CN111668282A - Oled显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种OLED显示面板及显示装置，该OLED显示面板包括：衬底；驱动电路层，设置于衬底上；发光功能层，设置于驱动电路层上，包括红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层；光耦合层，设置于发光功能层上，包括第一耦合层和第二耦合层，第二耦合层设置于第一耦合层远离发光功能层的一侧；封装层，设置于光耦合层上；其中，第二耦合层包括第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，第一耦合部、第二耦合部、第三耦合部分别设置于红光材料层、绿光材料层、蓝光材料层的上方，第一耦合部的厚度大于等于第二耦合部的厚度，第二耦合部的厚度大于等于第三耦合部的厚度，第一耦合部的厚度大于第三耦合部的厚度。提高了OLED显示面板的整体出光效率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种OLED显示面板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管显示器)器件由于其重量轻、广视角、响应时间快、耐低温、发光效率高等优点，一直被视其为下一代新型显示技术。
如图1所示，为当前OLED显示面板的结构示意图，主要包括驱动电路层110、发光功能层120、光耦合层130、以及封装层140。在当前的OLED显示面板中，光耦合层130采用一道制程制备得到，其厚度保持一致，无法同时使红、绿、蓝三种颜色的光达到最佳出光效率。
因此，现有OLED显示面板存在出光效率不佳的问题，需要解决。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板及显示装置，以改进现有OLED显示面板存在出光效率不佳的问题。
为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种OLED显示面板，其包括：
衬底；
驱动电路层，设置于衬底上；
发光功能层，设置于驱动电路层上，包括红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层；
光耦合层，设置于发光功能层上，包括第一耦合层和第二耦合层，第二耦合层设置于第一耦合层远离发光功能层的一侧；
封装层，设置于光耦合层上；
其中，第二耦合层包括第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，第一耦合部设置于红光材料层的上方，第二耦合部设置于绿光材料层的上方，第三耦合部设置于蓝光材料层的上方，第一耦合部的厚度大于等于第二耦合部的厚度，第二耦合部的厚度大于等于第三耦合部的厚度，第一耦合部的厚度大于第三耦合部的厚度。
在本发明提供的OLED显示面板中，第一耦合部的厚度为120-150纳米。
在本发明提供的OLED显示面板中，第二耦合部的厚度为80-90纳米。
在本发明提供的OLED显示面板中，第二耦合部的厚度为40-60纳米。
在本发明提供的OLED显示面板中，第二耦合层的折射率小于第一耦合层的折射率。
在本发明提供的OLED显示面板中，第二耦合层的材料为无机材料。
在本发明提供的OLED显示面板中，所述第二耦合层的折射率为1.3-1.8。
在本发明提供的OLED显示面板中，第一耦合部、第二耦合部、第三耦合部均包括第一耦合分层，第一耦合分层设置于第一耦合层远离发光功能层的一侧；第一耦合部和第二耦合部还包括第二耦合分层，第二耦合分层设置于第一耦合分层远离第一耦合层的一侧。
在本发明提供的OLED显示面板中，第一耦合部还包括第三耦合分层，第三耦合分层设置于第二耦合分层远离第一耦合分层的一侧。
同时，本发明还提供一种显示装置，其包括本发明提供的任一OLED显示面板。
本发明提供了一种OLED显示面板及显示装置，该OLED显示面板包括：衬底；驱动电路层，设置于衬底上；发光功能层，设置于驱动电路层上，包括红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层；光耦合层，设置于发光功能层上，包括第一耦合层和第二耦合层，第二耦合层设置于第一耦合层远离发光功能层的一侧；封装层，设置于光耦合层上；其中，第二耦合层包括第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，第一耦合部设置于红光材料层的上方，第二耦合部设置于绿光材料层的上方，第三耦合部设置于蓝光材料层的上方，第一耦合部的厚度大于等于第二耦合部的厚度，第二耦合部的厚度大于等于第三耦合部的厚度，第一耦合部的厚度大于第三耦合部的厚度。使OLED显示面板同时达到至少两种不同光线的最佳出光效率，提高了OLED显示面板的整体出光效率，提高了OLED显示面板的显示效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术提供的OLED显示面板的结构示意图。
图2为本发明实施例提供的OLED显示面板的第一种结构示意图。
图3为本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明的具体实施方案，对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本发明保护范围。
本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本发明，而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
针对现有OLED显示面板存在出光效率不佳的问题，本发明提供一种OLED显示面板可以缓解这个问题。
在一种实施例中，请参照图2所示，本发明实施例提供的OLED显示面板包括：
衬底210；
驱动电路层220，设置于衬底210上；
发光功能层230，设置于驱动电路层220上，包括红光材料层2331、绿光材料层2332和蓝光材料层2333；
光耦合层240，设置于发光功能层230上，包括第一耦合层241和第二耦合层242，第二耦合层242设置于第一耦合层241远离发光功能层230的一侧；
封装层250，设置于光耦合层240上；
其中，第二耦合层242包括第一耦合部2421、第二耦合部2422和第三耦合部2423，第一耦合部2421设置于红光材料层221的上方，第二耦合部2422设置于绿光材料层222的上方，第三耦合部2423设置于蓝光材料层223的上方，第一耦合部2421的厚度大于等于第二耦合部2422的厚度，第二耦合部2422的厚度大于等于第三耦合部2423的厚度，第一耦合部2421的厚度大于第三耦合部2423的厚度。
本实施例提供了一种OLED显示面板，OLED显示面板包括设置于发光功能层上，分别对应于红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层的第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，且第一耦合部的厚度大于等于第二耦合部的厚度，第二耦合部的厚度大于等于第三耦合部的厚度，第一耦合部的厚度大于第三耦合部的厚度；使OLED显示面板同时达到至少两种不同光线的最佳出光效率，提高了OLED显示面板的整体出光效率，提高了OLED显示面板的显示效果。
衬底210一般包括刚性衬底和柔性衬底，刚性衬底一般为玻璃衬底，其材料为硅酸盐材料，柔性衬底通常包括第一有机衬底、无机衬底、以及第二无机衬底，第一有机衬底和第二有机衬底的材料通常为聚乙酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机聚合物材料，用于实现显示面板的柔性性能；无机衬底的材料一般为氧化硅或氮化硅，用于维持衬底的刚性和支撑性能。
驱动电路层220，设置于衬底210上。驱动电路层220包括阵列设置的薄膜晶体管以及金属导线，薄膜晶体管以及驱动电路层220内的金属导线，共同构成OLED显示面板的驱动电路，用于驱动发光功能层230进行发光显示。驱动电路层220包括在衬底210上依次层叠设置的半导体有源层221、第一绝缘层222、栅极金属层223、第二绝缘层224、源漏极层225、钝化层226、以及平坦化层227。半导体有源层221图案化形成薄膜晶体管的沟道，半导体有源层221的材料可以是氧化物半导体材料，例如氧化铟镓锌、氧化铟锡、氧化铟锌等，也可以是多晶硅材料或单晶硅材料。栅极金属层223图案化形成薄膜晶体管的栅极以及栅极扫描线，栅极金属层223的材料可以是金属钼、铝、铜、钛、铬、银或其混合物，栅极金属层223可以是单膜层结构，如单层金属铜、单层金属铝、单层金属铜等；可以是双和膜层结构，如铝/钼叠层结构、铝/钛叠层结构、铜/钛叠层结构；也可以是三膜层结构，如钼/铝/钼叠层结构、钛/铝/钛叠层结构、钛/铜/钛叠层结构等，在此不做特殊限定。源漏极层225图案化形成薄膜晶体管的源极和漏极、数据线以及电源线，源漏极层225的材料同栅极层的材料相类似。第一绝缘层222、第二绝缘层224、钝化层226用于隔绝金属层，其材料包括无机材料、有机材料、或其它合适的材料，其中无机材料包括但不限于氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；有机材料包括但不限于聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂或四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物。平坦化层227用于平坦化驱动电路层220，为发光功能层230的制备提供平坦的基底，平坦化层227的材料一般为有机物。
发光功能层230包括像素电极层231、像素定义层232、发光材料层233、以及公共电极层234。像素电极层231形成于平坦化层227上，图案化形成像素电极，用于向发光材料层233提供驱动电信号；像素定义层232形成于像素电极层231上，图案化形成像素区域；发光材料层232形成于像素定义层的像素区域内，用于在驱动电路的驱动下，根据发光材料的不同发光显示；公共电极层234，整面设置于像素定义层232和发光材料层233上，用于向发光材料层233提供公共电信号。
发光材料层233用于使OLED显示面板发光显示，其包括空穴传输层、电子传输层、以及位于空穴传输层和电子传输层之间的发光层，空穴传输层设置于像素电极层231和发光层之间，电子传输层设置于公共电极层234和发光层之间。为了能够提高电子和空穴注入发光材料层的效率，发光材料层233进一步还可以包括设置在公共电极层234与电子传输层之间的电子注入层，以及设置在空穴传输层与像素电极层231之间的空穴注入层。
空穴传输层为具备高的空穴迁移率、高的热稳定性和良好的电子和激子阻挡能力的材料。空穴传输层的材料一般为2TNATA、NPB、TAPC中的一种或几种，空穴传输层的厚度一般为40-150nm。电子传输层为具备高的电子迁移率、高的热稳定性和良好的空穴和激子阻挡能力的材料。电子传输层的材料为TPBi、BPhen、TmPyPB中的一种或几种，电子传输层的厚度一般为20-80nm。
发光层为有机半导体发光材料，包括红光、绿光、蓝光的发光分子，由红光发光层构成的发光材料层为红光材料层2331，由绿光发光层构成的发光材料层为绿光材料层2332，由蓝光发光层构成的发光材料层为蓝光材料层2333。
当向像素电极231和公共电极234加工作电压时，像素电极231中的空穴和公共电极234中的电子均注入到发光材料层中；空穴和电子在发光材料层中相遇，二者复合在一起形成电子-空穴对，并释放出能量；该能量以光的形式发出，经过发光材料层233中的不同发光分子而显示为不同颜色的光，并从发光功能层的两侧均匀的射出。
基于此，发光材料层233发出的光是一种双向光，即从发光材料层233的上方和下方均可发出光；在光线传输的过程中，若未遇到阻挡，光线便可直接从显示面板射出，若遇到阻挡例如不透明材料的电极，光线则会被该不透明材料的电极反射回去，而从OLED显示面板的另一方向射出。因此，根据像素电极231和公共电极234的材料的不同，OLED显示面板可以分为单面发光型显示面板和双面发光型显示面板。当像素电极231和公共电极234中的其中一个电极的材料为不透光导电材料时，显示面板为单面发光型显示面板；当像素电极231和公共电极234的材料均为透光导电材料时，显示面板为双面发光型显示面板。
其不透光导电材料包括镱(Yb)、钙(Ca)、镁(Mg)、银(Ag)中的一种或几种。其透光导电材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)、氧化铟锌(IndiumZinc Oxide，简称IZO)、氧化铝锡(Aluminum Tin Oxide，简称ATO)、氧化铝锌(Aluminum Zinc Oxide，简称AZO)、氧化铟镓锌(Indium Gallium ZincOxide，简称IGZO)、小于60埃的金属或合金等透明导电材料。
像素电极231、公共电极234和发光材料层233共同构成光学微腔，光学微腔是指至少在一个方向上腔的尺寸小至与谐振光波相比拟的光学微型谐振腔。发光材料层233发射出的光线，会以及不同角度和位置在微腔中发生相关干涉作用，通过设置一定腔长的光学微腔，便可以有选择性的增强一定波长范围的光线，同时削弱其余波长范围的光线，从而达到提高光耦合的效果。光学微腔的腔长可以根据不同结构进行调整，通过选择合适的腔长，使OLED器件的出光效率因干涉加强，光学微腔的腔长一般为300～900nm。
通过在发光材料层233上方，发光功能层230和封装层250之间设置光耦合层240，光耦合层240可以配合发光功能层230中形成的光学微腔结构，提高光的提取效率。光耦合层240包括第一耦合层241和第二耦合层242，第二耦合层242设置于第一耦合层241远离发光功能层230的一侧。第一耦合层241的折射率大于第二耦合层242的折射率。
第一耦合层241的折射率大于1.8。发光材料层233的材料均为有机物，有机物的折射率大致为1.6-1.7；公共电极层234为极薄的金属材料层，其折射率大致为1.8-2.0，第一耦合层241的折射率大于公共电极层234的折射率，高折射率的第一耦合层241增强了光线在微腔内的相关干涉效果，OLED显示面板的出光效果因干涉增强而提高。第一耦合层241可以是有机耦合层，有机耦合层的材料包括三(8-羟基喹啉)铝AlQ3、芳香胺类化合物和蒽类化合物中的至少一种；也可以是无机耦合层，无机耦合层的材料包括高折射率的五氧化二钽Ta2O5、二氧化钛TiO2、二氧化锆ZrO2、氧化锡SnO2、二氧化铈CeO2、五氧化二铌Nb2O5、氧化铬Cr2O3、硒化锌ZnSe、硫化锌ZnS、硫化钡BaS、氧化钆Gd2O3、钛酸钡BaTiO3、氧化钙CaO、氮化硼BN、ZnGe锗化锌中的一种或多种。第一耦合层241的厚度为30-120纳米。
封装层250，一般包括第一无机层、第二无机层、以及位于第一无机层和第二无机层之间的有机层。有机层的材料通常为聚乙酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机聚合物材料，用于提高OLED显示面板的柔韧性；第一无机层、第二无机层的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，用于隔绝OLED显示面板外的水氧，同时提高OLED显示面板的机械性能。
第二耦合层242的折射率为1.3-1.8，第二耦合层242的材料为无机材料，包括氟化锂LiF、氟化镁MgF2、氟化钇YF3、氟化镱YbF3、氟化钙CaF2、氟化铝AlF3、氟化钡BaF2、氟化钠NaF、一氧化硅SiO、氧化钇Y2O3、氧化铝Al2O3、氧化镁MgO、二氧化铪HfO2、氟化铅PbF2中的一种或多种。第一无机层、第二无机层的折射率低于第一耦合层241的折射率，一般为1.0-1.3，光线由光密物质射入光疏物质，会发生全发射现象。第二耦合层242的折射率大于封装层250的折射率，小于第一耦合层241的折射率，起到过度光线的作用，减小了光线在光耦合层240于封装层250处的全反射，提高了OLED显示面板的出光效果。另一方面，当第一耦合层241为有机耦合层时，第二耦合层242与封装层250接触，由于无机耦合层较有机耦合层稳定且致密，第二耦合层242同时起到保护第一耦合层241的作用，避免后续封装层250蒸镀过程中造成有机耦合层的热分解的问题，从而可以避免薄膜封装层的蒸镀对OLED的损伤，提高OLED显示面板的稳定性。
由于不同颜色的光的波长不同，为了获得最佳的出光效率，所需要的光耦合层240的厚度也不同，光耦合层240的最佳厚度与光线的波长正相关。第一耦合层241主要与光学微腔共同作用提高OLED显示面板的出光效率，可以采用一道制程工艺在红光材料层2331、绿光材料层2332、蓝光材料层2333的上方制备同样厚度的第一耦合层241，通过调节第二耦合层242的厚度来调节光耦合层240的厚度，从而使OLED显示面板获得更好的出光效率。
第二耦合层242包括第一耦合部2421、第二耦合部2422和第三耦合部2423，第一耦合部2421设置于红光材料层2331的上方，第二耦合部2422设置于绿光材料层2332的上方，第三耦合部2423设置于蓝光材料层2333的上方。
在一种实施例中，第三耦合部2423的厚度为D3，第一耦合部2421的厚度和第二耦合部2422的厚度为D2。在一种实施方案中，D3为OLED显示面板获得最佳蓝光出光效率时的厚度，D2为OLED显示面板获得最佳绿光出光效率时的厚度；D3为40-60纳米，D2为80-90纳米。在另一种实施方案中，D3为OLED显示面板获得最佳蓝光出光效率时的厚度，D2为OLED显示面板获得最佳红光出光效率时的厚度；D3为40-60纳米，D2为120-150纳米。
本实施例通过将第二耦合层242设置为两种不同的厚度，满足两种不同光线的最佳出光效率，提高了OLED显示面板的整体出光效率，提高了OLED显示面板的显示效果。
在另一种实施例中，第三耦合部2423的厚度和第二耦合部2422的厚度为D3，第一耦合部2421的厚度为D1。在一种实施方案中，D3为OLED显示面板获得最佳蓝光出光效率时的厚度，D1为OLED显示面板获得最佳红光出光效率时的厚度；D3为40-60纳米，D1为120-150纳米。在另一种实施方案中，D3为OLED显示面板获得最佳绿光出光效率时的厚度，D1为OLED显示面板获得最佳红光出光效率时的厚度。优选的，D3为80-90纳米，D1为120-150纳米。
本实施例通过将第二耦合层242设置为两种不同的厚度，满足两种不同光线的最佳出光效率，提高了OLED显示面板的整体出光效率，提高了OLED显示面板的显示效果。
在又一种实施例中，第三耦合部2423的厚度为D3，和第二耦合部2422的厚度为D2，第一耦合部2421的厚度为D1。D3为OLED显示面板获得最佳蓝光出光效率时的厚度，D2为OLED显示面板获得最佳绿光出光效率时的厚度，D1为OLED显示面板获得最佳红光出光效率时的厚度。优选的，D3为40-60纳米，D2为80-90纳米，D1为120-150纳米。
本实施例通过将第二耦合层242设置为三种不同的厚度，同时满足红、绿、蓝三种不同光线的最佳出光效率，提高了OLED显示面板的整体出光效率，提高了OLED显示面板的显示效果。
在一种实施例中，第一耦合部2421、第二耦合部2422、第三耦合部2423均为单层结构，分别为采用一道工艺制备得到。
在另一种实施例中，第一耦合部2421、第二耦合部2422、第三耦合部2423均包括第一耦合分层，第一耦合分层设置于第一耦合层远离发光功能层的一侧。第一耦合分层的厚度为OLED显示面板获得最佳蓝光出光效率时的厚度，或OLED显示面板获得最佳绿光出光效率时的厚度。
第一耦合部2421和第二耦合部2422还包括第二耦合分层，第二耦合分层设置于第一耦合分层远离第一耦合层241的一侧。当第一耦合分层的厚度为OLED显示面板获得最佳蓝光出光效率时的厚度，第二耦合分层的厚度为OLED显示面板获得最佳绿光出光效率时的厚度，或OLED显示面板获得最佳红光出光效率时的厚度；当第一耦合分层的厚度为OLED显示面板获得最佳绿光出光效率时的厚度，第二耦合分层的厚度为OLED显示面板获得最佳红光出光效率时的厚度。
进一步的，第一耦合部2421还包括第三耦合分层，第三耦合分层设置于第二耦合分层远离第一耦合分层的一侧。第一耦合分层的厚度为OLED显示面板获得最佳蓝光出光效率时的厚度，第二耦合分层的厚度为OLED显示面板获得最佳绿光出光效率时的厚度，第三耦合分层的厚度为OLED显示面板获得最佳红光出光效率时的厚度。
同时，本发明还提供一种OLED显示面板的制备方法，请参照图3，图3示出了本发明实施例提供的OLED显示面板的制备流程图，该制备方法包括：
步骤S301、提供衬底；
步骤S302、在衬底上制备驱动电路层；
步骤S303、在驱动电路层上制备发光功能层，发光功能层包括红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层；
步骤S304、在发光功能层上制备第一耦合层；
步骤S305、在第一耦合层上制备第二耦合层；第二耦合层包括第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，第一耦合部设置于红光材料层的上方，第二耦合部设置于绿光材料层的上方，第三耦合部设置于蓝光材料层的上方，其中，第一耦合部的厚度大于等于第二耦合部的厚度，第二耦合部的厚度大于等于第三耦合部的厚度，第一耦合部的厚度大于第三耦合部的厚度；
步骤S306、在光耦合层上制备封装层。
本实施例提供了一种OLED显示面板的制备方法，该制备方法通过在发光功能层上制备第一耦合层，在第一耦合层上制备分别对应于红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层的第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，且第一耦合部的厚度大于等于第二耦合部的厚度，第二耦合部的厚度大于等于第三耦合部的厚度，第一耦合部的厚度大于第三耦合部的厚度；使OLED显示面板同时达到至少两种不同光线的最佳出光效率，提高了OLED显示面板的整体出光效率，提高了OLED显示面板的显示效果。
在一种实施例中，步骤S305在第一耦合层上制备第二耦合层的步骤，包括：
在红光材料层的上方，第一耦合层上制备第一耦合部；
在绿光材料层的上方，第一耦合层上制备第二耦合部；
在蓝光材料层的上方，第一耦合层上制备第三耦合部。
在一种实施例中，步骤S305在第一耦合层上制备第二耦合层的步骤，包括：
在红光材料层、绿光材料层、蓝光材料层的上方，第一耦合层上制备第一耦合分层；
在红光材料层、绿光材料层的上方，第一耦合分层上制备第二耦合分层。
进一步的，在第一耦合层上制备第二耦合层的步骤，还包括：
在红光材料层的上方，第二耦合分层上制备第三耦合分层。
本发明还提供一种显示装置，显示装置包括本发明提供的任一OLED显示面板，OLED显示面板包括：
衬底；
驱动电路层，设置于衬底上；
发光功能层，设置于驱动电路层上，包括红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层；
光耦合层，设置于发光功能层上，包括第一耦合层和第二耦合层，第二耦合层设置于第一耦合层远离发光功能层的一侧；
封装层，设置于光耦合层上；
其中，第二耦合层包括第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，第一耦合部设置于红光材料层的上方，第二耦合部设置于绿光材料层的上方，第三耦合部设置于蓝光材料层的上方，第一耦合部的厚度大于等于第二耦合部的厚度，第二耦合部的厚度大于等于第三耦合部的厚度，第一耦合部的厚度大于第三耦合部的厚度。
本实施例提供了一种显示装置，显示装置包括本发明提供的OLED显示面板，通过在发光功能层上，分别对应于红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层的第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部存在至少两个的厚度不同；使OLED显示面板同时达到至少两种不同光线的最佳出光效率，提高了OLED显示面板的整体出光效率，提高了OLED显示面板的显示效果。
在一种实施例中，第一耦合部的厚度为120-150纳米。
在一种实施例中，第二耦合部的厚度为80-90纳米。
在一种实施例中，第二耦合部的厚度为40-60纳米。
在一种实施例中，第二耦合层的折射率小于第一耦合层的折射率。
在一种实施例中，所述第二耦合层的折射率为1.3-1.8。
在一种实施例中，第二耦合层的材料为无机材料。
在一种实施例中，第一耦合部、第二耦合部、第三耦合部均包括第一耦合分层，第一耦合分层设置于第一耦合层远离发光功能层的一侧；第一耦合部和第二耦合部还包括第二耦合分层，第二耦合分层设置于第一耦合分层远离第一耦合层的一侧。
在一种实施例中，第一耦合部还包括第三耦合分层，第三耦合分层设置于第二耦合分层远离第一耦合分层的一侧。
根据上述实施例可知：
本发明实施例提供了一种OLED显示面板及显示装置，该OLED显示面板包括：衬底；驱动电路层，设置于衬底上；发光功能层，设置于驱动电路层上，包括红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层；光耦合层，设置于发光功能层上，包括第一耦合层和第二耦合层，第二耦合层设置于第一耦合层远离发光功能层的一侧；封装层，设置于光耦合层上；其中，第二耦合层包括第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，第一耦合部设置于红光材料层的上方，第二耦合部设置于绿光材料层的上方，第三耦合部设置于蓝光材料层的上方，第一耦合部的厚度大于等于第二耦合部的厚度，第二耦合部的厚度大于等于第三耦合部的厚度，第一耦合部的厚度大于第三耦合部的厚度。使OLED显示面板同时达到至少两种不同光线的最佳出光效率，提高了OLED显示面板的整体出光效率，提高了OLED显示面板的显示效果。
综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
驱动电路层，设置于所述衬底上；
发光功能层，设置于所述驱动电路层上，包括红光材料层、绿光材料层和蓝光材料层；
光耦合层，设置于所述发光功能层上，包括第一耦合层和第二耦合层，所述第二耦合层设置于所述第一耦合层远离所述发光功能层的一侧；
封装层，设置于所述光耦合层上；
其中，所述第二耦合层包括第一耦合部、第二耦合部和第三耦合部，所述第一耦合部设置于所述红光材料层的上方，所述第二耦合部设置于所述绿光材料层的上方，所述第三耦合部设置于所述蓝光材料层的上方，所述第一耦合部的厚度大于等于所述第二耦合部的厚度，所述第二耦合部的厚度大于等于所述第三耦合部的厚度，所述第一耦合部的厚度大于所述第三耦合部的厚度。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一耦合部的厚度为120-150纳米。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二耦合部的厚度为80-90纳米。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第三耦合部的厚度为40-60纳米。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二耦合层的折射率小于所述第一耦合层的折射率。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二耦合层的折射率为1.3-1.8。
7.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二耦合层的材料为无机材料。
8.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一耦合部、所述第二耦合部、所述第三耦合部均包括第一耦合分层，所述第一耦合分层设置于所述第一耦合层远离所述发光功能层的一侧；所述第一耦合部和所述第二耦合部还包括第二耦合分层，所述第二耦合分层设置于所述第一耦合分层远离所述第一耦合层的一侧。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一耦合部还包括第三耦合分层，所述第三耦合分层设置于所述第二耦合分层远离所述第一耦合分层的一侧。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一所述的OLED显示面板。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113380146A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双面显示面板以及双面显示装置 |
| CN114203729A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 半成品oled显示面板、oled显示面板制备方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103000824A (zh) * | 2011-06-17 | 2013-03-27 | 通用显示公司 | 有机器件上的非共用盖帽层 |
| CN104766927A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管器件及其制备方法 |
| CN107154415A (zh) * | 2016-03-03 | 2017-09-12 | 上海和辉光电有限公司 | 一种oled显示装置 |
| CN107808934A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-03-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| CN108133948A (zh) * | 2016-12-01 | 2018-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及制作方法、显示面板、显示设备 |
| CN108417584A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-17 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN108630732A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-10-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN108666338A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-16 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
| CN109686864A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光装置、显示装置 |
| CN208806260U (zh) * | 2018-09-27 | 2019-04-30 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板以及柔性显示装置 |
| CN110212109A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-09-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
| CN110854176A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111129359A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜板组、oled面板及其制备方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101094287B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20140018548A (ko) * | 2012-08-02 | 2014-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광효율이 향상된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US8957579B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-02-17 | Universal Display Corporation | Low image sticking OLED display |
| KR102543330B1 (ko) * | 2015-02-25 | 2023-06-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| CN105280838B (zh) | 2015-09-22 | 2017-08-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled发光器件及显示装置 |
| KR102377032B1 (ko) * | 2015-10-31 | 2022-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN108431010B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-10-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 化合物、发光元件、显示装置、电子设备及照明装置 |
| JP6637594B2 (ja) * | 2016-05-02 | 2020-01-29 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| WO2017191526A1 (en) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| JP6653020B2 (ja) * | 2016-07-28 | 2020-02-26 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| KR20180047331A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| JP7056964B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2022-04-19 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 放射領域上に配置された導電性コーティングを含むデバイスおよびそのための方法 |
| US10330993B2 (en) * | 2016-12-23 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR20180076688A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20230117645A (ko) * | 2017-04-26 | 2023-08-08 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을포함하는 장치 |
| KR102597673B1 (ko) * | 2018-05-16 | 2023-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20200042582A (ko) * | 2018-10-15 | 2020-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| US11610874B2 (en) * | 2019-06-27 | 2023-03-21 | Intel Corporation | Micro light-emitting diode displays having hybrid inorganic-organic pixel structures |
| KR20210005364A (ko) * | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치 |
-
2020
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Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103000824A (zh) * | 2011-06-17 | 2013-03-27 | 通用显示公司 | 有机器件上的非共用盖帽层 |
| CN104766927A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管器件及其制备方法 |
| CN107154415A (zh) * | 2016-03-03 | 2017-09-12 | 上海和辉光电有限公司 | 一种oled显示装置 |
| CN108133948A (zh) * | 2016-12-01 | 2018-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及制作方法、显示面板、显示设备 |
| CN108666338A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-16 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
| CN107808934A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-03-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| CN108417584A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-17 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN108630732A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-10-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN208806260U (zh) * | 2018-09-27 | 2019-04-30 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板以及柔性显示装置 |
| CN109686864A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光装置、显示装置 |
| CN110212109A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-09-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
| CN110854176A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111129359A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜板组、oled面板及其制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113380146A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双面显示面板以及双面显示装置 |
| CN114203729A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 半成品oled显示面板、oled显示面板制备方法 |
| CN114203729B (zh) * | 2021-12-02 | 2023-10-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 半成品oled显示面板、oled显示面板制备方法 |
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