CN111697112B - 一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法,所述深紫外发光二极管包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN、AlGaN/AlN超晶格、n‑AlGaN接触层、V‑pits层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p‑AlGaN限制层和p‑GaN接触层。本发明的深紫外发光二极管包括V‑pits层,可以有效屏蔽位错、消除全反射和波导效应,优化设计了量子阱有源区,可以调控发光模式的比例,进而提高深紫外LED的光提取效率。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域,更具体地,涉及一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法。
背景技术
深紫外波段(UVC)是指电磁辐射中发光波长200~285nm的部分,以汞灯为代表的传统深紫外气态光源已经在照明、杀菌消毒、荧光分析、紫外探伤、光刻技术等领域得到广泛的应用。然而,为解决全球范围内日益严重的汞污染问题,包括中国在内的92个国家和地区签署了《水俣公约》,2020年后汞灯在全球范围内的使用都将受到严格的限制。因此,发展高效、环保的深紫外光源来替代传统气态汞灯势在必行。
III-V族氮化物半导体材料,是继硅、砷化镓之后的第三代半导体材料,包含了氮化镓(GaN),氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)及它们的合金,是直接带隙半导体,具有禁带宽度大(范围为0.7~6.2eV)、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强以及耐化学腐蚀等优点。这些光电性质上的优势使III-V 族氮化物材料在光电子领域具有极强的竞争优势。
AlGaN基深紫外发光二极管(UVC LED),是基于第三代半导体材料的新型深紫外全固态光源。相比于传统的气态汞灯,其具有以下显著优势:体积仅为汞灯的1/1000、工作电压仅为汞灯的1/20、光谱单色且连续可调、预计寿命超过2 万小时、开关频率大于108Hz、无毒环保、能耗低等,是目前唯一可完美替代汞灯的深紫外光源。近年来,UVC LED已经得到了全球范围内广泛关注和快速发展。
但UVC LED过低的光输出功率问题严重制约了其大规模产业化应用。限制 UVCLED光输出功率的根本因素在于其较低的发光效率(外量子效率EQE),现阶段发光效率的国际平均水平只有5%~8%左右,远远低于商业化蓝光LED的平均水平。中国专利申请CN110034216A公开了一种III-V族氮化物深紫外发光二极管结构及其制备方法,该深紫外发光二极管难以满足高发光效率的实际需求。
因此,需要开发出具有更高光功率的深紫外LED深紫外发光二极管。
发明内容
本发明为克服上述现有技术所述的发光效率不足的缺陷,提供一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管,提供的深紫外发光二极管发光效率高。
本发明的另一目的在于提供一种上述深紫外发光二极管的制备方法。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管,包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN、AlGaN/AlN超晶格、n-AlGaN接触层、V-pits 层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p-AlGaN限制层和p-GaN接触层;
其中V-pits层包括由下至上依次层叠设置的非掺杂u-AlGaN层、轻掺杂 n--AlGaN层和重掺杂n+-AlGaN层,其中非掺杂u-AlGaN层厚度为100~150nm, Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55~0.6,轻掺杂n--AlGaN层厚度为 50~100nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55~0.6,Si掺杂浓度为 1017~1018cm-3,重掺n+-AlGaN层厚度为10~50nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5~0.55,Si掺杂浓度为1018~1019cm-3。
当注入电流密度较高时,借助于V-pits层,电子和空穴可以被注入到更深的量子阱中进行辐射复合,从而大大降低了单个量子阱中的载流子浓度。并且V-pits 层可以有效屏蔽位错,降低了非辐射复合的可能性。
此外,由于V-pits层中填充材料的折射率和有源区材料折射率不同,V-pits 层的存在可以有效消除全反射和波导效应,提高LED的光提取效率。
优选地,硅烷作为n型掺杂源。
优选地,所述量子阱有源区为1~10个周期的垒层/AlGaN阱层/垒层结构,所述AlGaN阱层包括从下到上依次层叠设置的第一梯度阱、第二梯度阱和第三梯度阱;其中,第一梯度阱的AlGaN厚度为0.5~1.5nm,Al组分含量占Al和 Ga总量的比值为0.30~0.40,第二梯度阱的AlGaN厚度为1~1.5nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.40~0.45,第三梯度阱的AlGaN厚度为0.5~1.5nm, Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30~0.40;位于最下层的垒层采用 n+-AlGaN,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5~0.55,厚度为5~10nm,Si 掺杂浓度为1018~1019cm-3;其他垒层采用u-AlGaN,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5~0.55,厚度为5~10nm,从下到上各垒层厚度随着量子阱生长周期数的增加而梯度减薄,从下到上各垒层Al组分随着量子阱生长周期数的增加而梯度减少。
通过采用梯度AlGaN量子阱结构,可以调控发光模式的比例,有效增加TE 模式,进而提高深紫外LED光提取效率。
优选地,所述AlN厚度为300~400nm。
优选地,所述AlGaN/AlN超晶格为30~50个周期,其中AlGaN厚度为3~5nm, AlN厚度为3~5nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.7~0.9。
优选地,所述n-AlGaN接触层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5~0.6,厚度为0.8~1μm。
优选地,所述AlGaN电子阻挡层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为 0.60~0.65,厚度为10~15nm。
优选地,所述p-AlGaN限制层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为 0.50~0.55,厚度为50~80nm;二茂镁作为p型掺杂源,Mg掺杂浓度为1017~1018cm-3。
优选地,所述p-GaN接触层厚度为50~80nm;二茂镁作为p型掺杂源,Mg 掺杂浓度为1017~1018cm-3。
本发明还保护上述深紫外发光二极管的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
S1.在氢气和氨气混合气氛中,温度950~1000℃条件下,对AlN/PSS复合衬底进行表面活化处理;
S2.在氢气气氛中,通入三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在AlN/PSS 复合衬底上生长AlN,生长温度为1050~1150℃;
S3.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在AlN上生长AlGaN/AlN超晶格,生长温度为1050~1100℃;
S4.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在AlGaN/AlN超晶格上生长n-AlGaN接触层,生长温度为1000~1100℃;
S5.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在n-AlGaN接触层上生长V-pits层,生长温度为800~1000℃,压力为 150~400torr;
S6.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在V-pits层上生长量子阱有源区,生长温度为1000~1050℃;
S7.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在量子阱有源区上生长AlGaN电子阻挡层,生长温度为1000~1050℃;
S8.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,二茂镁作为p型掺杂源,在AlGaN电子阻挡层上生长p-AlGaN限制层,生长温度为1000~1050℃;
S9.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,二茂镁作为p型掺杂源,在p-AlGaN限制层上生长p-GaN接触层,生长温度为1000~1050℃;
外延生长结束后,将反应室的温度降至700~750℃,采用纯氮气气氛进行退火处理5~20min,然后降至室温,结束生长,即制得所述深紫外发光二极管。
优选地,步骤S1~S9在金属有机化合物气相外延反应室中进行。
优选地,步骤S1中反应室压力100torr,处理5~10分钟。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明的深紫外发光二极管包括V-pits层和量子阱有源区,V-pits层可以有效屏蔽位错、消除全反射和波导效应,量子阱有源区采用梯度阱,可以调控发光模式的比例,进而提高深紫外LED的光功率。
附图说明
图1为本发明的基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管的结构示意图。
图2为本发明实施例1、2及对比例1的深紫外发光二极管的光功率对比图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。
实施例中的原料均可通过市售得到;
本申请的实施例制备过程使用Aixtron公司,紧耦合垂直反应室MOCVD生长***。
生长过程中使用三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl) 作为III族源,氨气(NH3)作为V族源,硅烷(SiH4)作为n型掺杂源,二茂镁(Cp2Mg)作为p型掺杂源。
除非特别说明,本发明采用的试剂、方法和设备为本技术领域常规试剂、方法和设备。
实施例1
实施例1提供一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管,如图1所示,包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底101、AlN层102、AlGaN/AlN 超晶格103、n-AlGaN接触层104、V-pits层105、量子阱有源区106、AlGaN电子阻挡层107、p-AlGaN限制层108和p-GaN接触层109。
该深紫外发光二极管通过如下制备步骤制备得到:
S1.在氢气和氨气混合气氛中,温度950℃条件下,对AlN/PSS复合衬底进行表面活化处理;反应室压力100torr,处理5分钟。
S2.在氢气气氛下,温度1050℃条件下,通入三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在AlN/PSS复合衬底上生长AlN层,厚度为300nm。
S3.在氢气气氛中,温度1050℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在AlN上生长30个周期的AlGaN/AlN超晶格;
Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.7,AlGaN厚度为3nm,AlN厚度为 3nm。
S4.在氢气气氛中,温度1000℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在AlGaN/AlN超晶格上生长n-AlGaN接触层,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5,厚度为0.8μm。
S5.在氢气气氛中,温度800℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在n-AlGaN接触层上生长V-pits层,压力为150torr;
V-pits层包括由下至上依次层叠设置的非掺杂u-AlGaN层、轻掺杂n--AlGaN 层和重掺杂n+-AlGaN层;
其中,非掺杂u-AlGaN层厚度为100nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55;轻掺杂n--AlGaN层厚度为50nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55,Si掺杂浓度为1×1017cm-3;重掺杂n+-AlGaN层厚度为10nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5,Si掺杂浓度为1×1018cm-3。
S6.在氢气气氛中,温度1000℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在V-pits层上生长量子阱有源区;
量子阱有源区为周期数为1的单量子阱,包括从下到上依次层叠设置的第一垒层、AlGaN阱层和第二垒层;
AlGaN阱层包括从下到上依次层叠设置的第一梯度阱、第二梯度阱和第三梯度阱;其中,第一梯度阱的AlGaN厚度为0.5nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30,第二梯度的AlGaN厚度为1nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.40,第三梯度阱的AlGaN厚度为0.5nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30;
第一垒层为n+-AlGaN,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5,厚度为 5nm,Si掺杂浓度为1×1018cm-3;第二垒层为u-AlGaN,Al组分含量占Al和Ga 总量的比值为0.5,厚度为8nm。
S7.在氢气气氛中,温度1000℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在量子阱有源区上生长AlGaN电子阻挡层,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.6,厚度为10nm。
S8.在氢气气氛中,温度1000℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,二茂镁作为p型掺杂源,在AlGaN电子阻挡层上生长 p-AlGaN限制层,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.50,厚度为50nm, Mg掺杂浓度为1×1017cm-3。
S9.在氢气气氛中,温度1000℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,二茂镁作为p型掺杂源,在p-AlGaN限制层上生长p-GaN 接触层,厚度为50nm,Mg掺杂浓度为1×1017cm-3。
外延生长结束后,将反应室的温度降至700℃,采用纯氮气气氛进行退火处理5min,然后降至室温,结束生长,即制得该深紫外发光二极管。
实施例2
实施例2提供一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管,如图1所示,包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底101、AlN层102、AlGaN/AlN 超晶格103、n-AlGaN接触层104、V-pits层105、量子阱有源区106、AlGaN电子阻挡层107、p-AlGaN限制层108和p-GaN接触层109。
该深紫外发光二极管通过如下制备步骤制备得到:
S1.在氢气和氨气混合气氛中,温度1000℃条件下,对AlN/PSS复合衬底进行表面活化处理;反应室压力100torr,处理10分钟。
S2.在氢气气氛下,温度1150℃条件下,通入三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在AlN/PSS复合衬底上生长AlN层,厚度为400nm。
S3.在氢气气氛中,温度1100℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在AlN上生长50个周期的AlGaN/AlN超晶格;
Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.9,AlGaN厚度为5nm,AlN厚度为5nm。
S4.在氢气气氛中,温度1100℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在AlGaN/AlN超晶格上生长n-AlGaN接触层,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.6,厚度为1μm。
S5.在氢气气氛中,温度1000℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在n-AlGaN接触层上生长V-pits层,压力为400torr;
V-pits层包括由下至上依次层叠设置的非掺杂u-AlGaN层、轻掺杂n--AlGaN 层和重掺杂n+-AlGaN层;
其中,非掺杂u-AlGaN层厚度为150nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.6;轻掺杂n--AlGaN层厚度为100nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.6,Si掺杂浓度为1×1018cm-3;重掺杂n+-AlGaN层厚度为50nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55,Si掺杂浓度为1×1019cm-3。
S6.在氢气气氛中,温度1050℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在V-pits层上生长量子阱有源区;
量子阱有源区为周期数为10的垒层/AlGaN阱层/垒层结构;
AlGaN阱层包括从下到上依次层叠设置的第一梯度阱、第二梯度阱和第三梯度阱;其中,第一梯度阱的AlGaN厚度为1.5nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.4,第二梯度阱的AlGaN厚度为1.5nm,Al组分含量占Al和Ga 总量的比值为0.45,第三梯度阱的AlGaN厚度为1.5nm,Al组分含量占Al和 Ga总量的比值为0.40;
最下层的垒层为n+-AlGaN,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55,厚度为10nm,Si掺杂浓度为1×1019cm-3;其他垒层为u-AlGaN,从下到上各垒层厚度依次为:10nm,9nm,9nm,8nm,8nm,7nm,7nm,6nm,6nm,5nm,从下到上各垒层Al组分含量占Al和Ga总量的比值为依次为0.55,0.54,0.54, 0.53,0.53,0.52,0.52,0.51,0.51,0.5。
S7.在氢气气氛中,温度1050℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,在量子阱有源区上生长AlGaN电子阻挡层,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.65,厚度为15nm。
S8.在氢气气氛中,温度1050℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,二茂镁作为p型掺杂源,在AlGaN电子阻挡层上生长p-AlGaN限制层,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55,厚度为80nm, Mg掺杂浓度为1×1018cm-3。
S9.在氢气气氛中,温度1050℃条件下,通入三甲基镓和三甲基铝作为III 族源,氨气作为V族源,二茂镁作为p型掺杂源,在p-AlGaN限制层上生长p-GaN 接触层,厚度为80nm,Mg掺杂浓度为1×1018cm-3。
外延生长结束后,将反应室的温度降至750℃,采用纯氮气气氛进行退火处理20min,然后降至室温,结束生长,即制得该深紫外发光二极管。
对比例1
对比例1提供一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管,包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN层、AlGaN/AlN超晶格、n-AlGaN 接触层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p-AlGaN限制层和p-GaN接触层。
与实施例1的区别在于,对比例1结构中无V-pits层;量子阱有源区采用单量子阱结构,量子阱阱层为AlGaN,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.35,厚度为3nm,量子阱垒层为AlGaN,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55,厚度为10nm。
性能测试
对实施例1、2及对比例1制备的深紫外发光二极管进行光电性能对比测试,结果如图2所示。
光电性能的测试方法:环境温度:22~28℃,相对湿度:50%~80%,大气压力:1个标准大气压。检测设备:功率计,型号:WT210;温湿度计:型号:NO.8959。采用电致发光的方法检测,注入电流20mA.
在20mA注入电流下,实施例1的深紫外发光二极管相对于对比例1光功率提高30%,实施例2的深紫外发光二极管相对于对比例1光功率提高60%。
使用本发明技术方案制备的深紫外发光二极管,其深紫外LED光功率得到有效提高。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管,其特征在于,包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN、AlGaN/AlN超晶格、n-AlGaN接触层、V-pits层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p-AlGaN限制层和p-GaN接触层;
所述V-pits层包括由下至上依次层叠设置的非掺杂u-AlGaN层、轻掺杂n--AlGaN层和重掺杂n+-AlGaN层,其中非掺杂u-AlGaN层厚度为100~150nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55~0.6,轻掺杂n--AlGaN层厚度为50~100nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.55~0.6,Si掺杂浓度为1017~1018cm-3,重掺n+-AlGaN层厚度为10~50nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5~0.55,Si掺杂浓度为1018~1019cm-3;
所述量子阱有源区为1~10个周期的垒层/AlGaN阱层/垒层结构,所述AlGaN阱层包括从下到上依次层叠设置的第一梯度阱、第二梯度阱和第三梯度阱;其中,第一梯度阱的AlGaN厚度为0.5~1.5nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30~0.40,第二梯度阱的AlGaN厚度为1~1.5nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.40~0.45,第三梯度阱的AlGaN厚度为0.5~1.5nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.30~0.40;位于最下层的垒层为n+-AlGaN,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5~0.55,厚度为5~10nm,Si掺杂浓度为1018~1019cm-3;其他垒层为u-AlGaN,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5~0.55,厚度为5~10nm,从下到上各垒层厚度随着量子阱周期数的增加而梯度减薄,从下到上各垒层Al组分含量占Al和Ga总量的比值随着量子阱周期数的增加而梯度减少。
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管,其特征在于,所述AlGaN/AlN超晶格为30~50个周期,其中AlGaN厚度为3~5nm,AlN厚度为3~5nm,Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.7~0.9。
3.根据权利要求2所述的深紫外发光二极管,其特征在于,所述n-AlGaN接触层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.5~0.6,厚度为0.8~1μm。
4.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管,其特征在于,所述AlGaN电子阻挡层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.60~0.65,厚度为10~15nm。
5.根据权利要求4所述的深紫外发光二极管,其特征在于,所述p-AlGaN限制层中Al组分含量占Al和Ga总量的比值为0.50~0.55,厚度为50~80nm,Mg掺杂浓度为1017~1018cm-3。
6.根据权利要求5所述的深紫外发光二极管,其特征在于,所述p-GaN接触层厚度为50~80nm,Mg掺杂浓度为1017~1018cm-3。
7.根据权利要求6所述的深紫外发光二极管,其特征在于,所述AlN厚度为300~400nm。
8.权利要求7所述深紫外发光二极管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.在氢气和氨气混合气氛中,温度950~1000℃条件下,对AlN/PSS复合衬底进行表面活化处理;
S2.在氢气气氛中,通入三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在AlN/PSS复合衬底上生长AlN,生长温度为1050~1150℃;
S3.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在AlN上生长AlGaN/AlN超晶格,生长温度为1050~1100℃;
S4.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在AlGaN/AlN超晶格上生长n-AlGaN接触层,生长温度为1000~1100℃;
S5.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在n-AlGaN接触层上生长V-pits层,生长温度为800~1000℃,压力为150~400torr;
S6.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在V-pits层上生长量子阱有源区,生长温度为1000~1050℃;
S7.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,在量子阱有源区上生长AlGaN电子阻挡层,生长温度为1000~1050℃;
S8.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,二茂镁作为p型掺杂源,在AlGaN电子阻挡层上生长p-AlGaN限制层,生长温度为1000~1050℃;
S9.在氢气气氛中,通入三甲基镓和三甲基铝作为III族源,氨气作为V族源,二茂镁作为p型掺杂源,在p-AlGaN限制层上生长p-GaN接触层,生长温度为1000~1050℃,制得所述深紫外发光二极管。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,步骤S1~S9在金属有机化合物气相外延反应室中进行。
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