CN111668285A - Oled显示装置及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括：衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管层、OLED器件层、封盖层、LiF层以及薄膜封装层；其中，所述封盖层的材料的折射率n大于1.8。本申请公开了所述OLED显示装置的制备方法。本申请通过制备高折射率的封盖层材料，提高了OLED显示装置中封盖层的透光率，进一步地提升了OLED显示装置的显示效果。

Description

OLED显示装置及制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)是一种利用有机半导体材料在电流驱动下产生可逆变色来实现多彩显示的光电技术。OLED具有轻薄、高亮度、主动发光、能耗低、大视角、快速响应、可柔性、工作温度范围宽等优点，被认为是最有发展前途的新一代显示技术。
然而，OLED的外量子效率与内量子效率之间存在巨大差距，极大地制约了OLED的发展。因此，如何减少OLED器件中的全反射效应、提高光耦合到器件前向外部空间的比例(出光效率)引起人们的广泛关注。目前，通常会在OLED器件的阴极上蒸镀一层高折射率的封盖层(Capping Layer，CPL)来减弱出射光在阴极的全反射，进而提高OLED外量子效率。目前传统的封盖层(Capping Layer，CPL)材料的透光率较低，进而影响了OLED显示装置的显示效果。
综上所述，现有的OLED显示装置及制备方法，使用的封盖层(Capping Layer，CPL)材料的透光率较低，进一步影响了OLED显示装置的显示效果。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED显示装置及制备方法，能够提高OLED外量子效率，以解决现有的OLED显示装置及制备方法，使用的封盖层(Capping Layer，CPL)材料的透光率较低，进一步影响了OLED显示装置的显示效果的技术问题。
本申请实施例提供一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括：衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管层、OLED器件层、封盖层、LiF层以及薄膜封装层；
其中，所述封盖层的材料的折射率n大于1.8。
在一些实施例中，所述封盖层经耦合输出层材料与纳米晶材料混合而成。
在一些实施例中，所述耦合输出层材料与所述纳米晶材料的混合比例为100:1～1000:1。
在一些实施例中，所述纳米晶材料包括氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料。
在一些实施例中，所述耦合输出层材料为无机透明材料或者有机透明材料。
在一些实施例中，所述无机透明材料为ZnO、ZnSe、TiO2以及SiN3中的至少一种；所述有机透明材料为NPB以及Alq3中的至少一种。
在一些实施例中，所述OLED器件层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
本申请实施例还提供一种上述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，在一衬底基板上制备薄膜晶体管层；
S20，在所述薄膜晶体管层蒸镀OLED器件层；
S30，在所述OLED器件层上蒸镀封盖层,所述封盖层的材料的折射率n大于1.8；
S40，在所述封盖层蒸镀LiF层；
S50，在所述LiF层制备薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述LiF层、所述封盖层、所述OLED器件层以及所述薄膜晶体管层。
在一些实施例中，所述S30中，所述封盖层经耦合输出层材料与纳米晶材料混合而成，所述耦合输出层材料与所述纳米晶材料的混合比例为100:1～1000:1。
在一些实施例中，所述纳米晶材料包括氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料。
本申请实施例所提供的OLED显示装置及制备方法，通过制备高折射率的封盖层材料，提高了OLED显示装置中封盖层的透光率，进一步地提升了OLED显示装置的显示效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的OLED显示装置的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED显示装置的制备方法流程图。
图3A-图3E为图2所述OLED显示装置的制备方法的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有的OLED显示装置及制备方法，使用的封盖层(CappingLayer，CPL)材料的透光率较低，进一步影响了OLED显示装置的显示效果的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，为本申请实施例提供的OLED显示装置的结构示意图。其中，所述OLED显示装置10包括：衬底基板11以及依次形成在所述衬底基板11上的薄膜晶体管层12、OLED器件层13、封盖层(Capping Layer，CPL)14、LiF层15以及薄膜封装层16，所述封盖层(Capping Layer，CPL)14的材料的折射率n大于1.8。
具体地，所述衬底基板11可选地为柔性基板，柔性基板与所述薄膜晶体管层12、所述OLED器件层13相配合形成柔性显示面板。柔性基板的材料本申请不限制，可选地为有机聚合物，作为示例，有机聚合物可以是聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚酰胶(PolyamideAdhesive，PA)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚苯醚砜(Polyethersulfone，PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene glycol Terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate two formic acid glycol ester，PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly Methyl Methacrylate，PMMA)、环烯烃共聚物(COC)中的一种。
具体地，所述OLED器件层13包括依次层叠设置的空穴注入层(Hole InjectLayer，HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、电致发光层(Emitting MaterialLayer，EML)、电子传输层(Electron Transport Layer，EHL)、电子注入层(ElectronInject Layer，EIL)以及阴极(Cathode)。
进一步地，所述空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)作为所述OLED显示装置10中的缓冲层，可以平滑所述薄膜晶体管层12和所述空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)之间的空穴注入势垒，有效解决所述OLED器件层13界面功函数失配的问题。同理，所述电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)作为所述OLED显示装置10中的缓冲层中的缓冲层，可以平滑所述阴极(Cathode)和所述(Electron Transport Layer，EHL)之间的电子注入势垒，有效解决所述OLED器件层13界面功函数失配的问题。且所述电致发光层(EmittingMaterial Layer，EML)在所述薄膜晶体管层12中的阳极、所述空穴注入层(Hole InjectLayer，HIL)、所述空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、所述电子传输层(ElectronTransport Layer，EHL)以及所述电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)和所述阴极(Cathode)的作用下发光显示。
具体地，所述封盖层(Capping Layer，CPL)14用于提高所述OLED器件层13的透光率，所述封盖层(Capping Layer，CPL)14经耦合输出层材料与纳米晶材料混合而成；其中，所述耦合输出层材料与所述纳米晶材料的混合比例为100:1～1000:1。
优选地，所述纳米晶材料包括氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料。
具体地，所述耦合输出层材料为无机透明材料或者有机透明材料；所述无机透明材料为ZnO、ZnSe、TiO2以及SiN3中的至少一种；所述有机透明材料为NPB以及Alq3中的至少一种。
优选地，当所述封盖层(Capping Layer，CPL)14经耦合输出层材料与氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料混合而成后的折射率n约2.3左右(根据麦克斯韦电磁场理论通过引入铅或者钡等大离子可以提高材料的折射率)。
由图1可知，通过制备高折射率的所述封盖层(Capping Layer，CPL)14后，所述OLED器件层13的出光路径由使用所述耦合输出层材料(所述耦合输出层材料的折射率n小于1.8)后的出光路径a变为出光路径b，从而提高所述OLED器件层13的透光率。
具体地，所述LiF层15对水汽和氧具有一定阻隔作用，可在一定程度上防止水汽和氧对所述OLED器件层13的侵入。
具体地，所述薄膜封装层16覆盖所述OLED器件层13，所述薄膜封装层16包覆所述LiF层15、所述封盖层(Capping Layer，CPL)14、所述OLED器件层13、所述薄膜晶体管层12与所述衬底基板11的侧边，并使所述衬底基板11包裹于所述薄膜封装层16内。所述薄膜封装层16作为保护层，能阻挡水氧的渗透、侵入，提高本申请实施例提供的所述OLED显示装置10在空气中的稳定性。
在一些实施例中，所述薄膜封装层16的材料可以为有机绝缘材料，所述有机绝缘材料为阵列有机绝缘膜(Polymer Film on Array，简称PFA)、亚克力树脂(PolymethylMethacrylate，简称PMMA)、硅氧烷树脂中的一种或者多种。
如图2所示，为本申请实施例提供的OLED显示装置的制备方法流程图。其中，所述方法包括：
S10，在一衬底基板11上制备薄膜晶体管层12；
具体地，所述S10还包括：
首先提供一衬底基板11，所述衬底基板11可选地为有机聚合物，作为示例，有机聚合物可以是聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚酰胶(Polyamide Adhesive，PA)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚苯醚砜(Polyethersulfone，PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene glycol Terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneNaphthalate two formic acid glycol ester，PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly MethylMethacrylate，PMMA)、环烯烃共聚物(COC)中的一种；之后，在所述衬底基板11上采用化学气相沉积法制备薄膜晶体管层12，如图3A所示。
S20，在所述薄膜晶体管层12蒸镀OLED器件层13。
具体地，所述S20还包括：
在所述薄膜晶体管层12上蒸镀OLED器件层13，所述OLED器件层13包括层叠设置的空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、电致发光层(Emitting Material Layer，EML)、电子传输层(Electron Transport Layer，EHL)、电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)以及阴极(Cathode)。进一步地，所述空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)作为所述OLED显示装置10中的缓冲层，可以平滑所述薄膜晶体管层12和所述空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)之间的空穴注入势垒，有效解决所述OLED器件层13界面功函数失配的问题。同理，所述电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)作为所述OLED显示装置10中的缓冲层中的缓冲层，可以平滑所述阴极(Cathode)和所述(Electron Transport Layer，EHL)之间的电子注入势垒，有效解决所述OLED器件层13界面功函数失配的问题。且所述电致发光层(Emitting Material Layer，EML)在所述薄膜晶体管层12中的阳极、所述空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)、所述空穴传输层(HoleTransport Layer，HTL)、所述电子传输层(Electron Transport Layer，EHL)以及所述电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)和所述阴极(Cathode)的作用下发光显示，如图3B所示。
S30，在所述OLED器件层13上蒸镀封盖层14,所述封盖层14的材料的折射率n大于1.8。
具体地，所述S30还包括：
在所述OLED器件层13中最上层的所述阴极(Cathode)上通过蒸镀工艺形成封盖层(Capping Layer，CPL)14，如图3C所示。
具体地，所述封盖层(Capping Layer，CPL)14用于提高所述OLED器件层13的透光率，所述封盖层(Capping Layer，CPL)14经耦合输出层材料与纳米晶材料混合而成；其中，所述耦合输出层材料与所述纳米晶材料的混合比例为100:1～1000:1。
优选地，所述纳米晶材料包括氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料。
具体地，所述耦合输出层材料为无机透明材料或者有机透明材料；所述无机透明材料为ZnO、ZnSe、TiO2以及SiN3中的至少一种；所述有机透明材料为NPB以及Alq3中的至少一种。
优选地，当所述封盖层(Capping Layer，CPL)14经耦合输出层材料与氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料混合(混合比例为100:1～1000:1)而成后的折射率n约2.3左右(根据麦克斯韦电磁场理论通过引入铅或者钡等大离子可以提高材料的折射率)。
S40，在所述封盖层14蒸镀LiF层15。
具体地，所述S40还包括：
在所述封盖层(Capping Layer，CPL)14上蒸镀一层金属薄膜，形成LiF层15；所述LiF层15对水汽和氧具有一定阻隔作用，可在一定程度上防止水汽和氧对所述OLED器件层13的侵入，如图3D所示。
S50，在所述LiF层15制备薄膜封装层16，所述薄膜封装层16完全覆盖所述LiF层15、所述封盖层14、所述OLED器件层13以及所述薄膜晶体管层12。
具体地，所述S50还包括：
在所述LiF层15制备薄膜封装层16，所述薄膜封装层16完全覆盖所述LiF层15、所述封盖层14、所述OLED器件层13以及所述薄膜晶体管层12。所述薄膜封装层16作为保护层，能阻挡水氧的渗透、侵入，提高本申请实施例提供的所述OLED显示装置10在空气中的稳定性，如图3E所示。
优选地，所述薄膜封装层16的材料可以为有机绝缘材料，所述有机绝缘材料为阵列有机绝缘膜(Polymer Film on Array，简称PFA)、亚克力树脂(PolymethylMethacrylate，简称PMMA)、硅氧烷树脂中的一种或者多种。
本申请实施例所提供的OLED显示装置及制备方法，通过制备高折射率的封盖层材料，提高了OLED显示装置中封盖层的透光率，进一步地提升了OLED显示装置的显示效果。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示装置及制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示装置，其特征在于，所述OLED显示装置包括：衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管层、OLED器件层、封盖层、LiF层以及薄膜封装层；
其中，所述封盖层的材料的折射率n大于1.8。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述封盖层经耦合输出层材料与纳米晶材料混合而成。
3.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述耦合输出层材料与所述纳米晶材料的混合比例为100:1～1000:1。
4.根据权利要求3所述的OLED显示装置，其特征在于，所述纳米晶材料包括氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料。
5.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述耦合输出层材料为无机透明材料或者有机透明材料。
6.根据权利要求5所述的OLED显示装置，其特征在于，所述无机透明材料为ZnO、ZnSe、TiO2以及SiN3中的至少一种；所述有机透明材料为NPB以及Alq3中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述OLED器件层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
8.一种如权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，在一衬底基板上制备薄膜晶体管层；
S20，在所述薄膜晶体管层蒸镀OLED器件层；
S30，在所述OLED器件层上蒸镀封盖层,所述封盖层的材料的折射率n大于1.8；
S40，在所述封盖层蒸镀LiF层；
S50，在所述LiF层制备薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述LiF层、所述封盖层、所述OLED器件层以及所述薄膜晶体管层。
9.根据权利要求8所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述S30中，所述封盖层经耦合输出层材料与纳米晶材料混合而成，所述耦合输出层材料与所述纳米晶材料的混合比例为100:1～1000:1。
10.根据权利要求9所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述纳米晶材料包括氧化铅纳米晶材料或者氧化钡纳米晶材料。
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