CN111707295B - 用于处理温漂的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种用于处理温漂的方法和装置，该方法应用于接近感应装置中，该方法包括：根据该接近感应装置输出的第（N‑M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据，确定第N帧原始电容数据对应的滤波数据；根据第（N‑K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至第N帧原始电容数据对应的滤波数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，该第一变化量用于指示该接近感应装置中的感应电容的电容变化量的波动；根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，该基准值用于指示由环境温度变化引起的该感应电容的电容变化量。本申请实施例的方法和装置，用以得到更准确的电容信号。

Description

用于处理温漂的方法和装置
技术领域
本申请实施例涉及传感器领域，并且更具体地，涉及一种用于处理温漂的方法和装置。
背景技术
接近感应装置是指能够识别是否有人靠近的装置。图1示出了一种典型的接近感应装置，分别包括传感器（sensor），用于检测人靠近时候的感应电容的电容变化量ΔC及sensor的固定电容的电容量Cx；运算放大器（amplifier，AMP），用于将检测到的电容信号进行信号放大，再经模数转化器（Analog Digital Converter，ADC）进行模数转换后产生原始电容数据RawData。通过原始电容数据RawData与基准单元输出的基准值Out之间的差值Diff与设定阈值的大小关系可以识别有无人体靠近，当无人靠近时，所述差值Diff为0附近波动的数值，当有人靠近时所述差值Diff的数值会比较大，通常基准单元输出的基准值Out是由经验设定的固定值。
但在实际应用中，如基于电容式的入耳检测、特定吸收率（Specific AbsorptionRate，SAR）应用等，都会由于环境温度导致电容变化量ΔC发生缓慢的漂移，当缓慢升温导致的电容变化量接近设定的接近阈值时，则可能会造成接近识别的误判，例如，无人靠近时，接近感应装置却判断为有人靠近。
发明内容
本申请实施例提供一种用于处理温漂的方法和装置，用以降低由温漂引起的接近感应装置中的感应电容的电容变化量，以及得到更准确的电容信号。
一方面，提供了一种用于处理温漂的方法，该方法应用于接近感应装置中，该方法包括：根据该接近感应装置输出的第（N-M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据，确定第N帧原始电容数据对应的滤波数据；根据第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至第N帧原始电容数据对应的滤波数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，该第一变化量用于指示该接近感应装置中的感应电容的电容变化量的波动；根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，该基准值用于指示由环境温度变化引起的该感应电容的电容变化量；其中，N为大于1的正整数，M和K为正整数，且M<N，K<N，该第N帧原始电容数据与该第N帧原始电容数据对应的基准值之差用于指示第N帧原始电容数据对应的第二变化量，该第二变化量用于指示由接近引起的该感应电容的电容变化量。
先对当前的原始电容数据以及最近一段时间内的原始电容数据进行数据处理，以得到滤波数据，然后再确定相应的感应电容的电容变化量的波动，进而可以根据该电容变化量的波动确定由环境温度引起的电容变化量，有利于降低由温漂引起的接近感应装置中的感应电容的电容变化量，从而有利于得到更准确的电容信号，以便能够更好地适用于基于电容检测的各种应用，比如佩戴检测、SRA、压力检测、触摸手势操作等。例如，在接近检测时，通过提取出由温漂引起的电容变化量，有利于减小接近识别的误判概率，当有人体靠近接近感应装置时也有利于降低温漂影响，提高检测到的电容信号的信噪比。再例如，在耳机佩戴场景中，通过提取出由温漂引起的电容变化量，有利于准确识别耳机的佩戴状态，从而可以提高用户体验。
结合第一方面，在第一方面的一种实现方式中，该根据该接近感应装置输出的第（N-M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据，确定第N帧原始电容数据对应的滤波数据，包括：将该第（N-M+1）帧原始电容数据至该第N帧原始电容数据中的最小值，确定为该第N帧原始电容数据对应的第一数据；根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，L为正整数，L<N。
对每次连续输出的M帧原始电容数据先求取最小值，并依据通过类似方式求取的L个最小值确定最终的滤波数据，容易实现，并且有利于降低缓存量。
结合第一方面及其上述实现方式，该根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，包括：根据该第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第二数据，该第二数据为该第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据中的最大值；将该第N帧原始电容数据对应的第二数据确定为该第N帧原始电容数据对应的滤波数据。
对每次连续输出的M帧原始电容数据先求取最小值，再对通过类似方式求取的L个最小值进行最大值处理，有利于得到温漂引起的电容变化量的缓变特征。由于温度变化是比较缓慢的，所以温度变化引起的电容变化也是比较缓慢的，所以温度变化引起的电容变化一般比人体靠近引起的电容变化更慢，进而本申请根据对原始电容数据的变化趋势来识别是否是温度引起的电容变化，可以提高电容检测信号的准确性，且实现起来比较简单，准确。
结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的另一种实现方式中，该根据第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，包括：确定该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的多个相邻差分值，该相邻差分值为该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据中相邻的两个滤波数据之间的差值；根据该多个相邻差分值，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量。
结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的另一种实现方式中，该根据该多个相邻差分值，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，包括：将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的（K-1）个相邻差分值的绝对值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，K>1。
结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的另一种实现方式中，该根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于该波动阈值，根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值。
结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的另一种实现方式中，该根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值，将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于该接近阈值，将剔除了该(K-1)个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与该第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值。
结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的另一种实现方式中，在根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值之前，该方法还包括：确定该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量与接近阈值的大小关系；该根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于波动阈值，将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于波动阈值，将剔除了该（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与该第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值。
若第N帧原始电容数据对应的第一变化量未超过波动范围，则可以根据之前确定的滤波数据，确定第N帧原始电容数据对应的基准值，及时跟踪原始电容数据对应的基准值，使得第二变化量可以保持在固定水平，不容易造成接近识别的误判。若第N帧原始电容数据对应的第一变化量超过波动范围，则可以将基准值不更新，也就是说最近一次输出的基准值可能是人体靠近的结果，而之前得到的基准值则单纯是由温漂引起的结果，由于温漂是缓慢上升的，因此需要将温漂造成的结果给锁定，以便后续继续判断。
结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的另一种实现方式中，该方法还包括：将该第N帧原始电容数据与该第N帧原始电容数据对应的基准值的差值确定为该第N帧原始电容数据对应的第二变化量。
结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的另一种实现方式中，该接近感应装置为自容接近感应装置。
结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的另一种实现方式中，该第（N-M+1）帧原始电容数据至该第N帧原始电容数据是在第一时长内输出的多帧原始电容数据，该第一时长大于或等于人体靠近该接近感应装置时，该接近感应装置的处理时长。
对在足够判断出人体靠近接近感应装置的时长内输出的原始电容数据进行数据处理，可以明显提高处理器的工作效率。
另一方面，提供了一种用于处理温漂的装置，该装置包括：第一确定单元，用于根据接近感应装置输出的第（N-M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据，确定第N帧原始电容数据对应的滤波数据；第二确定单元，用于根据第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至第N帧原始电容数据对应的滤波数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，该第一变化量用于指示该接近感应装置中的感应电容的电容变化量的波动；第三确定单元，用于根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，该基准值用于指示由环境温度变化引起的该感应电容的电容变化量；其中，N为大于1的正整数，M和K为正整数，且M<N，K<N，该第N帧原始电容数据与该第N帧原始电容数据对应的基准值之差用于指示第N帧原始电容数据对应的第二变化量，该第二变化量用于指示由接近引起的该感应电容的电容变化量。
结合第二方面，在第二方面的一种实现方式中，该第一确定单元具体用于：将该第（N-M+1）帧原始电容数据至该第N帧原始电容数据中的最小值，确定为该第N帧原始电容数据对应的第一数据；根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，L为正整数，L<N。
结合第二方面及其上述实现方式，在第二方面的另一种实现方式中，该第一确定单元根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，包括：根据该第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第二数据，该第二数据为该第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据中的最大值；将该第N帧原始电容数据对应的第二数据确定为该第N帧原始电容数据对应的滤波数据。
结合第二方面及其上述实现方式，在第二方面的另一种实现方式中，该第二确定单元具体用于：确定该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的多个相邻差分值，该相邻差分值为该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据中相邻的两个滤波数据之间的差值；根据该多个相邻差分值，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量。
结合第二方面及其上述实现方式，在第二方面的另一种实现方式中，该第二单元根据该多个相邻差分值，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，包括：将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的（K-1）个相邻差分值的绝对值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的第一变化量。
结合第二方面及其上述实现方式，在第二方面的另一种实现方式中，该第三确定单元具体用于：若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于该波动阈值，根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值。
结合第二方面及其上述实现方式，在第二方面的另一种实现方式中，若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于该波动阈值，该第三确定单元根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值，将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于该接近阈值，将剔除了该（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与该第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值。
结合第二方面及其上述实现方式，在第二方面的另一种实现方式中，该装置还包括：第四确定单元，用于在根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值之前，确定该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量与接近阈值的大小关系；该第三确定单元根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于波动阈值，将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于波动阈值，将剔除了该（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与该第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值。
结合第二方面及其上述实现方式，在第二方面的另一种实现方式中，该装置还包括：第五确定单元，用于将该第N帧原始电容数据与该第N帧原始电容数据对应的基准值的差值确定为该第N帧原始电容数据对应的第二变化量。
结合第二方面及其上述实现方式，在第二方面的另一种实现方式中，该接近感应装置为自容接近感应装置。
第三方面，提供了一种芯片，包括：处理器，用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有该芯片的设备执行上述第一方面或其各实现方式中的方法。
第四方面，提供了一种处理温漂的装置，包括：处理器和存储器，该存储器用于存储计算机程序，该处理器用于调用并运行该存储器中存储的计算机程序，执行上述第一方面或其各实现方式中的方法。
第五方面，提供了一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序，该计算机程序使得计算机执行上述第一方面或其各实现方式中的方法。
附图说明
图1是本申请实施例的一种应用场景图。
图2是本申请实施例的用于处理温漂的方法的示意性框图。
图3是本申请实施例的用于处理温漂的方法的流程图。
图4是本申请实施例中无人体靠近时原始电容数据与基准值的示意图。
图5是本申请实施例中无人体靠近时差值的示意图。
图6是本申请实施例中有人体靠近时原始电容数据与基准值的示意图。
图7是本申请实施例中有人体靠近时差值的示意图。
图8示出了本申请实施例的用于处理温漂的装置的示意性框图。
图9示出了本申请实施例的另一用于处理温漂的装置的示意性框图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
图1示出了本申请实施例的一种应用场景图。
图2示出了本申请实施例的用于处理温漂的方法100的示意性框图。该方法100可以由图1中的基准单元执行，该基准单元例如可以是处理器。如图2所示，该方法100包括以下部分或全部内容：
S110，根据所述接近感应装置输出的第（N-M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据，确定第N帧原始电容数据对应的滤波数据；
S120，根据第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至第N帧原始电容数据对应的滤波数据，确定所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量，所述第一变化量用于指示所述接近感应装置中的感应电容的电容变化量的波动；
S130，根据所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，所述基准值用于指示由环境温度变化引起的所述感应电容的电容变化量；
其中，N为大于1的正整数，M和K为正整数，且M<N，K<N，所述第N帧原始电容数据与所述第N帧原始电容数据对应的基准值之差用于指示第N帧原始电容数据对应的第二变化量，所述第二变化量用于指示由接近引起的所述感应电容的电容变化量。
具体地，处理器可以对当前最近输出的多帧原始电容数据进行数据处理，以获得对应的滤波数据，也就是说，第N帧原始电容数据所对应的滤波数据是通过对包括第N帧原始电容数据在内的连续输出的M帧原始电容数据进行一系列的数据处理；处理器再根据最近获取的多帧原始电容数据对应的滤波数据，确定当前输出的原始电容数据所对应的第一变化量，每帧原始电容数据所对应的第一变化量形成该接近感应装置中的感应电容的电容变化量的波动；进而处理器再根据当前输出的原始电容数据所对应的第一变化量，确定当前输出的原始电容数据所对应的基准值，该基准值用于指示由环境温度引起的电容变化量，每帧原始电容数据与其对应的基准值的差值用于指示相应的原始电容数据对应的第二变化量，该第二变化量用于指示由接近引起的电容变化量。并且每一帧原始电容数据对应的第二变化量可以用于获取下一帧原始电容数据所对应的基准值。即第N帧原始电容数据对应的第二变化量用于获取第（N+1）帧原始电容数据对应的基准值，第(N-1)帧原始电容数据对应的第二变化量用于获取第N帧原始电容数据对应的基准值，依次类推。
通常，接近感应装置输出的原始电容数据可能单纯是由环境温度引起地电容变化量，也有可能是既包括有人靠近时所引起的电容变化量，又包括由环境温度引起的电容变化量。需要说明的是，本申请实施例中的由接近引起的电容变化量可以既包括无人靠近时的电容变化量或者由有人靠近时的电容变化量。
需要说明的是，当目前输出的原始电容数据的个数小于用于确定滤波数据的原始电容数据的个数M，处理器所输出的基准值可以一直是一个固定数据（例如，第一个原始电容数据）。当目前输出的原始电容数据的个数大于用于确定滤波数据的原始电容数据的个数M，可以在每输出一帧原始电容数据，就执行上述方法100中的步骤S110。
类似地，当目前确定的滤波数据的个数小于用于确定第一变化量的滤波数据的个数K，处理器所输出的基准值仍然可以是一个固定数据（例如，第一个原始电容数据）。当目前确定的滤波数据的个数大于用于确定第一变化量的滤波数据的个数K，则可以在每确定一帧原始电容数据所对应的滤波数据，就执行上述方法100。
因此，本申请实施例的用于处理温漂的方法，有利于降低由温漂引起的接近感应装置中的感应电容的电容变化量，从而有利于得到更准确的电容信号，以便能够更好地适用于基于电容检测的各种应用，比如佩戴检测、SRA、压力检测、触摸手势操作等。例如，在接近检测时，通过提取出由温漂引起的电容变化量，有利于减小接近识别的误判概率，当有人体靠近接近感应装置时也有利于降低温漂影响，提高检测到的电容信号的信噪比。再例如，在耳机佩戴场景中，通过提取出由温漂引起的电容变化量，有利于准确识别耳机的佩戴状态，从而可以提高用户体验。
可选地，在本申请实施例中，该第（N-M+1）帧原始电容数据至该第N帧原始电容数据是在第一时长内输出的多帧原始电容数据，该第一时长大于或等于人体靠近该接近感应装置时，该接近感应装置的处理时长。
可以进一步限定本申请实施例中的M帧连续的原始电容数据的输出时长大于或等于人体靠近接近感应装置时，接近感应装置的处理时长，即获取感应电容的电容变化量的时长。对在足够判断出人体靠近接近感应装置的时长内输出的原始电容数据进行处理，可以明显提高处理器的工作效率。
可选地，在本申请实施例中，该方法尤其适用于自容接近感应装置中，即本申请实施例中的接近感应装置可以是自容接近感应装置。本申请实施例的方法可以用于基于电容的各种检测，例如，应用场景可以是基于电容式的入耳检测、基于电容式的压力检测、基于电容式的佩戴检测以及特定吸收率（Specific Absorption Rate，SAR）应用等。
可选地，在本申请实施例中，该根据该接近感应装置输出的第（N-M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据，确定第N帧原始电容数据对应的滤波数据，包括：将该第（N-M+1）帧原始电容数据至该第N帧原始电容数据中的最小值，确定为该第N帧原始电容数据对应的第一数据；根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，L为正整数，L<N。
对每次连续输出的M帧原始电容数据先求取最小值，并依据通过类似方式求取的L个最小值确定最终的滤波数据，容易实现，并且有利于降低缓存量。
一种可替代的实现方式为：对每次连续输出的M帧原始电容数据进行最大值、中位值或平均值等其他数据处理，并依据处理后的L帧数据确定最终的滤波数据。
可选地，在本申请实施例中，该根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，包括：根据该第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第二数据，该第二数据为该第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据中的最大值；将该第N帧原始电容数据对应的第二数据确定为该第N帧原始电容数据对应的滤波数据。
对每次连续输出的M帧原始电容数据先求取最小值，再对通过类似方式求取的L个最小值求取最大值，有利于得到温漂引起的电容变化量的缓变特征。由于温度变化是比较缓慢的，所以温度变化引起的电容变化也是比较缓慢的，所以温度变化引起的电容变化一般比人体靠近引起的电容变化更慢，进而本申请根据对原始电容数据的变化趋势来识别是否是温度引起的电容变化，可以提高电容检测信号的准确性，且实现起来比较简单，准确。
可选地，可以对连续输出的多帧原始电容数据进行一次数据处理得到滤波数据，也可以进行多次数据处理得到滤波数据，例如，可以是最小值运算与最大值运算的组合、最小值运算与中位值运算的组合或者还可以是三种数据处理。本申请实施例对如何得到滤波数据不作限定。
可选地，在本申请实施例中，该根据第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，包括：确定该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的多个相邻差分值，该相邻差分值为该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据中相邻的两个滤波数据之间的差值；根据该多个相邻差分值，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量。
具体地，K帧滤波数据之间具有（K-1）个相邻差分值，本申请实施例可以采用其中的多个相邻差分值来获取对应的第一变化量。也可以是采用所有的相邻差分值，即（K-1）个相邻差分值来获取对应的第一变化量。
可选地，该相邻差分值还可以是K帧滤波数据之间等间隔的两个滤波数据的差值。例如，共有7帧滤波数据，可以确定2个相邻差分值，具体可以是第一帧滤波数据与第四帧滤波数据之间的差值以及第四帧滤波数据与第七帧滤波数据之间的差值，即所述可以是直接相邻，也可以是间接相邻。本申请实施例不限于此。
通过连续确定的K帧滤波数据中的（K-1）个相邻差分值，确定对应的第一变化量，能够获取到比较准确的电容变化量的波动。
可选地，在本申请实施例中，该根据该多个相邻差分值，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，包括：将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的（K-1）个相邻差分值的绝对值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的第一变化量。
可选地，还可以对该（K-1）个相邻差分值进行其他处理以获得对应的第一变化量。例如，可以将该（K-1）个相邻差分值中第一个和最后一个值的差值的绝对值确定为对应的第一变化量。再例如，可以将该（K-1）个相邻差分值的平均值的绝对值确定为对应的第一变化量。
或者，还可以将该（K-1）个相邻差分值的平方和（即K帧滤波数据的均方差）确定为第N帧原始电容数据对应的第一变化量。
可选地，在本申请实施例中，可以结合上述确定的第N帧原始电容数据所对应的第一变化量与波动阈值之间的大小关系和/或第（N-1）帧原始电容数据所对应的第二变化量与接近阈值之间的大小关系来确定第N帧原始电容数据所对应的基准值。
应理解，本申请实施例中的波动阈值和接近阈值都是经验阈值，波动阈值是指电容变化量的波动的门限，接近阈值则是指由接近引起的电容变化量的门限。
例如，可以先判断第N帧原始电容数据所对应的第一变化量与波动阈值之间的大小关系，再判断第（N-1）帧原始电容数据所对应的第二变化量与接近阈值之间的大小关系（即波动判断-接近判断）。再例如，可以先判断第（N-1）帧原始电容数据所对应的第二变化量与接近阈值之间的大小关系，再判断第N帧原始电容数据所对应的第一变化量与波动阈值之间的大小关系（即接近判断-波动判断）。
下面将按照上述两种判断顺序分别介绍第N帧原始电容数据所对应的基准值的具体实现。
一、波动判断-接近判断
可选地，在本申请实施例中，该根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于该波动阈值，根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值。
可选地，在本申请实施例中，该根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值，将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于该接近阈值，将剔除了该(K-1)个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与该第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值。
可选地，若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于该接近阈值，将剔除了该（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的（K-3）个相邻差分值的平均值与该第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值。
二、接近判断-波动判断
可选地，在本申请实施例中，该根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于波动阈值，将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于波动阈值，将剔除了该（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与该第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值。
通过判断第N帧原始电容数据对应的第一变化量与波动阈值（即根据经验得到的阈值）之间的关系，确定第N帧原始电容数据对应的基准值。若第N帧原始电容数据对应的第一变化量未超过波动范围，则可以根据之前确定的滤波数据，确定第N帧原始电容数据对应的基准值，及时跟踪原始电容数据对应的基准值，使得第二变化量（即差值Diff）可以保持在固定水平，不容易造成接近识别的误判。若第N帧原始电容数据对应的第一变化量超过波动范围，则可以将基准值不更新，也就是说最近一次输出的基准值可能是人体靠近的结果，而之前得到的基准值则单纯是由温漂引起的结果，由于温漂是缓慢上升的，因此需要将温漂造成的结果给锁定，以便后续继续判断。
可替代地，可以将第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于接近阈值时，与将第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值时的基准值采用统一的算法计算。即有人体靠近与无人靠近的第N帧原始电容数据对应的基准值相同。例如，该第N帧原始电容数据对应的基准值可以统一为上述确定的K帧滤波数据中的最大值。可替代地，也可以是上述确定的K帧滤波数据中的最小值、中位值以及平均值等。
或者，也可以对上述（K-1）个相邻差分值进行处理，例如，从中确定最大值、最小值、中位值以及平均值，并累加到第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值上作为第N帧原始电容数据对应的基准值。
可选地，当有人靠近时，为了减小环境温度对由人体靠近引起的电容变化量的影响，可以剔除上述K帧滤波数据或（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值，并对剩余项求平均，从而可以较好地提取缓慢的变化量，使得第二变化量（即差值Diff）在一个较为稳定的水平。
下面将结合图3的流程图详细描述本申请的用于处理温漂的方法200。具体地，
首先，第n帧原始电容数据RawData（n）是由图1所示的接近感应装置产生的。n表示第n个帧。
S201、对从RawData（n-M+1）到RawData（n）的M帧原始电容数据RawData求最小值，得到第n帧原始电容数据对应的第一数据MinData（n）：
即第n帧原始电容数据对应的第一数据MinData（n）=Min（RawData（n），RawData（n-1），……RawData（n-M+1））；
S202、对从MinData（n-N+1）到MinData（n）的N帧第一数据MinData求最大值，得到第n帧原始电容数据对应的第二数据MaxData（n）：
即第n帧原始电容数据对应的第二数据MaxData（n）=Max（MinData（n），MinData（n-1），……MinData（n-N+1））；
S203、对从MaxData（n-K+1）到MaxData（n）的K项第n帧原始电容数据对应的第二数据MaxData求相邻差分值，得到（K-1）个相邻差分值Var（1…K）：
即（K-1）个相邻差分值Var（1…K）=（MaxData（n）- MaxData（n-1），……，MaxData（K-2）- MaxData（K-1））；
S204、再对上述（K-1）项相邻差分值的绝对值求和，得到第n帧原始电容数据对应的第一变化量Sum（Abs（Var（n）））：
即第n帧原始电容数据对应的第一变化量Sum（Abs（Var（n）））=Abs（|MaxData（n）-MaxData（n-1）|+，……，|MaxData（K-2）-MaxData（K-1）|）。
S205、判断是否有人体靠近，即判断第（n-1）帧原始数据对应的第二变化量Diff（n-1）与接近阈值ProxThr的大小关系。若小于，则进行步骤S206。若大于，则进行步骤S209。
S206、进一步判断第n帧原始电容数据对应的第一变化量Sum（Abs（Var（n）））与波动阈值DeltThr的大小关系，若在波动范围内，则进行步骤S207；若不在波动范围内，则进行步骤S208。
S207、第n帧原始电容数据对应的基准值Out（n）=max（MaxData（n），……，MaxData（K-2），MaxData（K-1））。
S208、第n帧原始电容数据对应的基准值Out（n）= Out（n-1）。
S209、进一步判断第n帧原始电容数据对应的第一变化量Sum（Abs（Var（n）））与波动阈值DeltThr的大小关系，若在波动范围内，则进行步骤S210；若不在波动范围内，则进行步骤S208。
S210，对上述（K-1）个相邻差分值进行排序，得到排序后的（K-1）个相邻差分值VarSort（1,…,K-1）=sort（Var（1），……，Var（K-1）），并剔除其中的最大值和最小值，对剩余项求平均，并加入到上一次输出的基准值中：
即第n帧原始电容数据对应的Out（n）= Out（n-1）+mean（VarSort（2）,…, VarSort（K-2））。
图4至图7示出了本申请实施例的各阶段示意图。
具体地，图4示出了无人体靠近时原始电容数据与基准值的示意图。图5示出了无人体靠近时差值Diff的示意图。从图4和图5中可以看出通过使用本申请实施例的方法及时更新基准值，可以使得差值Diff不会随着时间的推移超过接近阈值，从而不会将无人靠近判断为有人靠近。
图6示出了有人体靠近时原始电容数据与基准值的示意图。图7示出了有人体靠近时差值Diff的示意图。从图6和图7中可以看出当同时有环境温度和人体靠近引起的电容变化量时，能够较好地提取缓变中由环境温度引起的电容变化量，使得差值Diff可以在一个较为稳定的水平。
图4至图7都是说明基准值能及时跟踪环境温度带来的电容变化量，正确的反映用户真实的操作状态。
上文中详细描述了根据本申请实施例的用于处理温漂的方法，下面将结合图8，描述根据本申请实施例的用于处理温漂的装置，方法实施例所描述的技术特征适用于以下装置实施例。
图8示出了本申请实施例的用于处理温漂的装置300的示意性框图，如图8所示，该装置300包括：
第一确定单元310，用于根据接近感应装置输出的第（N-M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据，确定第N帧原始电容数据对应的滤波数据；
第二确定单元320，用于根据第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至第N帧原始电容数据对应的滤波数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，该第一变化量用于指示该接近感应装置中的感应电容的电容变化量的波动；
第三确定单元330，用于根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，该基准值用于指示由环境温度变化引起的该感应电容的电容变化量；
其中，N为大于1的正整数，M和K为正整数，且M<N，K<N，该第N帧原始电容数据与该第N帧原始电容数据对应的基准值之差用于指示第N帧原始电容数据对应的第二变化量，该第二变化量用于指示由接近引起的该感应电容的电容变化量。
因此，本申请实施例的用于处理温漂的装置，先对当前的原始电容数据以及最近一段时间内的原始电容数据进行数据处理，然后再确定相应的感应电容的电容变化量的波动，进而可以根据该电容变化量的波动确定由环境温度引起的电容变化量，从而有利于得到更准确的电容信号，以便能够更好地适用于基于电容检测的各种应用。例如，在接近检测时，通过提取出由温漂引起的电容变化量，有利于减小接近识别的误判概率，当有人体靠近接近感应装置时也有利于降低温漂影响，提高检测到的电容信号的信噪比。再例如，在耳机佩戴场景中，通过提取出由温漂引起的电容变化量，有利于准确识别耳机的佩戴状态，从而可以提高用户体验。
可选地，在本申请实施例中，该第一确定单元具体用于：将该第（N-M+1）帧原始电容数据至该第N帧原始电容数据中的最小值，确定为该第N帧原始电容数据对应的第一数据；根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，L为正整数，L<N。
可选地，在本申请实施例中，该第一确定单元根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的滤波数据，包括：根据该第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定该第N帧原始电容数据对应的第二数据，该第二数据为该第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至该第N帧原始电容数据对应的第一数据中的最大值；将该第N帧原始电容数据对应的第二数据确定为该第N帧原始电容数据对应的滤波数据。
可选地，在本申请实施例中，该第二确定单元具体用于：确定该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的多个相邻差分值，该相邻差分值为该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据中相邻的两个滤波数据之间的差值；根据该多个相邻差分值，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量。
可选地，在本申请实施例中，该第二确定单元根据该多个相邻差分值，确定该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，包括：将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的（K-1）个相邻差分值的绝对值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的第一变化量。
可选地，在本申请实施例中，该第三确定单元具体用于：若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于该波动阈值，根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值。
可选地，在本申请实施例中，若该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于该波动阈值，该第三确定单元根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值，将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于该接近阈值，将剔除了该（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与该第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值。
可选地，在本申请实施例中，该装置还包括：第四确定单元，用于在根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值之前，确定该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量与接近阈值的大小关系；该第三确定单元根据该第N帧原始电容数据对应的第一变化量，确定该第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于波动阈值，将该第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至该第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值；或若该第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于接近阈值且该第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于波动阈值，将剔除了该（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与该第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为该第N帧原始电容数据对应的基准值。
可选地，在本申请实施例中，该装置还包括：第五确定单元，用于将该第N帧原始电容数据与该第N帧原始电容数据对应的基准值的差值确定为该第N帧原始电容数据对应的第二变化量。
可选地，在本申请实施例中，该接近感应装置为自容接近感应装置。
可选地，在本申请实施例中，该第（N-M+1）帧原始电容数据至该第N帧原始电容数据是在第一时长内输出的多帧原始电容数据，该第一时长大于人体靠近该接近感应装置时，该接近感应装置的处理时长。
图9是本申请实施例提供的一种用于处理温漂的装置400示意性结构图。图9所示的用于处理温漂的装置400包括处理器410，处理器410可以从存储器中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的方法。
可选地，如图9所示，用于处理温漂的装置400还可以包括存储器420。其中，处理器410可以从存储器420中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的方法。
其中，存储器420可以是独立于处理器410的一个单独的器件，也可以集成在处理器410中。
可选地，该用于处理温漂的装置400具体可为本申请实施例的用于处理温漂的装置，并且该用于处理温漂的装置400可以实现本申请实施例的各个方法中由用于处理温漂的装置实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。
本申请实施例还提供了一种芯片，该芯片包括处理器，处理器可以从存储器中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的方法。
可选地，该芯片可应用于本申请实施例中的用于处理温漂的装置，并且该芯片可以实现本申请实施例的各个方法中由用于处理温漂的装置实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。
应理解，本申请实施例提到的芯片还可以称为***级芯片，***芯片，芯片***或片上***芯片等。
可选地，本申请实施例还提供了一种计算机可读介质，其用于存储计算机程序，以实现本申请实施例中的方法。
应理解，本申请实施例的处理器可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法实施例的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器、数字信号处理器（Digital SignalProcessor，DSP）、专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，ASIC）、现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array，FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
可以理解，本申请实施例中的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、可编程只读存储器（Programmable ROM，PROM）、可擦除可编程只读存储器（Erasable PROM，EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（Electrically EPROM，EEPROM）或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器（Random Access Memory，RAM），其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）、动态随机存取存储器（Dynamic RAM，DRAM）、同步动态随机存取存储器（Synchronous DRAM，SDRAM）、双倍数据速率同步动态随机存取存储器（Double Data RateSDRAM，DDR SDRAM）、增强型同步动态随机存取存储器（Enhanced SDRAM，ESDRAM）、同步连接动态随机存取存储器（Synchlink DRAM，SLDRAM）和直接内存总线随机存取存储器（DirectRambus RAM，DR RAM）。应注意，本文描述的***和方法的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
应理解，上述存储器为示例性但不是限制性说明，例如，本申请实施例中的存储器还可以是静态随机存取存储器（static RAM，SRAM）、动态随机存取存储器（dynamic RAM，DRAM）、同步动态随机存取存储器（synchronous DRAM，SDRAM）、双倍数据速率同步动态随机存取存储器（double data rate SDRAM，DDR SDRAM）、增强型同步动态随机存取存储器（enhanced SDRAM，ESDRAM）、同步连接动态随机存取存储器（synch link DRAM，SLDRAM）以及直接内存总线随机存取存储器（Direct Rambus RAM，DR RAM）等等。也就是说，本申请实施例中的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的***、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的***、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (21)

1.一种用于处理温漂的方法，其特征在于，所述方法应用于接近感应装置中，所述方法包括：
对所述接近感应装置输出的第（N-M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据进行数据滤波，得到所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据；
根据第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的多个相邻差分值，确定所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量，所述相邻差分值为所述第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至所述第N帧原始电容数据中相邻的两个滤波数据之间的差值，所述第一变化量用于指示所述接近感应装置中的感应电容的电容变化量的波动；
根据所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量与波动阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，所述基准值用于指示由环境温度变化引起的所述感应电容的电容变化量，所述波动阈值是指所述感应电容的电容变化量的波动的门限；
其中，N为大于1的正整数，M和K为正整数，且M<N，K<N，所述第N帧原始电容数据与所述第N帧原始电容数据对应的基准值之差用于指示第N帧原始电容数据对应的第二变化量，所述第二变化量用于指示由接近引起的所述感应电容的电容变化量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述接近感应装置输出的第（N-M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据进行数据滤波，得到所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据，包括：
对所述第（N-M+1）帧原始电容数据至所述第N帧原始电容数据进行最小值滤波，得到所述第N帧原始电容数据对应的第一数据；
根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至所述第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据，L为正整数，L<N。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至所述第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据，包括：
对所述第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至所述第N帧原始电容数据对应的第一数据进行最大值滤波，得到所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的多个相邻差分值，确定所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量，包括：
将所述第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的（K-1）个相邻差分值的绝对值之和确定为所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量，K>1。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量与波动阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：
若所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于所述波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于所述波动阈值，根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量与接近阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，所述接近阈值是指由接近引起的所述感应电容的电容变化量的门限。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量与接近阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于所述接近阈值，将所述第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于所述接近阈值，将剔除了所述（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与所述第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在根据所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量与波动阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值之前，所述方法还包括：
确定所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量与接近阈值的大小关系，所述接近阈值是指由接近引起的所述感应电容的电容变化量的门限；
所述根据所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量与波动阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于所述接近阈值且所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于所述波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于所述接近阈值且所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于所述波动阈值，将所述第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于所述接近阈值且所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于所述波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于所述接近阈值且所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于所述波动阈值，将剔除了所述（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与所述第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将所述第N帧原始电容数据与所述第N帧原始电容数据对应的基准值的差值确定为所述第N帧原始电容数据对应的第二变化量。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述接近感应装置为自容接近感应装置。
10.一种用于处理温漂的装置，其特征在于，所述装置包括：
第一确定单元，用于对接近感应装置输出的第（N-M+1）帧原始电容数据至第N帧原始电容数据进行数据滤波，得到所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据；
第二确定单元，用于根据第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的多个相邻差分值，确定所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量，所述相邻差分值为所述第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至所述第N帧原始电容数据中相邻的两个滤波数据之间的差值，所述第一变化量用于指示所述接近感应装置中的感应电容的电容变化量的波动；
第三确定单元，用于根据所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量与波动阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，所述基准值用于指示由环境温度变化引起的所述感应电容的电容变化量，所述波动阈值是指所述感应电容的电容变化量的波动的门限；
其中，N为大于1的正整数，M和K为正整数，且M<N，K<N，所述第N帧原始电容数据与所述第N帧原始电容数据对应的基准值之差用于指示第N帧原始电容数据对应的第二变化量，所述第二变化量用于指示由接近引起的所述感应电容的电容变化量。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述第一确定单元具体用于：
对所述第（N-M+1）帧原始电容数据至所述第N帧原始电容数据进行最小值滤波，得到所述第N帧原始电容数据对应的第一数据；
根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至所述第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据，L为正整数，L<N。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第一确定单元根据第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至所述第N帧原始电容数据对应的第一数据，确定所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据，包括：
对所述第（N-L+1）帧原始电容数据对应的第一数据至所述第N帧原始电容数据对应的第一数据进行最大值滤波，得到所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第二确定单元具体用于：
将所述第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据之间的（K-1）个相邻差分值的绝对值之和确定为所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量，K>1。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第三确定单元具体用于：
若所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于所述波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于所述波动阈值，根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量与接近阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，所述接近阈值是指由接近引起的所述感应电容的电容变化量的门限。
15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，若所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于所述波动阈值，所述第三确定单元根据第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量与接近阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于所述接近阈值，将所述第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于所述接近阈值，将剔除了所述（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与所述第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值。
16.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
第四确定单元，用于在根据所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量与波动阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值之前，确定所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量与接近阈值的大小关系，所述接近阈值是指由接近引起的所述感应电容的电容变化量的门限；
所述第三确定单元根据所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量与波动阈值的大小关系，确定所述第N帧原始电容数据对应的基准值，包括：
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于所述接近阈值且所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于所述波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量小于所述接近阈值且所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于所述波动阈值，将所述第（N-K+1）帧原始电容数据对应的滤波数据至所述第N帧原始电容数据对应的滤波数据中的最大值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于所述接近阈值且所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量大于或等于所述波动阈值，将第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值；或
若所述第（N-1）帧原始电容数据对应的第二变化量大于或等于所述接近阈值且所述第N帧原始电容数据对应的第一变化量小于所述波动阈值，将剔除了所述（K-1）个相邻差分值中的最大值和最小值之后的多个相邻差分值的平均值与所述第（N-1）帧原始电容数据对应的基准值之和确定为所述第N帧原始电容数据对应的基准值。
17.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
第五确定单元，用于将所述第N帧原始电容数据与所述第N帧原始电容数据对应的基准值的差值确定为所述第N帧原始电容数据对应的第二变化量。
18.根据权利要求10至17中任一项所述的装置，其特征在于，所述接近感应装置为自容接近感应装置。
19.一种芯片，其特征在于，包括：处理器，用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有所述芯片的设备执行如权利要求1至9中任一项所述的方法。
20.一种用于处理温漂的装置，其特征在于，包括：处理器和存储器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于调用并运行所述存储器中存储的计算机程序，执行如权利要求1至9中任一项所述的方法。
21.一种计算机可读存储介质，其特征在于，用于存储计算机程序，所述计算机程序使得计算机执行如权利要求1至9中任一项所述的方法。
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