CN111916463B - 阵列基板、其制备方法及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板、其制备方法以及显示面板。阵列基板包括在衬底基板上层叠设置的图案化的遮光层、有源层、栅极线、数据线、漏极走线以及设置于各层间的绝缘层。所述数据线和所述漏极走线等金属走线采用叠层金属结构。所述金属走线对应于所述图案化的遮光层，且所述金属走线在所述衬底基板上的正投影落在所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内，以缓解金属走线底切处产生漫反射的问题。

Description

阵列基板、其制备方法及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制备方法以及显示面板。

背景技术

目前，在显示面板的阵列工艺中，常采用叠层金属制作信号走线，例如常用的钛(Ti)、铝(Al)、钛组成的“三明治”夹层结构的叠层金属。然而由于铝相较于钛更容易被蚀刻，因此工艺上一直存在叠层金属结构侧向蚀刻的问题。随着屏幕更高频率显示的需求，需减小信号走线的阻抗。要减小阻抗就需增大信号走线的厚度。随之而来的信号走线侧向蚀刻更加严重。如图1所示，设置于基板600上的走线700包括下钛层7001、铝层7002、上钛层7003，其中铝层7002由于侧向蚀刻形成底切(undercut)现象。背光的光线X会在底切处产生漫反射且反射的光线均匀性较差，使得显示屏在外观上表现出亮度不均的现象。

因此，现有走线底切处产生漫反射的问题需要解决。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法以及显示面板，以缓解现有走线底切处产生漫反射的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板，其包括衬底基板、设置在衬底基板上的图案化的遮光层、多个晶体管、多条并列的栅极线、以及多条并列的数据线。每一所述晶体管的有源层包含沟道区，所述沟道区对应设置于所述图案化的遮光层上方。多条并列的栅极线设置于所述衬底基板上。多条并列的数据线设置于所述衬底基板上。其中，每一所述数据线具有叠层金属结构。每一所述数据线在所述衬底基板上的正投影落在所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述叠层金属结构包括钛、铝、钛形成的叠层结构。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述图案化的遮光层包括第一遮光部和第二遮光部。每一所述晶体管的所述沟道区对应所述第一遮光部设置，每一所述数据线对应所述第二遮光部设置。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二遮光部与所述第一遮光部一体式设置。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述栅极线与至少一个所述晶体管重叠。所述栅极线的重叠部分形成所述晶体管的栅极且对应于所述第一遮光部。

在本发明实施例提供的阵列基板中，至少一个所述晶体管的所述有源层为U型。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括公共电源走线，所述公共电源走线具有所述叠层金属结构，且所述公共电源走线在所述衬底基板上的正投影落在所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括漏极走线，所述漏极走线连接于至少一个所述晶体管的漏极，所述漏极走线具有所述叠层金属结构，且所述漏极走线在所述衬底基板上的正投影落在所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内。

本发明实施例还提供一种阵列基板制备方法，其包括以下步骤：步骤S10、制备图案化的遮光层，包括提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备遮光层，并对所述遮光层进行黄光工艺，形成具有第一遮光部和第二遮光部的图案化的遮光层，其中所述第二遮光部的宽度小于所述第一遮光部的宽度；步骤S20、制备有源层，所述有源层包含沟道区，所述沟道区对应设置于所述第一遮光部上方；步骤S30、制备栅极线；步骤S40、制备数据线，所述数据线具有叠层金属结构，且所述数据线对应于所述第二遮光部，所述第二遮光部的宽度大于所述数据线的宽度。

本发明实施例还提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板。

本发明的有益效果为：本发明提供的阵列基板、其制备方法以及显示面板在各金属走线的下方设置图案化的遮光层，且所述金属走线在所述衬底基板上的正投影落在所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内，进而所述图案化的遮光层完全遮挡各金属走线，使背光的光线不会照射到各金属走线。解决了背光光线在金属走线底切处发生漫反射，造成显示画面亮度不均的问题。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中源漏极层的侧视结构示意图；

图2为本发明实施例提供的阵列基板的第一种俯视结构示意图；

图3为本发明实施例提供的阵列基板的第二种俯视结构示意图；

图4为图3中沿A-A方向的剖面示意图；

图5为图3中沿B-B方向的剖面示意图；

图6为本发明实施例提供的遮光层的宽度对比示意图；

图7为本发明实施例提供的阵列基板的第三种俯视结构示意图；

图8为本发明实施例提供的阵列基板的第四种俯视结构示意图；

图9为本发明实施例提供的阵列基板的第五种俯视结构示意图；

图10为本发明实施例提供的阵列基板的第六种俯视结构示意图；

图11为本发明实施例提供的阵列基板制备方法的流程示意图；

图12至图14为本发明实施例提供的阵列基板制备方法中各步骤制得各部件的俯视结构示意图；

图15为本发明实施例提供的显示面板的侧视结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明不限于此。

在一种实施例中，如图2所示，提供一种阵列基板100，所述阵列基板100包括衬底基板10、图案化的遮光层20、多个晶体管(Thin Film Transistor，TFT)30、多条并列的栅极线40、多条并列的数据线51(图2仅绘示了一个晶体管30及对应的一条栅极线40、一条数据线51为代表)。所述图案化的遮光层20设置于所述衬底基板10上。每一所述晶体管30的有源层31包含沟道区311，所述沟道区311对应设置于所述图案化的遮光层20上方。所述多条并列的栅极线40和所述多条并列的数据线51也设置于所述衬底基板10上。且所述多条并列的栅极线40和所述多条并列的数据线51位于所述有源层31上方。其中，每一所述数据线51具有叠层金属结构，每一所述数据线51在所述衬底基板10上的正投影落在所述图案化的遮光层20在所述衬底基板10上的正投影的范围内。

具体的，如图2所示，所述阵列基板100还包括漏极走线52，所述漏极走线52与所述数据线51不同层设置。所述漏极走线52连接于至少一个所述晶体管30的漏极，所述漏极走线52亦可具有所述叠层金属结构，且所述漏极走线52在所述衬底基板10上的正投影落在所述图案化的遮光层20在所述衬底基板10上的正投影的范围内。需要说明的是，所述数据线51一般会向下延伸覆盖部分所述漏极走线52，且如同栅极线40一样横跨整个衬底基板10设置。此处为了清楚显示漏极走线52、沟道区311的缘故，并未绘示完整的数据线51。

具体的，所述叠层金属结构可以包括钛、铝、钛三层金属形成的叠层结构。由钛、铝、钛叠层结构制作的金属走线，容易在铝层发生底切现象。而本发明在所述数据线51和所述漏极走线52等叠层金属走线的下方设置所述图案化的遮光层20，所述图案化的遮光层20在遮挡部分所述有源层31的同时，还遮挡所述叠层金属走线，能够避免所述数据线51和所述漏极走线52在底切处发生漫反射。需要说明的是，图2示出的所述图案化的遮光层20遮挡全部的所述有源层31，但本发明不限于此，本发明的所述图案化的遮光层20至少应遮挡所述有源层31的沟道区311。

在一种实施例中，如图3所示，提供一种阵列基板101，与上述实施例不同的是，所述图案化的遮光层20’包括第一遮光部21和第二遮光部22。请结合参照图3和图4，图4是图3中沿A-A方向的剖面示意图，所述第一遮光部21和所述第二遮光部22一体式设置，当然的，本发明不限于此，本发明的所述第一遮光部21和所述第二遮光部22也可以分开设置。参照图3，所述第二遮光部22位于所述第一遮光部21的相对两侧，且所述第二遮光部22与所述栅极线40垂直。每一所述晶体管30的所述沟道区311对应所述第一遮光部21设置，每一所述数据线51和所述漏极走线52对应所述第二遮光部22设置。需要说明的是，漏极走线52的走线图案并非本发明重点，故图3的漏极走线52的走线图案及其对应第二遮光部22仅为示意，可依实际需求设计漏极走线52的走线图案。本发明的第二遮光部22至少应遮挡部分的漏极走线52。

具体的，请继续结合参照图3和图4，所述栅极线40与至少一个所述晶体管30重叠。所述栅极线40的重叠部分形成所述晶体管30的栅极41，所述栅极41对应于所述第一遮光部21。所述栅极线40与所述晶体管30的重叠部分也即所述栅极线40与所述有源层31的重叠部分。所述有源层31与所述栅极线的重叠部分即为所述有源层31的沟道区311。即所述栅极41下方的所述有源层31即是所述沟道区311。

进一步的，如图4所示的阵列基板101包括在衬底基板10上依次层叠设置的图案化的遮光层20’、缓冲层70、有源层31、栅极绝缘层80、栅极41、层间绝缘层60、数据线51、及漏极走线52。其中数据线51和漏极走线52不同层设置，漏极走线52可以和栅极41同层，当然的本发明不限于此。具体的，所述数据线51一般会向下延伸覆盖部分所述漏极走线52，且如同栅极线40一样横跨整个衬底基板10设置。此处为了配合图3清楚显示漏极走线52、沟道区311的缘故，并未绘示完整的数据线51。具体的，对应不同位置的晶体管30，数据线51和漏极走线52亦可同层设置，晶体管30亦可包含源极走线连接数据线51与晶体管30的源极，本发明不限于此。本发明的所述图案化的遮光层20’至少应遮挡部分采用叠层金属的走线。

具体的，有源层31包括沟道区311和位于沟道区311两侧的掺杂区312。所述栅极线40与所述晶体管30的重叠部分形成栅极41，所述栅极41对应于所述有源层31的沟道区311。所述层间绝缘层60及所述栅极绝缘层80图案化形成有第一过孔61，所述栅极绝缘层80图案化形成第二过孔62。所述数据线51通过所述第一过孔61连接所述有源层31的掺杂区312，所述漏极走线52通过所述第二过孔62连接所述有源层31的另一掺杂区312。具体的，所述第一过孔的导电材料即是所述晶体管30的源极，所述第二过孔62的导电材料即是所述晶体管30的漏极。可以理解的，阵列基板101还包括设置在晶体管30上的其他膜层，如钝化层、像素电极等，由于并非本发明的重点，在此不再一一说明。

具体的，所述数据线51和所述漏极走线52采用钛、铝、钛叠层金属图案化形成。以所述数据线51为例说明，如图5所示为图3中沿B-B方向的剖面示意图，在图5中，所述数据线51位于所述第二遮光部22的上方，当然的，所述数据线51与所述第二遮光部22之间还包括缓冲层70、栅极绝缘层80、以及层间绝缘层60。所述数据线51包括下层钛层511、铝层512、上层钛层513，所述下层钛层511及所述上层钛层513可以保护铝层512的上下表面不被蚀刻。但由于铝的蚀刻速率大于钛的蚀刻速率，使得所述数据线51的铝层512会被侧刻一部分，形成如图5所示的“工”字型底切现象。

进一步的，所述数据线51下方的所述第二遮光部22的宽度大于所述数据线51的宽度，使所述数据线51在所述衬底基板10上的正投影完全落在所述所述第二遮光部22在所述衬底基板10上的正投影的覆盖范围内。所述第二遮光部22可以遮挡背光光线照射到所述数据线51，进而避免背光光线在所述数据线51的底切处发生漫反射，造成显示面板亮度不均的现象。可以理解的是，所述漏极走线52下方的所述第二遮光部22的宽度也大于所述漏极走线52的宽度，所述第二遮光部22可以遮挡背光光线照射到漏极走线52，进而避免背光光线在漏极走线52的底切处发生漫反射。

具体的，如图6所示，所述第二遮光部22的宽度D1大于所述数据线51及所述漏极走线52的宽度D2(需要说明的是，所述数据线的宽度和所述漏极走线的宽度相等，均以D2表示，但本发明不限于此，所述漏极走线的宽度可以小于所述数据线的宽度)。且所述第二遮光部22的长度完全覆盖住所述数据线51和所述漏极走线52，以遮挡背光的光线照射到所述数据线51和漏极走线52。

进一步的，所述第二遮光部22的宽度D1小于所述第一遮光部21的宽度D3。所述第一遮光部21用于遮挡所述有源层31，以遮挡背光光线照射有源层31。具体的，所述第一遮光部21主要用于遮挡所述有源层31的沟道区311，也即所述栅极线40与所述有源层31的重叠区域。故所述第一遮光部21的宽度需大于所述有源层31的沟道区311宽度。所述第一遮光部21的覆盖区域可以大于所述栅极线40与所述有源层31的重叠区域，以更好的保护所述有源层31的沟道区311。当然的，本发明不限于此，本发明的所述第一遮光部也可以遮挡整个所述有源层。

具体的，所述图案化的遮光层20’的材料包括金属或其他具有遮光性能的材料。

在一种实施例中，与上述实施例不同的是，至少一个所述晶体管的有源层为U型。具体的，如图7所示的阵列基板102，所述有源层31’设计为U型，所述有源层31’与所述栅极线40有两处交叠处，所述数据线51’和所述漏极走线52’分别对应所述有源层31’与所述栅极线40的两处交叠处，以形成两个TFT。所述有源层31’和所述栅极线40的重叠部分对应于所述第一遮光部21。所述数据线51’和所述漏极走线52’对应于整个遮光部20’，也即对应于所述第一遮光部21和所述第二遮光部22。所述数据线51’和所述漏极走线52’同层设置，且所述数据线51’和所述漏极走线52’分别通过所述第一过孔61’和所述第二过孔62’与所述有源层31’接触。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。

在一种实施例中，与上述实施例不同的是，所述阵列基板还包括公共电源走线，所述公共电源走线在所述衬底基板上的正投影落在所述遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内。具体的如图8所示的阵列基板103，所述公共电源走线53和所述数据线51’及所述漏极走线52’平行设置。所述公共电源走线53和所述数据线51’及所述漏极走线52’在同一工艺下由叠层金属形成。所述公共电源走线53用于给公共电极提供电压。

进一步的，所述公共电源走线53下方对应设置有遮光部20’，所述遮光部20’的宽度大于所述公共电源走线53的宽度，也即所述第二遮光部22的宽度大于所述公共电源走线53的宽度，使所述公共电源走线53在所述衬底基板10上的正投影落在所述图案化的遮光层20’在所述衬底基板10上的正投影的范围内。进而所述遮光部20’可以遮挡背光光线照射到所述公共电源走线53，避免背光光线在所述公共电源走线53的底切处发生漫反射。可以理解的是，由于所述公共电极走线53处未设置有源层31’，故所述公共电源走线对应的所述遮光层可以不用区分第一遮光部和第二遮光部，把整个遮光层的宽度设置为大于公共电源走线的宽度即可。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。

在一种实施例中，与上述实施例不同的是，如图9所示的阵列基板104，所述有源层31”亦为U型，但所述数据线51’与所述漏极走线52’之间的有源层31”完全被栅极线40覆盖，作为沟道区，以形成一个TFT结构。图案化的遮光层20”遮挡所述数据线51’与所述漏极走线52’之间的有源层31”，如图9示出的第一遮光部21’遮挡U型有源层31”的整个沟道区。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。

在一种实施例中，与上述实施例不同的是，如图10所示的阵列基板105，所述有源层31’亦为U型，但所述栅极线40’在所述数据线51’和所述漏极走线52’之间设置有凸出部42，所述凸出部42覆盖所述数据线51’和所述漏极走线52’之间的有源层31’，以形成一个TFT结构。图案化的遮光层20’”遮挡所述数据线51’与所述漏极走线52’之间的有源层31’，如图10示出的第一遮光部21”遮挡U型有源层31’的整个沟道区。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。

在一种实施例中，提供一种阵列基板的制备方法，如图11所示，其包括以下步骤：

步骤S10、制备图案化的遮光层，包括提供一衬底基板10，在所述衬底基板10上制备遮光层，并对所述遮光层进行黄光工艺，形成具有第一遮光部21和第二遮光部22的图案化的遮光层20’，如图12所示。其中所述第二遮光部22的宽度小于所述第一遮光部21的宽度。

具体的，所述衬底基板包括玻璃基板等。在所述衬底基板上制备一层金属薄膜作为遮光层，并对所述金属薄膜进行黄光工艺，形成具有第一遮光部21和第二遮光部22的图案化的遮光层20’。

具体的，所述黄光工艺包括在金属薄膜上涂布光阻，对所述光阻进行曝光显影形成光阻图案，以所述光阻图案为遮挡对所述金属薄膜进行蚀刻，形成第一遮光部21和第二遮光部22。

需要说明的是，本发明的遮光层材料不限于金属，也可以采用其他具有遮光性能的材料。

步骤S20、制备有源层，所述有源层包含沟道区，所述沟道区对应设置于所述第一遮光部上方。

具体的，参照图4及图13，在所述衬底基板10及所述图案化的遮光层20’上制备缓冲层70，在所述缓冲层70上制备有源层31，所述有源层31包含沟道区311，所述沟道区311对应设置于所述第一遮光部21上方，形成如图13所示的结构，图13中示出了有源层31，未示出所述缓冲层70。

具体的，所述缓冲层70的材料包括氮化硅等无机材料。

进一步的，所述有源层31的材料包括非晶硅等半导体材料。

步骤S30、制备栅极线，具体的，参照图4及图14，包括在所述缓冲层70及所述有源层31上制备栅极绝缘层80，在所述栅极绝缘层80上制备栅极层，对所述栅极层进行黄光工艺形成栅极线40，图14中示出了栅极线40，未示出栅极绝缘层80。在制作栅极线40的同时，在栅极绝缘层80上制备漏极走线52，所述漏极走线52通过栅极绝缘层80的第二过孔62与所述有源层31连接。所述漏极走线52对应所述第二遮光部22设置。

步骤S40、制备数据线，所述数据线具有叠层金属结构，且所述数据线对应于所述第二遮光部，所述第二遮光部的宽度大于所述数据线的宽度。

具体的，参照图4，在所述栅极绝缘层80及所述栅极41上制备层间绝缘层60，图案化所述层间绝缘层60以形成第一过孔61。在所述层间绝缘层60上制备数据线51，所述数据线51通过所述第一过孔61与所述有源层31连接。所述数据线对应于所述第二遮光部，所述第二遮光部的宽度大于所述数据线的宽度，形成如图3所示的阵列基板结构。

具体的，在所述层间绝缘层上依次层叠沉积钛层、铝层、钛层，形成叠层金属。对所述叠层金属进行黄光工艺形成所述数据线。

进一步的，如图5所示，所述数据线51包括下层钛层511、铝层512、上层钛层513，所述下层钛层及所述上层钛层可以保护铝层的上下表面不被蚀刻。但由于铝的蚀刻速率大于钛的蚀刻速率，使得源极走线的铝层会被侧刻一部分，形成如图5所示的“工”字型底切现象。

进一步的，所述第二遮光部的宽度大于所述数据线及所述漏极走线的宽度，且所述第二遮光部的宽度小于所述第一遮光部的宽度。所述第二遮光部可以遮挡背光光线照射到所述数据线和所述漏极走线，进而避免背光光线在所述数据线及所述漏极走线的底切处发生漫反射，造成显示面板亮度不均的现象。

当然的，本发明的阵列基板制备方法还可包括制备公共电源走线等其他金属走线，并在对应的各金属走线下方设置遮光层，以及在数据线上制备钝化层、像素电极等其他膜层，在此不再赘述。

在一种实施例中，提供一种显示面板，如图15所示，所述显示面板包括前述实施例其中之一的阵列基板100、与所述阵列基板100相对设置的彩膜基板200、以及位于所述阵列基板100和彩膜基板200之间的多个液晶分子300。

根据上述实施例可知：

本发明提供一种阵列基板、其制备方法以及显示面板，阵列基板包括在衬底基板上层叠设置的图案化的遮光层、有源层、栅极线、数据线、漏极走线、以及设置于各层间的绝缘层。所述数据线和所述漏极走线等各金属走线采用叠层金属结构。通过在各金属走线下方设置图案化的遮光层，且所述金属走线在所述衬底基板上的正投影落在所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内，使背光的光线不会照射到各金属走线。解决了背光光线在各金属走线底切处发生漫反射，造成显示画面亮度不均的问题。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

图案化的遮光层，设置于所述衬底基板上；

多个晶体管，每一所述晶体管的有源层包含沟道区，所述沟道区对应设置于所述图案化的遮光层上方；

多条并列的栅极线，设置于所述衬底基板上；以及

多条并列的数据线，设置于所述衬底基板上；

其中，每一所述数据线具有叠层金属结构，每一所述数据线在所述衬底基板上的正投影落在所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内；所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖每一所述栅极线在所述衬底基板上的部分正投影。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述叠层金属结构包括钛、铝、钛形成的叠层结构。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述图案化的遮光层包括第一遮光部和第二遮光部，每一所述晶体管的所述沟道区对应所述第一遮光部设置，每一所述数据线对应所述第二遮光部设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光部与所述第一遮光部一体式设置。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极线与至少一个所述晶体管重叠，所述栅极线的重叠部分形成所述晶体管的栅极且对应于所述第一遮光部。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，至少一个所述晶体管的所述有源层为U型。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电源走线，所述公共电源走线具有所述叠层金属结构，且所述公共电源走线在所述衬底基板上的正投影落在所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括漏极走线，所述漏极走线连接于至少一个所述晶体管的漏极，所述漏极走线具有所述叠层金属结构，且所述漏极走线在所述衬底基板上的正投影落在所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影的范围内。

9.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S10、制备图案化的遮光层，包括提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备遮光层，并对所述遮光层进行黄光工艺，形成具有第一遮光部和第二遮光部的图案化的遮光层，其中所述第二遮光部的宽度小于所述第一遮光部的宽度；

步骤S20、制备有源层，所述有源层包含沟道区，所述沟道区对应设置于所述第一遮光部上方；

步骤S30、制备栅极线，所述图案化的遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖每一所述栅极线在所述衬底基板上的部分正投影；以及

步骤S40、制备数据线，所述数据线具有叠层金属结构，且所述数据线对应于所述第二遮光部，所述第二遮光部的宽度大于所述数据线的宽度。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。

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