CN111696982A - 一种基体分离n型功率管esd电路和设置方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基体分离N型功率管ESD电路和设置方法,电路包括功率管的源极或漏极与主体之间存在寄生二极管,寄生二极管的正极连接主体,二极管的负极连接源极或漏极;主基体、地、N型隔离环之间存在有寄生PNP三极管,PNP三极管的发射极连接主体,其集电极连接地,基极连接N型隔离环,其基极与电源端之间连接有单向限流电路,用于限定电源端的电流流向PNP三极管的基极。本申请通过设置单向限流电路,限制流向寄生PNP三极管的电流,保证ESD时寄生PNP三极管截止,实现ESD时不破坏功率管。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域,尤其是涉及一种基体分离N型功率管ESD电路和设置方法。
背景技术
常用的N沟道具有四节点结构,包括漏极、栅极、源极和基体,对于各种硅工艺技术,4节点结构在隔离CMOS N沟道Mosfet、隔离漏外延NMOS沟道Mosfet、隔离LDMOS N沟道功率Mosfet中普遍存在。
正常使用时,基体连接到源极,从而产生了一个源/体-漏二极管,当栅源偏置为零时,该二极管在关断状态下可用作正向源/体--漏电压偏置中的续流二极管或反向源/体--漏电压偏置中的反向阻塞二极管。基体分离N型功率管还设置N型隔离环,N型隔离环连接电源,以使N型隔离环电压确定,避免悬空引起的电压漂移。
在双向大电流应用中,如在电池保护、负载共享开关、电源管理和电机驱动中,功率管中的流过的电流是双向的,即一时段从源极流向漏极,另一时段,从漏极流向源极,此时的电路设计如图1所示,图中功率管NM1的基体是分离的,在BM1关闭而BM2打开时,源极与基体连接,功率管NM1中的电流是从VA到VB;而在BM2关闭而BM1打开时,漏极与基体连接,功率管NM1中的电流是从VB到VA。
当引脚VA或/和VB通过焊点连接到外部引脚时,必须进行静电放电(ESD)保护,ESD保护是引脚针对电源(Vdd)或地(Gnd)或其他引脚的保护,包括正向和负向放电。
一般情况下,人体模型ESD保护为2000V,目前典型的ESD保护电路是,如图2所示,在VDD引脚处,设置折返型ESD保护二极管D1,在VB引脚处,设置折返型ESD保护二极管D2,在VA引脚处,设置折返型ESD保护二极管D3, D1/D2/D3的另一端接地,用于提供正负ESD放电路径。为了实现ESD,D1/D2/D3的尺寸通常都很大。
在有些特定应用的情况下,如电池保护中,VA引脚直接连接地,VB的电压可以低于地,此时就不需要D3, 由于D2会将电流从地流向VB,也不适合这种结构,为解决上述问题,在VA引脚直接连接地,VDD通过D1连接到地,从VDD连接折返型保护二极管D4到VB引脚,D4的正端接VB,对于D4就需要耐高压,特定的半导体工艺可能无法提供所需的高压器件,即使有也由于耐高压需要增大面积而使成本增加。因此,如何实现在降低成本的基础上,实现ESD是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种基体分离N型功率管ESD电路和设置方法,基于基体分离N型功率管结构,利用基体、地、N型隔离环之间存在的寄生PNP三极管,通过设置单向电流,或限制流向寄生PNP三极管的电流,限制寄生PNP三极管导通,实现ESD时保护功率管。
本发明的上述发明目的通过以下技术方案得以实现:
一种基体分离N型功率管ESD电路,功率管的源极或漏极与基体之间存在寄生二极管,寄生二极管的正极连接基体,二极管的负极连接源极或漏极;基体、地、N型隔离环之间存在有寄生PNP三极管,PNP三极管的发射极连接基体,其集电极连接地,基极连接N型隔离环,其基极与电源端之间连接有单向限流电路,用于限定电源端的电流流向PNP三极管的基极。
本发明进一步设置为:单向限流电路包括二极管,二极管的正极连接电源端,负极连接到PNP三极管的基极,限制电流单向流动。
本发明进一步设置为:单向限流电路包括限流电阻,限流电阻用于限制流过基极的电流大小串联在电源端与二极管之间,或串联在二极管与PNP三极管的基极之间。
本发明进一步设置为:电源端通过第一钳位电路连接到地,用于为电源端提供ESD电路。
本发明进一步设置为:漏极直接连接到地。
本发明进一步设置为:在功率管的源极或漏极与基体之间的寄生二极管二端并联第二、第三功率管,第二、第三功率管的源极连接基体,第二、第三的漏极分别连接功率管的源极或漏极,用于确定功率管中电流的流向。
本发明的上述发明目的还通过以下技术方案得以实现:
一种设置基体分离N型功率管ESD电路的方法,对于基体分离N型功率管,在电源端与寄生PNP三极管基极之间,设置单向限流电路,用于限制电流只能从电源端流向基极,防止 因PNP三极管导通而损坏,其中PNP三极管由基体、地、N型隔离环之间寄生产生。
与现有技术相比,本发明的有益技术效果为:
1.本申请基于寄生PNP三极管,通过设置单向限流电路,防止了寄生PNP三极管在ESD测试时导通而损坏,保护了功率管;
2.进一步地,本申请在阻止寄生三极管损坏的同时,通过寄生二极管进行ESD,在成本增加很少的基础上,实现了ESD;
3.进一步地,本申请通过设置单向限流电路,保证了寄生PNP三极管不被ESD放电时破坏。
附图说明
图1是现有双向功率管的电路结构示意图;
图2是现有双向功率管的ESD电路结构示意图;
图3是本发明的一个具体实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步详细说明。
本发明的一种基体分离N型功率管ESD电路,如图2所示,功率管NM1为基体分离的N沟道MOS管,包括栅极Gate、源极Source、漏极Drain、基体Body,二极管DB1为基体与漏极之间的寄生二极管,二极管DB2为基体与源极之间的寄生二极管;二极管DB1、DB2的正端为基体,负端分别为漏极、源极。
在NM1的源极与基体之间连接MOS管BM2,BM2的漏极连接NM1的源极,BM2的源极连接NM1的基体。
在NM1的漏极与基体之间连接MOS管BM1,BM1的漏极连接NM1的漏极,BM2的源极连接NM1的基体。
在BM1关闭而BM2打开时,相当于NM1的基体连接到其源极的引出端VB,流过NM1的电流从其漏极引出端VA流向VB;而在在BM1打开而BM2关闭时,相当于NM1的基体连接到其漏极的引出端VA,流过NM1的电流从其漏极引出端VB流向VA。
在NM1的基体、地、N型隔离环之间存在有寄生垂直PNP三极管Qp,PNP三极管Qp的发射极连接NM1、BM1、BM2的基体,其集电极连接地,基极连接N型隔离环。
在进行VB对地、或VB对VDD的ESD保护时,为了保证VB对地或VDD的ESD能够正常工作,需要从DB1和DB2两个方向进行ESD放电,因为DB1和DB2的面积相对很大,能够很容易地耗散掉ESD的能量。但是,寄生PNP三极管Qp可能因为ESD能量而被破坏,为了保证寄生PNP三极管Qp不被破坏,在电源VDD与PNP三极管Qp的基极之间,连接单向限流电路,保证电流只能从VDD流向PNP三极管Qp的基极,防止PNP三极管Qp导通,ESD放电时无电流从PNP三极管Qp的发射极流向基极, PNP三极管Qp截止,保证了三极管Qp不被破坏。
单向限流电路包括二极管D5,二极管D5的正极连接电源端,负极连接到PNP三极管的基极,限制电流单向从VDD流向三极管Qp的基极。
在本申请的一个具体实施例中,单向限流电路包括二极管D5、限流电阻R,二极管D5与限流电阻R串联连接,其串联连接组合连接到VDD与三极管Qp的基极之间,并保证二极管d的正端连接到VDD,或通过限流电阻R后连接到VDD,实现单向限流的目的。
且二极管D5、限流电阻R的面积很小,对功率管的面积不产生影响。
在本申请的一个具体实施例中,电源端VDD通过第一钳位电路连接到地,用于为电源端提供ESD电路。
第一钳位电路包括折返型二极管D1,起到正向和反向ESD保护作用。
NM1的漏极直接连接到地。
本具体实施方式的实施例均为本发明的较佳实施例,并非依此限制本发明的保护范围,故:凡依本发明的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种基体分离N型功率管ESD电路,其特征在于:功率管的源极或漏极与基体之间存在寄生二极管,寄生二极管的正极连接基体,二极管的负极连接源极或漏极;基体、地、N型隔离环之间存在有寄生PNP三极管,PNP三极管的发射极连接基体,其集电极连接地,基极连接N型隔离环,其基极与电源端之间连接有单向限流电路,用于限定电源端的电流流向PNP三极管的基极。
2.根据权利要求1所述基体分离N型功率管ESD电路,其特征在于:单向限流电路包括二极管,二极管的正极连接电源端,负极连接到PNP三极管的基极,限制电流单向流动。
3.根据权利要求2所述基体分离N型功率管ESD电路,其特征在于:单向限流电路包括限流电阻,限流电阻用于限制流过基极的电流大小串联在电源端与二极管之间,或串联在二极管与PNP三极管的基极之间。
4.根据权利要求1所述基体分离N型功率管ESD电路,其特征在于:电源端通过第一钳位电路连接到地,用于为电源端提供ESD电路。
5.根据权利要求1所述基体分离N型功率管ESD电路,其特征在于:漏极直接连接到地。
6.根据权利要求1所述基体分离N型功率管ESD电路,其特征在于:在功率管的源极或漏极与基体之间的寄生二极管二端并联第二、第三功率管,第二、第三功率管的源极连接基体,第二、第三的漏极分别连接功率管的源极或漏极,用于确定功率管中电流的流向。
7.一种设置基体分离N型功率管ESD电路的方法,其特征在于:对于N型功率管,在电源端与寄生PNP三极管基极之间,设置单向限流电路,用于限制电流只能从电源端流向基极,防止 PNP三极管损坏,其中PNP三极管由基体、地、N型隔离环之间寄生产生。
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