CN111831173A - 触控显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种触控显示面板，其包含第一栅极线、第二栅极线、第一金属线段和触控感测线。第一栅极线及第二栅极线沿第一方向设置，而第一金属线段沿第二方向设置，其中第一方向与第二方向具有夹角。第一金属线段与第一栅极线和第二栅极线属于同一金属层，第一金属线段位于第一栅极线与第二栅极线之间，且第一金属线段与第一栅极线或第二栅极线电性绝缘。触控感测线位于第一金属线段的上方且通过穿孔电性连接至第一金属线段。本发明可降低触控感测信号的传递延迟失真，进而提升触控感测效能，以及有效避免显示问题的产生。

Description

触控显示面板

技术领域

本发明涉及一种触控显示面板。

背景技术

随着电子产品生产技术的进步，大部分的移动显示装置，例如智能手机和平板电脑等，均已具备触控操作的功能，可使用户在对移动显示装置的操作上更为便利。另一方面，在目前用于显示装置的主要触控技术中，内嵌式(in-cell)触控技术是将触控感测电极的制作整合在显示面板的制程中，故其具有轻薄化显示面板厚度的优点。然而，在内嵌式触控显示面板的设计上，需考虑到触控感测信号的传递延迟对画面显示的影响。若是触控感测信号的传递延迟过大，则会造成触控感测不良，以及例如横纹现象等显示问题的产生。

发明内容

本发明的目的是在于提供一种触控显示面板，其可降低触控感测信号的传递延迟失真，进而提升触控感测效能，以及有效避免显示问题的产生。

根据上述目的，本发明提出一种触控显示面板，其包含第一栅极线、第二栅极线、第一金属线段和触控感测线。第一栅极线和第二栅极线沿第一方向设置，而第一金属线段沿第二方向设置，其中第一方向与第二方向具有夹角。第一金属线段与第一栅极线和第二栅极线属于同一金属层，第一金属线段位于第一栅极线与第二栅极线之间，且第一金属线段与第一栅极线或第二栅极线电性绝缘。触控感测线位于第一金属线段的上方且通过至少一个第一穿孔电性连接至第一金属线段。

依据本发明的一实施例，所述触控感测线在所述触控显示面板的观察方向上覆盖至少部分所述第一金属线段。

依据本发明的又一实施例，所述触控显示面板还包含数据线，其沿所述第二方向设置且与所述触控感测线属于同一金属层。

依据本发明的又一实施例，所述触控显示面板还包含数据线，其沿所述第二方向设置且与所述第一金属线段属于同一金属层。

依据本发明的又一实施例，所述数据线与所述第一金属线段的投影距离大约为1微米至4微米。

依据本发明的又一实施例，所述至少一个第一穿孔为两个第一穿孔，这些第一穿孔分别位于所述第一金属线段的两端。

依据本发明的又一实施例，所述触控显示面板还包含第三栅极线和第二金属线段。第三栅极线平行于所述第一栅极线和所述第二栅极线。第二金属线段位于所述第二栅极线与第三栅极线之间且与所述第二栅极线或第三栅极线电性绝缘。所述触控感测线位于第二金属线段的上方且通过至少一个第二穿孔连接至第二金属线段。

依据本发明的又一实施例，所述触控显示面板还包含像素晶体管、像素电极层和共同电极层。像素晶体管电性连接于所述第一栅极线或所述第二栅极线，像素电极层电性连接于像素晶体管，而共同电极层电性连接于触控感测线。

依据本发明的又一实施例，所述像素电极层位于所述共同电极层的上方。

依据本发明的又一实施例，所述共同电极层位于所述像素电极层的上方。

根据上述目的，本发明另提出一种触控显示面板，其包含多个信号线、金属线段和触控感测线。这些信号线沿第一方向设置，而金属线段沿第二方向设置，其中第一方向与第二方向具有夹角。金属线段与这些信号线属于同一金属层。金属线段位于这些信号线的两个相邻的信号线之间，且与这些信号线电性绝缘。触控感测线位于金属线段的上方且通过至少一个穿孔电性连接至金属线段。

本发明的优点在于，在本发明的触控显示装置中，由于在触控显示面板的触控感测线下方设置了与其电性连接的金属线段，其降低了触控感测线的阻抗，故可降低触控感测信号的传递延迟失真，进而提升触控显示面板的触控感测效能，以及有效避免例如横纹现象等显示问题的产生。

附图说明

为了更完整了解实施例及其优点，现参照并结合附图做下列描述，其中：

图1为依据本发明一些实施例的显示装置的示意图；

图2A和图2B分别为依据本发明一些实施例的图1的触控显示面板的主动区的局部平面示意图和局部立体示意图；

图3为图2A绘示的局部示意图中沿A-A′线段的剖面视图；

图4A至图4E为依据本发明一些实施例的制作具有上像素电极结构的触控显示面板的各阶段的布局示意图；

图5A至图5E为依据本发明一些实施例的制作具有上像素电极结构的触控显示面板的各阶段的布局示意图；

图6分别依据本发明另一些实施例的图1的触控显示面板的主动区的局部立体示意图；以及

图7为依据本发明另一些实施例的触控显示面板的主动区的局部平面示意图。

具体实施方式

以下仔细讨论本发明的实施例。然而，可以理解的是，实施例提供许多可应用的概念，其可实施于各式各样的特定内容中。所讨论、揭示的实施例仅供说明，并非用以限定本发明的范围。

可被理解的是，虽然在本文可使用“第一”、“第二”、“第三”等用语来描述各种元件、零件、区域和/或部分，但这些用语不应限制这些元件、零件、区域和/或部分。这些用语仅用以区别一个元件、零件、区域和/或部分与另一个元件、零件、区域和/或部分。

在本文中所使用的用语仅是为了描述特定实施例，非用以限制权利要求。除非另有限制，否则单数形式的“一”或“该”用语也可用来表示多形式。此外，空间相对性用语的使用是为了说明元件在使用或操作时的不同方位，而不只限于附图所绘示的方向。元件也可以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，而在此使用的空间相对性描述也可以相同方式解读。

请参照图1，图1为依据本发明一些实施例的触控显示装置100的示意图。触控显示装置100包含触控显示面板110和触控驱动电路120。触控显示面板110可以是例如扭转向列(twisted nematic；TN)型、水平切换(in-plane switching；IPS)型、边缘电场切换(fringe-field switching；FFS)型或垂直配向(vertical alignment；VA)型等液晶显示面板，但不限于此。此外，触控显示面板110具有主动区110A和周边区110B，在主动区110中具有多个设置在基板S上的像素单元(图1未绘示)和触控感测垫TP，且在周边区110B中具有布线，以分别提供栅极驱动信号、数据驱动信号和触控感测信号送至像素单元和触控感测垫TP，使得像素单元在特定时间显示对应的灰阶，且触控感测垫在特定时间进行触控感测。此外，触控显示面板110可以是内嵌式(in-cell)触控显示面板，也就是说，在触控显示面板110中的共同电极(common electrode)亦作为触控显示面板110的触控感测垫。栅极驱动信号、数据驱动信号和触控感测信号可分别由栅极驱动电路(图1未绘示)、数据驱动电路(图1未绘示)和触控感测电路120提供。

触控显示面板110可以是***整合式玻璃面板(system on glass；SOG)，也就是说，栅极驱动电路、数据驱动电路和触控感测电路120可以是制作在触控显示面板110的基板S上。如此一来，便可使用相同工艺来制作栅极驱动电路、数据驱动电路和触控感测电路120中的电子元件和主动区110A中的电子元件(例如薄膜晶体管、像素电极、触控感测垫TP等，但不限于此)。如图1所示，触控驱动电路120是制作在基板S上，且经由布线电性连接触控感测线SL，接着触控感测线SL再经由接点P将触控感测信号送至触控感测垫TP。应注意的是，虽然图1绘示触控驱动电路120配置在主动区110A的下侧，但本发明并不以此为限。依据周边区110B的位置，触控驱动电路120也可以是配置在主动区110A的左侧、右侧或下侧。此外，在本实施例中，触控感测线SL的长度方向与方向X平行。而在其他实施例中，触控感测线SL可以是与方向Y平行。

在其他实施例中，栅极驱动电路、数据驱动电路和/或触控感测电路120可以是分别位于晶片中，且这些晶片可通过玻璃覆晶(chip on glass；COG)、卷带式自动接合(tapeautomated bonding；TAB)、薄膜覆晶(chip on film；COF)等方式与设置在基板S上的接垫接合，以分别提供栅极驱动电路、数据驱动电路和/或触控感测电路至触控显示面板110的主动区110A中的电子元件。特别地，在一些实施例中，栅极驱动电路、数据驱动电路和触控感测电路120可以整合为触控与显示驱动整合(touch and display driver integration；TDDI)晶片中。

应注意的是，图1绘示的触控感测垫TP、触控感测线SL和接点P的配置仅为示例，其非用以限制本发明的范围。举例而言，每个触控感测垫TP可经由多个接点P电性连接触控感测线SL，且触控感测垫TP和触控感测线SL的个数可依据主动区110A的尺寸、触控感测电路120的驱动能力和触控解析度需求等条件而决定。

图2A为触控显示面板110的主动区110A的局部平面示意图，而图2B为对应图2A的立体图。为方便说明，图2A和图2B仅绘示出一个像素单元及其附近的走线，而本领域技术人员可以直接理解，其他像素单元和对应的走线的结构亦可相似于图2A和图2B绘示的内容。

在触控显示面板110的主动区中110A，用以控制像素单元显示对应灰阶的信号线包含数据线DL和栅极线GL。在图2A和图2B中，相邻两触控感测线SL和相邻两个栅极线GL分别位于像素单元的左右两侧和上下两侧，而数据线DL分别位于像素单元中的红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B右侧，其中触控感测线SL和数据线DL是沿方向X设置，而栅极线GL是沿方向Y设置。方向X与方向Y具有夹角。图2A所示的方向X与方向Y之间的夹角大约为90度。而在其他实施例中，依据触控显示面板110的主动区110A中的像素矩阵配置，方向X与方向Y之间的夹角可以是90度的外的其他角度。此外，数据线DL和触控感测线SL均位于栅极线GL上方，且栅极线GL、数据线DL和触控感测线SL彼此未电性连接。触控感测线SL的下方具有多个沿方向X设置的金属线段ML，其电性连接触控感测线SL接触。金属线段ML彼此之间未直接接触。如图2B所示，与像素单元左右相邻的金属线段ML位于上下相邻的栅极线GL之间，且与这些栅极线GL电性绝缘。栅极线GL和这些金属线段ML同属于触控显示面板110的第一金属层，而数据线DL和触控感测线SL同属于触控显示面板110的第二金属层。

如图2B所示，触控感测线SL在触控显示面板110的观察方向上(即方向Z)与金属线段ML重叠，且触控感测线SL透过连接结构C电性连接金属线段ML。在图2A和图2B的实施例中，在金属线段ML的相对两端处上均有连接结构C，故每个金属线段ML可视为与对应的触控感测线SL并联连接。在其他实施例中，金属线段ML可通过单一连接结构C或两个以上(包含两个)的连接结构C与对应的触控感测线SL电性连接。

由于在触控感测线SL下方设置与其电性连接的金属线段ML，触控感测线SL与金属线段ML电性连接后的阻抗较未与金属线段ML电性连接的触控感测线SL低，故可降低触控感测信号的传递延迟失真，进而提升触控显示面板110的触控感测效能，以及有效避免例如横纹现象等显示问题的产生。

此外，触控感测线SL和/或金属线段ML与相邻的数据线DL的投影距离大约为1微米至4微米，以避免触控感测线SL和/或金属线段ML与相邻的数据线DL的电容耦合，同时也可维持触控显示面板110的每单位长度像素个数。

在一些实施例中，金属线段ML的宽度维持不变，触控感测线SL的宽度小于金属线段ML的宽度，且触控感测线SL在触控显示面板110的观察方向上与金属线段ML重叠；而在另一些实施例中，触控感测线SL的宽度维持不变，金属线段ML的宽度小于触控感测线SL的宽度，且触控感测线SL在触控显示面板110的观察方向上与金属线段ML重叠。如此一来，触控感测线SL和金属线段ML不会实质影响触控显示面板110的开口率。

图3为图2A绘示的局部示意图中沿A-A′线段的剖面视图。如图3所示，栅极线GL和金属线段ML位于基板S上，栅极绝缘层GI位于栅极线GL、金属线段ML和基板S上，触控感测线SL位于栅极绝缘层GI上，且钝化层PV位于触控感测线SL上。在栅极绝缘层GI中具有多个穿孔TH，连接结构C分别位于穿孔TH中且接触对应的金属线段ML和触控感测线SL，使得触控感测线SL通过穿孔TH电性连接至金属线段ML。

本发明的触控显示面板可具有上像素电极(top pixel)结构，即像素电极层位于共同电极层的上方，或者是上共同电极(top com)结构，即共同电极层位于像素电极层的上方。图4A至图4E为依据本发明一些实施例的制作具有上像素电极结构的触控显示面板的各阶段的布局示意图。首先，如图4A所示，在基板S上沉积金属，且对沉积的金属进行微影和蚀刻等工艺，以形成第一金属层。第一金属层包含栅极线GL、金属线段ML和像素晶体管TFT的栅极GE。形成第一金属层所使用的材料可包括铬、钨、钽、钛、钼、铝、铜等金属元素或其他类似元素，或是包括上述金属元素的任意组合所形成的合金或化合物等，但不限于此。

接着，如图4B所示，在基板S和第一金属层上形成栅极绝缘层(图4B至图4E未绘示)，在栅极绝缘层中形成穿孔TH1，且接着在栅极绝缘层上且分别在薄膜晶体管TFT的栅极GE上方形成半导体层SM。穿孔TH1分别位于金属线段ML的两端且暴露出金属线段ML的部份上表面。栅极绝缘层位于金属层的栅极的上方。形成栅极绝缘层的材料可以是氮化硅或其他类似材料，且形成半导体层SM的材料可以是非晶硅、单晶硅、多晶硅或其他类似材料。穿孔TH1可通过微影和蚀刻等方式去除一部分栅极绝缘层而形成。

之后，如图4C所示，在栅极绝缘层和半导体层SM上沉积金属，且对沉积的金属进行微影和蚀刻等工艺，以形成第二金属层和填充穿孔TH1的连接结构C。第二金属层包含触控感测线SL、数据线DL和像素晶体管TFT的源极SE和漏极DE。像素晶体管TFT的源极SE和漏极DE接触半导体层SM，填充穿孔TH1的连接结构C接触金属线段ML和触控感测线SL，且触控感测线SL在触控显示面板110的观察方向上(即方向Z)覆盖金属线段ML。形成第二金属层和连接结构C所使用的材料可包括铬、钨、钽、钛、钼、铝、铜等金属元素或其他类似元素，或是包括上述金属元素的任意组合所形成的合金或化合物等，但不限于此。

接着，如图4D所示，在第二金属层和栅极绝缘层上形成第一钝化层(图4D和4E未绘示)，在第一钝化层中形成穿孔TH2，且接着在第一钝化层上形成共同电极层CE。穿孔TH2暴露出触控感测线SL的部份上表面，且共同电极层CE通过穿孔TH2接触触控感测线SL而形成接点P，使得共同电极层CE与触控感测线SL电性连接。形成共同电极层CE的材料可以是例如氧化铟锡(indium tin oxide；ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide；IZO)、氧化铟(indiumoxide)、氧化锡(tin oxide)或其他合适的透明导电材料。除了用于画面显示外，共同电极层CE亦用于触控感测。每个触控感测垫可由多个像素单元的共同电极层CE组成。

接着，如图4E所示，在共同电极层CE和第一钝化层上形成第二钝化层(图4E未绘示)，且接着在第一钝化层和第二钝化层上形成像素电极层PE。第一钝化层和第二钝化层的开口暴露出像素晶体管TFT的漏极DE的部份上表面，且像素电极层PE经由此开口接触像素晶体管TFT的漏极DE，使得像素电极层PE与像素晶体管TFT电性连接。与共同电极层CE相似，形成像素电极层PE的材料可以是例如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟、氧化锡或其他合适的透明导电材料。

图5A至图5E为依据本发明一些实施例的制作具有上共同电极结构的触控显示面板的各阶段的布局示意图。首先，如图5A所示，在基板S上沉积金属，且对沉积的金属进行微影和蚀刻等工艺，以形成第一金属层。第一金属层包含栅极线GL、金属线段ML和像素晶体管TFT的栅极GE。接着，如图5B所示，在基板S和第一金属层上形成栅极绝缘层(图5B至图5E未绘示)，在栅极绝缘层中形成穿孔TH1，且接着在栅极绝缘层上且分别在薄膜晶体管TFT的栅极GE上方形成半导体层SM。图5A和图5B所示的内容分别与图4A和图4B相同，故相关说明请参照先前段落，在此不赘述。

之后，如图5C所示，在栅极绝缘层上形成像素电极层PE。像素电极层PE与半导体层SM位于栅极绝缘层的不同区域上。此外，形成像素电极层PE的材料可以是例如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟、氧化锡或其他合适的透明导电材料。

接着，如图5D所示，在栅极绝缘层、半导体层SM和像素电极层PE上沉积金属，且对沉积的金属进行微影和蚀刻等工艺，以形成第二金属层和填充穿孔TH1的连接结构C。第二金属层包含触控感测线SL、数据线DL和像素晶体管TFT的源极SE和漏极DE。像素晶体管TFT的源极SE和漏极DE接触半导体层SM，像素晶体管TFT的漏极DE还接触像素电极层PE，使得像素电极层PE与像素晶体管TFT电性连接。填充穿孔TH1的连接结构C接触金属线段ML和触控感测线SL，且触控感测线SL在触控显示面板110的观察方向上(即方向Z)覆盖金属线段ML。形成第二金属层和连接结构C所使用的材料可包括铬、钨、钽、钛、钼、铝、铜等金属元素或其他类似元素，或是包括上述金属元素的任意组合所形成的合金或化合物等，但不限于此。

接着，如图5E所示，在像素电极层PE、第二金属层和栅极绝缘层上形成钝化层，在钝化层中形成穿孔TH2，且接着在钝化层和第二金属层上形成共同电极层CE。穿孔TH2暴露出触控感测线SL的部份上表面，且共同电极层CE通过穿孔TH2接触触控感测线SL而形成接点P，使得共同电极层CE与触控感测线SL电性连接。与像素电极层PE相似，形成共同电极层CE的材料可以是例如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟、氧化锡或其他合适的透明导电材料。除了用于画面显示外，共同电极层CE亦用于触控感测。每个触控感测垫可由多个像素单元的共同电极层CE组成。

应注意的是，虽然图4A至图4E的各阶段的布局示意图以及图5A至图5E各阶段的布局示意图均仅绘示出单一子像素及其周边的布局图案，但本领域技术人员可以直接理解，在此子像素上方或下方的子像素单元及其周边的布局图案亦相同或相似于图4A至图4E绘示的各阶段的布局图案或图5A至图5E绘示的各阶段的布局图案。此外，图4A至图4E绘示的子像素的布局图案和图5A至图5E绘示的子像素的布局图案可以是红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素的布局图案，但不限于此。

图6为依据本发明另一些实施例的触控显示面板110的主动区110A的局部示意图，而图2B为对应图2A的立体图。为方便说明，图6同样仅绘示出一像素单元及其附近的走线，而本领域技术人员可以直接理解，其他像素单元和对应的走线的结构相似于图6绘示的内容。

图6与图2B的差别在于，图6的金属线段ML和触控感测线SL分别属于第二金属层和第三金属层。也就是说，在图6中，栅极线GL属于第一金属线，金属线段ML和数据线DL同属于第二金属层，而触控感测线SL属于第三金属层。图6中元件的其他配置方式相似于图2A和图2B绘示的内容，故在此不赘述。在其他实施例中，图6的金属线段ML和触控感测线SL可变更为分别属于第一金属层和第三金属层。

图7为依据本发明另一些实施例的触控显示面板的主动区的局部平面示意图。触控显示面板及其主动区可以是如图1所示的触控显示面板110及其主动区110A，或是任何将图1绘示的内容进行变化配置后的触控显示面板及其主动区。在图7中，像素单元的上下两侧均具有触控感测线SL和栅极线GL，且像素单元中每个子像素(即红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B)的右侧两侧均具有数据线DL，其中数据线DL是沿方向X设置，而触控感测线SL和栅极线GL是沿方向Y设置。数据线DL和触控感测线SL均位于栅极线GL上方，且栅极线GL、数据线DL和触控感测线SL彼此未电性连接。

触控感测线SL的下方具有多个沿方向Y设置的金属线段ML，其电性连接触控感测线SL接触。金属线段ML彼此之间未直接接触，且金属线段ML也与栅极线GL和数据线DL电性绝缘。相似于图2A和图2B的实施例，在图7的实施例中，触控感测线SL在触控显示面板的观察方向上与金属线段ML重叠，且触控感测线SL通过连接结构C电性连接金属线段ML。在金属线段ML的相对两端处上均有连接结构C，故每个金属线段ML可视为与对应的触控感测线SL并联连接。在其他实施例中，金属线段ML可通过单一连接结构C或两个以上(包含两个)的连接结构C与对应的触控感测线SL电性连接。在一些实施例中，栅极线GL和这些金属线段ML同属于触控显示面板的第一金属层，数据线DL属于触控显示面板的第二金属层，而触控感测线SL属于触控显示面板的第三金属层。此外，在一些实施例中，栅极线GL属于触控显示面板的第一金属层，数据线DL和这些金属线段ML同属于触控显示面板的第二金属层，而触控感测线SL属于触控显示面板的第三金属层。

综上所述，在本发明的触控显示面板中，由于在触控感测线的下方设置了与其电性连接的金属线段，其降低了触控感测线的阻抗，故可降低触控感测信号的传递延迟失真，进而提升触控显示面板的触控感测效能，以及有效避免例如横纹现象等显示问题的产生。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种触控显示面板，其特征在于，包含：

第一栅极线及第二栅极线，沿第一方向设置；

第一金属线段，沿第二方向设置，所述第一方向与所述第二方向具有夹角，所述第一金属线段与所述第一栅极线和所述第二栅极线属于同一金属层，所述第一金属线段位于所述第一栅极线与所述第二栅极线之间，且所述第一金属线段与所述第一栅极线或所述第二栅极线电性绝缘；以及

触控感测线，位于所述第一金属线段的上方且通过至少一个第一穿孔电性连接至所述第一金属线段。

2.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控感测线在所述触控显示面板的观察方向上覆盖至少部分所述第一金属线段。

3.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，还包含：

沿所述第二方向设置的数据线，所述数据线与所述触控感测线属于同一金属层。

4.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，还包含：

沿所述第二方向设置的数据线，所述数据线与所述第一金属线段属于同一金属层。

5.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述至少一个第一穿孔为两个第一穿孔，所述两个第一穿孔分别位于所述第一金属线段的两端。

6.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，还包含：

第三栅极线，平行于所述第一栅极线和所述第二栅极线；以及

第二金属线段，位于所述第二栅极线与所述第三栅极线之间，所述第二金属线段与所述第二栅极线或所述第三栅极线电性绝缘；

其中所述触控感测线位于所述第二金属线段的上方且通过至少一个第二穿孔连接至所述第二金属线段。

7.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，还包含：

像素晶体管，电性连接于所述第一栅极线或第二栅极线；

像素电极层，电性连接于所述像素晶体管；以及

共同电极层，电性连接于所述触控感测线。

8.如权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述像素电极层位于所述共同电极层的上方。

9.如权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述共同电极层位于所述像素电极层的上方。

10.一种触控显示面板，其特征在于，包含：

多个信号线，沿第一方向设置；

金属线段，沿第二方向设置，所述第一方向与所述第二方向具有夹角，所述金属线段与所述多个信号属于同一金属层，所述金属线段位于所述多个信号线中的两个相邻的信号线之间，且所述金属线段与所述多个信号线电性绝缘；以及

触控感测线，位于所述金属线段的上方且通过至少一个穿孔电性连接至所述金属线段。

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