CN111870240B - 一种热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极及其制备方法，所述柔性深部脑电极包括依次设置的柔性衬底层、金属布线层、柔性隔离层、功能层、柔性封装层；功能层包括用于记录电生理信号的检测电极、用于产生热刺激的电阻和用于监测周围介质温度的温度传感器芯片，检测电极、电阻和温度传感器芯片均位于脑电极前端的植入部分，且检测电极靠近电阻和温度传感器芯片；金属布线层用于实现位于脑电极后端接口部分的焊盘，分别与检测电极、电阻和温度传感器芯片之间的电连接；柔性封装层在检测电极、电阻和温度传感器芯片对应位置开口，使检测电极、电阻和温度传感器芯片分别暴露出来。本发明能够实现在体的同步的热刺激和电生理记录。

Description

一种热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极及其制备方法

技术领域

本发明涉及脑功能探测技术领域，尤其涉及一种热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极及其制备方法。

背景技术

神经科学领域的研究有助于解释神经元活动的基本规律，阐明神经***控制机体各种行为的机理，是现今最前沿的科学领域之一。为更好地理解神经元的功能，在脑功能不同的活动状态下对神经元电信号的获取和调控是开展研究的重要方法。

大脑是对温度最敏感的器官之一，温度对神经元的静息电位、动作电位和突触传导等神经生理特性会产生影响，神经元群体的热反应与各种神经退行性疾病的进化过程息息相关。

对神经元电信号的获取主要依靠脑电极，按照植入部位与信息采集方式的不同，通常被分为非侵入式的头皮脑电极、半侵入式的皮层脑电极和侵入式的深部电极，其中深部脑电极直接植入大脑深部，距离目标神经元更近的空间距离使其具有更高的空间分辨率、检测精确度与信噪比。深部脑电极在材料的迭代更新中不断发展与进步。从最早的金属材质电极，到以密歇根电极和犹他电极为代表的硅基微电极，深部脑电极的机械性能不断改善。但上述的两种刚性电极与脑组织依然存在尺寸与力学性能的较大差异，使得植入脑部后易发生相对微移动并引起炎症反应，难以实现神经电生理信号的长期在体稳定读取。因此，柔性植入脑电极可解决与大脑皮层组织的共型贴附问题，实现立体大范围的神经信号的高精度采集，从而成为脑科学研究的主流技术之一。

对大脑施加刺激是分析脑认知因果关系的重要方法，通过同步记录相对应的神经元活动，对分析脑功能具有重要的意义。例如，现有技术中将光、热和电生理功能集成在一个装置中，通过嵌入红外波导方便地在空间和时间上对深部脑组织的温度分布进行高精度的控制，同时它提供了沿探头轴的多个位置单个细胞的电响应的记录。但当前具有刺激功能的深部脑电极仍有以下不足：

(1)刺激功能局限在光刺激与电刺激，具有热刺激功能的深部电极少有报道；

(2)为实现改变和调节温度，并同时记录受刺激区域多种特征，提供热刺激并将所有记录集成在有限尺寸的微器件大多数致力于光发生操作，以光引发热变化来提供替代解决方案。

鉴于以上所述现有技术的不足，有必要提出一种热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极及其制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极及其制备方法，用以克服上述背景技术中的技术问题。

本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明一方面提供一种热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极，包括依次设置的柔性衬底层、金属布线层、柔性隔离层、功能层、柔性封装层；所述功能层包括用于记录电生理信号的检测电极、用于产生热刺激的电阻和用于监测周围介质温度的温度传感器芯片，所述检测电极、所述电阻和所述温度传感器芯片均位于所述脑电极前端的植入部分，且所述检测电极靠近所述电阻和所述温度传感器芯片；所述金属布线层用于实现位于所述脑电极后端接口部分的焊盘，分别与所述检测电极、所述电阻和所述温度传感器芯片之间的电连接；所述柔性封装层在所述检测电极、所述电阻和所述温度传感器芯片对应位置开口，使所述检测电极、所述电阻和所述温度传感器芯片分别暴露出来。

进一步地，所述检测电极采用铬/金合金形成，其中，铬层的厚度为10nm，金层的厚度为100nm；或者所述检测电极采用厚度为100-200nm厚的铂。

进一步地，所述柔性衬底层、所述柔性隔离层和所述柔性封装层均为采用SU-8光刻胶形成的薄膜，所述柔性衬底层的厚度为4-5μm，所述柔性隔离层的厚度为1-2μm，所述柔性封装层的厚度为2-3μm。

进一步地，所述柔性隔离层上设有开口，所述开口用于暴露出所述金属布线层中的金属引线结构，所述金属引线结构用于电连接所述检测电极、所述电阻与所述温度传感器芯片；所述电阻和所述温度传感器芯片均贴附于所述开口的内壁。

进一步地，所述金属布线层采用铬/金合金形成，其中铬层的厚度为10nm，金层的厚度为100nm。

本发明另一方面提供一种上述热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极的制备方法，包括以下步骤：

提供一硅衬底，在所述硅衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层表面形成柔性衬底层；

在所述柔性衬底层表面形成金属布线层；

在所述金属布线层表面形成柔性隔离层；所述柔性隔离层上形成有开口，所述开口暴露出所述金属布线层中的金属引线结构；

在所述柔性隔离层上形成检测电极；

在所述开口的内壁贴附电阻和温度传感器芯片；

在所述检测电极、所述电阻和所述温度传感器芯片上形成柔性封装层，并在所述检测电极、所述电阻和所述温度传感器芯片对应位置开口，使所述检测电极、所述电阻和所述温度传感器芯片分别暴露出来；

去除所述牺牲层，将电极从所述硅衬底上释放，得到热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极。

进一步地，在所述牺牲层表面形成柔性衬底层，具体包括：采用旋涂的方式形成厚度为4-5μm的SU-8光刻胶薄膜；

在所述金属布线层表面形成柔性隔离层，具体包括：采用旋涂的方式形成厚度为1-2μm的SU-8光刻胶薄膜；

在所述检测电极、所述电阻和所述温度传感器芯片上形成柔性封装层，具体包括：采用旋涂的方式形成厚度为2-3μm的SU-8光刻胶薄膜。

进一步地，在所述开口的内壁贴附电阻和温度传感器芯片，具体包括：

在所述开口内滴涂透明紫外光固化胶，将所述电阻和所述温度传感器芯片放置于对应的开口内，然后通过紫外灯照射使所述透明紫外光固化胶固化，以使所述电阻和所述温度传感器芯片与所述开口的内壁形成稳固粘接。

进一步地，在所述柔性隔离层表面形成检测电极，具体包括：

在所述柔性隔离层表面通过光刻图形化，热蒸发沉积一层铬/金合金，厚度分别为10nm和100nm，或者热蒸发沉积一层厚度为100-200nm的铂，再通过剥离工艺图形化得到所述检测电极。

进一步地，在去除所述牺牲层，将电极从所述硅衬底上释放，得到热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极的步骤中，通过采用金属腐蚀液腐蚀的方式除去所述牺牲层；在提供一硅衬底，在所述硅衬底上形成牺牲层的步骤中，所述牺牲层采用能够在所述金属腐蚀液中腐蚀的材料。

实施本发明，具有如下有益效果：

1、本发明将用于输出热刺激的电阻和记录热刺激产生的神经信号的电极位点集成于同一微器件，相对于现有技术***中采集和刺激分开而无法同步进行的缺陷，本发明能够实现在体的同步的热刺激和电生理记录。

2、本发明利用电流经过导体产生的焦耳效应放热，选用电阻作为热刺激源，材料简便易得，并使用温度传感器实时监测周围介质的温度，使得***更加完整；

3、本发明基于柔性衬底，且采用小尺寸探头大幅改善植入器件对脑组织的机械顺应性，从而减少植入后器件长期在体所引发的神经炎症，有利于实现长期在体记录。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案和优点，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1是本发明实施例的柔性深部脑电极的结构示意图；

图2是本发明实施例的柔性深部脑电极的结构示意图；

图3是本发明实施例的柔性深部脑电极的制备方法流程图；

图4是本发明实施例的柔性深部脑电极的制备方法中步骤S1中硅衬底的结构示意图；

图5是本发明实施例的柔性深部脑电极的制备方法中步骤S1对应的结构示意图；

图6是本发明实施例的柔性深部脑电极的制备方法中步骤S2对应的结构示意图；

图7是本发明实施例的柔性深部脑电极的制备方法中步骤S3对应的结构示意图；

图8是本发明实施例的柔性深部脑电极的制备方法中步骤S4对应的结构示意图；

图9是本发明实施例的柔性深部脑电极的制备方法中步骤S5对应的结构示意图；

图10是本发明实施例的柔性深部脑电极的制备方法中步骤S6对应的结构示意图；

图11是本发明实施例的柔性深部脑电极的制备方法中步骤S7对应的结构示意图；

其中，图中附图标记对应为：1-硅衬底、2-牺牲层、3-柔性衬底层、4-金属布线层、5-柔性隔离层、6-检测电极、7-电阻、8-温度传感器芯片、9-柔性封装层。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例对本发明作进一步地详细描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。

在本发明的描述中，可以理解的是，尽管本文中可以利用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但是不应当采用限制的方式来解释这些元件。这些术语仅用作区分一个元件与另一个元件。因而，在一些实施例中的第一元件在其他的实施例中可以被称作为第二元件。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或服务器不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。

在本发明的描述中，需要理解的是，当一个元件关于另一个元件被提及“在…上”、“在…上面”、“在…下面”或“在…之下”时，其可以关于另一个元件分别直接“在…上”、“在…上面”、“在…下面”或“在…之下”，或者也可以存在中间元件。因此，本文中使用的诸如“在…上”、“在…上面”、“在…下面”或“在…之下”的术语仅出于说明性的目的，并非意图限制实施例。

实施例

本实施例提供了一种热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极，参阅图1-2，本实施例中的柔性深部脑电极包括依次设置的柔性衬底层3、金属布线层4、柔性隔离层5、功能层、柔性封装层9；功能层包括用于记录电生理信号的检测电极6、用于产生热刺激的电阻7和用于监测周围介质温度的温度传感器芯片8，检测电极6、电阻7和温度传感器芯片8均位于脑电极前端的植入部分，且检测电极6靠近电阻7和温度传感器芯片8；电阻7和温度传感器芯片8分布于脑电极探针的尖端部分，与记录电生理信号的检测电极位点邻近，使得热刺激与电记录的对象为同一神经元；金属布线层4用于实现位于脑电极后端接口部分的焊盘，分别与检测电极6、电阻7和温度传感器芯片8之间的电连接；柔性封装层9在检测电极6、电阻7和温度传感器芯片8对应位置开口，使检测电极6、电阻7和温度传感器芯片8分别暴露出来，分别形成电接触和热传导。

现有技术中，具有热刺激功能的深部电极基于红外的热效应，采用红外神经刺激，但红外线作为一种不可见光，在研究过程中引入光的变化因素，给神经元电生理信号影响因素的分析带来困难。本实施例利用电流经过导体产生的焦耳效应放热，选用电阻作为产生热刺激的热源，尽可能摒除其他干扰因素，以此观察神经元的热反应，材料简便易得。同时，设置温度传感器芯片可以更好地监测周围介质的温度，有利于神经元电生理信号随温度变化而变化的定量观察与分析。将输出热刺激的装置与电生理记录电极集成于一体，从而实现在体的同步的热刺激和电生理记录。

作为一种具体的实施方式，检测电极6采用铬/金合金形成，其中，铬层的厚度为10nm，金层的厚度为100nm，铬/金合金具有良好的导电性和较为稳定的化学性质。

在一个可选的实施方式中，检测电极6采用厚度为100-200nm厚的铂。

作为一种具体的实施方式，柔性衬底层3、柔性隔离层5和柔性封装层9均为采用SU-8光刻胶形成的薄膜，SU-8具有良好生物相容性和机械性能，使用该具有良好生物相容性和机械性能的柔性聚合物作为器件的基底和封装材料，能够减少植入后器件长期在体所引发的神经炎症，有利于实现长期在体记录。具体地，柔性衬底层3的厚度为4-5μm，柔性隔离层5的厚度为1-2μm，柔性封装层9的厚度为2-3μm。

作为一种具体的实施方式，柔性隔离层5上设有开口，开口用于暴露出金属布线层4中的金属引线结构，金属引线结构用于电连接检测电极6、电阻7与温度传感器芯片8；电阻7和温度传感器芯片8均贴附于开口的内壁。具体地，电阻7可以为微型贴片电阻，温度传感器芯片8可以为微型温度传感器芯片。

作为一种具体的实施方式，金属布线层4采用铬/金合金形成，其中铬层的厚度为10nm，金层的厚度为100nm，铬/金合金具有良好的导电性和较为稳定的化学性质。

本实施例中，基于柔性材料基底，将热刺激与电生理记录功能集成于深部脑电极，构成颅内热刺激与电记录的闭环***。具体地，通过后端焊垫连接电源使电阻处于闭合回路内，电流通过电阻即可产生热量作为热刺激源。将该脑电极植入大鼠大脑负责热感官与处理的区域，施加热刺激，采集电生理信号，能够观察两种信号间的同步变化规律。本实施例提供的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极采用电阻发热作为热源，将输出热刺激的装置与电生理记录电极集成于一体，实现同步的热刺激和电生理信号记录，有助于探讨温度对神经元的静息电位和动作电位等神经生理特性的影响，加深对神经环路工作机制的理解。

本发明的另一实施例提供一种上述实施例中热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极的制备方法，如图3-11所示，本实施例中的柔性深部脑电极的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1、提供一硅衬底1，在硅衬底1上形成牺牲层2。

作为一种具体的实施方式，提供一厚度为400μm的硅衬底1，清洗处理后在其表面通过热蒸发沉积一层100-300nm厚的金属镍或金属铝形成牺牲层2，用于最后一步将柔性脑电极从硅衬底1上释放。

本实施例中，因为需要考虑最后的释放步骤不损害牺牲层2上方的结构，而SU-8光刻胶对常见金属腐蚀液，例如金腐蚀液，其配方为I₂:KI:H₂O＝1:4:40，具有很好的耐腐蚀性，因此除金属镍外，本领域技术人员还可以选择能够被选定的金属腐蚀液腐蚀的金属铝或者其他的材料作为牺牲层2的材料。

步骤S2、在牺牲层2表面形成柔性衬底层3。

作为一种具体的实施方式，在牺牲层2表面采用旋涂的方式形成厚度为4-5μm的SU-8光刻胶薄膜，经过前烘、曝光和显影获得图形化结构，形成柔性衬底层3。

步骤S3、在柔性衬底层3表面形成金属布线层4。

作为一种具体的实施方式，在柔性衬底层3表面通过光刻将光刻胶图形化后，热蒸发沉积一层铬/金合金，厚度分别为10nm和100nm，通过剥离工艺图形化得到金属布线层。铬/金合金作为金属线层的材料，具有良好的导电性和附着性。

步骤S4、在金属布线层4表面形成柔性隔离层5；柔性隔离层5上形成有开口，开口暴露出金属布线层4中的金属引线结构。

作为一种具体的实施方式，在金属布线层4表面采用旋涂的方式形成厚度为1-2μm的SU-8光刻胶薄膜，并通过前烘、光刻和显影等步骤图形化柔性隔离层5，暴露出金属布线4中用于连接外露检测电极6、电阻7与温度传感器芯片8的金属引线结构，形成围墙结构。

步骤S5、在柔性隔离层5上形成检测电极6。

作为一种具体的实施方式，在柔性隔离层5表面通过光刻图形化，热蒸发沉积一层铬/金合金，厚度分别为10nm和100nm，或者热蒸发沉积一层厚度为100-200nm的铂，再通过剥离工艺图形化得到检测电极6。

步骤S6、在开口的内壁贴附电阻7和温度传感器芯片8。

作为一种具体的实施方式，在开口内滴涂透明紫外光固化胶，将电阻7和温度传感器芯片8放置于对应的开口内，然后通过紫外灯照射使透明紫外光固化胶固化，以使电阻7和温度传感器芯片8与开口的内壁形成稳固粘接。具体地，在柔性隔离层5表面用于放置电阻7和温度传感器芯片8的围墙结构内壁用超细金属微丝滴涂适量的透明紫外光固化胶，拾取微型贴片电阻和微型温度传感器芯片将其放置于对应的凹坑内，然后通过紫外灯照射使透明紫外光固化胶固化，确保微型贴片电阻和温度传感器芯片与围墙结构形成稳固粘接，且焊盘与金属布线层4中的金属引线形成有效连接。

步骤S7、在检测电极6、电阻7和温度传感器芯片8上形成柔性封装层9，并在检测电极6、电阻7和温度传感器芯片8对应位置开口，使检测电极6、电阻7和温度传感器芯片8分别暴露出来。

作为一种具体的实施方式，在检测电极6、电阻7与温度传感器芯片8表面采用旋涂的方式形成厚度为2-3μm的SU-8光刻胶薄膜，通过光刻进行图形化得到柔性封装层9，并暴露出检测电极6、电阻7与温度传感器芯片8。

步骤S8、去除牺牲层2，将电极从硅衬底1上释放，得到热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极，其结构示意图如图1所示。

作为一种具体的实施方式，通过使用金属腐蚀液(配方为I₂:KI:H₂O＝1:4:40)刻蚀除去牺牲层2，将柔性探针从硅衬底1上释放，获得热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极。

采用上述步骤制备的柔性深部电极，植入探针部分的平均宽度可以小于100μm，厚度不高于20μm，能够大幅改善植入器件对脑组织的机械顺应性，从而有效减轻术中感染风险，实现长期在体的立体定向颅内深部记录。

本发明的上述实施例，具有如下有益效果：

1、本发明实施例将用于输出热刺激的电阻和记录热刺激产生的神经信号的电极位点集成于同一微器件，相对于现有技术***中采集和刺激分开而无法同步进行的缺陷，本发明能够实现在体的同步的热刺激和电生理记录。

2、本发明实施例利用电流经过导体产生的焦耳效应放热，选用电阻作为热刺激源，材料简便易得，并使用温度传感器实时监测周围介质的温度，使得***更加完整；

3、本发明实施例基于柔性衬底，且采用小尺寸探头大幅改善植入器件对脑组织的机械顺应性，从而减少植入后器件长期在体所引发的神经炎症，有利于实现长期在体记录。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极，其特征在于，包括依次设置的柔性衬底层(3)、金属布线层(4)、柔性隔离层(5)、功能层、柔性封装层(9)；

所述功能层包括用于记录电生理信号的检测电极(6)、用于产生热刺激的电阻(7)和用于监测周围介质温度的温度传感器芯片(8)，所述检测电极(6)、所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)均位于所述脑电极前端的植入部分，且所述检测电极(6)靠近所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)；

所述金属布线层(4)用于实现位于所述脑电极后端接口部分的焊盘，分别与所述检测电极(6)、所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)之间的电连接；

所述柔性封装层(9)在所述检测电极(6)、所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)对应位置开口，使所述检测电极(6)、所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)分别暴露出来。

2.根据权利要求1所述的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极，其特征在于，所述检测电极(6)采用铬/金合金形成，其中，铬层的厚度为10nm，金层的厚度为100nm；或者所述检测电极(6)采用厚度为100-200nm厚的铂。

3.根据权利要求1所述的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极，其特征在于，所述柔性衬底层(3)、所述柔性隔离层(5)和所述柔性封装层(9)均为采用SU-8光刻胶形成的薄膜，所述柔性衬底层(3)的厚度为4-5μm，所述柔性隔离层(5)的厚度为1-2μm，所述柔性封装层(9)的厚度为2-3μm。

4.根据权利要求1所述的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极，其特征在于，所述柔性隔离层(5)上设有开口，所述开口用于暴露出所述金属布线层(4)中的金属引线结构，所述金属引线结构用于电连接所述检测电极(6)、所述电阻(7)与所述温度传感器芯片(8)；所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)均贴附于所述开口的内壁。

5.根据权利要求4所述的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极，其特征在于，所述金属布线层(4)采用铬/金合金形成，其中铬层的厚度为10nm，金层的厚度为100nm。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一硅衬底(1)，在所述硅衬底(1)上形成牺牲层(2)；

在所述牺牲层(2)表面形成柔性衬底层(3)；

在所述柔性衬底层(3)表面形成金属布线层(4)；

在所述金属布线层(4)表面形成柔性隔离层(5)；所述柔性隔离层(5)上形成有开口，所述开口暴露出所述金属布线层(4)中的金属引线结构；

在所述柔性隔离层(5)上形成检测电极(6)；

在所述开口的内壁贴附电阻(7)和温度传感器芯片(8)；

在所述检测电极(6)、所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)上形成柔性封装层(9)，并在所述检测电极(6)、所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)对应位置开口，使所述检测电极(6)、所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)分别暴露出来；

去除所述牺牲层(2)，将电极从所述硅衬底(1)上释放，得到热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极。

7.根据权利要求6所述的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极的制备方法，其特征在于，在所述牺牲层(2)表面形成柔性衬底层(3)，具体包括：采用旋涂的方式形成厚度为4-5μm的SU-8光刻胶薄膜；

在所述金属布线层(4)表面形成柔性隔离层(5)，具体包括：采用旋涂的方式形成厚度为1-2μm的SU-8光刻胶薄膜；

在所述检测电极(6)、所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)上形成柔性封装层(9)，具体包括：采用旋涂的方式形成厚度为2-3μm的SU-8光刻胶薄膜。

8.根据权利要求6所述的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极的制备方法，其特征在于，在所述开口的内壁贴附电阻(7)和温度传感器芯片(8)，具体包括：

在所述开口内滴涂透明紫外光固化胶，将所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)放置于对应的开口内，然后通过紫外灯照射使所述透明紫外光固化胶固化，以使所述电阻(7)和所述温度传感器芯片(8)与所述开口的内壁形成稳固粘接。

9.根据权利要求6所述的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极的制备方法，其特征在于，在所述柔性隔离层(5)表面形成检测电极(6)，具体包括：

在所述柔性隔离层(5)表面通过光刻图形化，热蒸发沉积一层铬/金合金，厚度分别为10nm和100nm，或者热蒸发沉积一层厚度为100-200nm的铂，再通过剥离工艺图形化得到所述检测电极(6)。

10.根据权利要求6所述的热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极的制备方法，其特征在于，在去除所述牺牲层(2)，将电极从所述硅衬底(1)上释放，得到热刺激和电记录集成的柔性深部脑电极的步骤中，通过采用金属腐蚀液腐蚀的方式除去所述牺牲层(2)；

在提供一硅衬底(1)，在所述硅衬底(1)上形成牺牲层(2)的步骤中，所述牺牲层(2)采用能够在所述金属腐蚀液中腐蚀的材料。