CN111883482A - 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，本发明通过一次构图工艺形成第一类过孔和第二类过孔，因此相比于现有技术中两类过孔分别通过两次构图工艺形成的工艺，本发明中显示基板的制作过程可以减少一次构图工艺，简化了显示基板的制作过程，降低了制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。
背景技术
低温多晶氧化物(英文：Low temperature polycrystalline oxide；简称：LTPO)基板是一种新型的显示基板，其具有低温多晶硅(英文：Low Temperature Poly-silicon；简称：LTPS)基板和氧化物(英文：Oxide)基板的优点，是未来显示基板的主要发展方向。其中，LTPS基板指的是显示单元中的薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)为LTPS TFT的显示基板，氧化物基板指的是显示单元中的TFT为氧化物TFT的显示基板，LTPO基板指的每个显示单元中包括LTPS TFT和氧化物TFT的显示基板，显示单元也称为子像素。
但是，现有技术中在制作该LTPO基板的过程中，各膜层的制作均需要通过一次构图工艺处理，因此该LTPO基板的制作过程复杂，制造成本较高。
发明内容
本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，可以简化显示基板的制造过程，降低制造成本。
因此，本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括：
在衬底基板上依次形成第一类有源层、第一绝缘结构、第二类有源层、第二绝缘层和源漏金属层；其中，
在形成所述源漏金属层之前，通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的第一类过孔，以及同时贯穿所述第一绝缘结构和所述第二绝缘层的第二类过孔；其中，所述第一类过孔用于搭接所述源漏金属层与所述第二类有源层，所述第二类过孔用于搭接所述源漏金属层与所述第一类有源层。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的第一类过孔，以及同时贯穿所述第一绝缘结构和所述第二绝缘层的第二类过孔，具体包括：
在所述第二绝缘层上形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶层第一完全去除区域、光刻胶层部分保留区域和光刻胶层完全保留区域；所述光刻胶层第一完全去除区域与所述第二类过孔相对应，所述光刻胶层部分保留区域与所述第一类过孔相对应；
去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘结构；
减薄所述光刻胶层，其中将所述光刻胶层部分保留区域的光刻胶层完全去除，在所述光刻胶层完全保留区域保留部分光刻胶层；
去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的剩余所述第一绝缘结构和所述光刻胶部分保留区域对应的所述第二绝缘层；
剥离剩余的光刻胶层。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述显示基板包括弯折区域，所述弯折区域对应光刻胶层第二完全去除区域；
在所述去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘结构的同时，去除所述弯折区域对应的所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘结构。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的剩余所述第一绝缘结构和所述光刻胶部分保留区域对应的所述第二绝缘层的同时，去除所述弯折区域对应的剩余所述第一绝缘结构。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述减薄所述光刻胶层，包括：
通过灰化工艺减薄所述光刻胶层。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述第一绝缘结构包括位于所述第一类有源层和所述第二类有源层之间依次层叠设置的第一栅绝缘层、第一层间介质层和第一缓冲层，所述第二绝缘层为位于所述第二类有源层背离所述衬底基板一侧的第二层间介质层。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成所述第一栅绝缘层之后，且在形成所述第一层间介质层之前，还包括：形成第一栅极；
在形成所述第二类有源层之后，且在形成所述第二层间介质层之前，还包括：形成第二栅绝缘层和第二栅极；所述第二栅绝缘层的图形和所述第二栅极的图形相同。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述第一类有源层为多晶硅有源层，所述第二类有源层为氧化物有源层；
在所述衬底基板上形成所述第一类有源层之前，还包括：在所述衬底基板上形成第二缓冲层。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示基板，采用本发明实施例提供的上述制作方法形成。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板。
本发明实施例的有益效果：
本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，本发明通过一次构图工艺形成第一类过孔和第二类过孔，因此相比于现有技术中两类过孔分别通过两次构图工艺形成的工艺，本发明中显示基板的制作过程可以减少一次构图工艺，简化了显示基板的制作过程，降低了制造成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2-图8为本发明实施例提供的显示基板的制作方法在执行每一步骤之后的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的显示基板的制作方法流程图；
图10为本发明实施例提供的显示基板的具体结构示意图；
图11为图10对应的显示基板中部分膜层的俯视结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
显示基板是显示装置的主要部件，其包括衬底基板以及设置在衬底基板上的显示单元，显示单元包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。LTPS基板指的是显示单元中的TFT为LTPS TFT的显示基板，氧化物基板指的是显示单元中的TFT为氧化物TFT的显示基板。多晶硅有源层的迁移率较大，使得LTPS TFT的漏电流(Ioff)较大，LTPS基板在低频驱动下的功耗较大，难以很好的保持静态黑画面，画面品质较差；并且，为了更好的展开灰阶，在LTPS基板中，需要将驱动薄膜晶体管(Driver Thin Film Transistor，DTFT)的沟道制作的很长，这样就难以实现LTPS基板的高分辨率，分辨率指的是每英寸所设置的像素数目(Pixel Per Inch，PPI)；此外，多晶硅有源层的迟滞(Hysteresis)较大，因此LTPS基板容易出现画面残像的问题。氧化物有源层的迁移率较小，使得氧化物TFT的漏电流较小，氧化物基板在低频驱动下的功耗较小，能够很好的保持静态黑画面，提升画面品质；并且，在氧化物基板中，无需将DTFT的沟道制作的很长，就能更好的展开灰阶，实现高PPI；此外，氧化物有源层的迟滞较小，氧化物基板不容易出现画面残像问题；进一步地，氧化物TFT的均一性比LTPSTFT的均一性好。
根据以上描述可知，氧化物工艺能够很好的弥补LTPS工艺的一些不足。但是，LTPS工艺和氧化物工艺各有利弊，因此，将LTPS工艺和氧化物工艺结合是一种非常有竞争力的工艺方案，将LTPS工艺和氧化物工艺结合的工艺为LTPO工艺，LTPO工艺未来很有可能应用在高端产品的开发中。
基于LTPO工艺的显示基板为LTPO基板，在LTPO基板中，每个显示单元包括LTPSTFT和氧化物TFT。但是，现有技术中在制作该LTPO基板的过程中，各膜层的制作均分别需要通过一次构图工艺处理，因此该LTPO基板的制作过程复杂，制造成本较高。
为了解决上述LTPO基板的制作过程复杂，制造成本较高的问题，本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，该显示基板可以为LTPO基板，该制作方法包括：
如图1所示，在衬底基板1上依次形成第一类有源层2、第一绝缘结构3、第二类有源层4、第二绝缘层5和源漏金属层6；其中，
在形成源漏金属层6之前，通过一次构图工艺形成贯穿第二绝缘层5的第一类过孔V1，以及同时贯穿第一绝缘结构3和第二绝缘层5的第二类过孔V2；其中，第一类过孔V1用于搭接源漏金属层6与第二类有源层4，第二类过孔V2用于搭接源漏金属层6与第一类有源层2。
本发明实施例提供的上述显示基板的制作方法，本发明通过一次构图工艺形成第一类过孔V1和第二类过孔V2，因此相比于现有技术中两类过孔分别通过两次构图工艺形成的工艺，本发明中显示基板的制作过程可以减少一次构图工艺，简化了显示基板的制作过程，降低了制造成本。
具体地，如图1所示，源漏金属层6包括第一源极61、第一漏极62、第二源极63和第二漏极64，第一源极61和第一漏极62通过第二类过孔V2与第一类有源层2电连接，第二源极63和第二漏极64通过第一类过孔V1与第二类有源层4电连接。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图2所示，图2为图1对应的具体膜层结构示意图，第一绝缘结构3包括位于第一类有源层2和第二类有源层4之间依次层叠设置的第一栅绝缘层7、第一层间介质层8和第一缓冲层9，第二绝缘层5为位于第二类有源层4背离衬底基板1一侧的第二层间介质层(5)。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图2所示，在形成第一栅绝缘层7之后，且在形成第一层间介质层8之前，还包括：形成第一栅极10；
在形成第二类有源层4之后，且在形成第二层间介质层5之前，还包括：形成第二栅绝缘层11和第二栅极12；第二栅绝缘层11的图形和第二栅极12的图形相同。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图2所示，在衬底基板1上形成第一类有源层2之前，还包括：在衬底基板1上形成第二缓冲层13。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图2所示，在衬底基板1上形成第二缓冲层13之前，还包括：在衬底基板1上形成第一阻挡层14。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，衬底基板一般为柔性衬底和阻挡层的交替结构，柔性衬底可以为PI层，阻挡层的材料可以为SiOx、Al2O3或SiOxNx等无机材料，例如衬底基板包括层叠设置的第一柔性衬底、第二阻挡层和第二柔性衬底。
下面通过具体实施例对形成第一类过孔V1和第二类过孔V2的步骤进行详细说明：
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，通过一次构图工艺形成贯穿第二绝缘层(第二层间介质层5)的第一类过孔V1，以及同时贯穿第一绝缘结构(即第一栅绝缘层7、第一层间介质层8和第一缓冲层9)和第二绝缘层(即第二层间介质层5)的第二类过孔V2，具体可以包括：
如图3所示，在衬底基板1上依次形成第一阻挡层14、第二缓冲层13、第一类有源层2、第一栅绝缘层7、第一栅极10、第一层间介质层8和第一缓冲层9、第二类有源层4、第二栅绝缘层11、第二栅极12和第二层间介质层5，这些膜层的材料以及制作工艺与现有技术相同，在此不做详述。
在图3所示的形成有第二层间介质层5的衬底基板1上制作第一类过孔V1和第二类过孔V2的方法步骤，如图9所示，具体包括：
S901、在第二绝缘层上形成光刻胶层；
具体地，如图4所示，在第二绝缘层(第二层间介质层5)上形成光刻胶层15。
S902、对光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶层第一完全去除区域、光刻胶层部分保留区域和光刻胶层完全保留区域；光刻胶层第一完全去除区域与第二类过孔相对应，光刻胶层部分保留区域与第一类过孔相对应；
具体地，如图5所示，利用半色调掩模(Half-Tone技术)或灰度掩膜(Gray-Tone技术)对光刻胶层15进行曝光显影，形成光刻胶层第一完全去除区域01、光刻胶层部分保留区域02和光刻胶层完全保留区域03；光刻胶层第一完全去除区域01与第二类过孔V2相对应，光刻胶层部分保留区域02与第一类过孔V1相对应。
S903、去除光刻胶层第一完全去除区域对应的第二绝缘层和部分第一绝缘结构；
具体地，如图6所示，去除光刻胶层第一完全去除区域01对应的第二绝缘层(即第二层间介质层5)和部分第一绝缘结构3；具体地，由于后续还需要将保留的部分第一绝缘结构和第二层间介质层5一起刻蚀，因此可以根据第二层间介质层5的厚度来确定需要保留的第一绝缘结构的厚度，然后调整刻蚀时间和刻蚀速率来刻蚀需要别刻蚀掉的一定厚度的第一绝缘结构，例如第一绝缘结构被刻蚀至仅保留第一栅绝缘层7，即刻蚀掉第一层间介质层8和第一缓冲层9。
S904、减薄光刻胶层，其中将光刻胶层部分保留区域的光刻胶层完全去除，在光刻胶层完全保留区域保留部分光刻胶层；
具体地，如图7所示，减薄光刻胶层15，其中将光刻胶层部分保留区域02的光刻胶层完全去除，在光刻胶层完全保留区域03保留部分光刻胶层。
S905、去除光刻胶层第一完全去除区域对应的剩余第一绝缘结构和光刻胶部分保留区域对应的第二绝缘层；
具体地，如图8所示，去除光刻胶层第一完全去除区域01对应的剩余第一绝缘结构(即第一栅绝缘层7)和光刻胶部分保留区域02对应的第二绝缘层(即第二层间介质层5)。
S906、剥离剩余的光刻胶层；
具体地，如图2所示，剥离剩余的光刻胶层，即形成第一类过孔V1和第二类过孔V2。
综上，通过上述图3、图4、图5、图6、图7、图8和图2的制作步骤，即可通过一次构图工艺形成第一类过孔V1和第二类过孔V2，因此相比于现有技术中两类过孔分别通过两次构图工艺形成的工艺，本发明中显示基板的制作过程可以减少一次构图工艺，简化了显示基板的制作过程，降低了制造成本。
具体地，如图10所示，在形成第一类过孔V1和第二类过孔V2之后，形成源漏金属层6，源漏金属层6包括第一源极61、第一漏极62、第二源极63和第二漏极64，第一源极61和第一漏极62通过第二类过孔V2与第一类有源层2电连接，第二源极63和第二漏极64通过第一类过孔V1与第二类有源层4电连接。
在具体实施时，如图10所示，第一类有源层2可以为多晶硅有源层，例如，第一类有源层2可以是LTPS有源层，当第一类有源层2为LTPS有源层时，第一类有源层2、第一栅绝缘层7、第一栅极10以及第一源极61和第一漏极62构成LTPS TFT；第二类有源层4可以是氧化物有源层，例如，第二类有源层4可以是IGZO有源层或铟锡锌氧化物(indium tin zincoxide，ITZO)有源层等，当第二类有源层4为氧化物有源层时，第二类有源层4、第二栅绝缘层11、第二栅极12以及第二源极63和第二漏极64构成氧化物TFT。
目前，随着用户的使用需求，柔性显示成为了目前显示器发展的主流，因此在本发明实施例提供的显示基板为柔性显示基板时，如图2-图8所示，显示基板包括显示区域AA和位于显示区域AA一侧的弯折区域BA，上述制作的第一类过孔V1和第二类过孔V2位于显示区域AA，由于弯折区域BA供使用者弯折，由于上述第一绝缘结构3和第二绝缘层5的材料大多数为无机材料，无机材料较脆，容易断裂，因此一般将位于弯折区域BA的绝缘层都刻蚀掉，本发明为了进一步简化显示基板的制作过程以及降低制造成本，在上述制作图5结构的步骤中利用半色调掩模对光刻胶层15进行曝光显影时，同时形成光刻胶层第二完全去除区域04，弯折区域BA对应光刻胶层第二完全去除区域04，如图5所示；
如图6所示，在去除光刻胶层第一完全去除区域01对应的第二绝缘层(即第二层间介质层5)和部分第一绝缘结构(刻蚀掉第一层间介质层8和第一缓冲层9)的同时，去除弯折区域BA对应的第二绝缘层(即第二层间介质层5)和部分第一绝缘结构(刻蚀掉第一层间介质层8和第一缓冲层9)，即在弯折区域BA剩余第一栅绝缘层7。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图8所示，在去除光刻胶层第一完全去除区域01对应的剩余第一绝缘结构(即第一栅绝缘层7)，如图5所示，和光刻胶部分保留区域02对应的第二绝缘层(即第二层间介质层5)的同时，去除弯折区域BA对应的剩余第一绝缘结构(即第一栅绝缘层7)。
因此，本发明在通过一次构图工艺形成第一类过孔V1和第二类过孔V2时，同时将弯折区域BA的绝缘层刻蚀掉，因此可以进一步简化显示基板的制作过程，降低制造成本。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图7所示，减薄光刻胶层，包括：
通过灰化工艺减薄光刻胶层。具体地，对图6所示的结构中的光刻胶层进行灰化(Ashing)刻蚀工艺，去除光刻胶部分保留区域02的光刻胶，以及去除光刻胶完全保留区域03的部分光刻胶。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板，如图10所述，该显示基板采用本发明实施例提供的上述显示基板的制作方法形成。
具体地，如图11所示，图11为图10所示的显示基板中部分膜层的俯视结构示意图，其中LTPS TFT示意出第一类有源层2通过第二类过孔V2与源漏金属层搭接，Oxide TFT示意出第二类有源层4通过第一类过孔V1与源漏金属层搭接，第一类有源层2和第二类有源层4的正投影不交叠。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示基板可以为有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)显示基板，该显示基板在图10所示的结构的基础上还包括：位于源漏金属层6上依次层叠设置的平坦层、阳极、像素界定层和隔垫物层，阳极通过贯穿平坦层的过孔与源漏金属层连接。当然，除此之外，显示基板还可以包括有机发光层和阴极等结构，本发明实施例在此不做赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，本发明通过一次构图工艺形成第一类过孔和第二类过孔，因此相比于现有技术中两类过孔分别通过两次构图工艺形成的工艺，本发明中显示基板的制作过程可以减少一次构图工艺，简化了显示基板的制作过程，降低了制造成本。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成第一类有源层、第一绝缘结构、第二类有源层、第二绝缘层和源漏金属层；其中，
在形成所述源漏金属层之前，通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的第一类过孔，以及同时贯穿所述第一绝缘结构和所述第二绝缘层的第二类过孔；其中，所述第一类过孔用于搭接所述源漏金属层与所述第二类有源层，所述第二类过孔用于搭接所述源漏金属层与所述第一类有源层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的第一类过孔，以及同时贯穿所述第一绝缘结构和所述第二绝缘层的第二类过孔，具体包括：
在所述第二绝缘层上形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶层第一完全去除区域、光刻胶层部分保留区域和光刻胶层完全保留区域；所述光刻胶层第一完全去除区域与所述第二类过孔相对应，所述光刻胶层部分保留区域与所述第一类过孔相对应；
去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘结构；
减薄所述光刻胶层，其中将所述光刻胶层部分保留区域的光刻胶层完全去除，在所述光刻胶层完全保留区域保留部分光刻胶层；
去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的剩余所述第一绝缘结构和所述光刻胶部分保留区域对应的所述第二绝缘层；
剥离剩余的光刻胶层。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述显示基板包括弯折区域，所述弯折区域对应光刻胶层第二完全去除区域；
在所述去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘结构的同时，去除所述弯折区域对应的所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘结构。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述去除所述光刻胶层第一完全去除区域对应的剩余所述第一绝缘结构和所述光刻胶部分保留区域对应的所述第二绝缘层的同时，去除所述弯折区域对应的剩余所述第一绝缘结构。
5.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述减薄所述光刻胶层，包括：
通过灰化工艺减薄所述光刻胶层。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘结构包括位于所述第一类有源层和所述第二类有源层之间依次层叠设置的第一栅绝缘层、第一层间介质层和第一缓冲层，所述第二绝缘层为位于所述第二类有源层背离所述衬底基板一侧的第二层间介质层。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一栅绝缘层之后，且在形成所述第一层间介质层之前，还包括：形成第一栅极；
在形成所述第二类有源层之后，且在形成所述第二层间介质层之前，还包括：形成第二栅绝缘层和第二栅极；所述第二栅绝缘层的图形和所述第二栅极的图形相同。
8.如权利要求1-7任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一类有源层为多晶硅有源层，所述第二类有源层为氧化物有源层；
在所述衬底基板上形成所述第一类有源层之前，还包括：在所述衬底基板上形成第二缓冲层。
9.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法形成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示基板。
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