CN111696907A - 一种led外延芯片加工用pvc划片膜 - Google Patents
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- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 238000003490 calendering Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 98
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 36
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical group CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- -1 acryl Chemical group 0.000 claims description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 2
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明揭示了一种LED外延芯片加工用PVC划片膜，其自上而下依次包括第一层胶层、第二层亮光层、第三层柔性层、第四层磨砂层、第五层离型层，所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用三层延压工艺制作而成，所述第一层胶层包括玻化温度为‑28～‑38℃的压克力共聚合树脂60%～85%、环氧树脂交联剂5%～15%、有机金属抗静电剂1%～3%。本发明能够保障LED外延芯片在切割过程中不易发生角崩、背崩等问题，为外延芯片的加工质量提供了保障。
Description
【技术领域】
本发明属于LED外延芯片加工技术领域，特别是涉及一种LED外延芯片加工用PVC划片膜。
【背景技术】
LED外延芯片加工时需要将LED外延芯片采用固定装置固定于切割机台上进行切割，当切割完毕后，再进行下一个制程挑拣。但是目前国内的固定装置会导致LED外延芯片加工时纵向横向扩张不均匀，而且LED外延芯片切割时有残胶污染晶圆，LED外延芯片切割时角崩、背崩等问题容易造成外延片损坏。国外的产品目前客户在使用时先预热使材料***，以便进行贴合，存在着在温差变化时材料软硬度变化大以致无法使用的困扰。
因此，有必要提供一种新的LED外延芯片加工用PVC划片膜来解决上述问题。
【发明内容】
本发明的主要目的在于提供一种LED外延芯片加工用PVC划片膜，能够保障LED外延芯片在切割过程中不易发生角崩、背崩等问题，为外延芯片的加工质量提供了保障。
本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种LED外延芯片加工用PVC划片膜，其自上而下依次包括第一层胶层、第二层亮光层、第三层柔性层、第四层磨砂层、第五层离型层，所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用三层延压工艺制作而成，所述第一层胶层包括玻化温度为-28～-38℃的压克力共聚合树脂60％～85％、环氧树脂交联剂5％～15％、有机金属抗静电剂1％～3％。
进一步的，所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层选自聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯中的任一种。
进一步的，所述第二层亮光层为经过亮光处理的聚氯乙烯材料层；所述第四层磨砂层为经过磨砂处理的聚氯乙烯材料层；所述第二层亮光层、第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用共挤延压制作形成一个整体层。
进一步的，所述环氧树脂交联剂为甲苯。
进一步的，所述有机金属抗静电剂为乙酸乙酯。
进一步的，所述第一层胶层的高度为所述PVC划片膜总高度的15％。
进一步的，所述第二层亮光层的厚度为1～5微米；所述第四层磨砂层的厚度为2～10微米。
进一步的，所述第三层柔性层的厚度为55～60微米、或65～70微米、或135～140微米。
进一步的，所述第五层离型层在LED外延芯片加工时的剥离力为0.01N/20mm～0.05N/20mm。
与现有技术相比，本发明一种LED外延芯片加工用PVC划片膜的有益效果在于：通过在第一层使用压克力共聚合树脂，既可以改善聚氯乙烯因软化点低造成外延片的污染，亦可改善聚氯乙烯不具柔软性，而影响加工时纵向横向扩张不均匀，切割时角崩、背崩等问题容易造成外延片损坏，采用三层压延的生产方式，精密的生产设备，采用压延的生产方法可以使得生产出的辊涂胶划片膜纵向及横向扩张均匀，切割时不角崩、不背崩，使用效果好；为外延芯片的加工质量提供了保障的同时，还能够使得与芯片容易粘贴、易取，且不易损坏芯片本体。
【附图说明】
图1为本发明实施例的剖面结构示意图；
100LED外延芯片加工用PVC划片膜；
1第一层胶层；2第二层亮光层，3第三层柔性层，4第四层磨砂层，5第五层离型层。
【具体实施方式】
实施例1：
请参照图1，本实施例一种LED外延芯片加工用PVC划片膜100，其自上而下依次包括第一层胶层1、第二层亮光层2、第三层柔性层3、第四层磨砂层4、第五层离型层5，第二层亮光层2、第三层柔性层3以及第四层磨砂层4采用三层延压工艺制作而成，本实施例中，第二层亮光层2、第三层柔性层3以及第四层磨砂层4均采用聚氯乙烯，在其他实施例中，也可选自聚乙烯、聚丙烯、等聚烯烃材料中的任一种。
第二层亮光层2为经过亮光处理的聚氯乙烯材料层，第四层磨砂层4为经过磨砂处理的聚氯乙烯材料层，将上述两层与第三层柔性层3采用共挤延压制作形成一个整体层。
第一层胶层1包括玻化温度为-28～-38℃的压克力共聚合树脂60％～65％、环氧树脂交联剂5％～15％、有机金属抗静电剂1％～3％。具体的，环氧树脂交联剂为甲苯，有机金属抗静电剂为乙酸乙酯。
第一层胶层1的高度为所述PVC划片膜总高度的15％。
第二层亮光层2的厚度为1～5微米。
第三层柔性层3的厚度为55～60微米。
第四层磨砂层4的厚度为2～10微米。
第五层离型层5中的有机硅离心剂0.05g～0.1g。
上述各层结构的设定有助于划片膜的总厚度控制，比较薄的材料设计能够提高加工时纵向与横向扩张率使得与芯片容易粘贴、易取，且不易损坏芯片本体，第一层胶层1厚度的设计有利于有效控制粘着力，使LED外延芯片在切割过程中不易发生角崩、背崩。
第五层离型层5在LED外延芯片加工时的剥离力为0.01N/20mm～0.05N/20mm。第五层离型层5剥离力的设定有助于减少使用时对划片膜基材的拉伸和变形，客户端使用时也会更方便，提高生产质量及工作效率。
本实施例通过在第一层使用压克力共聚合树脂，既可以改善聚氯乙烯因软化点低造成外延片的污染，亦可改善聚氯乙烯不具柔软性，而影响加工时纵向横向扩张不均匀，切割时角崩、背崩等问题容易造成外延片损坏，采用三层压延的生产方式，精密的生产设备，采用压延的生产方法可以使得生产出的辊涂胶划片膜纵向及横向扩张均匀，切割时不角崩、不背崩，使用效果好。
对实施例1的产品进行性能测试，结果见表1。
表1
实施例2：
本实施例一种LED外延芯片加工用PVC划片膜100，且结构层次与实施例一基本相同，其区别在于：第一层胶层1包括玻化温度为-28～-38℃的压克力共聚合树脂65％～75％、环氧树脂交联剂5％～15％、有机金属抗静电剂1％～3％。
第二层亮光层的厚度为1～5微米。
第三层柔性层的厚度为65～70微米。
第四层磨砂层的厚度为2～10微米。
对实施例2的产品进行性能测试，结果见表2。
表2
实施例3：
本实施例一种LED外延芯片加工用PVC划片膜100，且结构层次与实施例一基本相同，其区别在于：第一层胶层1包括玻化温度为-28～-38℃的压克力共聚合树脂75％～85％、环氧树脂交联剂5％～15％、有机金属抗静电剂1％～3％。
第二层亮光处理层的厚度为1～5微米。
第三层柔性层的厚度为135～140微米。
第四层磨砂层的厚度为2～10微米。
对实施例3的产品进行性能测试，结果见表3。
表3
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：其自上而下依次包括第一层胶层、第二层亮光层、第三层柔性层、第四层磨砂层、第五层离型层，所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用三层延压工艺制作而成，所述第一层胶层包括玻化温度为-28～-38℃的压克力共聚合树脂60%～85%、环氧树脂交联剂5%～15%、有机金属抗静电剂1%～3%。
2.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层选自聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯中的任一种。
3.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第二层亮光层为经过亮光处理的聚氯乙烯材料层；所述第四层磨砂层为经过磨砂处理的聚氯乙烯材料层；所述第二层亮光层、第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用共挤延压制作形成一个整体层。
4.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述环氧树脂交联剂为甲苯。
5.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述有机金属抗静电剂为乙酸乙酯。
6.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第一层胶层的高度为所述PVC划片膜总高度的15%。
7.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第二层亮光层的厚度为1~5微米；所述第四层磨砂层的厚度为2~10微米。
8.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第三层柔性层的厚度为55~60微米、或65~70微米、或135~140微米。
9.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第五层离型层在LED外延芯片加工时的剥离力为0.01N/20mm~0.05N/20mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010594791.0A CN111696907A (zh) | 2020-06-28 | 2020-06-28 | 一种led外延芯片加工用pvc划片膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010594791.0A CN111696907A (zh) | 2020-06-28 | 2020-06-28 | 一种led外延芯片加工用pvc划片膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111696907A true CN111696907A (zh) | 2020-09-22 |
Family
ID=72484112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010594791.0A Pending CN111696907A (zh) | 2020-06-28 | 2020-06-28 | 一种led外延芯片加工用pvc划片膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111696907A (zh) |
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- 2020-06-28 CN CN202010594791.0A patent/CN111696907A/zh active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
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