CN111863845B - 一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘。单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列。减小了探测器的有效工作面积，保证探测器低电容的优势。
Description
技术领域
本发明属于辐射探测技术领域，涉及一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列。
背景技术
硅像素探测器(Silicon Pixel Detector)是为原子物理、核物理和基本粒子物理而开发。现在，硅像素探测器已广泛用于深太空探测，医学成像，高能物理中的粒子轨迹探测，食品安全检测以及用于国家安全的辐射源探测等领域。
硅像素探测器是一个以硅为探测材料的粒子径迹探测器，用于探测轨迹及确定高能粒子能量的器件。这些高能粒子包括产生于核衰退，宇宙线辐射，产生于加速器相互作用中的粒子。为了探测辐射，探测器必须与物质相互作用，而且要记录此相互作用。硅像素探测器就是通过像素单元有序阵列而成，每个像素探测器的单元都由起传感作用的灵敏区和外端电子读出部分构成，当有小电离粒子入射灵敏区时会产生电子-空穴对，在外电场作用下向两极漂移，然后通过外端的集成电路对电流信号进行处理，获得入射粒子的能量、位置等信息。以其响应速度快、灵敏度高、易于集成等优异的性能，在X光检测与高能粒子探测等领域有广泛的应用。
随着科学技术的不断进步，新的探测器不断的被研制出来并应用于各行各业。但是像素探测器从未离开粒子探测的第一线——最靠近对撞中心，位置分辨率最高，设计最精密。像素探测器以其优异的空间分辨率和迅速的时间响应能力重新代表了粒子探测器领域的最前沿。因为像素探测器最靠近粒子对撞点，需要它有很强的抗辐射能力。像素探测器结构精细，面临诸多的挑战，它的设计和制造复杂而先进。由于一个像素探测器是由数千个像素单元阵列组成，导致探测器盲区、死区以及噪声成倍增大，从而使得探测器的有效工作区域及探测器的信噪比减小。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，以解决现有探测器的有效面积较大导致探测器噪声较大、信噪比降低的问题。
本发明实施例所采用的技术方案是，一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。
进一步的，所述收集阴极通过在N型高阻硅衬底顶面的SiO2氧化层的中心位置内刻蚀、离子注入形成P+重掺杂离子注入层，并在P+重掺杂离子注入层上方全刻蚀形成全刻蚀区域后镀膜形成阴极螺旋环中心镀铝层而成；
所述P+重掺杂离子注入层与P+重掺杂阴极螺旋环结构的起始端连接，所述阴极螺旋环中心镀铝层底部与P+重掺杂离子注入层接触。
进一步的，所述收集阴极为方形结构，其尺寸为15μm×15μm。
进一步的，所述P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置，并由其起始位置开始逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘位置。
进一步的，所述n+重掺杂离子注入层上镀设有阳极铝层。
进一步的，所述N型高阻硅衬底采用N型的高阻硅晶片，其厚度为300～500μm，其电阻率为4～18kΩ·cm。
进一步的，所述P+重掺杂阴极螺旋环结构和N+重掺杂离子注入层的厚度均为1μm。
本发明实施例所采用的另一技术方案是，一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列，采用上述所述的一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成。
本发明实施例的有益效果是，通过设计P+阴极的结构，在其中心设置与其连接的收集阴极，收集阴极非常小，尺寸为15μm×15μm，减小了探测器的有效工作面积，保证探测器低电容的优势，在保证探测器探测效率的同时，降低了探测器的结电容，减小了探测器噪声，保证了信噪比，有效解决了现有探测器的有效面积较大导致探测器噪声较大、信噪比降低的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是传统的方形像素探测器和三角形像素探测器设计图。
图2是传统像素探测器的切面示意图。
图3(a)是传统三角形像素探测器的阵列示意图。
图3(b)是传统方形像素探测器的阵列示意图。
图4是单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器的切面示意图。
图5是单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器的三维正面示意图。
图6是单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器的P+重掺杂阴极螺旋环结构局部放大图。
图7是单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器的P+重掺杂阴极螺旋环结构示意图。
图8是单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列的三维正面示意图。
图中，1.阴极上的铝层，2.p+离子注入阴极层，3.高阻硅衬底，4.反面n+离子注入层，5.阳极上的铝层，6.硅像素探测器单元，7.阴极螺旋环中心镀铝层，8.P+重掺杂阴极螺旋环结构，9.保护环，10.收集阴极，11.全刻蚀区域，12.N型高阻硅衬底，13.n+重掺杂离子注入层，14.阳极铝层，15.SiO2氧化层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，是传统的四方形和三角形电极形状的硅像素探测器单元，通过离子注入形成P型重掺杂的阴极面和N型重掺杂的阳极面，并在P型重掺杂的阴极面上设置阴极上的铝层1。如图2所示，是传统硅像素探测器的截面图，由图可看出，传统硅像素探测器是由一层p+离子注入阴极层2、一层反面n+离子注入层4以及位于两者中间的高阻硅衬底3构成，并在p+离子注入阴极层2上设置阴极上的铝层1，在反面n+离子注入层4表面设置阳极上的铝层5，在P型和N型界面会形成PN结。高阻硅衬底3是N型的高阻硅片，p+离子注入阴极层2是P型重掺杂，收集阳极区域即反面n+离子注入层4是N型重掺杂区域，且重掺杂的区域浓度要远高于衬底的掺杂浓度。p+离子注入阴极层2和反面n+离子注入层4掺杂浓度高，载流子数量多，电阻值低，而衬底是轻掺杂，电阻值高。在加反向偏压时，高阻硅衬底3区获得大部分的偏压，在反向偏压的作用下，电子浓度降到很低，整个高阻硅衬底3区几乎全部成为耗尽层。
如图3(a)～(b)所示，传统的阴极面三角形设计和阴极面方形设计的硅像素探测器单元6的设计很好的解决了阵列的问题，减小了探测器的死区面积，有利于探测器阵列的性能，由于传统的硅像素探测器阳极、阴极均被金属电极覆盖，使得探测器的有效电极面积过大，从而导致探测器的电容较大。电容在硅探测器中是一个敏感因素，因为它直接影响到探测器工作的噪声与串扰，这种结构的设计适合于软x-光的探测或在辐射环境不太强的场合里。
本发明实施例在保证探测器高效率的同时，在保持探测器有效体积不变的基础上，通过减小探测器电极的有效面积达到减小探测器的电容，减小噪声，进而提高信噪比，应用于能谱仪可提高能谱仪对能量的分辨率。
本发明实施例提供一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器，如图4所示，包括N型高阻硅衬底12，N型高阻硅衬底12的顶面上通过热氧化生长出一定厚度的SiO2氧化层15，SiO2氧化层15上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构8，P+重掺杂阴极螺旋环结构8为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构8的中心位置设有与其连接的收集阴极10。N型高阻硅衬底12的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层13，n+重掺杂离子注入层13上镀设有阳极铝层14，作为收集阳极，阳极铝层14用于探测器加偏置电压。
收集阴极10通过在N型高阻硅衬底12的顶面生成的SiO2氧化层15的中心位置内经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂离子注入层，P+重掺杂离子注入层上方经全刻蚀形成有全刻蚀区域11后镀铝膜形成阴极螺旋环中心镀铝层7后形成。P+重掺杂离子注入层与P+重掺杂阴极螺旋环结构8的起始端连接，阴极螺旋环中心镀铝层7底部与P+重掺杂离子注入层接触，如图6和图4所示，本实施例的收集阴极10为方形结构。阴极螺旋环中心镀铝层7是在全刻蚀区域11上通过磁控溅射的方式镀一定厚度的铝膜，然后通过铝刻蚀工艺将多余的铝膜刻蚀掉，保留P+重掺杂阴极螺旋环结构8中心区域的铝膜后形成，阴极螺旋环中心镀铝层7起连接探测器单元与电子学读出集成电路的作用。
P+重掺杂阴极螺旋环结构8是以收集阴极10作为起始位置，并由其起始位置开始逆时针呈方形向外螺旋延伸至SiO2氧化层15的任意一侧边缘位置，如图5所示。由于P+重掺杂阴极螺旋环结构8采用方形环结构，收集阴极10也设计成方形结构，收集阴极10距离P+重掺杂阴极螺旋环结构8最内环的每一边距离是相同的，可以使电场更加均匀。P+重掺杂阴极螺旋环结构8的形状不限于方形，也可以修改为其他形状，如五边形，六边形等多边形。
N型高阻硅衬底12采用N型的高阻硅晶片，厚度为300～500μm，通过热氧化长出一定厚度的二氧化硅，通过匀胶、曝光、显影、刻蚀、剥胶等光刻工艺将设计的探测器图形复制到氧化后的N型高阻硅晶元上。通过刻蚀，将阴极螺旋环设计的区域，仅保留一层较薄的氧化层。下一步，进行重掺杂P+离子注入，将P+型离子注入较薄的氧化层下面的高阻硅衬底里从而形成P+重掺杂阴极螺旋环结构8，P+重掺杂阴极螺旋环结构8的掺杂浓度为1×1018/cm-3，其掺杂浓度远高于N型的高阻硅晶片的掺杂浓度，N型的高阻硅晶片的电阻率为4～18kΩ·cm，且P+重掺杂阴极螺旋环结构8的厚度大约为1μm。N型高阻硅衬底12的反面在经光刻刻蚀工艺刻蚀到底，再进行N+离子重掺杂注入，形成N+注入层即N+重掺杂离子注入层13，其掺杂浓度远高于N型的高阻硅晶片的掺杂浓度，掺杂浓度为1×1018/cm-3，且N+重掺杂离子注入层13的厚度大约为1μm。
正面采用螺旋环设计，为探测器提供最佳的电势电场分布。收集阴极10非常小，如图7所示，尺寸为15μm×15μm，保证探测器低电容的优势。在阳极铝层14上加上偏置电压，使探测器灵敏区全耗尽并且形成电势梯度。当X光入射，电离出电子空穴对，电子在电场的作用下，沿着漂移通道收集到阳极铝层14，从而产生电信号，再通过外端的电子学读出部分对信号进行甄别放大处理，获得所需要的信息。如图8所示，为采用本发明实施例的一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成的3×3阵列，较传统的探测器阵列，其阴极电极的有效面积减小，降低了电容，提高了探测器的能量分辨率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。
Claims (5)
1.一种阴极为单面螺旋环结构的硅像素探测器，其特征在于，包括N型高阻硅衬底（12），N型高阻硅衬底（12）的顶面上生成有SiO2氧化层（15），SiO2氧化层（15）上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构（8），P+重掺杂阴极螺旋环结构（8）为平面方形螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构（8）的中心位置设置有与其连接的收集阴极（10），N型高阻硅衬底（12）的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层（13）；
收集阴极（10）设计成方形结构，收集阴极（10）距离P+重掺杂阴极螺旋环结构（8）最内环的每一边距离相同；
所述收集阴极（10）为通过在N型高阻硅衬底（12）顶面的SiO2氧化层（15）的中心位置内刻蚀、离子注入形成的P+重掺杂离子注入层，并在P+重掺杂离子注入层上方全刻蚀形成全刻蚀区域（11）后镀膜形成阴极螺旋环中心镀铝层（7）；
所述P+重掺杂离子注入层与P+重掺杂阴极螺旋环结构（8）的起始端连接，所述阴极螺旋环中心镀铝层（7）底部与P+重掺杂离子注入层接触；
所述P+重掺杂阴极螺旋环结构（8）以收集阴极（10）作为起始位置，并由其起始位置开始逆时针呈方形向外螺旋延伸至SiO2氧化层（15）的任意一侧边缘位置；
所述n+重掺杂离子注入层（13）上镀设有阳极铝层（14）。
2.根据权利要求1所述的硅像素探测器，其特征在于，所述收集阴极（10）为方形结构，其尺寸为15μm×15μm。
3.根据权利要求1或2所述的硅像素探测器，其特征在于，所述N型高阻硅衬底（12）采用N型的高阻硅晶片，其厚度为300~500μm，其电阻率为4~18 kΩ·cm。
4.根据权利要求1或2所述的硅像素探测器，其特征在于，所述P+重掺杂阴极螺旋环结构（8）和N+重掺杂离子注入层（13）的厚度均为1μm。
5.一种阴极为单面螺旋环结构的硅像素探测器阵列，其特征在于，采用权利要求1或2所述的一种阴极为单面螺旋环结构的硅像素探测器组成。
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113270509B (zh) * | 2021-04-16 | 2022-09-30 | 中国航天科工集团第二研究院 | 一种面阵探测器 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11145386A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Matsushita Electron Corp | インダクタ素子およびその製造方法 |
| US20050056912A1 (en) * | 2003-09-12 | 2005-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| CN201188423Y (zh) * | 2007-12-18 | 2009-01-28 | 天津大学 | 带平面螺旋电感的cmos硅光电探测器 |
| US20110147880A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Abb Technology Ag | Power semiconductor device with new guard ring termination design and method for producing same |
| CN106972071A (zh) * | 2017-04-26 | 2017-07-21 | 黄晓敏 | 螺旋盘形分布功能层的光电探测器 |
| CN108281506A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-13 | 中国科学院微电子研究所 | 硅漂移探测器 |
| CN108733953A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-02 | 湘潭大学 | 大面积螺旋状圆柱形双面硅漂移探测器及其设计方法 |
| CN212517206U (zh) * | 2020-07-23 | 2021-02-09 | 湖南正芯微电子探测器有限公司 | 一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列 |
-
2020
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11145386A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Matsushita Electron Corp | インダクタ素子およびその製造方法 |
| US20050056912A1 (en) * | 2003-09-12 | 2005-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| CN201188423Y (zh) * | 2007-12-18 | 2009-01-28 | 天津大学 | 带平面螺旋电感的cmos硅光电探测器 |
| US20110147880A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Abb Technology Ag | Power semiconductor device with new guard ring termination design and method for producing same |
| CN102163626A (zh) * | 2009-12-22 | 2011-08-24 | Abb技术有限公司 | 具有新的保护环终端设计的功率半导体器件及其生产方法 |
| CN106972071A (zh) * | 2017-04-26 | 2017-07-21 | 黄晓敏 | 螺旋盘形分布功能层的光电探测器 |
| CN108281506A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-13 | 中国科学院微电子研究所 | 硅漂移探测器 |
| CN108733953A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-02 | 湘潭大学 | 大面积螺旋状圆柱形双面硅漂移探测器及其设计方法 |
| CN212517206U (zh) * | 2020-07-23 | 2021-02-09 | 湖南正芯微电子探测器有限公司 | 一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列 |
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