CN111809146A - 掩膜片和掩膜版 - Google Patents

掩膜片和掩膜版 Download PDF

Info

Publication number
CN111809146A
CN111809146A CN202010614323.5A CN202010614323A CN111809146A CN 111809146 A CN111809146 A CN 111809146A CN 202010614323 A CN202010614323 A CN 202010614323A CN 111809146 A CN111809146 A CN 111809146A
Authority
CN
China
Prior art keywords
evaporation
area
blocking
openings
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010614323.5A
Other languages
English (en)
Inventor
张丁成
王水俊
李伟丽
范波涛
孙飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd filed Critical Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN202010614323.5A priority Critical patent/CN111809146A/zh
Publication of CN111809146A publication Critical patent/CN111809146A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种掩膜片，包括蒸镀区和非蒸镀区，所述蒸镀区具有多个蒸镀开口；所述非蒸镀区与所述蒸镀区邻接设置，所述非蒸镀区划分有阻隔区与焊接区，所述阻隔区具有多个阻隔开口，且多个所述阻隔开口位于所述焊接区与所述蒸镀区之间。本发明实施例通过在蒸镀区和焊接区之间设置阻隔区，在阻隔区进一步设置多个阻隔开口，可以在焊接过程中，焊接点将大褶皱打散成多个小褶皱时，阻挡小褶皱向蒸镀区延伸，一定程度上缓解焊接过程中小褶皱向蒸镀区延伸对对位精度造成的影响，提升蒸镀效果。

Description

掩膜片和掩膜版
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种掩膜片和一种掩膜版。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示具有自发光、不需要背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广等优异特性，被认为是下一代的平面显示器新型应用技术。
OLED的全彩显示一般包括R(红)G(绿)B(蓝)子像素独立发光、或白光OLED结合彩色滤光膜等方式。其中，RGB子像素独立发光是目前采用最多的彩色模式，其是利用子像素单元中的有机发光材料独立发光。
目前，有机发光材料层一般都是通过对有机材料进行真空蒸发镀膜形成。其中，对于RGB子像素独立发光的OLED，由于每个RGB子像素单元采用不同的有机发光材料，因而RGB子像素单元的有机发光层需要分别进行蒸镀。
目前，显示基板通常采用掩膜装置来蒸镀像素显示区域的有机发光层。其中，掩膜装置包括掩膜框架和焊接在掩膜框架上的掩膜片。在焊接掩膜片的过程中，由于掩膜片较薄，且掩膜片上设置有用于蒸镀的图案，因此，蒸镀区的褶皱会对显示效果造成影响。
发明内容
本发明提供一种掩膜片和掩膜版。
第一方面，本发明实施例提供一种掩膜片，其特征在于，包括：
蒸镀区，所述蒸镀区具有多个蒸镀开口；
非蒸镀区，与所述蒸镀区邻接设置，所述非蒸镀区划分有阻隔区与焊接区，所述阻隔区具有多个阻隔开口，且多个所述阻隔开口位于所述焊接区与所述蒸镀区之间。
进一步地，所述蒸镀区包括有效蒸镀区和虚拟蒸镀区，所述阻隔区位于所述虚拟蒸镀区与所述焊接区之间。
进一步地，所述蒸镀区为矩形，所述非蒸镀区邻接于所述蒸镀区的短边，且相对于所述蒸镀区对称设置。
进一步地，所述蒸镀区的长边方向为第一方向，所述蒸镀区的短边方向为第二方向，所述多个蒸镀开口沿第一方向延伸，所述阻隔区沿第二方向延伸。
进一步地，所述阻隔区内沿所述第一方向排布有多列所述阻隔开口，任意相邻两列的所述阻隔开口的中心错位排布。
进一步地，所述阻隔区内沿所述第二方向排布有多行所述阻隔开口，所述阻隔开口的行间距从所述阻隔区的中心向两端逐渐增大。
进一步地，所述阻隔区内沿所述第二方向排布有多行所述阻隔开口，每一行所述阻隔开口的宽度从所述阻隔区的中心向两端逐渐减小。
进一步地，所述阻隔区与所述蒸镀区沿所述第二方向的长度相等。
进一步地，所述多个阻隔开口的形状包括长条形、椭圆形、菱形中的至少一种；
进一步地，所述阻隔开口的形状为长条形，所述长条形的长宽比范围为5:1-4:1。
第二方面，本发明实施例还提供一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜框架以及如上任一项所述的掩膜片，所述掩膜框架与所述掩膜片通过所述焊接区固定。
本发明实施例提供了一种掩膜片，包括蒸镀区和非蒸镀区，所述蒸镀区具有多个蒸镀开口；所述非蒸镀区与所述蒸镀区邻接设置，所述非蒸镀区划分有阻隔区与焊接区，所述阻隔区具有多个阻隔开口，且多个所述阻隔开口位于所述焊接区与所述蒸镀区之间。本发明实施例通过在蒸镀区和焊接区之间设置阻隔区，在阻隔区进一步设置多个阻隔开口，可以在焊接过程中，焊接点将大褶皱打散成多个小褶皱时，阻挡小褶皱向蒸镀区延伸，一定程度上缓解焊接过程中小褶皱对蒸镀精度造成的影响，提升显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为一实施例提供的一种掩膜片的结构示意图。
图2为一实施例提供的一种掩膜片的结构示意图。
图3为一实施例提供的一种掩膜片的结构示意图。
图4为一实施例提供的一种掩膜片的结构示意图。
图5为一实施例提供的一种掩膜片的结构示意图。
附图标记说明：10-蒸镀区；11-有效蒸镀区；12-虚拟蒸镀区；20-非蒸镀区；21-阻隔区；22-焊接区；101-蒸镀开口；201-阻隔开口。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的特征可以相互结合。
正如背景技术中提到的，发明人在研究过程中发现，由于掩膜条厚度较薄，且掩膜条上设置有用于蒸镀的开口图案，因此在拉拽固定掩膜条的过程中，掩膜条容易变形，产生一些大的褶皱。在接下来的焊接过程中，通常是通过很多个分散的焊接点将掩膜条与框架焊接固定，但是分散的焊接点会将大褶皱打散为多个小褶皱，小褶皱会向显示区延伸，影响掩膜片与待蒸镀基板的贴合效果，可能会进一步使得蒸镀开口的位置发生偏移，不利于基板的蒸镀。因此，发明人通过研究发明了一种掩膜片和一种掩模版，可以阻隔小褶皱向蒸镀区的延伸，一定程度上避免对蒸镀显示区造成影响。
第一方面，本申请实施例提供一种掩膜片，包括蒸镀区和非蒸镀区，所述蒸镀区具有多个蒸镀开口；所述非蒸镀区与所述蒸镀区邻接设置，所述非蒸镀区划分有阻隔区与焊接区，所述阻隔区具有多个阻隔开口，且多个所述阻隔开口位于所述焊接区与所述蒸镀区之间。本发明实施例通过在蒸镀区和焊接区之间设置阻隔区，在阻隔区进一步设置多个阻隔开口，可以在焊接过程中，焊接点将大褶皱打散成多个小褶皱时，阻挡小褶皱向蒸镀区延伸，一定程度上缓解焊接过程中小褶皱对蒸镀精度造成的影响，提升显示效果。
具体地，可参照图1与图2，掩膜片包括蒸镀区10和非蒸镀区20，非蒸镀区20与蒸镀区10邻接设置，蒸镀区10具有多个蒸镀开口101。非蒸镀区20划分有阻隔区21与焊接区22，阻隔区21具有多个阻隔开口201，且多个阻隔开口201位于焊接区22与蒸镀区10之间。本发明实施例通过在蒸镀区10和焊接区22之间设置阻隔区21，在阻隔区21进一步设置多个阻隔开口201，可以在焊接过程中，焊接点将大褶皱打散成多个小褶皱时，阻挡小褶皱向蒸镀区10延伸，一定程度上缓解焊接过程中小褶皱对蒸镀精度造成的影响，提升显示效果。
请继续参照图1与图2，蒸镀区10包括有效蒸镀区11与虚拟蒸镀区12，阻隔区位于虚拟蒸镀区12与焊接区22之间。需要注意的是，有效蒸镀区11指的是蒸镀发光子像素的区域，在现有的工艺中，不仅会在发光区域蒸镀子像素，还会在这些发光子像素的周围再蒸镀一些同样膜层的子像素，但是这些***子像素并不发光，这些***的不发光的子像素所在的区域即为虚拟蒸镀区。虚拟蒸镀区12与有效蒸镀区11会通过同种工艺条件蒸镀同样的子像素膜层。在对有效蒸镀区蒸镀发光子像素之后，通常还会对发光子像素的性能进行测试，由于虚拟蒸镀区12与有效蒸镀区11通过同种工艺条件制备相同的膜层，因此可以通过测试虚拟蒸镀区12蒸镀的子像素的性能判断有效蒸镀区11蒸镀的子像素的性能。
如果焊接过程中，小褶皱向虚拟蒸镀区12延伸，会影响虚拟蒸镀区12的蒸镀开口的对位精度，进而影响后续对虚拟蒸镀区12蒸镀的子像素性能的测试结果，对有效蒸镀区11蒸镀的发光子像素的性能判断也会造成影响。因此，将阻隔区21设置在焊接区22与虚拟蒸镀区12之间，可以通过阻隔区的多个阻隔开口201阻挡小褶皱向虚拟蒸镀区12延伸，一定程度上避免小褶皱对蒸镀精度造成的影响。
在本发明的一个实施例中，蒸镀区10的形状为矩形，请参照图1至图3，非蒸镀区20邻接于蒸镀区10的短边，且相对于蒸镀区10对称设置。非蒸镀区20划分有阻隔区21与焊接区22，阻隔区21邻接于蒸镀区10左右两个短边，且相对于蒸镀区10对称设置，焊接区22邻接于阻隔区21，也相对于蒸镀区10对称设置。在本实施例中，蒸镀区10的形状为矩形，蒸镀区还可以是其他形状，本发明对此不做限定。在蒸镀区的两侧均设置有焊接区，在焊接区与蒸镀区之间设置阻隔区，阻隔区的阻隔开口可以阻挡焊接过程中产生的小褶皱向蒸镀区延伸，一定程度上提升蒸镀对位精度。
在本发明的一个实施例中，请参照图1至图3，蒸镀区的长边方向为第一方向，蒸镀区的短边方向为第二方向，在图中即左右方向为第一方向，上下方向为第二方向。掩膜片沿着第一方向进行拉伸，拉伸过程中会产生沿着第一方向的大褶皱。蒸镀开口101沿第一方向延伸，阻隔开口201沿第一方向延伸。将阻隔开口的延伸方向设置为与焊接区指向蒸镀区的方向一致，在焊接过程中，焊接点将大褶皱打散成小褶皱时，可以对小褶皱的延伸起到更好的阻隔效果。图中是以蒸镀区和蒸镀开口均为矩形形状示意说明的，还可以是其他任意形状，本发明实施例对此并不限定。
在本发明的一个实施例中，请参照图1，阻隔区21内沿第一方向排布有多列阻隔开口201，任意相邻两列的阻隔开口的中心错位排布。由于掩膜片与掩膜框架会通过分散的多个焊接点焊接固定，通过阻隔开口的这种设置方式，在焊接过程中产生很多个小褶皱时，每一列的阻隔开口均可以在第一方向上对多个小褶皱的延伸起到好的阻隔效果。
在本发明的一个实施例中，请参照图2，阻隔区21内沿第二方向排布有多行阻隔开口201，任意相邻两行的阻隔开口的中心错位排布。通过阻隔开口的这种设置方式，在焊接过程中产生很多个小褶皱时，每一行的阻隔开口均可以在第二方向上对多个小褶皱的延伸起到好的阻隔效果。进一步地，请参照图3，阻隔开口的行间距从阻隔区的中心向两端逐渐增大。在将掩膜片焊接到掩膜框架上之前，通常先将掩膜片通过夹持治具拉伸，再进行焊接。夹持治具夹持掩膜片时，通常是夹持掩膜片的左右两端，且只夹持若干个固定点位，并不是对左右两端的整个端面进行夹持，所以拉伸产生的褶皱会在掩膜片横向的对称中心线上比较多，从中心向两端方向上褶皱尺寸会变小，褶皱数量也会减少。因此，阻隔开口的行间距从阻隔区的中心向两端逐渐增大。在阻隔区的中心，阻隔开口的行间距比较小，阻隔开口比较集中，阻隔小褶皱延伸的能力较强，阻隔效果会更好。
需要注意的是，本发明实施例中只列举出了多行或多列阻隔开***错排布的情况，多行或多列阻隔开口也可呈阵列排布，阻隔区内设置有多行或多列阻隔开口时，阻隔开口的横向间距为0.03-0.1mm，纵向间距为0.05-0.1mm之间，横向间距与纵向间距1:2-1:1时，阻隔区的阻隔效果为最佳。另外，阻隔开口的横向间距指的是，阻隔开口的中心在第一方向的间距，阻隔开口的纵向间距指的是阻隔开口的中心在第二方向的间距。
在本发明的一个实施例中，请参照图4，阻隔区21内沿第二方向排布有多行阻隔开口201，且阻隔开口沿着第二方向的宽度从阻隔区的中心向两端逐渐减小。如上所述，在对掩膜片进行拉伸的过程中，拉伸产生的褶皱会在掩膜片横向的对称中心线上比较多，沿着远离中心线的方向上褶皱尺寸会变小，褶皱数量也会减少。因此，通过设置阻隔开口201沿着第二方向的宽度从阻隔区的中心向两端逐渐减小。在阻隔区的中心，阻隔开口沿着第二方向的宽度较大，可以阻隔较多数量的小褶皱向蒸镀区延伸；在阻隔区的两端，阻隔开口沿着第二方向的宽度较小，也可以阻隔小褶皱向蒸镀区延伸。
在本发明的一实施例中，请参照图1至图5，阻隔区21与蒸镀区10沿第二方向的长度相等，也就是说，蒸镀区域沿着第二方向有多长的长度，那么对应地，阻隔区在对应的区域内均设置有阻隔开口，以阻隔小褶皱向蒸镀区延伸，避免对蒸镀精度造成影响，进而影响显示效果。
在本发明的一实施例中，请参照图1至图5，阻隔开口的形状包括长条形、椭圆形、菱形中的至少一种，也可以是其他不规则的形状(图中未示出)，本发明对此不做限定。以阻隔开口的形状为长条形为例，发明人在研究过程中发现，长条形的长宽比在5:1-4:1的范围内时，阻隔开口阻挡小褶皱延伸的效果最佳。需要注意的是，发明人在研究过程中还发现，长条形的阻隔开口，长度尺寸在0.15-0.2mm，宽度尺寸在0.03-0.05mm范围内时，阻隔开口阻挡小褶皱延伸的效果最佳。
另一方面，本发明的实施例提供一种掩膜版，包括掩膜框架(图中未示出)以及如上任一项所述的掩膜片，掩膜框架与掩膜片通过焊接区22固定。发明人在研究过程中发现，阻隔区距离掩膜框架内边缘的距离范围在0.5-1mm，阻隔区距离虚拟蒸镀区的距离范围在0.5-2mm时，阻隔开口阻挡小褶皱延伸的效果最佳。通过对掩膜片的焊接区与蒸镀区之间设置阻隔区，在阻隔区设置多个阻隔开口，可以一定程度上缓解在将掩膜片焊接到掩膜框架上时，焊接产生的小褶皱向蒸镀区延伸，使得蒸镀区的蒸镀开口位置发生偏移，对蒸镀对位精度造成影响的情况，一定程度上提升蒸镀精度，进而提升显示效果。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种掩膜片，其特征在于，包括：
蒸镀区，所述蒸镀区具有多个蒸镀开口；
非蒸镀区，所述非蒸镀区与所述蒸镀区邻接设置，所述非蒸镀区划分有阻隔区与焊接区，所述阻隔区具有多个阻隔开口，且多个所述阻隔开口位于所述焊接区与所述蒸镀区之间。
2.根据权利要求1所述的掩膜片，其特征在于，所述蒸镀区包括有效蒸镀区和虚拟蒸镀区，所述阻隔区位于所述虚拟蒸镀区与所述焊接区之间。
3.根据权利要求1所述的掩膜片，其特征在于，所述蒸镀区为矩形，所述非蒸镀区邻接于所述蒸镀区的短边，且相对于所述蒸镀区对称设置。
4.根据权利要求3所述的掩膜片，其特征在于，所述蒸镀区的长边方向为第一方向，所述蒸镀区的短边方向为第二方向，所述蒸镀开口沿第一方向延伸，所述阻隔开口沿第一方向延伸。
5.根据权利要求4所述的掩膜片，其特征在于，所述阻隔区内沿所述第一方向排布有多列所述阻隔开口，任意相邻两列的所述阻隔开口的中心错位排布。
6.根据权利要求4所述的掩膜片，其特征在于，所述阻隔区内沿所述第二方向排布有多行所述阻隔开口，所述阻隔开口的行间距从所述阻隔区的中心向两端逐渐增大。
7.根据权利要求4所述的掩膜片，其特征在于，所述阻隔区内沿所述第二方向排布有多行所述阻隔开口，每一行所述阻隔开口的宽度从所述阻隔区的中心向两端逐渐减小。
8.根据权利要求4所述的掩膜片，其特征在于，所述阻隔区与所述蒸镀区沿所述第二方向的长度相等。
9.根据权利要求1所述的掩膜片，其特征在于，所述多个阻隔开口的形状包括长条形、椭圆形、菱形中的至少一种；
优选地，所述阻隔开口的形状为长条形，所述长条形的长宽比范围为5:1-4:1。
10.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜框架以及如权利要求1-9中任一项所述的掩膜片，所述掩膜框架与所述掩膜片通过所述焊接区固定。
CN202010614323.5A 2020-06-30 2020-06-30 掩膜片和掩膜版 Pending CN111809146A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010614323.5A CN111809146A (zh) 2020-06-30 2020-06-30 掩膜片和掩膜版

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010614323.5A CN111809146A (zh) 2020-06-30 2020-06-30 掩膜片和掩膜版

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111809146A true CN111809146A (zh) 2020-10-23

Family

ID=72856853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010614323.5A Pending CN111809146A (zh) 2020-06-30 2020-06-30 掩膜片和掩膜版

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111809146A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115449747A (zh) * 2022-10-19 2022-12-09 云谷（固安）科技有限公司 精密掩模版及其制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111172495A (zh) * 2020-01-22 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制备方法、掩模板组件

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111172495A (zh) * 2020-01-22 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制备方法、掩模板组件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115449747A (zh) * 2022-10-19 2022-12-09 云谷（固安）科技有限公司 精密掩模版及其制作方法
CN115449747B (zh) * 2022-10-19 2024-02-13 云谷（固安）科技有限公司 精密掩模版及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI690107B (zh) 掩膜板及掩膜元件
US10934613B2 (en) Mask plate, mask plate assembly including mask plate and method for manufacturing same
KR102532305B1 (ko) 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법
US9343708B2 (en) Mask strips and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same
KR100986787B1 (ko) 성막용 마스크, 유기 ｅｌ 패널, 및 유기 ｅｌ 패널의제조 방법
KR102118641B1 (ko) 단위 마스크 및 마스크 조립체
US9570715B2 (en) Mask and mask assembly
WO2015192479A1 (zh) 一种有机发光二极管显示面板及其制备方法、掩膜板
KR101919467B1 (ko) 단위 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체
CN108365134B (zh) 掩模板及其制造方法、掩模装置、蒸镀方法
KR20200044945A (ko) 마스크 플레이트 및 증착 장치
TW201839155A (zh) 蒸鍍遮罩、附有框架之蒸鍍遮罩、有機半導體元件之製造方法及圖案之製造方法
CN112126893B (zh) 掩膜板，掩膜板组件及其制造方法
CN109487206B (zh) 掩膜版及采用该掩膜版的掩膜装置
JP2002069619A (ja) メタルマスク構造体及びその製造方法
TW201635258A (zh) 畫素結構
WO2016150289A1 (zh) 掩模板
US11066738B2 (en) Mask plates and display panels
US20060017373A1 (en) Mother glass and method of fabricating organic electro luminescence display device using the same
WO2019080875A1 (zh) 掩膜板
JP2004055231A (ja) 有機ｅｌ素子製造に用いる真空蒸着用多面付けメタルマスク
CN111809146A (zh) 掩膜片和掩膜版
CN110634909A (zh) 一种显示基板、显示面板及显示装置
US20080057850A1 (en) Mask for manufacturing a display device
WO2019064473A1 (ja) 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法及び表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201023