也可以由底涂膜11b及栅极绝缘膜6b的两层构成。
在上述第五实施方式中，剩余层Lbe由底涂膜11be的一层构成，但也可以由在底涂膜11be的表面层叠有栅极绝缘膜6be的两层构成。
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的五层层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可以为空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的三层层叠构造。
此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极设为阳极，将第二电极设为阴极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于使有机EL层的层叠构造反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，尽管例示了包括将与第一电极连接的TFT的电极设为漏极电极的元件基板的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于包括元件基板的有机EL显示装置，所述元件基板以与第一电极连接的TFT的电极作为源极电极。
另外，在上述各实施方式中，作为显示装置以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明可以适用于包括多个由电流驱动的发光元件的显示装置。例如，可以适用于包括使用了含量子点层的发光元件的QLED(Quantum-dot light emitting diode，量子点发光二极管)的显示装置。
工业上的实用性
如以上说明，本发明可用于柔性的有机EL显示装置。
附图标记说明
6a、6ba～6bf 栅极绝缘膜(第二无机层)
7a、7ba～7bf 第一层间绝缘膜(第三无机层)
8a、8ba～8bf 第二层间绝缘膜(第四无机层)
10a、10b 树脂基板层(树脂基板)
11aa、11ba～11bf 基底涂膜(第一无机层)
19 有机EL元件(发光元件)
21a 第一平坦化膜(边框平坦化膜)
21b 第二平坦化膜
22 边框配线；
23a 第一树脂膜
23b 第二树脂膜
24a、24b 无机绝缘膜
25a 表面侧保护层
25b 背面侧保护层
29 TFT层
30a～30f 有机EL显示装置
31 半导体层
B 折弯区域
Ca～Cf 切口部分
D 显示区域
F 边框区域
La 无机层叠膜(至少一层无机膜)
Lba～Lbf 剩余层
Sa～Sf 开口部
T 端子部
U 基板侧开口部

Claims (12)

1.一种显示装置，其特征在于，包括:
树脂基板，按第一树脂膜、无机绝缘膜和第二树脂膜的顺序在所述树脂基板上层叠；
发光元件，其构成显示区域，所述显示区域在所述树脂基板上隔着TFT层设置；
边框区域，其设置于所述显示区域的周围；
端子部，其设置于上述边框区域的端部；
折弯区域，其设置于所述显示区域和所述端子部之间；
至少一层无机膜，其设置于所述边框区域，并层叠在所述树脂基板表面上；
边框平坦化膜，其以覆盖所述无机膜的方式设置于所述树脂基板的表面；
边框配线，其设置在所述无机膜及所述边框平坦化膜的表面上，与所述发光元件连接并向所述端子部延伸；
在所述折弯区域中，在所述无机膜形成有开口部，在俯视下，在所述开口部岛状地设置有多个所述无机膜的剩余层，并且在相邻的所述剩余层之间配置所述边框配线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述剩余层在俯视时不与所述边框配线重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述剩余层设置于在俯视时未配置所述边框配线的部分。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述剩余层沿着所述边框配线的延伸设置方向隔开间隙地设有多个。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述剩余层至少设置在与所述边框配线的延伸方向正交的方向的两端。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述剩余层仅设置在与所述边框配线的延伸设置方向正交的方向上的两端。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述剩余层沿着所述边框配线的延伸设置方向隔开间隙地设有多个。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述无机膜由从第一无机层到第四无机层依次层叠的四层构成，
所述剩余层由从第一无机层至第四无机层中选择的至少一层构成，
所述边框配线设置在所述边框平坦化膜和所述第四无机层的表面。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述剩余层由所述第一无机层构成，
在所述剩余层的表面设置有半导体层，所述半导体层与所述边框平坦化膜接触。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
以在俯视时与所述开口部中未设置所述剩余层的部分重叠的方式，在所述树脂基板中的所述无机绝缘膜上形成有基板侧开口部。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述开口部中未设置有所述剩余层的部分，所述第二树脂膜与所述边框平坦化膜接触。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件为有机EL元件。
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