CN111847514B - 金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用 - Google Patents

金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及材料领域，具体公开了一种金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用，所述金属相二硫化钼包括以下的原料：三氧化钼（作为钼源）、硫源，以及适量的还原剂和适量的水；其中，所述三氧化钼中的钼原子数量与所述硫源中的硫原子数量之比为1:5‑40。本发明实施例提供的金属相二硫化钼通过采用三氧化钼作为钼源，并通过适量的硫源、还原剂和水进行水热合成制备金属相二硫化钼，产物中金属相二硫化钼含量高；而提供的制备方法具有操作简单安全，制备周期短，适合大规模生产的优势，解决了现有金属相二硫化钼的合成大多通过锂离子剥层来实现，存在制备周期长、安全性低的问题，具有广阔的市场前景。

Description

金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用
技术领域
本发明涉及材料领域，具体是一种金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用。
背景技术
二硫化钼（MoS2）具有类似石墨的层状结构，根据S-Mo之间的配位不同，可将二硫化钼分为不同的晶相，即1T相和2H相，2H相为典型的半导体，而1T相具有类似于导体的导电能力，因此也被称为金属相二硫化钼。从实际应用的角度上，1T相具有明显优势，特别是在电催化、电池电极、超级电容器等涉及电子转移的领域具有广阔的应用前景。通常，金属相二硫化钼只能通过人工合成。
目前，传统的金属相二硫化钼的合成方法是通过锂离子剥层来实现的，具体是实施方法是将2H相二硫化钼粉末浸没在叔丁基锂的己烷溶液中，将锂离子***到二硫化钼层间，这个过程一般需要搅拌甚至加热，以加速锂离子插层剂在二硫化钼层间的扩散，然后将所得二硫化钼固体在水中超声分散，形成单层1T相二硫化钼。但是，上述的方法在实际使用时存在以下缺点：1）尽管在加热和搅拌的作用下，锂离子在二硫化钼层间的扩散速率仍然较慢，因此制备周期较长，一般为3到5天；2）由于采用正丁基锂作为原料，以及嵌锂过程中涉及的一些中间产物极易燃，反应具有一定危险；3）反应产率较小，且产物分散于水中，很难满足实际应用要求；4）反应需要在惰性气氛下进行，需要用到手套箱等设备。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种金属相二硫化钼，以解决上述背景技术中提出的现有金属相二硫化钼的合成大多通过锂离子剥层来实现，存在制备周期长、安全性低的问题。
为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
一种金属相二硫化钼，包括以下的原料：三氧化钼（作为钼源）、硫源，以及适量的还原剂和适量的水；其中，所述三氧化钼中的钼原子数量与所述硫源中的硫原子数量之比为1:5-40。
作为本发明进一步的方案：所述三氧化钼在第一溶液中的浓度是0.008-1mmol·L-1，所述第一溶液是所述三氧化钼、硫源、还原剂以及水混合均匀得到的混合溶液。
作为本发明再进一步的方案：所述三氧化钼在第一溶液中的浓度是0.008-0.32mmol·L-1，或者所述三氧化钼在第一溶液中的浓度是0.5-1mmol·L-1。
作为本发明再进一步的方案：所述硫源选自硫代乙酰胺或硫化钠中的任意一种或多种。
作为本发明再进一步的方案：所述还原剂选自尿素或水合肼中的任意一种或多种。
作为本发明再进一步的方案：所述水可以是选自纯净水、矿泉水、蒸馏水、去离子水或软水中的任意一种，这里并不作限定，可以根据需要进行选择。
优选的，所述水是去离子水。
本发明实施例的另一目的在于提供一种金属相二硫化钼的制备方法，所述的金属相二硫化钼的制备方法，包括以下步骤：
1）按照比例称取三氧化钼、硫源与还原剂加入至水中溶解混匀，搅拌至形成均一的混合溶液，得到第一溶液；
2）将所述第一溶液置于密闭环境中进行水热反应，冷却，离心分离，洗涤，干燥，得到所述金属相二硫化钼。
作为本发明再进一步的方案：所述水热反应的反应温度是160-240℃，反应时间是4-24小时。
优选地，所述水热反应的反应温度是180到220°C，反应时间是8到12小时。
作为本发明再进一步的方案：所述第一溶液中以钼原子计的三氧化钼浓度为0.008-1mmol·L-1。
作为本发明再进一步的方案：所述第一溶液中以钼原子计的三氧化钼浓度为0.5-1mmol·L-1。
作为本发明再进一步的方案：在所述的金属相二硫化钼的制备方法中，所述洗涤可以采用现有技术中的方法进行清洗，只要可以除去固体产物中的杂质即可，例如，可以用乙醇清洗数次，也可以用水、乙醇分别反复清洗数次，这里并不作限定，可以根据需要进行选择。
作为本发明再进一步的方案：所述的金属相二硫化钼的制备方法具体包括以下步骤：
1）按照比例称取三氧化钼、硫源与还原剂加入至水中溶解混匀，搅拌至形成均一的混合溶液，得到第一溶液；
2）将所述第一溶液转移至反应釜中，密封后进行水热反应，水热反应温度在160到240℃之间，反应时间是在4到24小时之间，待反应完成，反应釜自然冷却后，将固体产物离心分离，用水和乙醇反复清洗后，置于真空条件在60℃以下烘干，得到所述金属相二硫化钼。
本发明实施例的另一目的在于提供一种采用上述的金属相二硫化钼的制备方法制备得到的金属相二硫化钼。
本发明实施例的另一目的在于提供一种自支撑电极（自支撑结构电极），具体是具有纳米阵列结构的自支撑电极，所述自支撑电极具体是采用上述的金属相二硫化钼的制备方法进行制备，而且，所述自支撑电极的制备方法在上述的金属相二硫化钼的制备方法的基础上，还包括将含有过渡金属的碱式碳酸盐纳米阵列的导电基底浸没于所述第一溶液中的步骤。
作为本发明再进一步的方案：所述的含有过渡金属的碱式碳酸盐纳米阵列的导电基底的制备方法可以是：将过渡金属盐和适量形核剂溶解于水和乙醇的混合溶液中，通过水热/溶剂热合成制备导电基底上的碱式碳酸盐阵列结构。
作为本发明再进一步的方案：所述过渡金属盐包括硝酸钴（Co(NO3)2·6H2O）、氯化钴（CoCl2·12H2O），所述形核剂包括尿素、氟化铵，所述导电基底包括钛片、碳布。
当然，所述的含有过渡金属的碱式碳酸盐纳米阵列的导电基底也可以是采用现有技术中的合成方法或直接采用现有的碳布负载碱式碳酸钴纳米线阵列。
作为本发明再进一步的方案：在所述自支撑电极的制备方法中，通过改变反应时间、反应物浓度以及种类，能够对产物微观形貌进行可控调节。
作为本发明再进一步的方案：在所述自支撑电极的制备方法中，通过调节钼源用量，能够改变外层MoS2纳米片厚度。其中，所述第一溶液中以钼原子计的三氧化钼浓度为0.01到0.05mmol·L-1，进一步优选的，所述第一溶液中以钼原子计的三氧化钼浓度为0.008-0.32mmol·L-1。
作为本发明再进一步的方案：通过改变硫源种类及用量可以调整产物微观形貌，特别地，改变硫源种类及用量能够实现纳米结构的有效调控，分别制备具有实心或空心纳米线结构的复合结构自支撑电极。具体为，当硫化钠浓度较大时，产物为实心纳米棒，由1T-MoS2纳米片构筑而成。当硫代乙酰胺浓度较大时，产物为空心纳米棒，内层由硫化钴形成空心管，外层由1T-MoS2构筑而成。其中，优选地，实现第一种结构（实心纳米棒），硫化钠的浓度在15mmol·L-1到30mmol·L-1，实现第二种结构（空心纳米棒），硫化钠的用量小于2.5mmol·L-1并且硫代乙酰胺用量大于1.5mmol·L-1。
本发明实施例的另一目的在于提供一种上述的自支撑电极在电解水析氢和/或制备锂离子电池负极材料中的应用。
作为本发明再进一步的方案：所述自支撑电极可以作为锂离子电池负极材料制备柔性电子器件，也可以用于制备电解水析氢催化剂。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提供的金属相二硫化钼通过采用三氧化钼作为钼源，并通过适量的硫源、还原剂和水进行水热合成制备金属相二硫化钼，产物中金属相二硫化钼含量高；而提供的制备方法具有操作简单安全，制备周期短，适合大规模生产的优势，解决了现有金属相二硫化钼的合成大多通过锂离子剥层来实现，存在制备周期长、安全性低的问题，具有广阔的市场前景。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的CoS2@1T-MoS2纳米线的扫描电镜图。
图2为本发明一实施例提供的CoS2@1T-MoS2纳米线的透射电镜图。
图3为本发明一实施例提供的CoS2@1T-MoS2纳米线的线性扫描伏安曲线图。
图4为本发明一实施例提供的CoS2@1T-MoS2中空纳米线的扫描电镜图。
图5为本发明一实施例提供的CoS2@1T-MoS2中空纳米线的透射电镜图。
图6为本发明一实施例提供的CoS2@1T-MoS2中空纳米线的充放电循环稳定性能曲线图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细地说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
一种金属相二硫化钼，具体制备方法如下：
1）称取三氧化钼12 mg、硫化钠500 mg、硫代乙酰胺14 mg以及0.12 g尿素溶解于水中，搅拌形成均一混合溶液，得到第一溶液；
2）在所述第一溶液中转移到50mL反应釜中，密封反应釜，置于烘箱中在200℃水热反应8小时；
3）水热反应结束后自然冷却到室温，将所得固体产物离心分离，用去离子水、乙醇分别清洗数次，收集固体产物，真空烘干，得到金属相二硫化钼粉末。
实施例2
一种金属相二硫化钼，具体制备方法如下：
1）称取三氧化钼14.4mg、硫化钠39mg以及0.12 g尿素溶解于水中，搅拌形成均一混合溶液，得到第一溶液；
2）在所述第一溶液中转移到50mL反应釜中，密封反应釜，置于烘箱中在160℃水热反应4小时；
3）水热反应结束后自然冷却到室温，将所得固体产物离心分离，用去离子水、乙醇分别清洗数次，收集固体产物，真空烘干，得到金属相二硫化钼粉末。
实施例3
一种金属相二硫化钼，具体制备方法如下：
1）称取三氧化钼14.4mg、硫化钠312mg以及0.12 g尿素溶解于水中，搅拌形成均一混合溶液，得到第一溶液；
2）在所述第一溶液中转移到50mL反应釜中，密封反应釜，置于烘箱中在240℃水热反应24小时；
3）水热反应结束后自然冷却到室温，将所得固体产物离心分离，用去离子水、乙醇分别清洗数次，收集固体产物，真空烘干，得到金属相二硫化钼粉末。
实施例4
与实施例1相比，除了所述三氧化钼在第一溶液中的浓度是0.008mmol·L-1外，其他与实施例1相同。
实施例5
与实施例1相比，除了所述三氧化钼在第一溶液中的浓度是1mmol·L-1外，其他与实施例1相同。
实施例6
与实施例1相比，除了所述三氧化钼在第一溶液中的浓度是0.01mmol·L-1外，其他与实施例1相同。
实施例7
与实施例1相比，除了所述三氧化钼在第一溶液中的浓度是0.32mmol·L-1外，其他与实施例1相同。
实施例8
与实施例1相比，除了所述三氧化钼在第一溶液中的浓度是0.5mmol·L-1外，其他与实施例1相同。
实施例9
与实施例1相比，除了所述三氧化钼在第一溶液中的浓度是0.05mmol·L-1外，其他与实施例1相同。
实施例10
与实施例1相比，除了所述水热反应的反应温度是180℃，反应时间是8小时外，其他与实施例1相同。
实施例11
与实施例1相比，除了所述水热反应的反应温度是220℃，反应时间是12小时外，其他与实施例1相同。
实施例12
与实施例1相比，除了所述水热反应的反应温度是200℃，反应时间是10小时外，其他与实施例1相同。
实施例13
与实施例1相比，除了将尿素替换为水合肼外，其他与实施例1相同。
实施例14
与实施例1相比，除了将尿素替换为水合肼与尿素（水合肼与尿素的质量比是1:1）外，其他与实施例1相同。
实施例15
与实施例3相比，除了将硫化钠替换为硫代乙酰胺外，其他与实施例3相同。
实施例16
将过渡金属盐和适量形核剂溶解于水和乙醇的混合溶液中，通过水热/溶剂热合成制备导电基底上的碱式碳酸盐阵列结构，所述过渡金属盐包括硝酸钴（Co(NO3)2·6H2O）、氯化钴（CoCl2·12H2O），形核剂包括尿素、氟化铵，导电基底包括钛片、碳布。
实施例17
采用现有方法将过渡金属盐和适量形核剂溶解于水和乙醇的混合溶液中，通过水热/溶剂热合成制备导电基底上的碱式碳酸盐阵列结构，所述过渡金属盐是硝酸钴（Co(NO3)2·6H2O），形核剂是尿素，导电基底是碳布。
实施例18
采用现有方法将过渡金属盐和适量形核剂溶解于水和乙醇的混合溶液中，通过水热/溶剂热合成制备导电基底上的碱式碳酸盐阵列结构，所述过渡金属盐是氯化钴，形核剂是尿素，导电基底是碳布。
实施例19
采用现有方法将过渡金属盐和适量形核剂溶解于水和乙醇的混合溶液中，通过水热/溶剂热合成制备导电基底上的碱式碳酸盐阵列结构，所述过渡金属盐是硝酸钴（Co(NO3)2·6H2O），形核剂是氟化铵，导电基底是碳布。
实施例20
采用现有方法将过渡金属盐和适量形核剂溶解于水和乙醇的混合溶液中，通过水热/溶剂热合成制备导电基底上的碱式碳酸盐阵列结构，所述过渡金属盐是硝酸钴（Co(NO3)2·6H2O），形核剂是尿素，导电基底是钛片。
实施例21
一种自支撑电极，具体制备方法如下：
1）称取三氧化钼12 mg、硫化钠500 mg、硫代乙酰胺14 mg以及0.12 g尿素溶解于水中，搅拌形成均一的混合溶液，得到第一溶液；
2）在所述第一溶液转移到50mL反应釜中，将制备好的负载有碱式碳酸钴纳米线的碳布浸没于第一溶液中，密封反应釜，分别置于烘箱中200℃水热反应2、4、6、8小时；
3）水热反应结束后自然冷却到室温，取出碳布，用去离子水、乙醇分别清洗数次，真空烘干，得到自支撑电极，记作CoS2@1T-MoS2纳米线，即CoS2@1T-MoS2纳米线阵列-碳布基底自支撑电极，可作为用于电解水析氢的催化剂。
实施例22
一种自支撑电极，具体制备方法如下：
1）称取三氧化钼5mg、硫化钠10 mg、硫代乙酰胺30 mg以及0.12 g尿素溶解于水中，搅拌形成均一的混合溶液，得到第一溶液；
2）在所述第一溶液转移到50mL反应釜中，将制备好的负载有碱式碳酸钴纳米线的碳布浸没于第一溶液中，密封反应釜，置于烘箱中180-220℃水热反应4-12小时；
3）水热反应结束后自然冷却到室温，取出碳布，用去离子水、乙醇分别清洗数次，真空烘干，得到自支撑电极，记作CoS2@1T-MoS2中空纳米线，即CoS2@1T-MoS2中空纳米线阵列-碳布基底自支撑电极，可作为锂离子电池负极材料。
实施例23
将实施例21中制备的CoS2@1T-MoS2纳米线进行扫描电镜（SEM）表征，得到的SEM图片如图1所示，图1是不同水热反应时间所得的CoS2@1T-MoS2纳米线的SEM图片，其中，在图1中，（a）图、（b）图、（c）图、（d）图分别对应水热反应2、4、6、8小时所得的CoS2@1T-MoS2纳米线，而第一行图的每个图的所对应的下方的图为其不同放大倍数的SEM照片，例如，在图1中第一行图的（a）图，其所对应的下方的两个图为图（a）不同放大倍数的SEM照片。
可见随反应时间变化，纳米线阵列结构微观形貌发生改变，CoS2@1T-MoS2纳米线的外层1T-MoS2纳米片尺寸逐渐增大。
实施例24
参照实施例23的方法，不同的是，优选地，水热反应设置为在水热反应进行至8到16小时之间，产物CoS2@1T-MoS2纳米线的内核溶解完全，形成中空结构，对应的透射电镜（TEM）图片如图2所示。
实施例25
将上述实施例24中优选条件下制备的自支撑电极直接应用于酸性条件下的电解水产氢催化，图3为对应的CoS2@1T-MoS2纳米线的线性扫描伏安曲线，从图3中可知，CoS2@1T-MoS2纳米线在H2SO4中表现出优秀的催化活性。以10 mA·cm-2电流密度（CurrentDensity）下所对应的过电位（Overpotential）为评价参数，CoS2@1T-MoS2纳米线对应过电位为69 mV，与目前催化性能最好的20wt% Pt/C贵金属催化剂仅相差20 mV。该性能优于目前国际报道的大部分电解水析氢催化剂。
其中，在图3所示的样品中，Pt/C表示20wt% Pt/C贵金属催化剂，为现有产品，厂家为上海辰华电气有限公司，其余为自制样品。其中，CoS2是在现有的碱式碳酸盐基础上不加入MoO3制备，MoS2为不加入碱式碳酸钴其余条件不变进行制备。
实施例26
将实施例22中制备的CoS2@1T-MoS2中空纳米线进行扫描电镜（SEM）表征，得到的SEM图片如图4所示，将实施例22中制备的CoS2@1T-MoS2中空纳米线进行透射电镜（TEM）表征，得到的TEM图片如图5所示。对比图1与图2的结构可知，通过改变反应物的中硫源的种类和浓度，可以实现对产物微观结构的调节。将上述所得的CoS2@1T-MoS2中空纳米线用于锂离子电池负极材料，其循环稳定性能曲线如图6所示，从6中可见，CoS2@1T-MoS2中空纳米线表现出优秀的循环稳定性，在电流密度为1 A·g-1的高倍率充放电循环下，能够稳定循环150次以上，可以用于制备锂离子电池负极材料。
实施例27
一种高纯度1T-MoS2的制备工艺：采用MoO3为硫源，利用其分子结构中Mo-O间的八面体配位结构，选择合适的硫源，在水热合成过程中制备高纯度的1T-MoS2（相纯度在90%以上）。
在本实施例中，具体的方法包括：
以三氧化钼作为钼源，硫源与钼源比例在1:5到1:40之间；
应用硫化钠与三氧化钼共同溶解，解决了三氧化钼不溶于水的问题；
以过量的尿素或水合肼作为还原剂，在水热过程中提供还原性条件，促进1T-MoS2的生成；优选地，水热合成温度在180到220℃，水热合成时间在4到16小时。
在本实施例中，需要说明的是，1T相MoS2只能通过人工合成，且目前常用的合成方法主要为锂离子剥层，这种方法主要包括以下步骤：首先，将2H相粉末浸没于正丁基锂的正己烷溶液中，使锂离子***到MoS2层间，这个过程一般需要搅拌甚至加热，以加速锂离子插层剂在MoS2层间的扩散。随后，将经过插层的MoS2取出，用大量的正己烷清洗后，置于超纯水中超声，在这个过程中，***层间的锂离子与水发生反应，产生大量H2，进而将MoS2层剥离，形成单层MoS2在水中的分散液。上述过程存在以下几个问题：第一，尽管在加热和搅拌的作用下，锂离子在MoS2层间的扩散速率仍然较慢，因此制备周期较长，一般为3到5天。第二，插层所用的正丁基锂在空气中极易自然，因此整个反应过程需要在氩气气氛的手套箱中进行。第三，锂离子插层制备的1T相MoS2一般同时伴生有2H相，1T相纯度一般在80%左右。第四，经超声分散于水中的1T相MoS2为单层结构，收集和应用都较为困难。并且上述反应过程产率较低，很难满足大规模应用的要求。
本发明有益效果如下，本发明提供的金属相二硫化钼通过采用三氧化钼作为钼源，并通过适量的硫源、还原剂和水进行水热合成制备金属相二硫化钼，产物中金属相二硫化钼含量可达到80%，具有操作简单安全，制备周期短，适合大规模生产的优势，解决了现有金属相二硫化钼的合成大多通过锂离子剥层来实现，存在制备周期长、安全性低的问题。
需要说明的是，传统的金属相二硫化钼主要依靠锂离子剥层方式获得，所需反应时间长，反应条件苛刻，需要涉及极易燃药品，产物一般为分散于水中的单层MoS2，收集和应用的过程较为繁琐。本发明通过水热合成，选取三氧化钼为钼源，与硫化钠共同溶解于水中，在还原性溶液条件下制备高相纯度的1T相MoS2，为制备1T-MoS2提供了操作简便、产量较高、物相均一的合成新途径。在此基础上，制备具有纳米线阵列结构的CoS2@1T-MoS2，并与导电性基底结合，构筑自支撑结构电极，这种阵列与自支撑结构的结合能够避免因颗粒堆积引起的位阻效应，有效提升电子转移速率，同时也加速了电极反应过程中的传质速率，而且，具有基底能够使材料的机械稳定性得到提升，可应用于柔性电子器件中。
本发明制备的自支撑电极是采用自支撑结构，将纳米结构直接与集流体直接复合，两者之间形成紧密的电子结合，能够有效提升电子传输能力，形成阵列结构能够避免纳米材料之间相互遮蔽；独特的阵列结构也可以提升反应过程中的物质传输。例如在析氢反应过程中，纳米线阵列能够提升氢气的脱附效率，避免氢气吸附对进一步反应的影响；在锂离子电池电极中，纳米线阵列结构能够缩短锂离子扩散距离，其一维结构也有利于缓解嵌锂后体积膨胀带来的结构粉化效应。
需要说明的是，本发明针对金属相二硫化钼合成方法上的不足，提供一种简单易行的水热合成方法，采用MoO3作为钼源，通过加入尿素，调节水热溶液体系的还原性，影响产物的配位原子配位结构，从而促进1T相MoS2的形成，生产周期短，原料简单，实验安全，适合工业化生产的高纯1T相二硫化钼。并以此方法为基础，通过“自牺牲模板法”构筑1T相MoS2和第四周期过渡金属硫化钴（CoS2）的纳米线阵列结构。并以此为基础，通过自牺牲模板法，以金属相二硫化钼与CoS2构筑纳米线阵列，相比锂离子产层的制备途径，上述水热合成工艺具有设备简单，操作安全，适合大规模生产的优势，此外，产物为具有自支撑结构的电极，在应用中更加方便，且性能更加突出。
上面对本发明的较佳实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (4)

1.一种自支撑电极，其特征在于，且所述自支撑电极的制备方法包括：将含有过渡金属的碱式碳酸盐纳米阵列的导电基底浸没于所述第一溶液中的步骤，第一溶液是三氧化钼、硫源、还原剂以及水混合均匀得到的混合溶液，三氧化钼在第一溶液中的浓度0.008-1mmol·L-1，还原剂选自尿素或水合肼中的任意一种或多种，将所述第一溶液置于密闭环境中进行水热反应，水热反应的反应温度是160-240℃，反应时间是4-24小时，再进行分离，洗涤，干燥，得到所述金属相二硫化钼，硫源选自硫代乙酰胺或硫化钠中的任意一种或多种，三氧化钼中的钼原子数量与所述硫源中的硫原子数量之比为1:5-40；当硫化钠的用量小于2 .5mmol·L-1并且硫代乙酰胺用量大于1 .5mmol·L-1时，得到金属相二硫化钼和硫化钴的空心纳米线结构的复合结构自支撑电极；当硫化钠的浓度在15mmol·L-1到30mmol·L-1时，水热反应的反应时间是2或4-8小时，得到金属相二硫化钼和硫化钴的实心纳米线结构的复合结构自支撑电极。
2.根据权利要求1所述的自支撑电极，其特征在于，在所述自支撑电极的制备方法中，
所述第一溶液中以钼原子计的三氧化钼浓度为0 .008-0 .32mmol·L-1。
3.根据权利要求1所述的自支撑电极，其特征在于，在所述自支撑电极的制备方法中，
所述第一溶液中以钼原子计的三氧化钼浓度为0 .01-0 .05mmol·L-1。
4.一种如权利要求1所述的自支撑电极在电解水析氢和/或制备锂离子电池负极材料中的应用。
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