CN111640686A - 晶圆检测方法及晶圆检测模组 - Google Patents
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Abstract
本发明揭露一种晶圆检测方法，该方法包括:提供一待测晶圆片，该待测晶圆片具有复数个光学微结构；在此待测晶圆片的背面，对选定的若干个区域逐个进行照光；在此待测晶圆片的正面，侦测光线透射所选定区域后的影像；分析该些影像以判断此待测晶圆片是否符合规范。以及可用于前述晶圆检测的晶圆检测模组，其包括:一待测晶圆片，该待测晶圆片具有复数个光学微结构；光源装置，设于待测晶圆片的背面，用于为待测晶圆片提供光源或照光；及感测机构，设于待测晶圆片的正面，用于对经所述光源装置光照后的区域拍摄影像。由此，通过前述晶圆检测模组及晶圆检测方法可在封装前对晶圆的合规性进行检测，方便快捷。
Description
技术领域
本发明涉及光电半导体领域的检测技术，尤其涉及一种利用于晶圆特性检测的检测方法及可用于晶圆特性检测的晶圆检测机构。
背景技术
常见的AI信息采集功能对视觉信息之”景深感测(深度感测)”方法有:1.双目法(利用相位差)2.DOE衍射光学元件(Diffractive Optical Elements，也称为结构光)3.TOF飞行时间质谱(time-of-flight)。DOE原理是投射出光斑(dot)图案，可以是数以万计的点。例如以DOE光照射时有3万个圆点投在脸上，平平的额头会有无形变正圆型的某面积大小光点，而侧脸庞就一个变形量的类似椭圆的某面积大小光点，利用这些信息就可以判断物体景深，从而推演它的立体外观结构。DOE法的缺点是距离远了，圆点会因过分发散而失真，判断准确性下降。TOF是利用光程差，光投射到立体结构物体时，会有反射，每个位置的反射光程量不同，于是通过反射接收的信息可以算出景深，此方法之缺点是近距离的误差大。
典型的DOE元件或TOF元件会利用垂直腔面发射激光器(Vertical CavitySurface Emitting Laser，简称为VCSEL)来制作。VCSEL是以砷化镓半导体材料为基础研制，为一种利用半导体制程制作的镭射二极管(Laser Diode)，其光束是从正面发射，而非传统的侧面发射，故称为面射型镭射(Surface-Emitting Laser)。VCSEL阵列可满足三维人脸数字化中结构光投影的广泛测量需求，也方便集成于手机等小型化设备中。
通过将具有光学结构的晶粒和VCSEL封装在一起，便可制作出所需的DOE元件或TOF元件。其中，所述的晶粒可透过在晶圆上制作光学结构并经过切割而获得。众所皆知，晶圆(wafer)指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片或基板)。由于是晶体材料，其形状为圆形，所以称为晶圆。根据衬底材料的不同，晶圆有不同命名、分类。在晶圆或晶片上可加工制作成各种电路元件结构或光学结构，使其成为有特定光电功能的产品。
一般在晶圆切割成晶粒后，会先进行封装，于封装完成后再对制成的DOE元件或TOF元件进行结构及光学或电气功能的检测、认定，以保证相关元件符合***的要求。在封装测试中发现光电性能不符合规定时需解封调整后再重新封装。因封装成本较高，此举会额外增加相关元件的整体制造成本。
因而，若能在封装前对晶圆上的晶粒进行光学检测，相比封装后再检测，可大大降低制造成本，并可即时对发现的缺陷、问题等进行改善。
因此，本发明的主要目的在于提供一种晶圆检测方法及可用于该晶圆检测的晶圆检测模组，以解决上述问题。
发明内容
本发明之目的在于提供一种晶圆检测方法，可在晶圆加工制成光学结构后，于切割、封装前对此晶圆及其上的晶粒进行检测，可降低半导体制造中的整体成本，提高半导体的制造效率。
为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种晶圆检测方法，该晶圆检测方法包括:提供一待测晶圆片，该待测晶圆片具有复数个光学微结构；于此待测晶圆片的背面，对选定的若干个区域逐个进行照光；于此待测晶圆片的正面，侦测光线透射所选定区域后的影像；且分析该些影像以判断此待测晶圆片是否符合规范。
进一步地，前述每一个选定的区域包括至少一个晶粒。
前述复数个光学微结构为衍射光学微结构、透镜结构或扩散结构。光学微结构是指具有特定光学功能的微小表面形状，如凹槽、凸起，球状突起等相同微结构阵列。在光的外加场的作用下其光学性质发生变化，从而起到开关、调制、隔断、偏振、汇聚、增亮、增大FOV，扩散，衍射的光学微结构。
该待测晶圆片为硅晶圆，所述的光学微结构为树脂材质。
前述所侦测影像为所述区域的辐照能量分布影像。
进一步地，前述若干个选定的区域包括位于该待测晶圆片中央位置的区域以及位于所述待测晶圆片边缘位置的区域。
前述中分析所述影像以判断所述待测晶圆片是否符合规范的步骤更包括:以标准辐照能量分布图或标准辐照能量数值取样点数值，设定一浮动范围数值，可为一预定的上下浮动范围数值；且将所述待测晶圆片中央位置的区域的影像以及位于所述待测晶圆片边缘位置的区域的影像，与所述设定的浮动范围数值进行比对，若各所述区域的影像对比值在所述设定的范围数值内则判定其符合规定，若各所述区域的影像对比值超出了所述设定的浮动范围数值则判定其不符合规范。
为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种晶圆检测模组，可用于一晶圆检测方法，该晶圆检测模组包括:待测晶圆片，其具有复数个光学微结构；光源装置，设置于该待测晶圆片的背面，用于为该待测晶圆片提供光源或照光；及感测机构，设置于该待测晶圆片的正面，用于对经光源装置光照后的该待测晶圆片拍摄影像。
前述光源装置为垂直腔面发射激光器(VCSEL)或边发射激光器(EEL)，波长范围至少覆盖760-1100nm波段。
前述感测机构可以是包括一摄像装置，所述摄像装置对光照后的该待测晶圆片拍摄影像。
前述感测机构可以是包括一摄像装置和一屏幕，光源装置发出的光照射该待测晶圆片后投射于该屏幕上，摄像装置拍摄该屏幕上的影像并储存。
因此，利用本发明所提供一种晶圆检测方法及可用于该晶圆检测的晶圆检测模组，可在封装前对晶圆的合规性进行检测，方便、快捷，进而降低光电元件的生产制造成本。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下列举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，并非用于限定本发明的实施方式仅限于此，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图衍生而获得其他的附图。
所述附图包括：
图1是本发明晶圆检测方法一实施例的流程图；
图2是本发明晶圆检测方法中选取检测区域的示意图；
图3是本发明晶圆检测方法另一实施例的流程图；
图4是本发明晶圆检测方法中选取检测晶粒的示意图；
图5A、5B、5C是本发明晶圆检测模组不同结构的示意图；
图5是本发明中待测晶圆片的简示图；以及
图7是图6中的局部放大图。
附图标注：S01～S04、S11～S12-步骤 10-晶圆检测模组 12-待测晶圆片 12A-中央位置的区域 12B-边缘位置的区域 A-中心点晶粒 a-周边晶粒 1202-晶粒 1204-光学微结构 14-光源装置 16-感测机构 1602、1606、1608-摄像装置 1604-屏幕
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸的连接，或一体成型的连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
请参阅图1，图1是本发明晶圆检测方法一实施例的流程图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种晶圆检测方法，该晶圆检测方法包括以下步骤:
步骤一(S01):提供一待测晶圆片(wafer)，该待测晶圆片具有复数个光学微结构。该待测晶圆片上的光学微结构可有若干种设置方式。如，该待测晶圆片上直接制设有复数个光学微结构。或者，该待测晶圆片具有复数个晶粒，且每一个晶粒具有复数个光学微结构。或者，该待测晶圆片上的晶粒是对晶圆片切割后的晶粒(die)，且每一个晶粒具有复数个光学微结构。晶圆片上的晶粒数量为数以万计个，每个晶粒上压印有复数个光学微结构。
光学微结构的定义为非平面，包括球状突起、柱状、或非对称立体结构。光学微结构单独个体或某一区域具有相同结构特性或光学输出特征。外形尺寸在50nm-2mm,长度、宽度、高度在50nm-2mm以内。
步骤二(S02):于此待测晶圆片的背面，对若干个选定的区域逐个进行照光。在此步骤中，选定区域较为简便的操作方法可为：选取待测晶圆片靠近中心(或中央)位置的区域，以此中心位置的区域为圆心、以一预设的范围为半径在晶圆片上画圆，在所画的圆上以等角度选取该圆周上所对应于待测晶圆片上不同边缘位置的区域。通常在制作中晶圆片中心位置的区域光学微结构特性较符合预期，晶圆片外周上制作的光学微结构特性则较易产生偏差。因此，在晶圆片检测时可选取晶圆片中心位置的区域与晶圆片外周上制作的光学微结构进行检测以确认该待测晶圆片上的各个光学微结构特性保持一致，符合既定的规范或要求。
具体地，参见图2，图2是本发明晶圆检测方法中选取检测区域的示意图。在图示中，在待测晶圆片12上先选定一待检测的中央位置的区域12A，以此选定的中央位置的区域12A为圆心、以一预设的范围为半径在该待测晶圆片12上画圆(虚拟画圆)，在所画的圆上以等角度选取该圆周上所对应于待测晶圆片12上不同边缘位置的区域12B。除了此种虚拟画圆法外，还可用其它可行的方法或规则在该待测晶圆片12上选取待检测的中央位置的区域12A及边缘位置的区域12B。如图2，在此示例中，于待测晶圆片12上的中心位置处选取待检测的中央位置的区域12A，以选定的中央位置的区域12A为中心坐标位置，以一定的方式在待测晶圆片12上的上、下、左、右及对角线位置选取待检测的边缘位置的区域12B。图中选定的中央位置的区域12A为一个，选定的边缘位置的区域12B为八个。
步骤三(S03):于此待测晶圆片的正面，侦测光线透射所选定区域后的影像。此步骤中侦测的影像为前一步骤中所选定区域的辐照能量分布影像。结合图2，在此步骤中，在待测晶圆片12的正面，逐一侦测光线透射所选定的中央位置的区域12A及八个选定的边缘位置的区域12B后的影响。
步骤四(S04):分析该些影像以判断此待测晶圆片是否符合规范。例如，将晶圆片中心点与外周的区域在照光后的辐照能量分布影像，以对应于该区域的标准辐照能量分布图或标准辐照能量分布取样点数值为判断标准进行对比分析。
请参阅图3，图3是本发明晶圆检测方法另一实施例的流程图。进一步地，前述晶圆检测方法中若干个选定的区域至少包括位于该待测晶圆片中央位置的区域以及位于所述待测晶圆片边缘位置的区域，“分析该些影像以判断该待测晶圆片是否符合规范”更包括以下步骤:
步骤一(S11)：以标准辐照能量分布图或标准辐照能量数值取样点数值，设定一浮动范围数值，可为一预定的上下浮动范围数值；
步骤二(S12)：将该待测晶圆片中央位置的区域的影像以及位于该待测晶圆片边缘位置的区域的影像，与前述标准辐照能量分布图或标准辐照能量数值取样点数值进行比对，前述各选定区域影像的对比值若在设定的浮动范围数值内则判定其符合规定，若对比值超出了设定的浮动范围数值则判定其不符合规范。
本示例晶圆检测方法中复数个光学微结构可为衍射光学微结构、透镜结构或扩散结构。其中，具有衍射光学微结构的晶粒可应用于DOE元件的制作，具有扩散光学微结构的晶粒可应用于TOF元件的制作。光学微结构是指具有特定光学功能的微小表面形状，如凹槽、凸起，球状突起等相同微结构阵列。在光的外加场的作用下其光学性质发生变化，从而起到开关、调制、隔断、偏振、汇聚、增亮、增大FOV，扩散，衍射的光学微结构。
要特别指出的是，在本发明中，待测晶圆片上亦可划分出复数个晶粒，且每一个晶粒具有复数个光学微结构。在对晶圆片进行照光测试时，复数个晶粒可以是尚未切割或已切割完毕的状态。切割后的晶粒是复数个彼此独立分离的颗粒，然而由于切割时整张晶圆片是粘附在一整张贴膜纸上，所以已切割好的晶粒并没有从整个晶圆上脱落或分离，可沿用本发明中前述的检测方法。照光时可按照预定的检测数量及检测位置，对该选定区域逐个照射。亦即，晶圆片及切割后所选区域的相对位置并未改变，只是切割后所选区域内的各个晶粒为相对独立的个体。
进一步地，当待测晶圆片上划分了复数个晶粒时，每一个所述选取区域包括至少一个晶粒。具体地，参见图4，图4是本发明晶圆检测方法中选取检测晶粒的示意图，图中每个所述选取区域由一个晶粒数构成。在进行照光测试时，晶粒为切割后的状态或未切割的状态。本示例中，在待测晶圆片12上所选定的若干个区域为该待测晶圆片上的晶粒，该晶粒具有光学微结构。在待测晶圆片12选取检测晶粒时，预先选取该待测晶圆片12上的中心晶粒A,以中心晶粒A为圆心、以一定半径进行虚拟画圆，然后在所画的虚拟圆周上选取若干个周边晶粒(晶圆片外周区域上的晶粒)。图4中所示在该待测晶圆片12上所选取的周边晶粒a为八个，即图4所示选取的周边晶粒a以所选的中心晶粒为A圆心所作圆周上间隔45°进行选定。
晶圆(也称“衬底或基板”)材料有硅、锗、GaAs、InP、GaN等。在本示例中，待测晶圆片(wafer)为硅晶圆，其主要成分为SiO2。待测晶圆片可以是玻璃材质，实际中多采用肖特玻璃。待测晶圆片也可是树脂基材，其能符合预定的光学特性即可。晶圆片所具有的光学微结构可为树脂材质。所述树脂材料可为环氧树脂、聚碳酸酯(PC)、聚二甲基硅氧烷(PDMS，polydimethylsiloxane)等。该些树脂材料具有该待测晶圆片所需的光学特性即可。
请结合图6及图7参见图5A、5B和图5C，图5A、5B、5C是本发明晶圆检测模组不同结构的示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种晶圆检测模组10，可用于前述的晶圆检测中，该晶圆检测模组10包括:待测晶圆片12，待测晶圆片12上具有复数个光学微结构1204；光源装置14，其设置于待测晶圆片12的背面，用于为待测晶圆片12提供光源或照光；及感测机构16，设置于待测晶圆片12的正面，用于对经光源装置14光照后的晶粒1202拍摄影像。待测晶圆片12上包括复数个晶粒1202，且每一个晶粒具有复数个光学微结构1204。
其中，光源装置14为垂直腔面发射激光器(VCSEL)或边发射激光器(EEL)。光源装置14可发射激光(镭射光)、红外光等。光源装置14所发出光的波长范围最小可为紫外线波段，最长可为远红外线波段。在本发明中，光源装置14所发出光的波长范围至少要覆盖760-1100nm波段。
本示例中复数个光学微结构1204可为衍射光学微结构、透镜结构或扩散结构。其中，具有衍射光学微结构的晶粒可应用于DOE，具有扩散光学微结构的晶粒可应用于TOF。光学微结构是指具有特定光学功能的微小表面形状，如凹槽、凸起，球状突起等相同微结构阵列。在光的外加场的作用下其光学性质发生变化，从而起到开关、调制、隔断、偏振、汇聚、增亮、增大FOV，扩散，衍射的光学微结构。
如图5A所示，感测机构16更包括一摄像装置1602和一屏幕1604，光源装置14发出的光照射晶粒后投射于屏幕1604上，摄像装置1602拍摄屏幕1604上的影像并储存。屏幕1604可为一投影屏，经光源装置14光照后的晶粒1202在屏幕1604上进行投射影像，利用摄像装置1602对此投射影像进行拍摄。当待测晶圆片12上晶粒1202之光学微结构为扩散结构时，如TOF元件，经光源装置14光照后的晶粒1202在屏幕1604上反射后投射至摄像装置1602并经摄像装置1602对投射于此的影像进行拍摄并储存。
如图5B所示，感测机构16更包括一摄像装置1606，摄像装置1606对光照后的晶粒拍摄影像。经光源装置14光照后的晶粒1202的光在摄像装置1606上直接投影成像并经由摄像装置1606对此影像进行拍摄及储存。
如图5C所示，感测机构16更包括一摄像装置1608，摄像装置1608对光照后的晶粒拍摄影像。经光源装置14光照后的晶粒1202的光在摄像装置1608上直接投影成像并经由摄像装置1608对此影像进行拍摄及储存。与图5B相对比，图5C所示示例中，待测晶圆片12的位置为固定不变，光源装置14朝向远离待测晶圆片12的一端移动一定的距离，同时感测机构16朝向靠近待测晶圆片12的一端移动一定的距离，以近距离对待测晶圆片12进行检测。不过，在对待测晶圆片12上的晶粒光学结构进行检测时，光源装置14、待测晶圆片12与感测机构16之间的位置移动式相对的，其主要目的是能更好地保证检测结果的准确性。
摄像装置为热成像摄像机、红外相机、CCD摄像机、微型投影机中之一，或者是其它可进行能量分布拍摄的摄像装置。根据实际情况，图5A、5B与图5C所示中的摄像装置1602、1606、1608可为同一种，亦可为不同种类。
结合前述内容，运用本发明中的晶圆检测模组10对待测晶圆片12进行检测时操作如下：取一待测晶圆片12，其上包括几片至几万片不等的晶粒1202，每个晶粒上具有数量不等的光学微结构。本发明中，在此待测晶圆片12上选取若干个包括了至少一个晶粒的区域进行其光学结构特性检测。在本示例中，所选取的区域包括该待测晶圆片的中心位置的至少一个晶粒，以此选定的晶粒为圆心、以一定的数值为半径进行虚拟做圆，选取位于该圆周上等角度的4-6个区域(实际中数量可以更多)中的晶粒且这些选取的晶粒同时处于该待测晶圆片12的边缘位置，如图2或图4所示。
实际的检测中，在待检测晶圆片上以中心点为圆心、以一定的半径和等角距离进行选定检测的区域与晶粒时，根据待检测晶圆片的大小、待检测晶圆片上的晶粒数量不同、抽样检验标准的不同，所设定的半径及等角大小可适应性调整，以获得有效的检测抽样数量和精确度高的检测结果。
待测晶圆片12在固设于一位置后，将一光源装置14置于此待测晶圆片12的背面及一感测机构16置于此待测晶圆片12的正面。光源装置14经由一承载机构(图中未示)进行固定，并可通过该承载机构进行移动。用该光源装置14逐一对所选取的若干个区域的晶粒进行照光，所选取的区域经光照后在感测机构16中形成一影像，并通过该感测机构16对形成的影像进行拍摄。分析所拍摄的影像以判断此待测晶圆片是否符合规范。所拍摄的影像为晶粒的辐照能量分布。在对晶圆片进行检测的过程中，为达到较好的检测结果，视实际情况或需求不同，待测晶圆片12、光源装置14和感测机构16可相对移动。
再次参阅图4、图5A、图5B及图5C做进一步说明。如图4，本发明一示例中所选取的待测晶粒共为九个，包括一个中心点晶粒A和八个周边(外周)晶粒a。在图5A所示示例中，待测晶圆片12与感测机构16(其包括一摄像装置1602和一屏幕1604)的位置保持不动，通过承载机构对光源装置14进行移动以逐一对所选取的九个待测晶粒进行光照并在屏幕1604或摄像装置1602上进行成像，通过摄像装置1602拍摄所选晶粒对应的影像，分析所拍摄的影像以确认待检测晶圆片12是否符合要求。
在图5B所示示例中，此时感测机构16为一摄像装置1606，摄像装置1606与待测晶圆片12的距离相对较远，此距离不影响摄像装置对选定晶粒影像的拍摄效果。待测晶圆片12与摄像装置1606的位置保持不动，通过承载机构对光源装置14进行移动以逐一对所选取的九个待测晶粒进行光照并在摄像装置1606上进行成像，通过摄像装置1606拍摄所选晶粒对应的影像，分析所拍摄的影像以确认待检测晶圆片12是否符合要求。
在图5C所示示例中，此时感测机构16为一摄像装置1608，摄像装置1608与待测晶圆片12的距离相对较近，此距离可能会影响摄像装置对选定晶粒影像的拍摄效果。相比于图5B，此中情况下，保持待测晶圆片12位置固定不动，通过承载机构对光源装置14进行移动以逐一对所选取的九个待测晶粒进行光照并在摄像装置1608上进行成像，通过摄像装置1608拍摄所选晶粒对应的影像时可根据实际的拍摄效果同时移动摄像装置1608的位置，而后，分析所拍摄的影像以确认待检测晶圆片12是否符合要求。
综上所述，利用本发明所提供一种晶圆检测方法及可用于该晶圆检测的晶圆检测模组，可在封装前对晶圆的合规性进行检测，方便、快捷，进而降低集成电路的生产制造成本。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (11)
1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述晶圆检测方法包括:
提供一待测晶圆片，所述待测晶圆片具有复数个光学微结构；
于所述待测晶圆片的背面，选定若干个区域并逐个进行照光；
于所述待测晶圆片的正面，侦测光线透射所述区域后的影像；以及
分析所述影像以判断所述待测晶圆片是否符合规范。
2.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，每一个所述区域包括至少一个晶粒。
3.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述复数个光学微结构为衍射光学微结构、透镜结构或扩散结构。
4.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述待测晶圆片为硅晶圆，所述光学微结构为树脂材质。
5.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述影像为所述区域的辐照能量分布影像。
6.如权利要求5所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述若干个选定的所述区域包括位于所述待测晶圆片中央位置的区域以及位于所述待测晶圆片边缘位置的区域。
7.如权利要求6所述的晶圆检测方法，其特征在于，其中分析所述影像以判断所述待测晶圆片是否符合规范的步骤更包括:
以标准辐照能量分布图或标准辐照能量数值取样点数值，设定一浮动范围数值；且
将所述待测晶圆片中央位置的区域的影像以及位于所述待测晶圆片边缘位置的区域的影像，与所述设定的浮动范围数值进行比对，若各所述区域的影像对比值在所述设定的浮动范围数值内则判定其符合规定，若各所述区域的影像对比值超出了所述设定的浮动范围数值则判定其不符合规范。
8.一种晶圆检测模组，可用于一晶圆检测方法中，其特征在于，所述晶圆检测模组包括:
待测晶圆片，所述待测晶圆片具有复数个光学微结构；
光源装置，设置于所述待测晶圆片的背面，用于为所述待测晶圆片提供光源或照光；及
感测机构，设置于所述待测晶圆片的正面，用于对经所述光源装置光照后的所述待测晶圆片拍摄影像。
9.如权利要求8所述的晶圆检测模组，其特征在于，所述光源装置为垂直腔面发射激光器(VCSEL)或边发射激光器(EEL)，波长范围至少覆盖760-1100nm波段。
10.如权利要求8所述的晶圆检测模组，其特征在于，所述感测机构更包括一摄像装置，所述摄像装置对光照后的所述待测晶圆片拍摄影像。
11.如权利要求8所述的晶圆检测模组，其特征在于，所述感测机构更包括一摄像装置和一屏幕，所述光源装置发出的光照射所述待测晶圆片后投射于所述屏幕上，所述摄像装置拍摄所述屏幕上的影像并储存。
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