CN111640773B - 阵列基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种阵列基板及其制备方法，属于显示技术领域。该阵列基板的制备方法包括：在衬底基板的一侧依次形成驱动电路层、第一电极层、像素定义层、第一图案限定层和有机发光材料层，其中，驱动电路层包括第一驱动电路和第二驱动电路，第一电极层包括与第一驱动电路电连接的转接电极、与第二驱动电路电连接的像素电极，像素定义层设置有连接过孔，连接过孔暴露至少部分转接电极，第一图案限定层覆盖连接过孔；去除第一图案限定层后依次形成第二图案限定层和第二电极层，第二图案限定层环绕连接过孔，第二电极层包括隔离的公共电极和指纹识别电极。该阵列基板的制备方法使得自电容式指纹识别传感器内嵌至OLED显示面板。

Description

阵列基板及其制备方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
自电容式指纹识别传感器(self-capacitive finger-print sensor)具有精度高、抗噪性能好等特性。当手指接触指纹识别区域时，指纹中的脊与谷分别与指纹识别传感器形成不同的电容值，通过检测各个指纹识别传感器的检测信号，就可以组合成指纹的图案。OLED显示面板(有机电致发光显示面板)具有公共电极层，这使得自电容式指纹识别传感器难以内嵌至OLED显示面板中。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法，使得自电容式指纹识别传感器内嵌至OLED显示面板。
为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：
根据本公开的第一个方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一驱动电路和第二驱动电路；
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层，所述第一电极层包括与所述第一驱动电路电连接的转接电极、与所述第二驱动电路电连接的像素电极；
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，所述像素定义层设置有像素开口和连接过孔，所述像素开口暴露至少部分所述像素电极，所述连接过孔暴露至少部分所述转接电极；
在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一图案限定层，所述第一图案限定层覆盖所述连接过孔且暴露所述像素开口；
在所述第一图案限定层远离所述衬底基板的一侧形成有机发光材料层，所述有机发光材料层覆盖所述像素开口和所述第一图案限定层；
去除所述第一图案限定层，使得所述有机发光材料层形成有机发光层；
在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成环绕所述连接过孔的第二图案限定层；
在所述第二图案限定层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层，所述第二电极层包括被所述第二图案限定层隔离的公共电极和指纹识别电极。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一图案限定层包括：
在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一可移除基底材料层；
在所述第一可移除基底材料层远离所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶材料层；
对所述第一光刻胶材料层进行图案化操作以形成第一掩膜层，所述连接过孔在所述第一掩膜层上的正投影位于所述第一掩膜层内；
以所述第一掩膜层为掩膜，对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作以形成第一可移除基底层，所述第一可移除基底层和所述第一掩膜层组成所述第一图案限定层。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一可移除基底材料层包括：
使用第一基底材料，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一可移除基底材料层；其中，所述第一基底材料包含有第一氟化高分子材料；
对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作以形成第一可移除基底层包括：
使用第一剥离液对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作，以去除所述第一可移除基底材料层未被所述第一掩膜层覆盖的部分；其中，所述第一剥离液包含有第一氟化溶剂。
在本公开的一种示例性实施例中，对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作以形成第一可移除基底层还包括：
使用第一剥离液对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作时，去除所述第一可移除基底材料层被所述第一掩膜层覆盖的部分中的一部分。
在本公开的一种示例性实施例中，去除所述第一图案限定层包括：
使用第二剥离液去除所述第一可移除基底层进而去除所述第一掩膜层，所述第二剥离液包含有第二氟化溶剂。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成环绕所述连接过孔的第二图案限定层包括：
在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二可移除基底材料层；
在所述第二可移除基底材料层远离所述衬底基板的一侧形成第二光刻胶材料层；
对所述第二光刻胶材料层进行图案化操作以形成第二掩膜层，所述第二掩膜层在所述像素定义层上的正投影环绕所述连接过孔；
以所述第二掩膜层为掩膜，对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作以形成第二可移除基底层，所述第二可移除基底层和所述第二掩膜层组成所述第二图案限定层。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二可移除基底材料层包括：
使用第二基底材料，在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二可移除基底材料层；其中，所述第二基底材料包含有第二氟化高分子材料；
对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作以形成第二可移除基底层包括：
使用第三剥离液对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作，以去除所述第二可移除基底材料层未被所述第二掩膜层覆盖的部分；其中，所述第三剥离液包含有第三氟化溶剂。
在本公开的一种示例性实施例中，对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作以形成第二可移除基底层还包括：
使用第三剥离液对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作时，去除所述第二可移除基底材料层被所述第二掩膜层覆盖的部分中的一部分。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板的制备方法还包括：
去除所述第二图案限定层。
根据本公开的第二个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底基板；
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，包括第一驱动电路和第二驱动电路；
第一电极层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧，且包括与所述第一驱动电路电连接的转接电极、与所述第二驱动电路电连接的像素电极；
像素定义层，设于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧；所述像素电极层设置有暴露至少部分所述像素电极的像素窗口和暴露至少部分所述转接电极的连接过孔；
有机发光层，设于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，所述有机发光层覆盖所述像素电极被所述像素定义层暴露的部分，且暴露所述连接过孔；
第二电极层，设于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，包括相互绝缘的公共电极和指纹识别电极，其中，所述公共电极在所述第一电极层上的正投影覆盖所述像素电极被所述像素定义层暴露的部分，所述指纹识别电极覆盖所述连接过孔。
根据本公开提供的阵列基板的制备方法，可以形成与像素电极同层设置的转接电极，然后先通过第一图案限定层保护该转接电极再形成有机发光材料层，之后通过去除第一图案限定层而移除位于第一图案限定层上的有机发光材料并重新暴露转接电极。然后形成第二图案限定层再形成第二电极层，利用第二图案限定层将第二电极层分割为不连续的公共电极和指纹识别电极。如此，按照本公开提供的阵列基板的制备方法及所提供的阵列基板，可以实现对第二电极层的图案化，获得内嵌式自电容式阵列基板，克服了OLED显示面板无法实现自电容式指纹识别的缺陷。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是本公开一种实施方式的阵列基板的制备方法的流程示意图。
图2是本公开一种实施方式的提供衬底基板的结构示意图。
图3是本公开一种实施方式的形成驱动电路层的结构示意图。
图4是本公开一种实施方式的形成第一电极层的结构示意图。
图5是本公开一种实施方式的形成像素定义层的结构示意图。
图6是本公开一种实施方式的形成第一图案限定层的流程示意图。
图7是本公开一种实施方式的形成第一可移除基底材料层和第一光刻胶材料层的结构示意图。
图8是本公开一种实施方式的形成第一掩膜层的结构示意图。
图9是本公开一种实施方式的形成第一可移除基底层的结构示意图。
图10是本公开一种实施方式的形成有机发光材料层的结构示意图。
图11是本公开一种实施方式的去除第一图案限定层的结构示意图。
图12是本公开一种实施方式的形成第二图案限定层的流程示意图。
图13是本公开一种实施方式的形成第二可移除基底材料层和第二光刻胶材料层的结构示意图。
图14是本公开一种实施方式的形成第二掩膜层的结构示意图。
图15是本公开一种实施方式的形成第二可移除基底层的结构示意图。
图16是本公开一种实施方式的形成第二电极材料层的结构示意图。
图17是本公开一种实施方式的去除第二图案限定层的结构示意图。
图18是本公开一种实施方式的第二电极层的俯视结构示意图。
图19是本公开一种实施方式的形成薄膜封装层的结构示意图。
图20是本公开一种实施方式的指纹识别传感器的驱动电路的等效示意图。
图21是本公开一种实施方式的第一电极层的俯视结构示意图。
图22是本公开一种实施方式的第二电极层的俯视结构示意图。
图23是本公开一种实施方式的第二图案限定层的俯视结构示意图。
图中主要元件附图标记说明如下：
100、衬底基板；200、驱动电路层；201、有源层；202、栅极绝缘层；203、栅极层；204、层间电介质层；205、源漏金属层；206、平坦化层；210、第一驱动电路；211、开关晶体管；212、第一扫描引线；213、指纹识别引线；220、第二驱动电路；300、第一电极层；310、转接电极；311、转接子电极；320、像素电极；400、像素定义层；410、连接过孔；420、像素开口；500、有机发光层；5010、有机发光材料层；600、第二电极层；610、指纹识别电极；620、公共电极；630、环形窗口；6010、第二电极材料层；6011、牺牲电极；700、薄膜封装层；810、第一图案限定层；811、第一可移除基底材料层；812、第一光刻胶材料层；813、第一掩膜层；814、第一可移除基底层；820、第二图案限定层；821、第二可移除基底材料层；822、第二光刻胶材料层；823、第二掩膜层；824、第二可移除基底层；A、指纹识别传感器；B、有机电致发光器件。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本公开提供一种阵列基板的制备方法，如图1所示，该阵列基板的制备方法包括：
步骤S110，如图2所示，提供一衬底基板100；
步骤S120，如图3所示，在衬底基板100的一侧形成驱动电路层200，驱动电路层200包括第一驱动电路210和第二驱动电路220；其中，图3中示例性地使用一个晶体管表示第一驱动电路210，示例性地使用另一个晶体管表示第二驱动电路220；
步骤S130，如图4所示，在驱动电路层200远离衬底基板100的一侧形成第一电极层300，第一电极层300包括与第一驱动电路210电连接的转接电极310、与第二驱动电路220电连接的像素电极320；
步骤S140，如图5所示，在第一电极层300远离衬底基板100的一侧形成像素定义层400，像素定义层400设置有像素开口420和连接过孔410，像素开口420暴露至少部分像素电极320，连接过孔410暴露至少部分转接电极310；
步骤S150，如图9所示，在像素定义层400远离衬底基板100的一侧形成第一图案限定层810，第一图案限定层810覆盖连接过孔410且暴露像素开口420；
步骤S160，如图10所示，在第一图案限定层810远离衬底基板100的一侧形成有机发光材料层5010，有机发光材料层5010覆盖像素开口420和第一图案限定层810；
步骤S170，如图11所示，去除第一图案限定层810，使得有机发光材料层5010形成有机发光层500；
步骤S180，如图15所示，在像素定义层400远离衬底基板100的一侧形成环绕连接过孔410的第二图案限定层820；
步骤S190，如图17所示，在第二图案限定层820远离衬底基板100的一侧形成第二电极层600，第二电极层600包括被第二图案限定层820隔离的公共电极620和指纹识别电极610。
根据本公开提供的阵列基板的制备方法，可以形成与像素电极320同层设置的转接电极310，然后先通过第一图案限定层810保护该转接电极310再形成有机发光材料层5010，之后通过去除第一图案限定层810而移除位于第一图案限定层810上的有机发光材料并重新暴露转接电极310。然后形成第二图案限定层820再形成第二电极层600，利用第二图案限定层820将第二电极层600分割为不连续的公共电极620和指纹识别电极610。如此，按照本公开提供的制备方法，可以实现对第二电极层600的图案化，进而获得同层设置的公共电极620和指纹识别电极610，制备出内嵌式自电容式阵列基板，克服了OLED显示面板无法实现自电容式指纹识别的缺陷。
下面，结合附图对本公开提供的阵列基板的制备方法的原理、步骤和细节做进一步地解释和说明。
在步骤S110中，可以提供阵列基板的衬底基板100。衬底基板100可以为无机材料的衬底基板100，也可以为有机材料的衬底基板100。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板100的材料可以为钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板100的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinylalcohol，PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinyl phenol，PVP)、聚醚砜(Polyether sulfone，PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)或其组合。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板100也可以为柔性衬底基板100，例如衬底基板100的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，PI)。衬底基板100还可以为多层材料的复合，举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板100可以包括依次层叠设置的底膜层(Bottom Film)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。
在步骤S120中，如图3所示，可以在衬底基板100的一侧形成驱动电路层200，驱动电路层200包括第一驱动电路210和第二驱动电路220。
可选地，阵列基板包括多个第一驱动电路210和与各个第一驱动电路210一一对应连接的指纹识别传感器A，任意一个指纹识别传感器A包括转接电极310和连接于该转接电极310的指纹识别电极610。各个第一驱动电路210用于一一对应地驱动各自对应的指纹识别传感器A。
在本公开的一种实施方式中，多个第一驱动电路210及其连接的转接电极310阵列分布于阵列基板的显示区，如此，该阵列基板以及基于该阵列基板的显示面板可以实现全屏指纹识别。
在本公开的另一种实施方式中，阵列基板的显示区具有一指纹识别区域，多个第一驱动电路210及其连接的转接电极310阵列分布于阵列基板的指纹识别区域。如此，该阵列基板可以在指纹识别区域实现指纹识别。
在本公开的一种实施方式中，第一驱动电路210为无源驱动电路，例如第一驱动电路210可以为连接阵列基板的焊盘和转接电极310的引线。
在本公开的另一种实施方式中，第一驱动电路210可以为有源驱动电路。举例而言，如图20所示，第一驱动电路210可以包括一个开关晶体管211，该开关晶体管211的源极可以与指纹识别引线213连接；开关晶体管211的漏极可以与阵列基板的转接电极310连接，进而连接至指纹识别传感器A；开关晶体管211的栅极可以与阵列基板的第一扫描引线212连接。如此，当第一扫描引线212向开关晶体管211加载一有效扫描电压时，该开关晶体管211导通使得转接电极310与焊盘之间导通。优选地，各个第一驱动电路210的开关晶体管211沿行列方向阵列分布，同行设置的开关晶体管211的栅极连接于同一第一扫描引线212，同列设置的开关晶体管211的源极连接于同一指纹识别引线213。如此，可以通过逐行扫描的方式获取各个指纹识别传感器A的指纹识别信号。
可选地，第二驱动电路220的数量为多个且阵列分布于阵列基板的显示区，用于驱动阵列基板的有机电致发光器件B，有机电致发光器件B包括像素电极320、公共电极620以及位于像素电极320和公共电极620之间的有机发光层500。
在本公开的一种实施方式中，第二驱动电路220为无源驱动电路，例如第二驱动电路220可以为连接阵列基板的焊盘和像素电极320的引线。
在本公开的另一种实施方式中，第一驱动电路210可以为有源驱动电路。示例性地，第一驱动电路210可以包括一个数据写入晶体管、一个存储电容和一个驱动晶体管，数据写入晶体管的源极连接数据引线，数据写入晶体管的栅极连接第二扫描引线，数据写入晶体管的漏极连接存储电容的第一电极板和驱动晶体管的栅极，存储电容的第二电极板和驱动晶体管的源极连接电源引线，驱动晶体管的漏极连接像素电极320。可以理解的是，上述2T1C架构的驱动电路仅为第二驱动电路220的一种示例，在其他的情形下，第二驱动电路220还可以为其他的电路结构，例如可以采用5T1C架构、6T1C架构、7T1C架构、4T2C架构、5T2C架构等，本公开在此不一一详述。
可选地，驱动电路层200中的晶体管可以为薄膜晶体管。在膜层结构上，薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管或者底栅型薄膜晶体管，本公开对此不做限制。在薄膜晶体管材料上，薄膜晶体管可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或者有机半导体薄膜晶体管，本公开对此不做限制。在薄膜晶体管的导通条件上，薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管，本公开对此也不做限制。
如图3所示，驱动电路层200中，各个薄膜晶体管可以由有源层201、栅极绝缘层202、栅极层203、层间电介质层204、源漏金属层205等膜层形成。其中，有源层201可以包括薄膜晶体管的沟道区，栅极层203可以包括薄膜晶体管的栅极，源漏金属层205可以包括薄膜晶体管的源极和漏极。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层200可以包括依次层叠设置的有源层201、栅极绝缘层202、栅极层203、层间电介质层204和源漏金属层205，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，驱动电路层200可以包括依次层叠设置的栅极层203、栅极绝缘层202、有源层201、层间电介质层204和源漏金属层205，如此所形成的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。驱动电路层200还可以采用双栅极结构，即栅极层203可以包括第一栅极层203和第二栅极层203，栅极绝缘层202可以包括用于隔离有源层201和第一栅极层203的第一栅极绝缘层202，以及包括用于隔离第一栅极层203和第二栅极层203的第二栅极绝缘层202。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层200可以包括依次层叠设置于衬底基板100一侧的有源层201、第一栅极绝缘层202、第一栅极层203、第二栅极绝缘层202、第二栅极层203、层间电介质层204、源漏金属层205。
可选地，如图3所示，驱动电路层200还可以包括设于薄膜晶体管远离衬底基板100一侧的平坦化层206，以为第一电极层300提供平坦化表面。平坦化层206暴露第一驱动电路210的至少部分结构和第二驱动电路220的至少部分结构，以使得第一驱动电路210能够与转接电极310连接，以及使得第二驱动电路220能够与像素电极320连接。
优选地，平坦化层206暴露第一驱动电路210的开关晶体管211的漏极的至少部分区域，以及暴露第二驱动电路220的驱动晶体管的漏极的至少部分区域。
在步骤S130中，如图4所示，可以在驱动电路层200远离衬底基板100的一侧形成第一电极层300，第一电极层300包括与第一驱动电路210电连接的转接电极310、与第二驱动电路220电连接的像素电极320。
优选地，可以通过如下方法制备第一电极层300：在驱动电路层200远离衬底基板100的一侧形成第一电极材料层，然后对第一电极材料层进行图案化，形成阵列分布的转接电极310和阵列分布的像素电极320。
可选地，转接电极310可以位于相邻的两个像素电极320之间，也可以包括多个电连接的转接子电极，各个转接子电极位于不同的像素电极320之间。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，转接电极310可以位于相邻的两个像素之间，一个转接电极310可以连接一个指纹识别电极610而形成一个指纹识别传感器A。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，如图21和图22所示，转接电极310可以包括多个转接子电极311，各个转接子电极311相互电连接且通过同一金属化过孔与第一驱动电路210的开关晶体管211的漏极电连接；不同的转接子电极311可以位于不同的像素电极320之间，且每个转接子电极311与一个指纹识别电极610电连接。如此，一个指纹识别传感器A包括一个转接电极310和连接于该转接电极310上的多个指纹识别电极610，各个指纹识别电极610被公共电极620隔离且分别位于不同的像素电极320之间；由此，一个指纹识别传感器A的感应范围包括多个子像素范围，可以提高指纹识别传感器A中指纹识别电极610的总面积，进而提高指纹识别的精度，避免单个指纹识别电极610面积太小而导致驱动芯片无法识别指纹识别信号的问题。
在步骤S140中，如图5所示，可以在第一电极层300远离衬底基板100的一侧形成像素定义层400，像素定义层400设置有像素开口420和连接过孔410，像素开口420暴露至少部分像素电极320，连接过孔410暴露至少部分转接电极310。
在本公开的一种实施方式中，转接电极310包括多个转接子电极311，则每个转接子电极311可以对应设置有一个连接过孔410；换言之，像素定义层400可以具有多个连接过孔组，各个连接过孔组与各个转接电极310一一对应设置；一个连接过孔组包括多个连接过孔410，一个转接电极310包括多个相互电连接的转接子电极311；相对应设置的连接过孔组和转接电极310中，各个连接过孔410与各个转接子电极311一一对应设置，且连接过孔410暴露对应设置的转接子电极311。
在步骤S150中，可以在像素定义层400远离衬底基板100的一侧形成第一图案限定层810，第一图案限定层810覆盖连接过孔410且暴露像素开口420。
可选地，如图6所示，可以通过如下步骤S210～步骤S240所示的方法形成第一图案限定层810：
步骤S210，如图7所示，在像素定义层400远离衬底基板100的一侧形成第一可移除基底材料层811。
步骤S220，如图7所示，在第一可移除基底材料层811远离衬底基板100的一侧形成第一光刻胶材料层812；
步骤S230，如图8所示，对第一光刻胶材料层812进行图案化操作以形成第一掩膜层813，连接过孔410在第一掩膜层813上的正投影位于第一掩膜层813内；
步骤S240，如图9所示，以第一掩膜层813为掩膜，对第一可移除基底材料层811进行图案化操作以形成第一可移除基底层814，第一可移除基底层814和第一掩膜层813组成第一图案限定层810。
在步骤S210中，可以采用与第一光刻胶材料层812相“正交”的材料体系形成第一可移除基底材料层811，其中，“正交”指的是两种材料的图案化方法不同且互不影响。换言之，第一光刻胶材料层812的图案化操作不会导致第一可移除基底材料层811的变化，第一可移除基底材料层811的图案化操作不会导致第一掩膜层813的变化。进一步可选地，第一可移除基底材料层811选用与有机发光材料层5010的材料具有“正交”性的材料体系，即第一可移除基底层814的去除不会导致有机发光层500的损伤。
优选地，在步骤S210中，可以使用第一基底材料，在像素定义层400远离衬底基板100的一侧形成第一可移除基底材料层811；其中，第一基底材料包含有第一氟化高分子材料，因此其不会被光刻胶的显影液侵蚀或者显影。在步骤S240中，可以使用第一剥离液对第一可移除基底材料层811进行图案化操作，以去除第一可移除基底材料层811未被第一掩膜层813覆盖的部分；其中，第一剥离液包含有第一氟化溶剂，其不会导致第一掩膜层813腐蚀或者溶胀。
第一氟化溶剂可以优选氢氟醚类化合物，例如可以选自如下溶剂中的一种或者多种：甲基九氟丁基醚和甲基九氟异丁基醚(HFE-7100)的异构体混合物、乙基九氟丁基醚和乙基九氟异丁基醚(HFE-7200)的异构体混合物、3-乙氧基-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-十二氟-2-三氟甲基-己烷(HFE-7500)、1,1,1,2,3,3-六氟-4-(1,1,2,3,3,3-六氟丙氧基)-戊烷(HFE-7600)、1-甲氧基七氟丙烷(HFE-7000)、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-十氟-3-甲氧基-4-三氟甲基戊烷(HFE-7300)、1,2-(1,1,2,2-四氟乙氧基)乙烷(HFE-578E)、1,1,2,2-四氟乙基-1H,1H,5H-八氟戊基醚(HFE-6512)、1,1,2,2-四氟乙基-2,2,2-三氟乙基醚(HFE-347E)、1,1,2,2-四氟乙基-2,2,3,3-四氟丙基醚(HFE-458E)、2,3,3,4,4-五氟四氢-5-甲氧基-2,5-双[1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙基]-呋喃(HFE-770)、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟辛烷-丙醚(TE6O-C3)、F(CF2)5OCH3、F(CF2)6OCH3、F(CF2)7OCH3、F(CF2)8OCH2CH2CH3、F(CF2)2O(CF2)4OCH2CH3、F(CF2)3OCF(CF3)CF2OCH3、(CF3)2N(CF2)3OCH3、(C3F7)2N(CF2)3OC3H7。
在本公开的一种实施方式中，第一剥离液由第一氟化溶剂组成。
在步骤S240中，如图9所示，使用第一剥离液对第一可移除基底材料层811进行图案化操作时，还可以去除第一可移除基底材料层811被第一掩膜层813覆盖的部分中的一部分。换言之，在使用第一剥离液对第一可移除基底材料层811进行图案化操作时，第一剥离液还可以沿第一掩膜层813的边缘继续刻蚀被第一掩膜层813保护的第一可移除基底材料层811，使得第一可移除基底层814在第一掩膜层813上的正投影在第一掩膜层813内；即，第一图案限定层810可以呈T字型，第一掩膜层813的边缘得不到第一可移除基底层814的支撑。如此，如图10所示，在形成有机发光材料层5010时，有机发光材料层5010在第一图案限定层810的边缘处不连续，便于暴露并去除第一可移除基底层814，以便通过去除第一可移除基底层814的方式去除第一图案限定层810以及有机发光材料层5010位于第一图案限定层810上的部分，实现有机发光材料层5010的图案化。
在步骤S160中，如图10所示，可以在第一图案限定层810远离衬底基板100的一侧形成有机发光材料层5010，有机发光材料层5010覆盖像素开口420和第一图案限定层810。
可选地，有机发光层500可以包括如下子膜层中的一种或者多种：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电致发光层、电子传输层、电子注入层等，本公开对有机发光层500的膜层结构不做特殊的限制，以能够实现有机电致发光为准。
可选的，有机发光层500中的一些子膜层或者全部子膜层可以采用蒸镀方式制备，例如采用开放式掩膜或者精密金属掩膜蒸镀制备。当然的，有机发光层500中的一些子膜层也可以采用其他方式制备，例如采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂或者其他可行的工艺制备，本公开对此不做特殊的限制。
在步骤S170中，如图11所示，可以去除第一图案限定层810，进而去除有机发光材料层5010覆盖第一图案限定层810的部分，实现对有机发光材料层5010的图案化，剩余的有机发光材料层5010可以形成阵列基板的有机发光层500。如此，有机发光层500覆盖像素开口420而暴露连接过孔410。
可选地，可以使用第二剥离液去除第一可移除基底层814，进而去除第一掩膜层813以及有机发光材料层5010覆盖第一掩膜层813的部分，第二剥离液包含有第二氟化溶剂。第二剥离液可以溶解第一可移除基底层814或者使得第一可移除基底层814溶胀，且不溶解或者侵蚀有机发光层500，不会在去除第一图案限定层810的同时导致有机发光层500损伤，进而可以保证有机电致发光器件B的发光性能。
第二氟化溶剂可以优选氢氟醚类化合物，例如可以选自如下溶剂中的一种或者多种：甲基九氟丁基醚和甲基九氟异丁基醚(HFE-7100)的异构体混合物、乙基九氟丁基醚和乙基九氟异丁基醚(HFE-7200)的异构体混合物、3-乙氧基-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-十二氟-2-三氟甲基-己烷(HFE-7500)、1,1,1,2,3,3-六氟-4-(1,1,2,3,3,3-六氟丙氧基)-戊烷(HFE-7600)、1-甲氧基七氟丙烷(HFE-7000)、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-十氟-3-甲氧基-4-三氟甲基戊烷(HFE-7300)、1,2-(1,1,2,2-四氟乙氧基)乙烷(HFE-578E)、1,1,2,2-四氟乙基-1H,1H,5H-八氟戊基醚(HFE-6512)、1,1,2,2-四氟乙基-2,2,2-三氟乙基醚(HFE-347E)、1,1,2,2-四氟乙基-2,2,3,3-四氟丙基醚(HFE-458E)、2,3,3,4,4-五氟四氢-5-甲氧基-2,5-双[1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙基]-呋喃(HFE-770)、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟辛烷-丙醚(TE6O-C3)、F(CF2)5OCH3、F(CF2)6OCH3、F(CF2)7OCH3、F(CF2)8OCH2CH2CH3、F(CF2)2O(CF2)4OCH2CH3、F(CF2)3OCF(CF3)CF2OCH3、(CF3)2N(CF2)3OCH3、(C3F7)2N(CF2)3OC3H7。
在本公开的一种实施方式中，第二剥离液由第二氟化溶剂组成。
在步骤S180中，如图15和图23所示，在像素定义层400远离衬底基板100的一侧形成环绕连接过孔410的第二图案限定层820；第二图案限定层820用于分割第二电极层600。优选地，第二图案限定层820包括多个环形图案，任意一个环形图案环绕一个连接过孔410，且任意一个环形图案不覆盖任意一个连接过孔410或者像素开口420。换言之，第二图案限定层820在像素定义层400上的正投影，环绕各个连接过孔410且与任意一个像素开口420不交叠。
可选地，如图12所示，可以通过如下步骤S310～步骤S340所示的方法形成第一图案限定层810：
步骤S310，如图13所示，在有机发光层500远离衬底基板100的一侧形成第二可移除基底材料层821；
步骤S320，如图13所示，在第二可移除基底材料层821远离衬底基板100的一侧形成第二光刻胶材料层822；
步骤S330，如图14所示，对第二光刻胶材料层822进行图案化操作以形成第二掩膜层823，第二掩膜层823在像素定义层400上的正投影环绕连接过孔410；
步骤S340，以第二掩膜层823为掩膜，对第二可移除基底材料层821进行图案化操作以形成第二可移除基底层824，第二可移除基底层824和第二掩膜层823组成第二图案限定层820。
在步骤S310中，可以采用与第二光刻胶材料层822以及有机发光层500相“正交”的材料体系形成第二可移除基底材料层821。换言之，第二光刻胶材料层822的图案化操作不会导致第二可移除基底材料层821的变化，第二可移除基底材料层821的图案化操作不会导致第一掩膜层813和有机发光层500的变化。
优选地，在步骤S310中，可以使用第二基底材料，在有机发光层500远离衬底基板100的一侧形成第二可移除基底材料层821；其中，第二基底材料包含有第二氟化高分子材料，因此其不会被第二光刻胶材料层822的显影液侵蚀或者显影。在步骤S340中，可以使用第三剥离液对第二可移除基底材料层821进行图案化操作，以去除第二可移除基底材料层821未被第二掩膜层823覆盖的部分；其中，第三剥离液包含有第三氟化溶剂，其不会导致第二掩膜层823腐蚀或者溶胀，也不会导致有机发光层500腐蚀或者溶胀。
第三氟化溶剂可以优选氢氟醚类化合物，例如可以选自如下溶剂中的一种或者多种：甲基九氟丁基醚和甲基九氟异丁基醚(HFE-7100)的异构体混合物、乙基九氟丁基醚和乙基九氟异丁基醚(HFE-7200)的异构体混合物、3-乙氧基-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-十二氟-2-三氟甲基-己烷(HFE-7500)、1,1,1,2,3,3-六氟-4-(1,1,2,3,3,3-六氟丙氧基)-戊烷(HFE-7600)、1-甲氧基七氟丙烷(HFE-7000)、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-十氟-3-甲氧基-4-三氟甲基戊烷(HFE-7300)、1,2-(1,1,2,2-四氟乙氧基)乙烷(HFE-578E)、1,1,2,2-四氟乙基-1H,1H,5H-八氟戊基醚(HFE-6512)、1,1,2,2-四氟乙基-2,2,2-三氟乙基醚(HFE-347E)、1,1,2,2-四氟乙基-2,2,3,3-四氟丙基醚(HFE-458E)、2,3,3,4,4-五氟四氢-5-甲氧基-2,5-双[1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙基]-呋喃(HFE-770)、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟辛烷-丙醚(TE6O-C3)、F(CF2)5OCH3、F(CF2)6OCH3、F(CF2)7OCH3、F(CF2)8OCH2CH2CH3、F(CF2)2O(CF2)4OCH2CH3、F(CF2)3OCF(CF3)CF2OCH3、(CF3)2N(CF2)3OCH3、(C3F7)2N(CF2)3OC3H7。
在本公开的一种实施方式中，第三剥离液由第三氟化溶剂组成。
可以理解的是，第一氟化高分子材料和第二氟化高分子材料可以相同，也可以不相同，本公开对此不做特殊的限制。
可选的，在步骤S340中，如图15所示，在使用第三剥离液对第二可移除基底材料层821进行图案化操作时，还可以去除第二可移除基底材料层821被第二掩膜层823覆盖的部分中的一部分。换言之，在使用第三剥离液对第二可移除基底材料层821进行图案化操作时，第三剥离液还可以沿第二掩膜层823的边缘继续刻蚀被第二掩膜层823保护的第二可移除基底材料层821，使得第二可移除基底层824在第二掩膜层823上的正投影在第二掩膜层823内；即，第二图案限定层820的截面可以呈T字型，第二掩膜层823的边缘得不到第二可移除基底层824的支撑。如此，在形成第二电极层600时，如图16所示，可以在第二图案限定层820远离衬底基板100的一侧形成第二电极材料层6010，第二电极材料层6010在第二图案限定层820的边缘不连续，使得第二电极材料层6010被分割为与像素电极320连接的公共电极620、与转接电极310连接的指纹识别电极610和位于第二图案限定层820表面的牺牲电极6011，三种电极同层设置且相互隔离；公共电极620和指纹识别电极610形成阵列基板的第二电极层600。
可以理解的是，在制备的顺序上，可以在制备完成有机发光层500之后再制备第二图案限定层820，但是第二图案限定层820并不必然地位于有机发光层500的表面。在本公开的一种实施方式中，第二图案限定层820位于有机发光层500远离衬底基板100的表面。在此情形下，部分有机发光层500位于指纹识别电极610和像素定义层400之间，但是这部分有机发光层500不能形成电通路而发光，也不会影响指纹识别电极610和转接电极310之间的电连接。在本公开的另一种实施方式中，第二图案限定层820的一部分位于有机发光层500远离衬底基板100的表面，另外的一部分位于被有机发光层500暴露的像素定义层400的表面。在本公开的另一种实施方式中，第二图案限定层820位于被有机发光层500暴露的像素定义层400的表面。
在步骤S190中，可以在第二图案限定层820远离衬底基板100的一侧形成第二电极层600，第二电极层600包括被第二图案限定层820隔离的公共电极620和指纹识别电极610。
可选地，可以通过开放式掩膜蒸镀金属材料以形成第二电极材料层6010，第二电极材料层6010包括被第二图案限定层820隔离的指纹识别电极610和公共电极620，以及包括位于第二图案限定层820远离衬底基板100的表面的牺牲电极6011。在本公开的一种实施方式中，第二电极材料层6010为透明电极层，如此，公共电极620和指纹识别电极610均为透明电极。
可选地，本公开提供的阵列基板的制备方法还可以包括：
步骤S1100，如图17所示，去除第二图案限定层820。如此，在去除第二图案限定层820时，可以同时去除位于第二图案限定层820表面的牺牲电极6011，进而确保公共电极620和指纹识别电极610的隔离。如此，所形成的阵列基板中，如图18所示，第二电极层600具有多个环形窗口630，环形窗口630用于分割公共电极620和指纹识别电极610。
可选地，可以使用第四剥离液去除第二可移除基底层824，进而去除第二掩膜层823以及覆盖在第二掩膜层823表面的牺牲电极6011，第四剥离液包含有第四氟化溶剂。第四剥离液可以溶解第二可移除基底层824或者使得第二可移除基底层824溶胀，且不溶解或者侵蚀有机发光层500，也不溶解或者侵蚀第二电极层600，不会在去除第二图案限定层820的同时导致有机发光层500、公共电极620和指纹识别电极610损伤，进而可以保证有机电致发光器件B的发光性能，以及保证指纹识别传感器A的性能。
第四氟化溶剂可以优选氢氟醚类化合物，例如可以选自如下溶剂中的一种或者多种：甲基九氟丁基醚和甲基九氟异丁基醚(HFE-7100)的异构体混合物、乙基九氟丁基醚和乙基九氟异丁基醚(HFE-7200)的异构体混合物、3-乙氧基-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-十二氟-2-三氟甲基-己烷(HFE-7500)、1,1,1,2,3,3-六氟-4-(1,1,2,3,3,3-六氟丙氧基)-戊烷(HFE-7600)、1-甲氧基七氟丙烷(HFE-7000)、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-十氟-3-甲氧基-4-三氟甲基戊烷(HFE-7300)、1,2-(1,1,2,2-四氟乙氧基)乙烷(HFE-578E)、1,1,2,2-四氟乙基-1H,1H,5H-八氟戊基醚(HFE-6512)、1,1,2,2-四氟乙基-2,2,2-三氟乙基醚(HFE-347E)、1,1,2,2-四氟乙基-2,2,3,3-四氟丙基醚(HFE-458E)、2,3,3,4,4-五氟四氢-5-甲氧基-2,5-双[1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙基]-呋喃(HFE-770)、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟辛烷-丙醚(TE6O-C3)、F(CF2)5OCH3、F(CF2)6OCH3、F(CF2)7OCH3、F(CF2)8OCH2CH2CH3、F(CF2)2O(CF2)4OCH2CH3、F(CF2)3OCF(CF3)CF2OCH3、(CF3)2N(CF2)3OCH3、(C3F7)2N(CF2)3OC3H7。
在本公开的一种实施方式中，第四剥离液由第四氟化溶剂组成。
可以理解的是，第一剥离液、第二剥离液、第三剥离液和第四剥离液中的任意两个可以相同，也可以不相同，本公开对此不做限制。
可选地，如图19所示，本公开提供的阵列基板的制备方法还可以包括：
步骤S1110，在第二电极层600远离衬底基板100的表面形成薄膜封装层700，薄膜封装层700覆盖公共电极620和指纹识别电极610。如此，本公开的阵列基板的薄膜封装层700无需打孔，能够保证对有机发光层500的封装效果。
本公开还提供一种阵列基板，如图19所示，该阵列基板包括衬底基板100、驱动电路层200、第一电极层300、像素定义层400、有机发光层500和第二电极层600；其中，
驱动电路层200设于衬底基板100的一侧，包括第一驱动电路210和第二驱动电路220；第一电极层300设于驱动电路层200远离衬底基板100的一侧，且包括与第一驱动电路210电连接的转接电极310、与第二驱动电路220电连接的像素电极320；像素定义层400设于第一电极层300远离衬底基板100的一侧；像素电极320层设置有暴露至少部分像素电极320的像素窗口和暴露至少部分转接电极310的连接过孔410；有机发光层500设于像素定义层400远离衬底基板100的一侧，有机发光层500覆盖像素电极320被像素定义层400暴露的部分，且暴露连接过孔410；第二电极层600设于有机发光层500远离衬底基板100的一侧，包括相互绝缘的公共电极620和指纹识别电极610，其中，公共电极620在第一电极层300上的正投影覆盖像素电极320被像素定义层400暴露的部分，指纹识别电极610覆盖连接过孔410。
本公开提供的阵列基板可以通过上述阵列基板的制备方法实施方式所描述的任意一种阵列基板的制备方法进行制备，该阵列基板的有益效果和其他细节已经在上述阵列基板的制备方法实施方式中进行了详细描述，或者可以根据上述阵列基板的制备方法的描述而明确地推导出来，本公开在此不再赘述。
本公开实施方式还提供一种显示装置，该显示装置包括上述阵列基板实施方式所描述的任意一种阵列基板。该显示装置可以为手机屏幕、笔记本电脑屏幕、平板电脑或者其他类型的显示装置。由于该显示装置具有上述阵列基板实施方式所描述的任意一种阵列基板，因此具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。
应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一驱动电路和第二驱动电路；
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层，所述第一电极层包括与所述第一驱动电路电连接的转接电极、与所述第二驱动电路电连接的像素电极；
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，所述像素定义层设置有像素开口和连接过孔，所述像素开口暴露至少部分所述像素电极，所述连接过孔暴露至少部分所述转接电极；
在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一图案限定层，所述第一图案限定层覆盖所述连接过孔且暴露所述像素开口；
在所述第一图案限定层远离所述衬底基板的一侧形成有机发光材料层，所述有机发光材料层覆盖所述像素开口和所述第一图案限定层；
去除所述第一图案限定层，使得所述有机发光材料层形成有机发光层；
在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成环绕所述连接过孔的第二图案限定层；
在所述第二图案限定层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层，所述第二电极层包括被所述第二图案限定层隔离的公共电极和指纹识别电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一图案限定层包括：
在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一可移除基底材料层；
在所述第一可移除基底材料层远离所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶材料层；
对所述第一光刻胶材料层进行图案化操作以形成第一掩膜层，所述连接过孔在所述第一掩膜层上的正投影位于所述第一掩膜层内；
以所述第一掩膜层为掩膜，对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作以形成第一可移除基底层，所述第一可移除基底层和所述第一掩膜层组成所述第一图案限定层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一可移除基底材料层包括：
使用第一基底材料，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一可移除基底材料层；其中，所述第一基底材料包含有第一氟化高分子材料；
对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作以形成第一可移除基底层包括：
使用第一剥离液对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作，以去除所述第一可移除基底材料层未被所述第一掩膜层覆盖的部分；其中，所述第一剥离液包含有第一氟化溶剂。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作以形成第一可移除基底层还包括：
使用第一剥离液对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作时，去除所述第一可移除基底材料层被所述第一掩膜层覆盖的部分中的一部分。
5.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，去除所述第一图案限定层包括：
使用第二剥离液去除所述第一可移除基底层进而去除所述第一掩膜层，所述第二剥离液包含有第二氟化溶剂。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成环绕所述连接过孔的第二图案限定层包括：
在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二可移除基底材料层；
在所述第二可移除基底材料层远离所述衬底基板的一侧形成第二光刻胶材料层；
对所述第二光刻胶材料层进行图案化操作以形成第二掩膜层，所述第二掩膜层在所述像素定义层上的正投影环绕所述连接过孔；
以所述第二掩膜层为掩膜，对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作以形成第二可移除基底层，所述第二可移除基底层和所述第二掩膜层组成所述第二图案限定层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二可移除基底材料层包括：
使用第二基底材料，在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二可移除基底材料层；其中，所述第二基底材料包含有第二氟化高分子材料；
对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作以形成第二可移除基底层包括：
使用第三剥离液对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作，以去除所述第二可移除基底材料层未被所述第二掩膜层覆盖的部分；其中，所述第三剥离液包含有第三氟化溶剂。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作以形成第二可移除基底层还包括：
使用第三剥离液对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作时，去除所述第二可移除基底材料层被所述第二掩膜层覆盖的部分中的一部分。
9.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
去除所述第二图案限定层。
10.一种权利要求1～9任意一项所述的阵列基板的制备方法所制备的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板；
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，包括第一驱动电路和第二驱动电路；
第一电极层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧，且包括与所述第一驱动电路电连接的转接电极、与所述第二驱动电路电连接的像素电极；
像素定义层，设于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧；所述像素定义层设置有暴露至少部分所述像素电极的像素窗口和暴露至少部分所述转接电极的连接过孔；
有机发光层，设于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，所述有机发光层覆盖所述像素电极被所述像素定义层暴露的部分，且暴露所述连接过孔；
第二电极层，设于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，包括相互绝缘的公共电极和指纹识别电极，其中，所述公共电极在所述第一电极层上的正投影覆盖所述像素电极被所述像素定义层暴露的部分，所述指纹识别电极覆盖所述连接过孔。
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