CN111725091A - 优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备 - Google Patents

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CN111725091A CN201910221399.9A CN201910221399A CN111725091A CN 111725091 A CN111725091 A CN 111725091A CN 201910221399 A CN201910221399 A CN 201910221399A CN 111725091 A CN111725091 A CN 111725091A
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Abstract

本发明公开了一种优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备。包括：步骤S110、判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，执行步骤S120；若否，执行步骤S130；步骤S120、判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，执行步骤S130；若否，执行步骤S140；步骤S130、顺次执行下一工艺步骤；步骤S140、判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，执行步骤S150；若否，执行步骤S160；步骤S150、输出起辉失败报警信号；步骤S160、将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，重复执行当前工艺步骤并返回步骤S110。在存在偶发性的起辉失败现象时，用户不必干预，从而可以使得工艺流程的时效性较强、可操作性提高，保证工艺流程可以正常进行，提高产能。

Description

优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种优化工艺流程的方法、一种优化工艺流程的装置、一种计算机可读存储介质以及一种半导体处理设备。
背景技术
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发，并使蒸发物质与气体均发生电离起辉，在电场的加速作用下，被蒸发物质及其反应产物会沉积在工件(一般为晶圆)上。此技术已广泛应用于集成电路(Integrated Circuit，IC)、发光二极管(Light-emitting Diode，LED)、光伏、平板显示等领域。
由于硬件异常或者腔室环境不稳定，会偶发出现起辉失败的现象。起辉失败需要工艺工程师重新执行工艺，影响产能，甚至对于某些敏感工艺直接导致晶圆工艺镀膜变薄，因此起辉失败也成为PVD工艺中必须正视的问题。
相关技术中，当出现起辉失败时，工艺会被迫终止，通过用户恢复的方式重新执行起辉工艺。显然，在该相关技术中，在出现起辉失败时，需要用户介入，时效性和操作性较差，对于某些特殊工艺甚至会由于长时间未执行恢复而影响工艺。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种优化工艺流程的方法、一种优化工艺流程的装置、一种计算机可读存储介质以及一种半导体处理设备。
为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种优化工艺流程的方法，所述工艺流程包括顺次执行若干工艺步骤，所述方法包括：
步骤S110、判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，执行步骤S120；若否，执行步骤S130；
步骤S120、判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，执行步骤S130；若否，执行步骤S140；
步骤S130、顺次执行下一工艺步骤；
步骤S140、判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，执行步骤S150；若否，执行步骤S160；
步骤S150、输出起辉失败报警信号；
步骤S160、将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，重复执行当前工艺步骤并返回步骤S110。
可选地，所述判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，具体包括：
获取当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值；
根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
可选地，工艺参数为溅射功率，所述根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，具体包括：
当前一预设溅射功率值为零以及当前预设溅射功率值满足预定范围时，判定当前工艺步骤为点火工艺步骤。
可选地，所述预定范围为[200W，1000W]。
可选地，所述判断当前工艺步骤是否起辉成功，具体包括：
加载溅射功率；
在预设时间后，获取当前工艺步骤所输出的实际溅射功率值，并根据所述实际溅射功率值确定当前工艺步骤是否起辉成功。
可选地，当实际溅射功率值大于当前预设溅射功率值的85％时，判定起辉成功。
可选地，所述改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，具体为增大当前工艺步骤的工艺气体流量值。
本发明的第二方面，提供了一种优化工艺流程的装置，所述工艺流程包括顺次执行若干工艺步骤，所述装置包括：
第一判断模块，用于判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，发出点火信号；若否，发出非点火信号；
第二判断模块，用于在接收到所述点火信号时判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，发出起辉成功信号；若否，发出起辉临时失败信号；
执行模块，用于在接收到所述非点火信号或所述起辉成功信号时顺次执行下一工艺步骤；
第三判断模块，用于在接收到所述起辉临时失败信号时判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，发出起辉永久失败信号；若否，发出起辉补救信号；
报警模块，用于在接收到所述起辉永久失败信号时输出起辉失败报警信号；
参数设定模块，用于在接收到所述起辉补救信号时将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，之后发出重复执行信号；
所述执行模块，还用于在接收到所述重复执行信号时重复执行当前工艺步骤。
可选地，所述第一判断模块包括：
第一获取子模块，用于获取当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值；
第一判断子模块，用于根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
可选地，工艺参数为溅射功率，所述第一判断子模块，具体用于：
当前一预设溅射功率值为零以及当前预设溅射功率值满足预定范围时，判定当前工艺步骤为点火工艺步骤。
可选地，所述预定范围为[200W，1000W]。
可选地，所述第二判断模块包括：
加载子模块，用于加载溅射功率；
第二获取子模块，用于在预设时间后获取当前工艺步骤所输出的实际溅射功率值；
第二判断子模块，用于根据所述实际溅射功率值确定当前工艺步骤是否起辉成功。
可选地，所述第二判断子模块，用于当实际溅射功率值大于当前预设溅射功率值的85％，判定起辉成功。
可选地，所述参数设定模块，用于增大当前工艺步骤的工艺气体流量值。
本发明的第三方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时实现如前文记载的所述的优化工艺流程的方法。
本发明的第四方面，提供了一种半导体处理设备，包括前文记载的所述的优化工艺流程的装置。
本发明的优化工艺流程的方法及装置、计算机可读存储介质和半导体处理设备。其在判断当前工艺步骤是否起辉成功时，引入了判断起辉失败次数是否超出报警阈值的机制，并且，在没有超出报警阈值时，自动优化当前步骤在下一次点火工艺步骤时的起辉影响因子值，从而增加下一次点火工艺步骤起辉成功的几率。因此，在存在偶发性的起辉失败现象时，用户不必干预，从而可以使得工艺流程的时效性较强、可操作性提高，保证工艺流程可以正常进行，提高产能。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明第一实施例中优化工艺流程的方法的流程图；
图2为本发明第二实施例中优化工艺流程的装置的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明的第一方面，涉及一种优化工艺流程的方法，工艺流程包括顺次执行若干工艺步骤，例如，在磁控溅射工艺制程中，其工艺流程一般包括进气工艺步骤、点火工艺步骤、沉积工艺步骤、冷却工艺步骤、结束工艺步骤等五个工艺步骤。当然，本工艺流程也可以适用于其他工艺制程中，凡是工艺制程中包括点火工艺步骤的工艺流程，均可以适用于本发明所提出的优化工艺流程的方法。为了便于说明，下文所涉及的工艺流程仅以磁控溅射工艺制程为例进行阐述。
请参阅图1，优化工艺流程的方法S100包括：
步骤S110、判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，执行步骤S120；若否，执行步骤S130。
具体地，在本步骤中，例如，可以通过当前工艺步骤的一些工艺参数，例如，可以通过当前工艺步骤的溅射电源的溅射功率的设定值，并且，还可以结合前一工艺步骤中的溅射电源的溅射功率的设定值进行辅助判断。当然，除此以外，还可以通过其他一些方式判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
步骤S120、判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，执行步骤S130；若否，执行步骤S140。
具体地，在本步骤中，例如，可以通过起辉结束时的溅射功率进行判定，假设起辉结束时的溅射功率值超过所设定的起辉阈值，则可以判定起辉成功，反之，则判定起辉失败。除此以外，还可以借助其他一些判断方式判断当前工艺步骤是否起辉成功，例如，还可以通过检测腔室内的光照强度来判定是否起辉成功等等。
步骤S130、顺次执行下一工艺步骤。
具体地，以磁控溅射工艺制程为例，在起辉成功以后，可以顺次执行沉积工艺步骤、冷却工艺步骤、结束工艺步骤等。
步骤S140、判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，执行步骤S150；若否，执行步骤S160。
具体地，在本步骤中，例如，可以设定报警阈值为三次，当然，报警阈值并不局限于三次，本领域技术人员还可以根据实际需要，确定其所期望的报警阈值的具体取值。当起辉失败次数并没有超过三次时，表明当前所出现的起辉失败可能只是偶发性的起辉失败现象，不需要用户干预。反之，当起辉失败次数超过三次时，则表明当前工艺步骤需要用户进行适当干预，例如，用户可以重新尝试点火工艺步骤或者直接终止该工艺流程。
步骤S150、输出起辉失败报警信号。
具体地，在本步骤中，起辉失败报警信号，可以是通过声音、文字或者图像等形式直观地呈现给用户，这样，可以提醒用户注意当前所进行的工艺流程，其起辉失败并不是偶发性，以便用户做出终止工艺流程等解决措施。
步骤S160、将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，重复执行当前工艺步骤并返回步骤S110。
具体地，在本步骤中，将工艺步骤计数器减1的目的是为了可以重复执行当前工艺步骤。在起辉失败次数没有超出报警阈值时，表明当前工艺步骤的起辉失败现象可能只是偶发性的起辉失败现象，因此，本步骤不需要用户主动干预，可以自动改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，例如，可以适当增加通入的工艺气体流量值，以便增大下次起辉成功几率。
本实施例的优化工艺流程的方法，其在判断当前工艺步骤是否起辉成功时，引入了判断起辉失败次数是否超出报警阈值的机制，并且，在没有超出报警阈值时，自动优化当前步骤在下一次点火工艺步骤时的起辉影响因子值，从而增加下一次点火工艺步骤起辉成功的几率。因此，本实施例的优化工艺流程的方法，在存在偶发性的起辉失败现象时，用户不必干预，从而可以使得工艺流程的时效性较强、可操作性提高，保证工艺流程可以正常进行，提高产能。
具体地，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，具体包括：
获取当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值。根据当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
本实施例的优化工艺流程的方法，其通过当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值一起判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，能够提高判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤的准确度，从而可以更好地优化该工艺流程。
更具体地，工艺参数可以为溅射功率，这样，当前一工艺步骤的前一预设溅射功率值为零且当前工艺步骤的当前溅射功率值在预定范围内(例如，该预定范围可以为[200W，1000W]，当然，预定范围并不局限于此，本领域技术人员可以根据实际需要确定其取值范围)，则可以判定当前工艺步骤为点火工艺步骤。
本实施例中的优化工艺流程的方法，借助前一工艺步骤的溅射功率值是否为零以及当前工艺步骤的溅射功率值是否满足预定范围来判定当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，方法简单，且能够有效判定当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
具体地，判断当前工艺步骤是否起辉成功，具体包括：
对腔室加载溅射功率，并在预设时间后获取当前工艺步骤所输出的实际溅射功率值，并根据实际溅射功率值确定当前工艺步骤是否起辉成功。例如，当实际溅射功率值大于当前预设溅射功率值的85％或者是规定的溅射阈值时，则判定起辉成功。
本实施例中的优化工艺流程的方法，借助当前工艺步骤在起辉结束时的实际溅射功率值与当前预设溅射功率值之间的相对关系，判定起辉是否成功，判定方法简单，并能够有效提高产能。
具体地，改变当前工艺步骤的起辉影响因子值具体为增大当前工艺步骤的工艺气体流量值。一般地，在增大工艺气体流量值时，可以增大起辉成功的几率。
下文将对本发明的优化工艺流程的方法进行示例性说明，假设磁控溅射工艺制程的工艺流程如下表1所示：
表1工艺流程
参数 1 2 3 4 5
工艺步骤 进气 点火 沉积 冷却 结束
时间 T1 T2 T3 T4 T5
溅射功率 0W 500W 3000W 0W 0W
Ar流量 20sccm 20sccm 20sccm 20sccm 0sccm
… … … … … ..
具体地，获取步骤1(进气工艺步骤)的溅射功率设定值为0，则认为步骤1不是点火步骤，执行步骤1，完成步骤1后，获取步骤2(点火工艺步骤)的溅射功率设定值为500W，满足[200W，1000W]的要求，则判断步骤2为点火工艺步骤，开始执行步骤2，在步骤2经验动作完成后，经过时间T2后，对溅射电源的实际输出功率进行检测，若实际输出功率满足power>500*0.85,则认为起辉成功，继续执行步骤3的工艺；若实际输出功率满足power<500*0.85,则认为起辉失败，此时需要对计数器-1，同时将Ar流量提升至24sccm(增加20％)，然后重复执行当前工艺步骤，也即步骤2，若起辉成功则执行步骤3(沉积工艺步骤)工艺，若起辉仍然失败，则继续计数器-1，同时Ar流量继续增加至28sccm(增加17％)若重试次数达到报警门限(3次)，则认为起辉失败，此时会抛出报警，提示用户停止工艺或者自主选择重新执行步骤2。
本发明的第二方面，如图2所示，提供了一种优化工艺流程的装置100，工艺流程包括顺次执行若干工艺步骤，该装置100可以适用于执行前文记载的优化工艺流程的方法，具体内容可以参考前文相关记载，在此不作赘述。该装置100包括：
第一判断模块110，用于判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，发出点火信号；若否，发出非点火信号。
第二判断模块120，用于在接收到点火信号时判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，发出起辉成功信号；若否，发出起辉临时失败信号；
执行模块130，用于在接收到非点火信号或起辉成功信号时顺次执行下一工艺步骤。
第三判断模块140，用于在接收到起辉临时失败信号时判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，发出起辉永久失败信号；若否，发出起辉补救信号。
报警模块150，用于在接收到起辉永久失败信号时输出起辉失败报警信号。
参数设定模块160，用于在接收到起辉补救信号时将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，之后发出重复执行信号。
执行模块130，还用于在接收到重复执行信号时重复执行当前工艺步骤。
本实施例的优化工艺流程的装置，其在判断当前工艺步骤是否起辉成功时，引入了判断起辉失败次数是否超出报警阈值的机制，并且，在没有超出报警阈值时，自动优化当前步骤在下一次点火工艺步骤时的起辉影响因子值，从而增加下一次点火工艺步骤起辉成功的几率。因此，本实施例的优化工艺流程的装置，在存在偶发性的起辉失败现象时，用户不必干预，从而可以使得工艺流程的时效性较强、可操作性提高，保证工艺流程可以正常进行，提高产能。
具体地，如图2所示，第一判断模块110包括：
第一获取子模块111，用于获取当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值；
第一判断子模块112，用于根据当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
本实施例的优化工艺流程的装置，其通过当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值一起判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，能够提高判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤的准确度，从而可以更好地优化该工艺流程。
具体地，工艺参数为溅射功率，第一判断子模块112，具体用于：
当前一预设溅射功率值为零以及当前预设溅射功率值满足预定范围(例如，该预定范围可以为[200W，1000W]，当然，预定范围并不局限于此，本领域技术人员可以根据实际需要确定其取值范围)时，判定当前工艺步骤为点火工艺步骤。
本实施例中的优化工艺流程的装置，借助前一工艺步骤的溅射功率值是否为零以及当前工艺步骤的溅射功率值是否满足预定范围来判定当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，结构简单，且能够有效判定当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
如图2所示，第二判断模块120包括：
加载子模块121，用于对腔室加载溅射功率；
第二获取子模块122，用于在预设时间后获取当前工艺步骤所输出的实际溅射功率值；
第二判断子模块123，用于根据实际溅射功率值确定当前工艺步骤是否起辉成功。例如，当实际溅射功率值大于当前预设溅射功率值的85％或者是规定的溅射阈值时，第二判断子模块123可以判定起辉成功。
本实施例中的优化工艺流程的装置，借助当前工艺步骤在起辉结束时的实际溅射功率值与当前预设溅射功率值之间的相对关系，判定起辉是否成功，结构简单，并能够有效提高产能。
可选地，参数设定模块160，用于增大当前工艺步骤的工艺气体流量值。
本发明的第三方面，提供了一种计算机可读存储介质(图中并没有示出)，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序在被处理器执行时实现如前文记载的优化工艺流程的方法，具体可以参考前文相关记载，在此不作赘述。
本实施例的计算机可读存储介质，其所存储的计算机程序在被处理器执行时可以执行前文记载的优化工艺流程的方法，其在判断当前工艺步骤是否起辉成功时，引入了判断起辉失败次数是否超出报警阈值的机制，并且，在没有超出报警阈值时，自动优化当前步骤在下一次点火工艺步骤时的起辉影响因子值，从而增加下一次点火工艺步骤起辉成功的几率。因此，在存在偶发性的起辉失败现象时，用户不必干预，从而可以使得工艺流程的时效性较强、可操作性提高，保证工艺流程可以正常进行，提高产能。
本发明的第四方面，提供了一种半导体处理设备(图中并未示出)，包括前文记载的优化工艺流程的装置100，具体可以参考前文相关记载，在此不作赘述。
本实施例的半导体处理设备，具有前文记载的优化工艺流程的装置，其在判断当前工艺步骤是否起辉成功时，引入了判断起辉失败次数是否超出报警阈值的机制，并且，在没有超出报警阈值时，自动优化当前步骤在下一次点火工艺步骤时的起辉影响因子值，从而增加下一次点火工艺步骤起辉成功的几率。因此，在存在偶发性的起辉失败现象时，用户不必干预，从而可以使得工艺流程的时效性较强、可操作性提高，保证工艺流程可以正常进行，提高产能。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种优化工艺流程的方法，所述工艺流程包括顺次执行若干工艺步骤，其特征在于，所述方法包括：
步骤S110、判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，执行步骤S120；若否，执行步骤S130；
步骤S120、判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，执行步骤S130；若否，执行步骤S140；
步骤S130、顺次执行下一工艺步骤；
步骤S140、判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，执行步骤S150；若否，执行步骤S160；
步骤S150、输出起辉失败报警信号；
步骤S160、将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，重复执行当前工艺步骤并返回步骤S110。
2.根据权利要求1所述的优化工艺流程的方法，其特征在于，所述判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，具体包括：
获取当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值；
根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
3.根据权利要求2所述的优化工艺流程的方法，其特征在于，工艺参数为溅射功率，所述根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，具体包括：
当前一预设溅射功率值为零以及当前预设溅射功率值满足预定范围时，判定当前工艺步骤为点火工艺步骤。
4.根据权利要求3所述的优化工艺流程的方法，其特征在于，所述预定范围为[200W，1000W]。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的优化工艺流程的方法，其特征在于，所述判断当前工艺步骤是否起辉成功，具体包括：
加载溅射功率；
在预设时间后，获取当前工艺步骤所输出的实际溅射功率值，并根据所述实际溅射功率值确定当前工艺步骤是否起辉成功。
6.根据权利要求5所述的优化工艺流程的方法，其特征在于，当实际溅射功率值大于当前预设溅射功率值的85％时，判定起辉成功。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的优化工艺流程的方法，其特征在于，所述改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，具体为增大当前工艺步骤的工艺气体流量值。
8.一种优化工艺流程的装置，所述工艺流程包括顺次执行若干工艺步骤，其特征在于，所述装置包括：
第一判断模块，用于判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，发出点火信号；若否，发出非点火信号；
第二判断模块，用于在接收到所述点火信号时判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，发出起辉成功信号；若否，发出起辉临时失败信号；
执行模块，用于在接收到所述非点火信号或所述起辉成功信号时顺次执行下一工艺步骤；
第三判断模块，用于在接收到所述起辉临时失败信号时判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，发出起辉永久失败信号；若否，发出起辉补救信号；
报警模块，用于在接收到所述起辉永久失败信号时输出起辉失败报警信号；
参数设定模块，用于在接收到所述起辉补救信号时将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，之后发出重复执行信号；
所述执行模块，还用于在接收到所述重复执行信号时重复执行当前工艺步骤。
9.根据权利要求8所述的优化工艺流程的装置，其特征在于，所述第一判断模块包括：
第一获取子模块，用于获取当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值；
第一判断子模块，用于根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
10.根据权利要求9所述的优化工艺流程的装置，其特征在于，工艺参数为溅射功率，所述第一判断子模块，具体用于：
当前一预设溅射功率值为零以及当前预设溅射功率值满足预定范围时，判定当前工艺步骤为点火工艺步骤。
11.根据权利要求10所述的优化工艺流程的装置，其特征在于，所述预定范围为[200W，1000W]。
12.根据权利要求8至11中任意一项所述的优化工艺流程的装置，其特征在于，所述第二判断模块包括：
加载子模块，用于加载溅射功率；
第二获取子模块，用于在预设时间后获取当前工艺步骤所输出的实际溅射功率值；
第二判断子模块，用于根据所述实际溅射功率值确定当前工艺步骤是否起辉成功。
13.根据权利要求12所述的优化工艺流程的装置，其特征在于，所述第二判断子模块，用于当实际溅射功率值大于当前预设溅射功率值的85％时，判定起辉成功。
14.根据权利要求8至11中任意一项所述的优化工艺流程的装置，其特征在于，所述参数设定模块，用于增大当前工艺步骤的工艺气体流量值。
15.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时实现如权利要求1至7中任意一项所述的优化工艺流程的方法。
16.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求8至14中任意一项所述的优化工艺流程的装置。
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