CN111697112B - 一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法 - Google Patents

一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法，所述深紫外发光二极管包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN、AlGaN/AlN超晶格、n‑AlGaN接触层、V‑pits层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p‑AlGaN限制层和p‑GaN接触层。本发明的深紫外发光二极管包括V‑pits层，可以有效屏蔽位错、消除全反射和波导效应，优化设计了量子阱有源区，可以调控发光模式的比例，进而提高深紫外LED的光提取效率。

Description

一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备 方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，更具体地，涉及一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法。
背景技术
深紫外波段(UVC)是指电磁辐射中发光波长200～285nm的部分，以汞灯为代表的传统深紫外气态光源已经在照明、杀菌消毒、荧光分析、紫外探伤、光刻技术等领域得到广泛的应用。然而，为解决全球范围内日益严重的汞污染问题，包括中国在内的92个国家和地区签署了《水俣公约》，2020年后汞灯在全球范围内的使用都将受到严格的限制。因此，发展高效、环保的深紫外光源来替代传统气态汞灯势在必行。
III-V族氮化物半导体材料，是继硅、砷化镓之后的第三代半导体材料，包含了氮化镓(GaN)，氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)及它们的合金，是直接带隙半导体，具有禁带宽度大(范围为0.7～6.2eV)、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强以及耐化学腐蚀等优点。这些光电性质上的优势使III-V 族氮化物材料在光电子领域具有极强的竞争优势。
AlGaN基深紫外发光二极管(UVC LED)，是基于第三代半导体材料的新型深紫外全固态光源。相比于传统的气态汞灯，其具有以下显著优势：体积仅为汞灯的1/1000、工作电压仅为汞灯的1/20、光谱单色且连续可调、预计寿命超过2 万小时、开关频率大于108Hz、无毒环保、能耗低等，是目前唯一可完美替代汞灯的深紫外光源。近年来，UVC LED已经得到了全球范围内广泛关注和快速发展。
但UVC LED过低的光输出功率问题严重制约了其大规模产业化应用。限制 UVCLED光输出功率的根本因素在于其较低的发光效率(外量子效率EQE)，现阶段发光效率的国际平均水平只有5％～8％左右，远远低于商业化蓝光LED的平均水平。中国专利申请CN110034216A公开了一种III-V族氮化物深紫外发光二极管结构及其制备方法，该深紫外发光二极管难以满足高发光效率的实际需求。
因此，需要开发出具有更高光功率的深紫外LED深紫外发光二极管。
发明内容
本发明为克服上述现有技术所述的发光效率不足的缺陷，提供一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管，提供的深紫外发光二极管发光效率高。
本发明的另一目的在于提供一种上述深紫外发光二极管的制备方法。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管，包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN、AlGaN/AlN超晶格、n-AlGaN接触层、V-pits 层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p-AlGaN限制层和p-GaN接触层；
其中V-pits层包括由下至上依次层叠设置的非掺杂u-AlGaN层、轻掺杂 n--AlGaN层和重掺杂n+-AlGaN层，其中非掺杂u-AlGaN层厚度为100～150nm， Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55～0.6，轻掺杂n--AlGaN层厚度为 50～100nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55～0.6，Si掺杂浓度为 1017～1018cm-3，重掺n+-AlGaN层厚度为10～50nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5～0.55，Si掺杂浓度为1018～1019cm-3。
当注入电流密度较高时，借助于V-pits层，电子和空穴可以被注入到更深的量子阱中进行辐射复合，从而大大降低了单个量子阱中的载流子浓度。并且V-pits 层可以有效屏蔽位错，降低了非辐射复合的可能性。
此外，由于V-pits层中填充材料的折射率和有源区材料折射率不同，V-pits 层的存在可以有效消除全反射和波导效应，提高LED的光提取效率。
优选地，硅烷作为n型掺杂源。
优选地，所述量子阱有源区为1～10个周期的垒层/AlGaN阱层/垒层结构，所述AlGaN阱层包括从下到上依次层叠设置的第一梯度阱、第二梯度阱和第三梯度阱；其中，第一梯度阱的AlGaN厚度为0.5～1.5nm，Al组分含量占Al和 Ga总量的比值为0.30～0.40，第二梯度阱的AlGaN厚度为1～1.5nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.40～0.45，第三梯度阱的AlGaN厚度为0.5～1.5nm， Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30～0.40；位于最下层的垒层采用 n+-AlGaN，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5～0.55，厚度为5～10nm，Si 掺杂浓度为1018～1019cm-3；其他垒层采用u-AlGaN，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5～0.55，厚度为5～10nm，从下到上各垒层厚度随着量子阱生长周期数的增加而梯度减薄，从下到上各垒层Al组分随着量子阱生长周期数的增加而梯度减少。
通过采用梯度AlGaN量子阱结构，可以调控发光模式的比例，有效增加TE 模式，进而提高深紫外LED光提取效率。
优选地，所述AlN厚度为300～400nm。
优选地，所述AlGaN/AlN超晶格为30～50个周期，其中AlGaN厚度为3～5nm， AlN厚度为3～5nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.7～0.9。
优选地，所述n-AlGaN接触层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5～0.6，厚度为0.8～1μm。
优选地，所述AlGaN电子阻挡层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为 0.60～0.65，厚度为10～15nm。
优选地，所述p-AlGaN限制层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为 0.50～0.55，厚度为50～80nm；二茂镁作为p型掺杂源，Mg掺杂浓度为1017～1018cm-3。
优选地，所述p-GaN接触层厚度为50～80nm；二茂镁作为p型掺杂源，Mg 掺杂浓度为1017～1018cm-3。
本发明还保护上述深紫外发光二极管的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
S1.在氢气和氨气混合气氛中，温度950～1000℃条件下，对AlN/PSS复合衬底进行表面活化处理；
S2.在氢气气氛中，通入三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在AlN/PSS 复合衬底上生长AlN，生长温度为1050～1150℃；
S3.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在AlN上生长AlGaN/AlN超晶格，生长温度为1050～1100℃；
S4.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在AlGaN/AlN超晶格上生长n-AlGaN接触层，生长温度为1000～1100℃；
S5.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在n-AlGaN接触层上生长V-pits层，生长温度为800～1000℃，压力为 150～400torr；
S6.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在V-pits层上生长量子阱有源区，生长温度为1000～1050℃；
S7.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在量子阱有源区上生长AlGaN电子阻挡层，生长温度为1000～1050℃；
S8.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，二茂镁作为p型掺杂源，在AlGaN电子阻挡层上生长p-AlGaN限制层，生长温度为1000～1050℃；
S9.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，二茂镁作为p型掺杂源，在p-AlGaN限制层上生长p-GaN接触层，生长温度为1000～1050℃；
外延生长结束后，将反应室的温度降至700～750℃，采用纯氮气气氛进行退火处理5～20min，然后降至室温，结束生长，即制得所述深紫外发光二极管。
优选地，步骤S1～S9在金属有机化合物气相外延反应室中进行。
优选地，步骤S1中反应室压力100torr，处理5～10分钟。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的深紫外发光二极管包括V-pits层和量子阱有源区，V-pits层可以有效屏蔽位错、消除全反射和波导效应，量子阱有源区采用梯度阱，可以调控发光模式的比例，进而提高深紫外LED的光功率。
附图说明
图1为本发明的基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管的结构示意图。
图2为本发明实施例1、2及对比例1的深紫外发光二极管的光功率对比图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。
实施例中的原料均可通过市售得到；
本申请的实施例制备过程使用Aixtron公司，紧耦合垂直反应室MOCVD生长***。
生长过程中使用三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl) 作为III族源，氨气(NH3)作为V族源，硅烷(SiH4)作为n型掺杂源，二茂镁(Cp2Mg)作为p型掺杂源。
除非特别说明，本发明采用的试剂、方法和设备为本技术领域常规试剂、方法和设备。
实施例1
实施例1提供一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管，如图1所示，包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底101、AlN层102、AlGaN/AlN 超晶格103、n-AlGaN接触层104、V-pits层105、量子阱有源区106、AlGaN电子阻挡层107、p-AlGaN限制层108和p-GaN接触层109。
该深紫外发光二极管通过如下制备步骤制备得到：
S1.在氢气和氨气混合气氛中，温度950℃条件下，对AlN/PSS复合衬底进行表面活化处理；反应室压力100torr，处理5分钟。
S2.在氢气气氛下，温度1050℃条件下，通入三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在AlN/PSS复合衬底上生长AlN层，厚度为300nm。
S3.在氢气气氛中，温度1050℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在AlN上生长30个周期的AlGaN/AlN超晶格；
Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.7，AlGaN厚度为3nm，AlN厚度为 3nm。
S4.在氢气气氛中，温度1000℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在AlGaN/AlN超晶格上生长n-AlGaN接触层，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5，厚度为0.8μm。
S5.在氢气气氛中，温度800℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在n-AlGaN接触层上生长V-pits层，压力为150torr；
V-pits层包括由下至上依次层叠设置的非掺杂u-AlGaN层、轻掺杂n--AlGaN 层和重掺杂n+-AlGaN层；
其中，非掺杂u-AlGaN层厚度为100nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55；轻掺杂n--AlGaN层厚度为50nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55，Si掺杂浓度为1×1017cm-3；重掺杂n+-AlGaN层厚度为10nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5，Si掺杂浓度为1×1018cm-3。
S6.在氢气气氛中，温度1000℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在V-pits层上生长量子阱有源区；
量子阱有源区为周期数为1的单量子阱，包括从下到上依次层叠设置的第一垒层、AlGaN阱层和第二垒层；
AlGaN阱层包括从下到上依次层叠设置的第一梯度阱、第二梯度阱和第三梯度阱；其中，第一梯度阱的AlGaN厚度为0.5nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30，第二梯度的AlGaN厚度为1nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.40，第三梯度阱的AlGaN厚度为0.5nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30；
第一垒层为n+-AlGaN，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5，厚度为 5nm，Si掺杂浓度为1×1018cm-3；第二垒层为u-AlGaN，Al组分含量占Al和Ga 总量的比值为0.5，厚度为8nm。
S7.在氢气气氛中，温度1000℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在量子阱有源区上生长AlGaN电子阻挡层，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.6，厚度为10nm。
S8.在氢气气氛中，温度1000℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，二茂镁作为p型掺杂源，在AlGaN电子阻挡层上生长 p-AlGaN限制层，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.50，厚度为50nm， Mg掺杂浓度为1×1017cm-3。
S9.在氢气气氛中，温度1000℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，二茂镁作为p型掺杂源，在p-AlGaN限制层上生长p-GaN 接触层，厚度为50nm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3。
外延生长结束后，将反应室的温度降至700℃，采用纯氮气气氛进行退火处理5min，然后降至室温，结束生长，即制得该深紫外发光二极管。
实施例2
实施例2提供一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管，如图1所示，包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底101、AlN层102、AlGaN/AlN 超晶格103、n-AlGaN接触层104、V-pits层105、量子阱有源区106、AlGaN电子阻挡层107、p-AlGaN限制层108和p-GaN接触层109。
该深紫外发光二极管通过如下制备步骤制备得到：
S1.在氢气和氨气混合气氛中，温度1000℃条件下，对AlN/PSS复合衬底进行表面活化处理；反应室压力100torr，处理10分钟。
S2.在氢气气氛下，温度1150℃条件下，通入三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在AlN/PSS复合衬底上生长AlN层，厚度为400nm。
S3.在氢气气氛中，温度1100℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在AlN上生长50个周期的AlGaN/AlN超晶格；
Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.9，AlGaN厚度为5nm，AlN厚度为5nm。
S4.在氢气气氛中，温度1100℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在AlGaN/AlN超晶格上生长n-AlGaN接触层，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.6，厚度为1μm。
S5.在氢气气氛中，温度1000℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在n-AlGaN接触层上生长V-pits层，压力为400torr；
V-pits层包括由下至上依次层叠设置的非掺杂u-AlGaN层、轻掺杂n--AlGaN 层和重掺杂n+-AlGaN层；
其中，非掺杂u-AlGaN层厚度为150nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.6；轻掺杂n--AlGaN层厚度为100nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.6，Si掺杂浓度为1×1018cm-3；重掺杂n+-AlGaN层厚度为50nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55，Si掺杂浓度为1×1019cm-3。
S6.在氢气气氛中，温度1050℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在V-pits层上生长量子阱有源区；
量子阱有源区为周期数为10的垒层/AlGaN阱层/垒层结构；
AlGaN阱层包括从下到上依次层叠设置的第一梯度阱、第二梯度阱和第三梯度阱；其中，第一梯度阱的AlGaN厚度为1.5nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.4，第二梯度阱的AlGaN厚度为1.5nm，Al组分含量占Al和Ga 总量的比值为0.45，第三梯度阱的AlGaN厚度为1.5nm，Al组分含量占Al和 Ga总量的比值为0.40；
最下层的垒层为n+-AlGaN，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55，厚度为10nm，Si掺杂浓度为1×1019cm-3；其他垒层为u-AlGaN，从下到上各垒层厚度依次为：10nm，9nm，9nm，8nm，8nm，7nm，7nm，6nm，6nm，5nm，从下到上各垒层Al组分含量占Al和Ga总量的比值为依次为0.55，0.54，0.54， 0.53，0.53，0.52，0.52，0.51，0.51，0.5。
S7.在氢气气氛中，温度1050℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，在量子阱有源区上生长AlGaN电子阻挡层，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.65，厚度为15nm。
S8.在氢气气氛中，温度1050℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，二茂镁作为p型掺杂源，在AlGaN电子阻挡层上生长p-AlGaN限制层，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55，厚度为80nm， Mg掺杂浓度为1×1018cm-3。
S9.在氢气气氛中，温度1050℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源，氨气作为V族源，二茂镁作为p型掺杂源，在p-AlGaN限制层上生长p-GaN 接触层，厚度为80nm，Mg掺杂浓度为1×1018cm-3。
外延生长结束后，将反应室的温度降至750℃，采用纯氮气气氛进行退火处理20min，然后降至室温，结束生长，即制得该深紫外发光二极管。
对比例1
对比例1提供一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管，包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN层、AlGaN/AlN超晶格、n-AlGaN 接触层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p-AlGaN限制层和p-GaN接触层。
与实施例1的区别在于，对比例1结构中无V-pits层；量子阱有源区采用单量子阱结构，量子阱阱层为AlGaN，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.35，厚度为3nm，量子阱垒层为AlGaN，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55，厚度为10nm。
性能测试
对实施例1、2及对比例1制备的深紫外发光二极管进行光电性能对比测试，结果如图2所示。
光电性能的测试方法：环境温度：22～28℃，相对湿度：50％～80％，大气压力：1个标准大气压。检测设备：功率计，型号：WT210；温湿度计：型号：NO.8959。采用电致发光的方法检测，注入电流20mA.
在20mA注入电流下，实施例1的深紫外发光二极管相对于对比例1光功率提高30％，实施例2的深紫外发光二极管相对于对比例1光功率提高60％。
使用本发明技术方案制备的深紫外发光二极管，其深紫外LED光功率得到有效提高。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管，其特征在于，包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN、AlGaN/AlN超晶格、n-AlGaN接触层、V-pits层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p-AlGaN限制层和p-GaN接触层；
所述V-pits层包括由下至上依次层叠设置的非掺杂u-AlGaN层、轻掺杂n--AlGaN层和重掺杂n+-AlGaN层，其中非掺杂u-AlGaN层厚度为100～150nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55～0.6，轻掺杂n--AlGaN层厚度为50～100nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55～0.6，Si掺杂浓度为1017～1018cm-3，重掺n+-AlGaN层厚度为10～50nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5～0.55，Si掺杂浓度为1018～1019cm-3；
所述量子阱有源区为1～10个周期的垒层/AlGaN阱层/垒层结构，所述AlGaN阱层包括从下到上依次层叠设置的第一梯度阱、第二梯度阱和第三梯度阱；其中，第一梯度阱的AlGaN厚度为0.5～1.5nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30～0.40，第二梯度阱的AlGaN厚度为1～1.5nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.40～0.45，第三梯度阱的AlGaN厚度为0.5～1.5nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30～0.40；位于最下层的垒层为n+-AlGaN，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5～0.55，厚度为5～10nm，Si掺杂浓度为1018～1019cm-3；其他垒层为u-AlGaN，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5～0.55，厚度为5～10nm，从下到上各垒层厚度随着量子阱周期数的增加而梯度减薄，从下到上各垒层Al组分含量占Al和Ga总量的比值随着量子阱周期数的增加而梯度减少。
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述AlGaN/AlN超晶格为30～50个周期，其中AlGaN厚度为3～5nm，AlN厚度为3～5nm，Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.7～0.9。
3.根据权利要求2所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述n-AlGaN接触层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5～0.6，厚度为0.8～1μm。
4.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述AlGaN电子阻挡层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.60～0.65，厚度为10～15nm。
5.根据权利要求4所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述p-AlGaN限制层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.50～0.55，厚度为50～80nm，Mg掺杂浓度为1017～1018cm-3。
6.根据权利要求5所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述p-GaN接触层厚度为50～80nm，Mg掺杂浓度为1017～1018cm-3。
7.根据权利要求6所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述AlN厚度为300～400nm。
8.权利要求7所述深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.在氢气和氨气混合气氛中，温度950～1000℃条件下，对AlN/PSS复合衬底进行表面活化处理；
S2.在氢气气氛中，通入三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在AlN/PSS复合衬底上生长AlN，生长温度为1050～1150℃；
S3.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在AlN上生长AlGaN/AlN超晶格，生长温度为1050～1100℃；
S4.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在AlGaN/AlN超晶格上生长n-AlGaN接触层，生长温度为1000～1100℃；
S5.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在n-AlGaN接触层上生长V-pits层，生长温度为800～1000℃，压力为150～400torr；
S6.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在V-pits层上生长量子阱有源区，生长温度为1000～1050℃；
S7.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，在量子阱有源区上生长AlGaN电子阻挡层，生长温度为1000～1050℃；
S8.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，二茂镁作为p型掺杂源，在AlGaN电子阻挡层上生长p-AlGaN限制层，生长温度为1000～1050℃；
S9.在氢气气氛中，通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，二茂镁作为p型掺杂源，在p-AlGaN限制层上生长p-GaN接触层，生长温度为1000～1050℃，制得所述深紫外发光二极管。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤S1～S9在金属有机化合物气相外延反应室中进行。
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