CN111863859A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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CN111863859A CN202010732622.9A CN202010732622A CN111863859A CN 111863859 A CN111863859 A CN 111863859A CN 202010732622 A CN202010732622 A CN 202010732622A CN 111863859 A CN111863859 A CN 111863859A
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micro light
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梁继生
霍思涛
何睦
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Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
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Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，显示面板包括：衬底基板；阵列层，位于衬底基板靠近显示面板出光面的一侧；多个微发光二极管，位于阵列层远离衬底基板的一侧；至少一个反射结构，反射结构位于微发光二极管靠近衬底基板的一侧，反射结构包括一个第一反射结构和至少一个第二反射结构；至少部分微发光二极管发出的光线通过第一反射结构反射至第二反射结构上，经过第二反射结构的反射后，朝向显示面板的出光面射出。本发明有效提高微发光二极管的出光效率，提升显示面板的显示亮度。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)显示器的耗电量远小于液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)，并且与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器一样，微发光二极管显示器也具有自发光特性，能够将像素之间的距离从毫米等级降至微米等级，色彩饱和度接近OLED显示器，所以很多厂商把微发光二极管视为下一代的显示技术。
微发光二极管在工作时，其朝向顶端、底部和侧面的方向均会发光，但是，现有的显示器中微发光二极管朝向底部发出的光线无法被有效利用，造成微发光二极管的出光效率较低。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，有效提高微发光二极管的出光效率，提升显示面板的显示亮度。
本发明公开了一种显示面板，包括：衬底基板；阵列层，位于衬底基板靠近显示面板出光面的一侧；多个微发光二极管，位于阵列层远离衬底基板的一侧；至少一个反射结构，反射结构位于微发光二极管靠近衬底基板的一侧，反射结构包括一个第一反射结构和至少一个第二反射结构；至少部分微发光二极管发出的光线通过第一反射结构反射至第二反射结构上，经过第二反射结构的反射后，朝向显示面板的出光面射出。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示面板的制作方法，用于制作上述显示面板，该制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板靠近显示面板的出光面的一侧形成阵列层；将预先制作好的反射结构绑定在阵列层远离衬底基板的一侧；将微发光二极管绑定在反射结构远离衬底基板的一侧。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示面板的制作方法，用于制作上述显示面板，该制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板靠近显示面板的出光面的一侧形成阵列层；通过灰度曝光在阵列层远离衬底基板的一侧形成凸起部；通过金属溅射和光刻在突起部远离衬底基板的一侧形成金属镀层，从而在阵列层远离衬底基板的一侧形成反射结构；将微发光二极管绑定在反射结构远离衬底基板的一侧。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。
与现有技术相比，本发明提供的显示面板及其制作方法、显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示面板包括衬底基板和位于衬底基板靠近显示面板出光面的一侧的阵列层，阵列层远离衬底基板的一侧设有多个微发光二极管。显示面板还包括反射结构，反射结构位于微发光二极管靠近衬底基板的一侧，微发光二极管朝向衬底基板的一侧发出的光线经过第一反射结构反射至第二反射结构上，该光线经过第二反射结构的再次反射后，朝向显示面板的出光面射出。即通过设置反射结构，使得微发光二极管朝向衬底基板的一侧发出的光线可以朝向显示面板的出光面射出，使得微发光二极管朝向衬底基板的一侧发出的光线得到有效利用，提高了微发光二极管的出光效率，从而提升显示面板的显示亮度。
当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明提供的一种显示面板的平面结构示意图；
图2是图1中A-A’向的一种剖面图；
图3是图1中B-B’向的一种剖面图；
图4是图1中B-B’向的另一种剖面图；
图5是本发明提供的另一种显示面板的平面结构示意图；
图6是图5中C-C’向的一种剖面图；
图7是本发明提供的又一种显示面板的局部平面结构示意图；
图8是本发明提供的一种第一反射结构的立体图；
图9是本发明提供的又一种显示面板的局部平面结构示意图；
图10是图9中D-D’向的另一种剖面图；
图11是本发明提供的显示面板的一种制作流程图；
图12是本发明提供的显示面板的另一种制作流程图；
图13是本发明提供的一种显示装置的平面结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图1是本发明提供的一种显示面板的平面结构示意图，图2是图1中A-A’向的一种剖面图，参考图1和图2，本实施例提供一种显示面板，包括：
衬底基板10；
阵列层20，位于衬底基板10靠近显示面板出光面的一侧；
多个微发光二极管30，位于阵列层20远离衬底基板10的一侧；
至少一个反射结构40，反射结构40位于微发光二极管30靠近衬底基板10的一侧，反射结构40包括一个第一反射结构41和至少一个第二反射结构42；
至少部分微发光二极管30发出的光线通过第一反射结构41反射至第二反射结构42上，经过第二反射结构42的反射后，朝向显示面板的出光面射出。
具体的，继续参考图1和图2，本实施例提供的显示面板包括衬底基板10和位于衬底基板10靠近显示面板出光面的一侧的阵列层20，阵列层20远离衬底基板10的一侧设有多个微发光二极管30。显示面板还包括反射结构40，反射结构40位于微发光二极管30靠近衬底基板10的一侧，微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线经过第一反射结构41反射至第二反射结构42上，该光线经过第二反射结构42的再次反射后，朝向显示面板的出光面射出。即通过设置反射结构40，使得微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线可以朝向显示面板的出光面射出，使得微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线得到有效利用，提高了微发光二极管30的出光效率，从而提升显示面板的显示亮度。
继续参考图1和图2，可选的，其中，反射结构40和微发光二极管30一一对应设置，且第一反射结构41在衬底基板10所在平面的垂直投影和与其对应的微发光二极管30在衬底基板10所在平面的垂直投影至少部分交叠。
具体的，显示面板中反射结构40和微发光二极管30一一对应设置，微发光二极管30和与其相对应的反射结构40中第一反射结构41在衬底基板10所在平面的垂直投影至少部分交叠，从而微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线可以通过第一反射结构41反射至第二反射结构42上，该光线经过第二反射结构42的再次反射后，朝向显示面板的出光面射出。
继续参考图1和图2，可选的，其中，第一反射结构41在衬底基板10所在平面的垂直投影位于与其对应的微发光二极管30在衬底基板10所在平面的垂直投影内。
具体的，第一反射结构41在衬底基板10所在平面的垂直投影位于与其对应的微发光二极管30在衬底基板10所在平面的垂直投影内，从而微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线中，能够通过第一反射结构41反射至第二反射结构42上的光线的数量得到提高，进一步提高了微发光二极管30的出光效率，从而进一步提升显示面板的显示亮度。
可选的，继续参考图1和图2，显示面板包括多个子像素区域P，反射结构40和微发光二极管30一一对应设置，反射结构40和与其对应的微发光二极管30位于同一个子像素区域P中。需要说明的是，图1中示例性的示出了每个子像素区域P中设有一个反射结构40和一个微发光二极管30，在本发明其他实施例中，反射结构40和微发光二极管30的数量可根据实际生产需要进行设置，本发明在此不再赘述。
继续参考图1和图2，可选的，其中，第二反射结构42在衬底基板10所在平面的垂直投影与微发光二极管30在衬底基板10所在平面的垂直投影不交叠。
具体的，显示面板中，微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线可以通过第一反射结构41反射至第二反射结构42上，该光线经过第二反射结构42的再次反射后，朝向显示面板的出光面射出，第二反射结构42在衬底基板10所在平面的垂直投影与微发光二极管30在衬底基板10所在平面的垂直投影不交叠，有效避免微发光二极管30对经过第二反射结构42的再次反射后的光线造成遮挡，使得经过第二反射结构42的再次反射后的光线朝向显示面板的出光面射出，且从显示面板的出光面射出，从而提高了微发光二极管30的出光效率，从而提升显示面板的显示亮度。
图3是图1中B-B’向的一种剖面图，参考图1-图3，可选的，显示面板还包括连接微发光二极管30和阵列层20的多个连接电极50；
一个微发光二极管30和阵列层20之间设有至少两个连接电极50，相邻两个连接电极50之间形成第一间隙Q；
第一反射结构41位于第一间隙Q中。
具体的，继续参考图1和图3，显示面板还包括用于连接微发光二极管30和阵列层20的连接电极50，一个微发光二极管30和阵列层20之间通过两个连接电极50电连接，一个微发光二极管30和阵列层20之间设有两个连接电极50，与同一个微发光二极管30连接的两个连接电极50之间形成第一间隙Q，第一反射结构41位于第一间隙Q中，微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线经过第一间隙Q射至第一反射结构41上，经过第一反射结构41反射后，经过第一间隙Q射至第二反射结构42上。
继续参考参考图1和图3，可选的，与同一个微发光二极管30连接的两个连接电极50沿第一方向X排列，第一间隙Q沿第二方向Y延伸，反射结构40中第一反射结构41和第二反射结构42沿第二方向Y排列，其中，第一方向X和第二方向Y相交，可选的，第一方向X和第二方向Y相垂直。从而微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线经过第一间隙Q射至第一反射结构41上，经过第一反射结构41反射后，经过第一间隙Q射至第二反射结构42上。
图4是图1中B-B’向的另一种剖面图，参考图1和图4，阵列层20包括多个开关元件TFT，连接电极50包括电连接的第一连接电极51和第二连接电极52，其中一个第二连接电极52和一个开关元件TFT电连接，微发光二极管30通过一个连接电极50与阵列层20中的一个开关元件TFT电连接。
继续参考图3，可选的，其中，第一反射结构41和与其对应的微发光二极管30中的各个连接电极50之间的间距均相同。
具体的，第一反射结构41和与其对应的微发光二极管30中的各个连接电极50之间的间距均相同，方便第一反射结构41的设置，避免第一反射结构41和连接电极50的距离过近导致第一反射结构41的设置对连接电极50造成影响。
图5是本发明提供的另一种显示面板的平面结构示意图，图6是图5中C-C’向的一种剖面图，参考图5和图6，可选的，其中，反射结构40包括至少两个第二反射结构42；
同一个反射结构40中，第二反射结构42位于第一反射结构41的不同侧。
具体的，继续参考图5和图6，反射结构40包括两个第二反射结构42，同一个反射结构40中，两个第二反射结构42沿第二方向Y位于第一反射结构41的两侧，微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线经过第一反射结构41反射至两个第二反射结构42上，两个第二反射结构42使得光线再次反射后，均朝向显示面板的出光面射出，进一步提高了微发光二极管30的出光效率，从而进一步提升显示面板的显示亮度。
需要说明的是，图6中示例性的示出了反射结构40包括两个第二反射结构42，同一个反射结构40中，两个第二反射结构42沿第二方向Y位于第一反射结构41的两侧，在本发明其他实施例中，反射结构40包括两个以上的第二反射结构42，同一个反射结构40中，各个第二反射结构42位于第一反射结构41的不同侧，本发明不再一一赘述。
参考图5和图6，可选的，其中，同一个反射结构40中，各第二反射结构42与第一反射结构41之间的间距均相同。
具体的，微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线经过第一反射结构41反射至各个第二反射结构42上，各个第二反射结构42使得光线再次反射后，均朝向显示面板的出光面射出，同一个反射结构40中，各第二反射结构42与第一反射结构41之间的间距均相同，各个第二反射结构42反射的光线分布更均匀，有效提升显示面板的显示效果
图7是本发明提供的又一种显示面板的局部平面结构示意图，图8是本发明提供的一种第一反射结构的立体图，为了清楚示意第一反射结构和第二反射结构的关系，图7中未示出微发光二极管，参考图7和图8，可选的，其中，第一反射结构40包括N个朝向不同方向设置的第一反射面411；
反射结构40包括N个和第一反射面411分别对应的第二反射结构42，其中，N为大于等于2的正整数。
具体的，在平行于衬底基板10所在平面的方向上，第一反射结构40包括N个朝向不同方向设置的第一反射面411，反射结构40包括N个和第一反射面411分别对应的第二反射结构42，微发光二极管朝向衬底基板10的一侧发出的光线经过第一反射结构41的第一反射面411反射至与其对应的第二反射结构42上，各个第二反射结构42使得光线再次反射后，均朝向显示面板的出光面射出。
继续参考图7和图8，反射结构40包括四个第二反射结构42，一个微发光二极管和阵列层20之间设有四个连接电极50，与同一个微发光二极管30连接的四个连接电极50之间形成两个第一间隙Q，两个第一间隙Q一个沿第一方向延伸，一个沿第二方向延伸，第一反射结构41位于两个第一间隙Q的交界处中，同一个反射结构40中，两个第一反射结构41沿第二方向Y位于第一反射结构41的两侧，两个第一反射结构41沿第一方向X位于第一反射结构41的两侧，微发光二极管朝向衬底基板10的一侧发出的光线经过第一间隙Q射至第一反射结构41上，经过第一反射结构41反射后，经过第一间隙Q射至第二反射结构42上。
可以理解的是，图7和图8实例性的示出了第一反射结构40包括N个朝向不同方向设置的第一反射面411，反射结构40包括N个和第一反射面411分别对应的第二反射结构42，N等于4，在本发明其他实施例中，N还可以为其他数值，具体的工作原理可参考上述实施例，本发明在此不再进行赘述。
可选的，其中，第一反射结构为棱锥结构或棱台结构。
继续参考图8，第一反射结构41为棱锥结构。可以理解的是，在本发明其他实施例中，第一反射结构还可以为棱台结构，也可以为其他结构，本发明在此不再进行赘述。
继续参考图1和图2，可选的，其中，第一反射结构41包括第一底面412和第一反射面411，第一底面412与衬底基板10所在平面相平行，第一反射面411和第一底面412之间的夹角为45°；
第二反射结构42包括第二底面421和第二反射面422，第二底面421与衬底基板10所在平面相平行，第二反射面422和第二底面421之间的夹角为45°。
具体的，第一反射结构41包括第一底面412和第一反射面411，第一反射面411和第一底面412之间的夹角为45°，第二反射结构42包括第二底面421和第二反射面422，第二反射面422和第二底面421之间的夹角为45°，第一反射结构41和第二反射结构42可设置在同一膜层上，微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的垂直于衬底基板10所在平面的方向上的光线经过第一反射结构41反射至第二反射结构42上，该光线经过第二反射结构42的再次反射后，朝向显示面板的出光面、且沿垂直于衬底基板10所在平面的方向射出。微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的垂直于衬底基板10所在平面的方向上的光线的光强较高，即通过设置反射结构40，使得微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光强较高的光线可以朝向显示面板的出光面射出，进一步提高了微发光二极管30的出光效率，进一步提升了显示面板的显示亮度。且第一反射结构41和第二反射结构42可设置在同一膜层上，不用调整第一反射结构41和第二反射结构42之间的高度，减小工艺难度，提高生产成本。
图9是本发明提供的又一种显示面板的局部平面结构示意图，图10是图9中D-D’向的另一种剖面图，参考图9和图10，可选的，其中，第二反射结构42为环绕第一反射结构41的环形结构，第二反射结构42包括第二反射面422，第二反射面422为连续的环形面。
具体的，继续参考图9和图10，反射结构40中第二反射结构42为环绕第一反射结构41的环形结构，第二反射结构42中第二反射面422为连续的环形面。无需设置多个第二反射结构42以对应第一反射结构41的第一反射面411，有效减小工艺难度，提高生产成本。
继续参考图1-图3，可选的，其中，在垂直于衬底基板10所在平面的方向上，第一反射结构41的高度小于等于连接电极50的高度。
具体的，反射结构40位于微发光二极管30靠近衬底基板10的一侧，在垂直于衬底基板10所在平面的方向上，第一反射结构41的高度小于等于连接电极50的高度，从而实现第一反射结构41在衬底基板10所在平面的垂直投影位于与其对应的微发光二极管30在衬底基板10所在平面的垂直投影内。
继续参考图1-图3，可选的，其中，在垂直于衬底基板10所在平面的方向上，第二反射结构42的高度大于等于第一反射结构41的高度。
具体的，在垂直于衬底基板10所在平面的方向上，第二反射结构42的高度大于等于第一反射结构41的高度，微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线经过第一反射结构41反射后，均能射至第二反射结构42上，从而光线经过第二反射结构42的再次反射后，朝向显示面板的出光面射出，进一步提高了微发光二极管30的出光效率，从而进一步提升显示面板的显示亮度。
继续参考图1-图3，可选的，其中，反射结构40远离衬底基板10一侧的表面设有高反射镀层。
具体的，第一反射结构41和第二反射结构42远离衬底基板10一侧的表面均设有高反射镀层，从而微发光二极管30朝向衬底基板10的一侧发出的光线经过第一反射结构41远离衬底基板10一侧的表面的反射后，射至第二反射结构42上，光线经过第二反射结构42远离衬底基板10一侧的表面的再次反射后，朝向显示面板的出光面射出。
可选的，第一反射结构41中只在第一反射面411上设有高反射镀层，第二反射结构42只在第二反射面422上设置高反射层。
图11是本发明提供的显示面板的一种制作流程图，参考图1-图3、图11，本实施例提供一种显示面板的制作方法，该方法用于制作上述任一实施例中的显示面板，该制作方法包括：
S11：提供衬底基板；
S12：衬底基板靠近显示面板的出光面的一侧形成阵列层；
S13：将预先制作好的反射结构绑定在阵列层远离衬底基板的一侧；
S14：将微发光二极管绑定在反射结构远离衬底基板的一侧。
具体的，本实施例的显示面板的制作方法中，首先提供衬底基板10，在衬底基板10靠近显示面板的出光面的一侧形成阵列层20，将预先制作好的反射结构40绑定在阵列层20远离衬底基板10的一侧，再将微发光二极管30绑定在反射结构40远离衬底基板10的一侧。反射结构40可预先制作，有效简化显示面板的制作工艺的难度，提高生产效率，减少生产成本。
图12是本发明提供的显示面板的另一种制作流程图，参考图1-图3、图12，本实施例提供一种显示面板的制作方法，该方法用于制作上述任一实施例中的显示面板，该制作方法包括：
S21：提供衬底基板；
S22：在衬底基板靠近显示面板的出光面的一侧形成阵列层；
S23：通过灰度曝光在阵列层远离衬底基板的一侧形成凸起部；
S24：通过金属溅射和光刻在突起部远离衬底基板的一侧形成金属镀层，从而在阵列层远离衬底基板的一侧形成反射结构；
S25：将微发光二极管绑定在反射结构远离衬底基板的一侧。
具体的，本实施例的显示面板的制作方法中，首先提供衬底基板10，在衬底基板10靠近显示面板的出光面的一侧形成阵列层20，通过灰度曝光在阵列层20远离衬底基板10的一侧形成凸起部，通过金属溅射和光刻在突起部远离衬底基板10的一侧形成金属镀层，从而在阵列层20远离衬底基板10的一侧形成反射结构40，再将微发光二极管30绑定在反射结构40远离衬底基板10的一侧，在制作显示面板时直接在阵列层20远离衬底基板10的一侧形成反射结构40，有效提高显示面板中反射结构40的设置位置的精确度。
在一些可选实施例中，请参考图13，图13是本发明提供的一种显示装置的平面结构示意图，本实施例提供的显示装置1000，包括本发明上述实施例提供的显示面板100。图13实施例仅以手机为例，对显示装置1000进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置1000，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置1000，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置1000，具有本发明实施例提供的显示面板100的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板100的具体说明，本实施例在此不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板及其制作方法、显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示面板包括衬底基板和位于衬底基板靠近显示面板出光面的一侧的阵列层，阵列层远离衬底基板的一侧设有多个微发光二极管。显示面板还包括反射结构，反射结构位于微发光二极管靠近衬底基板的一侧，微发光二极管朝向衬底基板的一侧发出的光线经过第一反射结构反射至第二反射结构上，该光线经过第二反射结构的再次反射后，朝向显示面板的出光面射出。即通过设置反射结构，使得微发光二极管朝向衬底基板的一侧发出的光线可以朝向显示面板的出光面射出，使得微发光二极管朝向衬底基板的一侧发出的光线得到有效利用，提高了微发光二极管的出光效率，从而提升显示面板的显示亮度。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (18)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
阵列层，位于所述衬底基板靠近所述显示面板出光面的一侧；
多个微发光二极管，位于所述阵列层远离所述衬底基板的一侧；
至少一个反射结构，所述反射结构位于所述微发光二极管靠近所述衬底基板的一侧，所述反射结构包括一个第一反射结构和至少一个第二反射结构；
至少部分所述微发光二极管发出的光线通过所述第一反射结构反射至所述第二反射结构上，经过所述第二反射结构的反射后，朝向所述显示面板的出光面射出。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述反射结构和所述微发光二极管一一对应设置，且所述第一反射结构在所述衬底基板所在平面的垂直投影和与其对应的所述微发光二极管在所述衬底基板所在平面的垂直投影至少部分交叠。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射结构在所述衬底基板所在平面的垂直投影位于与其对应的所述微发光二极管在所述衬底基板所在平面的垂直投影内。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第二反射结构在所述衬底基板所在平面的垂直投影与所述微发光二极管在所述衬底基板所在平面的垂直投影不交叠。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括连接所述微发光二极管和所述阵列层的多个连接电极；
一个所述微发光二极管和所述阵列层之间设有至少两个所述连接电极，相邻两个所述连接电极之间形成第一间隙；
所述第一反射结构位于所述第一间隙中。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射结构和与其对应的所述微发光二极管中的各个所述连接电极之间的间距均相同。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述反射结构包括至少两个所述第二反射结构；
同一个所述反射结构中，所述第二反射结构位于所述第一反射结构的不同侧。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
同一个所述反射结构中，各所述第二反射结构与所述第一反射结构之间的间距均相同。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射结构包括N个朝向不同方向设置的第一反射面；
所述反射结构包括N个和所述第一反射面分别对应的所述第二反射结构，其中，N为大于等于2的正整数。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射结构为棱锥结构或棱台结构。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射结构包括第一底面和第一反射面，所述第一底面与所述衬底基板所在平面相平行，所述第一反射面和所述第一底面之间的夹角为45°；
所述第二反射结构包括第二底面和第二反射面，所述第二底面与所述衬底基板所在平面相平行，所述第二反射面和所述第二底面之间的夹角为45°。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第二反射结构为环绕所述第一反射结构的环形结构，所述第二反射结构包括第二反射面，所述第二反射面为连续的环形面。
13.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一反射结构的高度小于等于所述连接电极的高度。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第二反射结构的高度大于等于所述第一反射结构的高度。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述反射结构远离所述衬底基板一侧的表面设有高反射镀层。
16.一种显示面板的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1-15任一项所述的显示面板，所述制作方法包括：
提供所述衬底基板；
在所述衬底基板靠近所述显示面板的出光面的一侧形成所述阵列层；
将预先制作好的所述反射结构绑定在所述阵列层远离所述衬底基板的一侧；
将所述微发光二极管绑定在所述反射结构远离所述衬底基板的一侧。
17.一种显示面板的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1-15任一项所述的显示面板，所述制作方法包括：
提供所述衬底基板；
在所述衬底基板靠近所述显示面板的出光面的一侧形成所述阵列层；
通过灰度曝光在所述阵列层远离所述衬底基板的一侧形成凸起部；
通过金属溅射和光刻在所述突起部远离所述衬底基板的一侧形成金属镀层，从而在所述阵列层远离所述衬底基板的一侧形成所述反射结构；
将所述微发光二极管绑定在所述反射结构远离所述衬底基板的一侧。
18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-15任一项所述的显示面板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113437203A (zh) * 2021-06-28 2021-09-24 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114420719A (zh) * 2022-02-08 2022-04-29 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120050694A1 (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Industrial Technology Research Institute Light emitting unit array and projection system
US20170133357A1 (en) * 2015-11-05 2017-05-11 Innolux Corporation Display device
US20170358624A1 (en) * 2016-06-13 2017-12-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
CN109148506A (zh) * 2018-08-24 2019-01-04 上海天马微电子有限公司 Micro LED转移方法及显示面板、显示装置
EP3496143A1 (en) * 2017-12-07 2019-06-12 LG Display Co., Ltd. Light-emitting device and display device using the same
CN109935599A (zh) * 2019-03-29 2019-06-25 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
CN111308772A (zh) * 2020-02-28 2020-06-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120050694A1 (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Industrial Technology Research Institute Light emitting unit array and projection system
US20170133357A1 (en) * 2015-11-05 2017-05-11 Innolux Corporation Display device
US20170358624A1 (en) * 2016-06-13 2017-12-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
EP3496143A1 (en) * 2017-12-07 2019-06-12 LG Display Co., Ltd. Light-emitting device and display device using the same
CN109148506A (zh) * 2018-08-24 2019-01-04 上海天马微电子有限公司 Micro LED转移方法及显示面板、显示装置
CN109935599A (zh) * 2019-03-29 2019-06-25 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
CN111308772A (zh) * 2020-02-28 2020-06-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113437203A (zh) * 2021-06-28 2021-09-24 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114420719A (zh) * 2022-02-08 2022-04-29 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

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