CN111750748A - 电子***抗电磁干扰方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005474 detonation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000000151 anti-reflux effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000004880 explosion Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 27
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 13
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002360 explosive Substances 0.000 claims description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 6
- 238000005422 blasting Methods 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F42—AMMUNITION; BLASTING
- F42D—BLASTING
- F42D1/00—Blasting methods or apparatus, e.g. loading or tamping
- F42D1/04—Arrangements for ignition
- F42D1/045—Arrangements for electric ignition
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F42—AMMUNITION; BLASTING
- F42D—BLASTING
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- F42D1/04—Arrangements for ignition
- F42D1/045—Arrangements for electric ignition
- F42D1/05—Electric circuits for blasting
- F42D1/055—Electric circuits for blasting specially adapted for firing multiple charges with a time delay
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F42—AMMUNITION; BLASTING
- F42D—BLASTING
- F42D3/00—Particular applications of blasting techniques
- F42D3/04—Particular applications of blasting techniques for rock blasting
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F42—AMMUNITION; BLASTING
- F42D—BLASTING
- F42D5/00—Safety arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
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Abstract
本发明公开了电子***抗电磁干扰方法。在小断面***时，电磁干扰易引起电子***的误引爆与拒爆。本发明方法在控制芯片中增设一个电平输出管脚g，管脚g在控制芯片上电复位后输出低电平，在控制芯片在收到起爆命令后输出高电平；增设一个Nmos管和一个防返流二极管；管脚g接Nmos管的栅极，Nmos管的漏极接防返流二极管的阳极，防返流二极管的阴极接控制芯片的电源端，Nmos管的源极接整流桥的接地端。当有电子***起爆时，后起爆电子***的引脚线上感应出***引发电磁干扰而产生的电流脉冲，电流脉冲直接传输到大地，控制芯片不会被***引起的电磁脉冲干扰。本发明方法易于实现，具有很好的抗电磁脉冲干扰效果。
Description
技术领域
本发明属于电子***技术领域，涉及一种电子***抗电磁干扰方法。
背景技术
电子***与非电***相比有更精准的起爆延期时间控制、起爆能量控制、安全控制等功能，得到广泛应用。由于电子***涉及***作业，本身的安全性要求及高。要求电子***在复杂环境下的电磁干扰及误操作下能够不被误引爆。特别在小断面***时，当电子***的感应电压与感应电流易引起电子***的误引爆与拒爆。
小断面一般指横断面外轮廓的宽度或跨径在4m以下且面积小于20m2的隧道。用矿山法施工时的各类导坑、各种市政隧道、给水排水管道、人行隧道等多属于此种类型。爆炮孔所产生的振动与强电磁干扰强度与距离的平方成反比。由于小断面掘进***中孔距相对较近,受先爆炮孔所产生的振动与强电磁干扰影响强烈,造成正在延期***的电子***的芯片的损坏失效，导致不能正常***。当前缓解这个情况的方法是减少电子***间的延期，减少先爆炮孔所生产的***对未爆炮孔内电子***的芯片的影响。这样使得***方案受到限制，影响***的效率与效果，增加施工工期与施工成本。
发明内容
本发明的目的就是针对现有电子***存在的问题，提供一种电子***抗电磁干扰方法。
电子***的控制芯片U的电源端和稳压电容C的一端接整流桥的电源输出端，稳压电容C的另一端、控制芯片U的接地端接整流桥的接地端，并与大地间形成寄生电容Cp；所述的整流桥包括四个二极管，第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阳极连接后接降压电阻R的一端，降压电阻R的另一端接电子***的一个引脚线P；第三二极管D3的阳极与第四二极管D4的阴极连接后接电子***的另一个引脚线N；第一二极管D1的阳极与第四二极管D4的阳极连接作为整流桥的接地端；第二二极管D2的阴极与第三二极管D3的阴极连接作为整流桥的电源输出端。本发明方法在控制芯片U中增设一个电平输出管脚g，所述的电平输出管脚g在控制芯片U上电复位后输出低电平，在控制芯片U在收到起爆命令后输出高电平；增设一个Nmos管和一个防返流二极管D；电平输出管脚g接Nmos管N的栅极， Nmos管N的漏极接防返流二极管D的阳极，防返流二极管D的阴极接控制芯片U的电源端，Nmos管N的源极接整流桥的接地端。
并联的多个电子***的控制芯片U上电复位后，管脚g输出低电平，Nmos管N断开，***发出起爆命令后主动断电；控制芯片U收到起爆命令后，管脚g输出高电平，Nmos 管N导通，整流桥的电源输出端和接地端接通；所有的电子***的控制芯片U依靠稳压电容C的电量进行延时起爆。
当有电子***起爆时，******引发电磁干扰而产生电流脉冲，后起爆电子***的引脚线上感应出电流脉冲，电流脉冲不流过控制芯片U，直接传输到大地，控制芯片U不被***引起的电磁脉冲干扰。
由于控制芯片U阻抗远大于Nmos管N的导通阻抗，如果后起爆电子***的一个引脚线 P上感应出电流脉冲，则电流脉冲经过降压电阻R、第二二极管D2、Nmos管N、寄生电容 Cp传输到大地；如果后起爆电子***的另一个引脚线N上感应出电流脉冲，则电流脉冲经过第三二极管D3、Nmos管N、寄生电容Cp传输到大地。
进一步，还设有熔丝F，控制芯片U的电源端与防返流二极管D的阴极相接后通过熔丝F与整流桥的电源输出端相接。
并联的多个电子***的控制芯片U上电复位后，管脚g输出低电平，Nmos管N断开，***发出起爆命令后主动断电；控制芯片U收到的起爆命令后，管脚g输出高电平，Nmos管N导通，整流桥的电源输出端和接地端接通，造成短路，熔丝F熔断；所有的电子***的控制芯片U依靠稳压电容C的电量进行延时起爆。
当有电子***起爆时，******引发电磁干扰而产生电流脉冲，后起爆电子***的引脚线上感应出电流脉冲，电流脉冲不流过控制芯片U，直接传输到大地，控制芯片U不被***引起的电磁脉冲干扰。
如果后起爆电子***的一个引脚线P上感应出电流脉冲，电流脉冲导致后起爆电子***的第一二极管D1电压超过反向击穿电压，第一二极管D1击穿导通，引脚线P上感应的电流脉冲经过降压电阻R、第一二极管D1和寄生电容Cp传输到大地；
如果后起爆电子***的另一个引脚线N上感应出电流脉冲，电流脉冲导致后起爆电子***的第四二极管D4电压超过反向击穿电压，第四二极管D4击穿导通，引脚线N上感应的电流脉冲经过第四二极管D4和寄生电容Cp传输到大地。
第一个延时起爆的电子***在准备起爆时，引脚线P和引脚线N上没有感应的电流脉冲，稳压电容C的电量用于电子***在延时起爆，该电子***正常起爆。
本发明方法在收到起爆命令后，Nmos管处于导通状态，当有电子***起爆时，******引发电磁干扰而产生电流脉冲，后起爆电子***的引脚线上感应出电流脉冲，电流脉冲不流过控制芯片，直接传输到大地，实现了控制芯片不被***引起的电磁脉冲干扰。本发明方法易于实现，具有很好的抗电磁脉冲干扰效果。
附图说明
图1为现有电子***的控制示意图；
图2为本发明方法一个实施例实现示意图；
图3为本发明方法另一个实施例实现示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步描述。以下实施例仅为本发明的具体实施例，但本发明的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动，均应属于本发明的保护范围。
如图1所示，现有的电子***的控制芯片U′的信号输入端和稳压电容C的一端接整流桥的输出端，稳压电容C的另一端、控制芯片U′的接地端接整流桥的接地端，与大地间形成寄生电容Cp；整流桥的一个输入端接降压电阻R后作为电子***的一个引脚线，整流桥的另一个输入端作为电子***的另一个引脚线。两根引脚线接***，***发送起爆信号，并为控制装置供电。控制装置中的控制芯片U′根据引脚线发来的起爆信号进行起爆。
实施例1.
如图2所示，电子***抗电磁干扰方法，在原有电子***的控制芯片U中增设一个电平输出管脚g，该电平输出管脚g在控制芯片U上电复位后输出低电平，在控制芯片U在收到起爆命令后输出高电平。增设一个Nmos管和一个防返流二极管D。
整流桥的电源输出端接Nmos管N的漏极和防返流二极管D的阳极，控制芯片U的电源端和稳压电容C的一端接防返流二极管D的阴极，控制芯片U的电平输出管脚g接Nmos管N的栅极，Nmos管N的源极、稳压电容C的另一端、控制芯片U的接地端接整流桥的接地端，并与大地间形成寄生电容Cp。
其中，整流桥包括四个二极管，第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阳极连接后接降压电阻R的一端，降压电阻R的另一端接电子***的一个引脚线P；第三二极管D3的阳极与第四二极管D4的阴极连接后接电子***的另一个引脚线N；第一二极管D1的阳极与第四二极管D4的阳极连接作为整流桥的接地端；第二二极管D2的阴极与第三二极管D3的阴极连接作为整流桥的电源输出端。
并联的多个电子***的控制芯片U上电复位后，管脚g输出低电平，Nmos管N断开，***发出起爆命令后主动断电；控制芯片U收到的***发出的起爆命令后，管脚g输出高电平，Nmos管N导通，整流桥的电源输出端和接地端接通；所有的电子***的控制芯片U依靠稳压电容C的电量进行延时起爆。
当有电子***起爆时，******引发电磁干扰而产生电流脉冲，后起爆电子***的引脚线上感应出电流脉冲，电流脉冲不流过控制芯片U，直接传输到大地，控制芯片U不被***引起的电磁脉冲干扰。具体是：
由于控制芯片U阻抗远大于Nmos管N的导通阻抗，如果后起爆电子***的一个引脚线 P上感应出电流脉冲，则电流脉冲经过降压电阻R、第二二极管D2、Nmos管N、寄生电容 Cp传输到大地；如果后起爆电子***的另一个引脚线N上感应出电流脉冲，则电流脉冲经过第三二极管D3、Nmos管N、寄生电容Cp传输到大地。
第一个延时起爆的电子***在准备起爆时，引脚线P和引脚线N上没有感应的电流脉冲，稳压电容C的电量用于电子***在延时起爆，所以该电子***正常起爆。
实施例2.
如图3所示，在实施例1的基础上增设一个熔丝F。控制芯片U的电源端与防返流二极管D的阴极相接后接熔丝F的一端，熔丝F的另一端接整流桥的电源输出端。
并联的多个电子***的控制芯片U上电复位后，管脚g输出低电平，Nmos管N断开，***发出起爆命令后主动断电；控制芯片U收到的起爆命令后，管脚g输出高电平，Nmos管N导通，整流桥的电源输出端和接地端接通，造成短路，熔丝F熔断；所有的电子***的控制芯片U依靠稳压电容C的电量进行延时起爆。
当有电子***起爆时，******引发电磁干扰而产生电流脉冲，后起爆电子***的引脚线上感应出电流脉冲，电流脉冲不流过控制芯片U，直接传输到大地，控制芯片U不被***引起的电磁脉冲干扰。具体是：
如果后起爆电子***的一个引脚线P上感应出电流脉冲，电流脉冲导致后起爆电子***的第一二极管D1电压超过反向击穿电压，第一二极管D1击穿导通，引脚线P上感应的电流脉冲经过降压电阻R、第一二极管D1和寄生电容Cp传输到大地；如果后起爆电子***的另一个引脚线N上感应出电流脉冲，电流脉冲导致后起爆电子***的第四二极管D4电压超过反向击穿电压，第四二极管D4击穿导通，引脚线N上感应的电流脉冲经过第四二极管D4和寄生电容Cp传输到大地。
第一个延时起爆的电子***在准备起爆时，引脚线P和引脚线N上没有感应的电流脉冲，稳压电容C的电量用于电子***在延时起爆，不影响该电子***的正常起爆。
实施例2的方案适用于电流脉冲较强的情况，在这种情况下采用实施例1的方案，可能会有电流脉冲进入控制芯片U造成干扰。通过实践，在一般情况下，实施例1的方案即可实现抗电磁干扰。
Claims (7)
1.电子***抗电磁干扰方法，电子***的控制芯片U的电源端和稳压电容C的一端接整流桥的电源输出端，稳压电容C的另一端、控制芯片U的接地端接整流桥的接地端，并与大地间形成寄生电容Cp；所述的整流桥包括四个二极管，第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阳极连接后接降压电阻R的一端，降压电阻R的另一端接电子***的一个引脚线P；第三二极管D3的阳极与第四二极管D4的阴极连接后接电子***的另一个引脚线N；第一二极管D1的阳极与第四二极管D4的阳极连接作为整流桥的接地端；第二二极管D2的阴极与第三二极管D3的阴极连接作为整流桥的电源输出端；其特征在于：
该方法在控制芯片U中增设一个电平输出管脚g，所述的电平输出管脚g在控制芯片U上电复位后输出低电平，在控制芯片U在收到起爆命令后输出高电平；
增设一个Nmos管N和一个防返流二极管D；电平输出管脚g接Nmos管N的栅极，Nmos管N的漏极接防返流二极管D的阳极，防返流二极管D的阴极接控制芯片U的电源端，Nmos管N的源极接整流桥的接地端。
2.如权利要求1所述的电子***抗电磁干扰方法，其特征在于：并联的多个电子***的控制芯片U上电复位后，管脚g输出低电平，Nmos管N断开，***发出起爆命令后主动断电；控制芯片U收到起爆命令后，管脚g输出高电平，Nmos管N导通，整流桥的电源输出端和接地端接通；所有的电子***的控制芯片U依靠稳压电容C的电量进行延时起爆；
当有电子***起爆时，******引发电磁干扰而产生电流脉冲，后起爆电子***的引脚线上感应出电流脉冲，电流脉冲不流过控制芯片U，直接传输到大地，控制芯片U不被***引起的电磁脉冲干扰。
3.如权利要求2所述的电子***抗电磁干扰方法，其特征在于：
如果后起爆电子***的一个引脚线P上感应出电流脉冲，则电流脉冲经过降压电阻R、第二二极管D2、Nmos管N、寄生电容Cp传输到大地；如果后起爆电子***的另一个引脚线N上感应出电流脉冲，则电流脉冲经过第三二极管D3、Nmos管N、寄生电容Cp传输到大地。
4.如权利要求1所述的电子***抗电磁干扰方法，其特征在于：还设有熔丝F；控制芯片U的电源端与防返流二极管D的阴极相接后通过熔丝F与整流桥的电源输出端相接。
5.如权利要求4所述的电子***抗电磁干扰方法，其特征在于：并联的多个电子***的控制芯片U上电复位后，管脚g输出低电平，Nmos管N断开，***发出起爆命令后主动断电；控制芯片U收到的起爆命令后，管脚g输出高电平，Nmos管N导通，整流桥的电源输出端和接地端接通，造成短路，熔丝F熔断；所有的电子***的控制芯片U依靠稳压电容C的电量进行延时起爆；
当有电子***起爆时，******引发电磁干扰而产生电流脉冲，后起爆电子***的引脚线上感应出电流脉冲，电流脉冲不流过控制芯片U，直接传输到大地，控制芯片U不被***引起的电磁脉冲干扰。
6.如权利要求5所述的电子***抗电磁干扰方法，其特征在于：
如果后起爆电子***的一个引脚线P上感应出电流脉冲，电流脉冲导致后起爆电子***的第一二极管D1电压超过反向击穿电压，第一二极管D1击穿导通，引脚线P上感应的电流脉冲经过降压电阻R、第一二极管D1和寄生电容Cp传输到大地；
如果后起爆电子***的另一个引脚线N上感应出电流脉冲，电流脉冲导致后起爆电子***的第四二极管D4电压超过反向击穿电压，第四二极管D4击穿导通，引脚线N上感应的电流脉冲经过第四二极管D4和寄生电容Cp传输到大地。
7.如权利要求1、2、3、4、5或6所述的电子***抗电磁干扰方法，其特征在于：第一个延时起爆的电子***在准备起爆时，引脚线P和引脚线N上没有感应的电流脉冲，稳压电容C的电量用于电子***在延时起爆，该电子***正常起爆。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010738824.4A CN111750748A (zh) | 2020-07-28 | 2020-07-28 | 电子***抗电磁干扰方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010738824.4A CN111750748A (zh) | 2020-07-28 | 2020-07-28 | 电子***抗电磁干扰方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111750748A true CN111750748A (zh) | 2020-10-09 |
Family
ID=72712138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010738824.4A Pending CN111750748A (zh) | 2020-07-28 | 2020-07-28 | 电子***抗电磁干扰方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN111750748A (zh) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| CB02 | Change of applicant information |
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