CN111883550B - 一种平板探测器 - Google Patents
一种平板探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111883550B CN111883550B CN202010794753.XA CN202010794753A CN111883550B CN 111883550 B CN111883550 B CN 111883550B CN 202010794753 A CN202010794753 A CN 202010794753A CN 111883550 B CN111883550 B CN 111883550B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal electrode
- flat panel
- scintillator
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 9
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 claims description 3
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明涉及一种平板探测器，包括由下至上依次设置的薄膜晶体管组、第一金属电极、转换层和第二金属电极；所述薄膜晶体管组包括n个薄膜晶体管，n为大于等于1的正整数；各所述薄膜晶体管的源极均与所述第一金属电极连接；所述转换层由银纳米线、量子点和闪烁体胶体组成。本发明运用银纳米线具有较高的导电性，能够快速收集并传输自由载流子，降低了工作电压的同时降低了信号读取时间，提高了成像质量。
Description
技术领域
本发明涉及数字化影像技术领域，特别是涉及一种平板探测器。
背景技术
数字化X射线摄影(Digital Radiography，简称DR)技术以其快速成像、操作便捷、高分辨率等优点，在医疗器械等领域得到了广泛的应用。其中，X射线平板探测器的性能会对DR图像质量产生比较大的影响。
目前，非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器是最为普遍的商用DR平板探测器，根据能量转换方式的不同，前者属于直接型平板探测器，后者属于间接型平板探测器。直接型平板探测器由底部的薄膜晶体管阵列收集上层转换层产生的电流，在通过读出电路读取每点的X射线剂量，进而产生图像。由于非晶硒不产生可见光，没有散射线的影响，因此可以获得较高的空间分辨率。但又由于其工作电压高因而存在安全隐患，此外还有图像重叠和滞后等一系列问题。间接型平板探测器是由上部的闪烁体材料与中间的非晶硅光电二极管和底部的电荷读出电路组成，即由非晶硅光电二极管探测闪烁体材料吸收X射线而转换的可见光，再由电荷读出电路读取电荷，最终转化为图像。但由于转换过程中可见光会发生散射，对空间分辨率产生一定的影响。
此外，现有技术中还有将无机吸收材料置于有机基体中，但有机半导体具有较低的导电性，从而降低了光电二极管的效率，影响成像的质量。
发明内容
本发明的目的是提供一种平板探测器，以提高平板探测器的导电性并提高成像质量。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种平板探测器，包括由下至上依次设置的薄膜晶体管组、第一金属电极、转换层和第二金属电极；
所述薄膜晶体管组包括n个薄膜晶体管，n为大于等于1的正整数；
各所述薄膜晶体管的源极均与所述第一金属电极连接；
所述转换层由银纳米线、量子点和闪烁体胶体组成。
优选地，所述转换层包括由下至上依次设置的第一层、第二层和第三层；
所述第一层和所述第三层均由所述银纳米线、所述量子点和所述闪烁体胶体组成；所述第二层由所述量子点和所述闪烁体胶体组成。
优选地，所述闪烁体胶体为钨酸镉、碘化铯和掺铊的碘化钠中任意一者。
优选地，所述量子点为硒化镉、硅、碲化镉和磷化铟中任意一者。
优选地，所述第一层、所述第二层和所述第三层的厚度取值范围均为0.01～100μm。
优选地，所述银纳米线占所述第一层的总体积的0.01～0.3，所述量子点占所述第一层的总体积的0.01～0.3，所述闪烁体胶占所述第一层的总体积的0.4～0.98；
所述银纳米线占所述第三层的总体积的0.01～0.3，所述量子点占所述第三层的总体积的0.01～0.3，所述闪烁体胶占所述第三层的总体积的0.4～0.98。
优选地，所述量子点占所述第二层的总体积的0.01～0.3，所述闪烁体胶体占所述第二层的总体积的0.7～0.99。
优选地，所述平板探测器还包括：
反光密封层，用于将所述第一金属电极的四个侧面、所述转换层的四个侧面和所述第二金属电极的四个侧面均进行反光密封。
优选地，所述第一金属电极通过蒸镀附着在所述薄膜晶体管组上；所述第二金属电极通过蒸镀附着在所述转换层上。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明涉及一种平板探测器，包括由下至上依次设置的薄膜晶体管组、第一金属电极、转换层和第二金属电极；所述薄膜晶体管组包括n个薄膜晶体管，n为大于等于1的正整数；各所述薄膜晶体管的源极均与所述第一金属电极连接；所述转换层由银纳米线、量子点和闪烁体胶体组成。本发明运用银纳米线具有较高的导电性，能够快速收集并传输自由载流子，降低了工作电压的同时降低了信号读取时间，提高了成像质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明平板探测器的正视剖视图。
符号说明：1-薄膜晶体管组，2-第一金属电极，3-第二金属电极，4-反光密封层，5-第一层，6-第二层，7-第三层，8-银纳米线，9-量子点，10-闪烁体胶体。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种平板探测器，以提高平板探测器的导电性并提高成像质量。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明平板探测器的正视剖视图，如图1所示，本发明提供了一种平板探测器，包括由下至上依次设置的薄膜晶体管组1、第一金属电极2、转换层和第二金属电极3。
所述薄膜晶体管组1包括n个薄膜晶体管，n为大于等于1的正整数，具体的数量根据实际需求进行选取，具体分布方式可选用平面矩形阵列进行分部。
各所述薄膜晶体管的源极均与所述第一金属电极2连接。
所述转换层由银纳米线8、量子点9和闪烁体胶体10组成。
具体地，所述闪烁体胶体10为钨酸镉、碘化铯和掺铊的碘化钠中任意一者。本实施例中选用碘化铯。
所述量子点9为硒化镉、硅、碲化镉和磷化铟中任意一者。本实施例中，选用硒化镉。
作为一种可选的实施方式，本发明所述转换层包括由下至上依次设置的第一层5、第二层6和第三层7。所述第一层5和所述第三层7均由所述银纳米线8、所述量子点9和所述闪烁体胶体10组成；所述第二层6由所述量子点9和所述闪烁体胶体10组成。
具体地，所述第一层5、所述第二层6和所述第三层7的厚度取值范围均为0.01～100μm。本实施例中，选用0.05μm。
进一步地，假设所述第一层5的体积设定为1。在所述第一层5中，所述银纳米线8占所述第一层5的总体积的0.01～0.3，所述量子点9占所述第一层5的总体积的0.01～0.3，所述闪烁体胶占所述第一层5的总体积的0.4～0.98；所述银纳米线8、所述量子点9和所述闪烁体胶体10按照上述比例混合凝固制成所述第一层5。本实施例中，所述银纳米线8占所述第一层5的总体积的0.1，所述量子点9占所述第一层5的总体积的0.1，所述闪烁体胶占所述第一层5的总体积的0.8。
假设所述第三层7的体积设定为1。在所述第三层7中，所述银纳米线8占所述第三层7的总体积的0.01～0.3，所述量子点9占所述第三层7的总体积的0.01～0.3，所述闪烁体胶占所述第三层7的总体积的0.4～0.98；所述银纳米线8、所述量子点9和所述闪烁体胶体10按照上述比例混合凝固制成所述第三层7。本实施例中，所述银纳米线8占所述第三层7的总体积的0.1，所述量子点9占所述第三层7的总体积的0.1，所述闪烁体胶占所述第三层7的总体积的0.8。
假设所述第二层6的体积设定为1。在所述第二层6中，所述量子点9占所述第二层6的总体积的0.01～0.3，所述闪烁体胶体10占所述第二层6的总体积的0.7～0.99。所述量子点9和所述闪烁体胶体10按照上述比例混合凝固制成所述第二层6。本实施例中，所述量子点9占所述第二层6的总体积的0.2，所述闪烁体胶占所述第二层6的总体积的0.8。
为了解决闪烁体胶体10产生的可见光的散射问题，本发明所述平板探测器还包括：
反光密封层4，用于将所述第一金属电极2的四个侧面、所述转换层的四个侧面和所述第二金属电极3的四个侧面均进行反光密封。
优选地，所述第一金属电极2通过蒸镀附着在所述薄膜晶体管组1上；所述第二金属电极3通过蒸镀附着在所述第三层7上。
本发明具体有益效果如下：
1)、本申请利用银纳米线具有较高的导电性，能够快速收集并传输自由载流子。
2)、本申请通过设置反光密封层，可以有效减少闪烁体胶体产生的可见光的散射问题，还可以起到隔绝水养延长使用寿命。
3)、本申请中仅仅通过调节量子点直径就能适用于不同种类的闪烁体，减少了匹配优化的步骤。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的装置及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (8)
1.一种平板探测器，其特征在于，包括由下至上依次设置的薄膜晶体管组、第一金属电极、转换层和第二金属电极；
所述薄膜晶体管组包括n个薄膜晶体管，n为大于等于1的正整数；
各所述薄膜晶体管的源极均与所述第一金属电极连接；
所述转换层由银纳米线、量子点和闪烁体胶体组成；
所述转换层包括由下至上依次设置的第一层、第二层和第三层；
所述第一层和所述第三层均由所述银纳米线、所述量子点和所述闪烁体胶体组成；所述第二层由所述量子点和所述闪烁体胶体组成。
2.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，所述闪烁体胶体为钨酸镉、碘化铯和掺铊的碘化钠中任意一者。
3.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，所述量子点为硒化镉、硅、碲化镉和磷化铟中任意一者。
4.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，所述第一层、所述第二层和所述第三层的厚度取值范围均为0.01～100μm。
5.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，所述银纳米线占所述第一层的总体积的0.01～0.3，所述量子点占所述第一层的总体积的0.01～0.3，所述闪烁体胶占所述第一层的总体积的0.4～0.98；
所述银纳米线占所述第三层的总体积的0.01～0.3，所述量子点占所述第三层的总体积的0.01～0.3，所述闪烁体胶占所述第三层的总体积的0.4～0.98。
6.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，所述量子点占所述第二层的总体积的0.01～0.3，所述闪烁体胶体占所述第二层的总体积的0.7～0.99。
7.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括：
反光密封层，用于将所述第一金属电极的四个侧面、所述转换层的四个侧面和所述第二金属电极的四个侧面均进行反光密封。
8.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，所述第一金属电极通过蒸镀附着在所述薄膜晶体管组上；所述第二金属电极通过蒸镀附着在所述转换层上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010794753.XA CN111883550B (zh) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | 一种平板探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010794753.XA CN111883550B (zh) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | 一种平板探测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111883550A CN111883550A (zh) | 2020-11-03 |
| CN111883550B true CN111883550B (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=73211513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010794753.XA Active CN111883550B (zh) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | 一种平板探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111883550B (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102468441A (zh) * | 2010-11-11 | 2012-05-23 | 西门子公司 | 混合式有机光电二极管 |
| CN105022080A (zh) * | 2007-11-06 | 2015-11-04 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括光反射材料的射线探测器 |
| CN106653789A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | X射线探测器及其制造方法 |
| CN107430202A (zh) * | 2015-01-14 | 2017-12-01 | 通用电气公司 | 柔性x射线检测器及其制造方法 |
| KR20180021611A (ko) * | 2016-08-22 | 2018-03-05 | 경희대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 화합물을 포함하는 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기 |
| CN109585477A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-04-05 | 奕瑞影像科技（太仓）有限公司 | 平板探测器结构及其制备方法 |
| CN109904177A (zh) * | 2019-01-07 | 2019-06-18 | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 | 一种x射线平板探测器及其制备方法 |
| CN110444620A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-12 | 上海科技大学 | 一种量子点红外上转换器件及其制备方法 |
| CN110565165A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 上海大学 | 基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法 |
| CN111123344A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-08 | 上海大学 | 一种带有多层反射膜的闪烁体阵列及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105355715A (zh) * | 2015-11-17 | 2016-02-24 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种金属纳米晶改性半导体光电位置传感器件的制备方法 |
| CN109786494B (zh) * | 2017-11-14 | 2020-08-11 | 哈尔滨工业大学 | 一种微腔结构紫外探测器及其制备方法 |
| CN109638158B (zh) * | 2018-11-28 | 2020-10-23 | 中南大学 | 一种柔性有机薄膜晶体管及其制备方法 |
-
2020
- 2020-08-10 CN CN202010794753.XA patent/CN111883550B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105022080A (zh) * | 2007-11-06 | 2015-11-04 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括光反射材料的射线探测器 |
| CN102468441A (zh) * | 2010-11-11 | 2012-05-23 | 西门子公司 | 混合式有机光电二极管 |
| CN107430202A (zh) * | 2015-01-14 | 2017-12-01 | 通用电气公司 | 柔性x射线检测器及其制造方法 |
| KR20180021611A (ko) * | 2016-08-22 | 2018-03-05 | 경희대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 화합물을 포함하는 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기 |
| CN106653789A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | X射线探测器及其制造方法 |
| CN110565165A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 上海大学 | 基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法 |
| CN109585477A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-04-05 | 奕瑞影像科技（太仓）有限公司 | 平板探测器结构及其制备方法 |
| CN109904177A (zh) * | 2019-01-07 | 2019-06-18 | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 | 一种x射线平板探测器及其制备方法 |
| CN110444620A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-12 | 上海科技大学 | 一种量子点红外上转换器件及其制备方法 |
| CN111123344A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-08 | 上海大学 | 一种带有多层反射膜的闪烁体阵列及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111883550A (zh) | 2020-11-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mescher et al. | Flexible inkjet-printed triple cation perovskite X-ray detectors | |
| Kasap et al. | Amorphous and polycrystalline photoconductors for direct conversion flat panel X-ray image sensors | |
| US7323692B2 (en) | Flat-panel detector with avalanche gain | |
| Zhao et al. | Digital radiology using active matrix readout of amorphous selenium: Theoretical analysis of detective quantum efficiency | |
| Shefer et al. | State of the art of CT detectors and sources: a literature review | |
| Antonuk et al. | Large-area 97-um pitch indirect-detection active-matrix flat-panel imager (AMFPI) | |
| CN1228163A (zh) | 成象装置 | |
| CA2288261A1 (en) | Filmless photon imaging apparatus | |
| KR100660466B1 (ko) | 에프이디 소자를 이용한 엑스레이 검출기판 | |
| Zhang et al. | Electron bombardment induced photoconductivity and high gain in a flat panel photodetector based on a ZnS photoconductor and ZnO nanowire field emitters | |
| Stavro et al. | Photon counting performance of amorphous selenium and its dependence on detector structure | |
| Mescher et al. | Simulation and design of folded perovskite x-ray detectors | |
| CN111883550B (zh) | 一种平板探测器 | |
| CN1416531A (zh) | 用于放射照相术的方法和设备以及放射检测器 | |
| Basolo et al. | A 20 kpixels CdTe photon-counting imager using XPAD chip | |
| CN112002721B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板、像素电路、x射线探测器及其驱动方法 | |
| CN203981890U (zh) | 一种x射线平板探测器结构 | |
| US6373062B1 (en) | Interdigital photodetector for indirect x-ray detection in a radiography imaging system | |
| JP7309858B2 (ja) | デュアルセンササブピクセル放射線検出器 | |
| US6027953A (en) | Lateral PN arrayed digital X-ray image sensor | |
| CN211426809U (zh) | 一种具有层叠结构的用于提高可见光转换吸收效率的探测器 | |
| Mescher et al. | Novel hybrid organic-inorganic perovskite detector designs based on multilayered device architectures: simulation and design | |
| Reznik et al. | Applications of avalanche multiplication in amorphous selenium to flat panel detectors for medical applications | |
| US6794655B2 (en) | Radiation image detecting system | |
| Wermes | Trends in pixel detectors: tracking and imaging |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |