CN111628729B - 一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，包括：可重构放大器单元、增益切换单元、输出驱动单元，增益切换单元，用于根据第一开关信号、第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行增益切；可重构放大器单元，用于根据第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行自适应调节；输出驱动单元，用于将可重构放大器单元与增益切换单元的输出进一步驱动，并从信号输出端输出。本发明采用了一种新型跨阻放大器结构，通过增益切换单元的增益切换，同时可重构放大器单元的自适应电路拓扑结构，从而提供不同增益状态下的稳定性调节能力，并且提供高带宽输出能力，通过单一结构实现跨阻放大器的大线性动态范围、高带宽和低功耗。

Description

一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器

技术领域

本发明属于激光雷达光信号接收机***技术领域，具体涉及一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器。

背景技术

随着科技的发展，人们的生活场景日趋自动化、智能化，智能的无人控制设备不断地出现，雷达作为机器人的眼睛，能够帮助机器人获取周围环境信息，例如进行障碍物定位、距离探测，并且能够引导机器人自助行进、主动避障等，是机器人实现高级智能行为的基础和先决条件。因此，雷达在智能机器人、无人驾驶领域具有非常重要的市场价值。

现在无人控制设备搭载最多的探测设备是基于摄像头和毫米波雷达的传感网络，其优点是价格便宜，技术成熟度高，但其缺点也很明显，那就是无法实现高精度的三维图像探测，使得无人设备对于微小物体以及快速移动物体的探测精度较差，必须通过人工修正来完成。而且，摄像头对环境光的要求也很高。与传统的光学摄像头相比，激光雷达具有解析度高、抗有源干扰能力强、探测可靠度高、不受光线影响、测速范围大等优点，而且可以实时的探测出周围环境的三维图像，使无人控制设备具有一双明亮的“眼睛”，使机器人拥有智慧的眼睛。激光雷达接收机对激光雷达***的性能具有决定性的作用，大动态范围和高带宽是激光雷达接收机前端电路的重要性能指标。目前提升动态范围和宽度的方法包括基于增益切换方式的动态范围提升方法，通过增益切换控制进行实现大动态范围。

但是，基于增益切换方式的动态范围提升方法，通常难以保证电路的稳定性，并且为了满足大电流驱动能力，静态功耗往往比较高。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器。

本发明的一个实施例提供了一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，该大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器包括：

可重构放大器单元、增益切换单元和输出驱动单元，其中，

所述增益切换单元，连接信号输入端I_IN，用于根据第一开关信号、第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行增益切换；

所述可重构放大器单元，连接所述信号输入端I_IN，用于根据所述第二开关信号、所述第三开关信号对所述输入信号进行自适应调节；

所述输出驱动单元，连接所述可重构放大器单元、增益切换单元，用于对所述可重构放大器单元与所述增益切换单元的输出信号进一步驱动，并从信号输出端V_OUT输出。

在本发明的一个实施例中，所述增益切换单元包括电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃、电容C₂、电容C₃、MOS管M_S1、MOS管M_S2和MOS管M_S3，其中，

所述信号输入端I_IN与所述电阻R₁的一端、所述电阻R₂的一端、所述电阻R₃的一端、电容C₂的一端、电容C₃的一端连接，所述电阻R₁的另一端与所述MOS管M_S1的源极连接，所述MOS管M_S1的栅极与第一开关信号输入端SW1连接，所述MOS管M_S1的漏极与所述可重构放大器单元连接，所述电阻R₂的另一端与所述电容C₂的另一端、所述MOS管M_S2的源极连接，所述MOS管M_S2的栅极与第二开关信号输入端SW2连接，所述MOS管M_S2的漏极与所述可重构放大器单元连接，所述电阻R₃的另一端与所述电容C₃的另一端、所述MOS管M_S3的源极连接，所述MOS管M_S3的栅极与第三开关信号输入端SW3连接，所述MOS管M_S3的漏极与所述可重构放大器单元连接。

在本发明的一个实施例中，所述可重构放大器单元包括MOS管M₁～MOS管M₅、MOS管M_N1、MOS管M_N2、MOS管M_S0、电阻R₀、静态电流调节单元和前馈单元，其中，

所述信号输入端I_IN与所述MOS管M₂的栅极、所述MOS管M₁的栅极、所述前馈单元连接，所述MOS管M₂的漏极与所述MOS管M₁的漏极、所述MOS管M_N1的栅极、所述MOS管M_N1的漏极、所述MOS管M₄的栅极、所述MOS管M₃的栅极、所述电阻R₀的一端连接，所述电阻R₀的另一端与所述MOS管M_S0的源极连接，所述MOS管M_S0的栅极与第四开关信号输入端SW0连接，所述MOS管M_S0的漏极与所述MOS管M₄的漏极、所述MOS管M₃的漏极、所述MOS管M_N2的栅极、所述MOS管M_N2的漏极、所述MOS管M₅的栅极、所述静态电流调节单元连接，所述MOS管M₅的漏极与所述增益切换单元、所述静态电流调节单元、所述前馈单元、所述输出驱动单元连接，所述MOS管M₁的源极、所述MOS管M_N1的源极、所述MOS管M₃的源极、所述MOS管M_N2的源极接地，所述MOS管M₂的源极、所述MOS管M₄的源极、所述MOS管M₅的源极接电源电压VDD。

在本发明的一个实施例中，所述前馈单元包括一MOS管M_F，所述MOS管M_F的栅极与所述信号输入端I_IN连接，所述MOS管M_F的漏极与所述MOS管M₅的漏极连接，所述MOS管M_F的源极接地。

在本发明的一个实施例中，所述静态电流调节单元包括MOS管M_S4和MOS管M₆，其中，

所述MOS管M_S4的栅极与所述第三开关信号输入端SW3连接，所述MOS管M_S4的漏极与所述MOS管M₅的漏极连接，所述MOS管M_S4的源极与所述MOS管M₆的漏极连接，所述MOS管M₆的栅极与所述MOS管M₅的栅极连接，所述MOS管M₆的源极接地。

在本发明的一个实施例中，所述输出驱动单元包括MOS管M₇～MOS管M₁₀，其中，

所述MOS管M₇的栅极与所述MOS管M₅的漏极连接，所述MOS管M₇的源极与所述MOS管M₈的漏极、所述MOS管M₉的栅极连接，所述MOS管M₈的栅极与偏置电压VB连接，所述MOS管M₉的漏极与所述MOS管M₁₀的源极连接，所述MOS管M₁₀的栅极与所述MOS管M₁₀的漏极连接，所述MOS管M₁₀的源极与所述信号输出端V_OUT连接，所述MOS管M₇的漏极、所述MOS管M₁₀的栅极、所述MOS管M₁₀的漏极接地，所述MOS管M₈的源极、所述MOS管M₉的源极接电源电压VDD。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

本发明提供的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，采用了一种新型跨阻放大器结构，通过增益切换单元进行增益切换，同时通过可重构放大器单元自适应改变电路拓扑结构，从而提供不同增益状态下的稳定自适应调节能力，并且提供高带宽输出能力，通过这样单一结构，实现跨阻放大器的大线性动态范围、高带宽和低功耗。

以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图；

图3是本发明实施例提供的再一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种高增益阶段的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种中间增益阶段的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一种低增益阶段的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图。

附图标记说明：

100-可重构放大器单元；200-增益切换单元；300-输出驱动单元；110-静态电流调节单元；120-前馈单元。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例一

为了提升跨阻放大器的线性动态范围和带宽，以及降低其功耗，请参见图1，图1是本发明实施例提供的一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图，本实施例提出了一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，该大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器包括：

可重构放大器单元100、增益切换单元200和输出驱动单元300，其中，

增益切换单元200，连接信号输入端I_IN，用于根据第一开关信号、第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行增益切换；

可重构放大器单元100，连接信号输入端I_IN，用于根据第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行自适应调节；

输出驱动单元300，连接可重构放大器单元100、增益切换单元200，用于对可重构放大器单元100与增益切换单元200的输出信号进一步驱动，并从信号输出端V_OUT输出。

进一步地，请参见图2，图2是本发明实施例提供的另一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图，本实施例增益切换单元200包括电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃、电容C₂、电容C₃、MOS管M_S1、MOS管M_S2和MOS管M_S3。

具体而言，本实施例增益切换单元200中连接关系为：信号输入端I_IN与电阻R₁的一端、电阻R₂的一端、电阻R₃的一端、电容C₂的一端、电容C₃的一端连接，电阻R₁的另一端与MOS管M_S1的源极连接，MOS管M_S1的栅极与第一开关信号输入端SW1连接，MOS管M_S1的漏极与可重构放大器单元100连接，电阻R₂的另一端与电容C₂的另一端、MOS管M_S2的源极连接，MOS管M_S2的栅极与第二开关信号输入端SW2连接，MOS管M_S2的漏极与可重构放大器单元100连接，电阻R₃的另一端与电容C₃的另一端、MOS管M_S3的源极连接，MOS管M_S3的栅极与第三开关信号输入端SW3连接，MOS管M_S3的漏极与可重构放大器单元100连接。其中，由外部输入开关信号控制不同的增益状态，比如本实施例第一开关信号输入端SW1输入第一开关信号、第二开关信号输入端SW2输入第二开关信号、第三开关信号输入端SW3输入第三开关信号，通过第一开关信号、第二开关信号、第三开关信号控制不同的增益状态，具体请参见表1，表1为开关信号输入对应控制增益状态的情况。

表1开关信号输入对应控制增益状态的情况

增益状态	SW1	SW2	SW3
				高增益阶段	1	0	0
中间增益阶段	0	1	0
				低增益阶段	0	0	1

本实施例通过表1中SW1(第一开关信号)、SW2(第二开关信号)和SW3(第三开关信号)对电路进行增益切换得到不同增益状态，可见，不同的增益状态对应不同的电路拓扑结构。本实施例不同的增益状态包括高增益阶段、中间增益阶段和低增益阶段，高增益阶段、中间增益阶段和低增益阶段根据实际需要进行设置，比如以某一增益为基准点，高于该基准点若干倍的点归为高增益阶段，低于该基准点若干倍的点归为低增益阶段，介于高增益阶段、低增益阶段之间的点构成中间增益阶段。本实施例增益切换单元200作为增益切换控制单元，由三路并联的反馈电阻和补偿电容组成，通过MOS管控制，进行增益切换，对于不同的增益状态，通过MOS管的控制可以采用不同的补偿电路结构，具体地，MOS管M_S1控制高增益阶段的补偿电路结构，MOS管M_S2控制中间增益阶段的补偿电路结构，MOS管M_S3控制低增益阶段的补偿电路结构。

本实施例增益切换单元200中的电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃均为反馈电阻，电容C₂、电容C₃均为补偿电容，MOS管M_S1、MOS管M_S2和MOS管M_S3均为N型MOS管且为开关MOS管。

进一步地，请再参见图2，本实施例可重构放大器单元100包括MOS管M₁～MOS管M₅、MOS管M_N1、MOS管M_N2、MOS管M_S0、电阻R₀、静态电流调节单元110和前馈单元120。

具体而言，本实施例信号可重构放大器单元100中连接关系为：输入端I_IN与MOS管M₂的栅极、MOS管M₁的栅极、前馈单元120连接，MOS管M₂的漏极与MOS管M₁的漏极、MOS管M_N1的栅极、MOS管M_N1的漏极、MOS管M₄的栅极、MOS管M₃的栅极、电阻R₀的一端连接，电阻R₀的另一端与MOS管M_S0的源极连接，MOS管M_S0的栅极与第四开关信号输入端SW0连接，MOS管M_S0的漏极与MOS管M₄的漏极、MOS管M₃的漏极、MOS管M_N2的栅极、MOS管M_N2的漏极、MOS管M₅的栅极、静态电流调节单元110连接，MOS管M₅的漏极与MOS管M_S1的漏极、MOS管M_S2的漏极、MOS管M_S3的漏极、静态电流调节单元110、前馈单元120、输出驱动单元300连接，MOS管M₁的源极、MOS管M_N1的源极、MOS管M₃的源极、MOS管M_N2的源极接地，MOS管M₂的源极、MOS管M₄的源极、MOS管M₅的源极接电源电压VDD。其中，第四开关信号输入端SW0输入的第四开关信号由第二开关信号输入端SW2输入的第二开关信号和第三开关信号输入端SW3输入的第三开关信号进行逻辑或产生的，比如第二开关信号输入端SW2输入的第二开关信号为1，第三开关信号输入端SW3输入的第三开关信号为0，则第四开关信号输入端SW0输入的第四开关信号为1，再比如第二开关信号输入端SW2输入的第二开关信号为0，第三开关信号输入端SW3输入的第三开关信号为0，则第四开关信号输入端SW0输入的第四开关信号为0。

本实施例可重构放大器单元100作为跨阻放大器的核心放大器单元，其增益和带宽决定了整体跨阻放大器电路的稳定性和带宽性能，本实施例可重构放大器单元100由三级基于反相器结构的推挽放大电路组成，同时基于MOS管的控制，实现电路拓扑结构的可重构，从而实现不同增益状态下的电路自适应调节，改善电路稳定性，提高电路带宽，并且调节大电路驱动能力，其中，MOS管控制电路拓扑结构的可重构包括：MOS管(后续提到的MOS管M_S4)控制静态电流调节单元110的接入情况、MOS管M_S0控制电阻R₀的接入情况，从而控制整个可重构放大器单元100的电路拓扑结构，实现了电路自适应调节。

本实施例可重构放大器单元100中的MOS管M₂、MOS管M₄和MOS管M₅均为P型MOS管，MOS管M₁、MOS管M₃、MOS管M_N1、MOS管M_N2和MOS管M_S0均为N型MOS管，且MOS管M_S0还为开关MOS管，电阻R₀为反馈电阻。

进一步地，请参见图3，图3是本发明实施例提供的再一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图，本实施例前馈单元120包括一MOS管M_F。

具体而言，本实施例前馈单元120中连接关系为：MOS管M_F的栅极与信号输入端I_IN连接，MOS管M_F的漏极与MOS管M₅的漏极连接，MOS管M_F的源极接地。本实施例MOS管M_F提高了电路整体带宽。本实施例前馈单元120中的MOS管M_F为N型MOS管。

进一步地，请再参见图3，本实施例静态电流调节单元110包括MOS管M_S4和MOS管M₆。

具体而言，本实施例静态电流调节单元110中连接关系为：MOS管M_S4的栅极与第三开关信号输入端SW3连接，MOS管M_S4的漏极与MOS管M₅的漏极连接，MOS管M_S4的源极与MOS管M₆的漏极连接，MOS管M₆的栅极与MOS管M₅的栅极连接，MOS管M₆的源极接地。本实施例通过静态电流调节单元110能够实现大输入电流驱动能力与低功耗性能之间的兼容，实现了大电流工作状态与低功耗模式之间的切换。

本实施例静态电流调节单元110中的MOS管M_S4、MOS管M₆均为N型MOS管，且MOS管M_S4还为开关MOS管。

进一步地，请再参见图2或图3，本实施例输出驱动单元300包括MOS管M₇～MOS管M₁₀。

具体而言，本实施例输出驱动单元300中连接关系为：MOS管M₇的栅极与MOS管M₅的漏极连接，MOS管M₇的源极与MOS管M₈的漏极、MOS管M₉的栅极连接，MOS管M₈的栅极与偏置电压VB连接，MOS管M₉的漏极与MOS管M₁₀的源极连接，MOS管M₁₀的栅极与MOS管M₁₀的漏极连接，MOS管M₁₀的源极与信号输出端V_OUT连接，MOS管M₇的漏极、MOS管M₁₀的栅极、MOS管M₁₀的漏极接地，MOS管M₈的源极、MOS管M₉的源极接电源电压VDD。输出驱动单元300通过源级跟随器与高线性度放大器的级联，实现后级放大与输出驱动功能。

本实施例输出驱动单元300中的MOS管M₇～MOS管M₁₀均为P型MOS管。

在图3的基础上，本实施例在第一开关信号、第二开关信号、第三开关信号的控制下，通过增益切换单元200的增益切换，可重构放大器单元100电路拓扑结构的改变，实现了不同增益状态下对应的不同电路拓扑结构。请参见图4、图5、图6，图4是本发明实施例提供的一种高增益阶段的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图，图5是本发明实施例提供的一种中间增益阶段的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图，图6是本发明实施例提供的一种低增益阶段的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器的电路拓扑结构示意图，具体地：

请再参见图4，在高增益阶段，MOS管M_S0、MOS管M_S2、MOS管M_S3和MOS管M_S4均断开，MOS管M_S1导通。在高增益阶段，通过MOS管M_S4断开，电阻R₁较大，因此不需要并联电容，应对信号输入端I_IN输入较小的输入电流幅度。其中，为了让电路拓扑结构更为直观的展示，将MOS管M_S0、MOS管M_S1、MOS管M_S2、MOS管M_S3和MOS管M_S4在图中均省略，则在高增益阶段的电路拓扑结构图如图4所示。

请再参见图5，在中间增益阶段，MOS管M_S1、MOS管M_S3和MOS管M_S4断开，MOS管M_S0和MOS管M_S2导通。在中间增益阶段，MOS管M_S0导通，电阻R₀并联在第二级放大的输入和输出端，降低整个可重构放大器单元100的增益，提高了其带宽，同时电阻R₂两端并联电容C₂，改善了电路稳定性。其中，为了让电路拓扑结构更为直观的展示，将MOS管M_S0、MOS管M_S1、MOS管M_S2、MOS管M_S3和MOS管M_S4在图中均省略，则在中间增益阶段的电路拓扑结构图如图5所示。

请再参见图6，在低增益阶段，MOS管M_S1、MOS管M_S2均断开，MOS管M_S0、MOS管M_S3和MOS管M_S4均导通。在低增益阶段，通过MOS管M_S4的导通，MOS管M₆为信号输入端I_IN输入的较大电流提供充足的驱动能力，避免电路出现反向峰值，影响整个激光雷达接收机的后续时刻鉴别。其中，为了让电路拓扑结构更为直观的展示，将MOS管M_S0、MOS管M_S1、MOS管M_S2、MOS管M_S3和MOS管M_S4在图中均省略，则在低增益阶段的电路拓扑结构图如图6所示。

综上所述，本实施例提供的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，采用了一种新型跨阻放大器结构，通过增益切换单元200的增益切换，同时通过可重构放大器单元100电路拓扑结构的自适应改变，从而提供了不同增益状态下的稳定性自适应调节能力，并且提供了高带宽输出能力，通过这样单一结构实现跨阻放大器的大线性动态范围、高带宽和低功耗；静态电流调节单元110能够实现大输入电流驱动能力与低功耗性能之间的兼容，实现大电流工作状态与低功耗模式之间的切换。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，其特征在于，包括：可重构放大器单元(100)、增益切换单元(200)和输出驱动单元(300)，其中，

所述增益切换单元(200)，连接信号输入端I_IN，用于根据第一开关信号、第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行增益切换；

所述可重构放大器单元(100)，连接所述信号输入端I_IN，用于根据所述第二开关信号、所述第三开关信号对所述输入信号进行自适应调节；

所述输出驱动单元(300)，连接所述可重构放大器单元(100)、增益切换单元(200)，用于对所述可重构放大器单元(100)与所述增益切换单元(200)的输出信号进一步驱动，并从信号输出端V_OUT输出；

所述增益切换单元(200)包括电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃、电容C₂、电容C₃、MOS管M_S1、MOS管M_S2和MOS管M_S3，其中，

所述信号输入端I_IN与所述电阻R₁的一端、所述电阻R₂的一端、所述R₃的一端、电容C₂的一端、电容C₃的一端连接，所述电阻R₁的另一端与所述MOS管M_S1的源极连接，所述MOS管M_S1的栅极与第一开关信号输入端SW1连接，所述MOS管M_S1的漏极与所述可重构放大器单元(100)连接，所述电阻R₂的另一端与所述电容C₂的另一端、所述MOS管M_S2的源极连接，所述MOS管M_S2的栅极与第二开关信号输入端SW2连接，所述MOS管M_S2的漏极与所述可重构放大器单元(100)连接，所述电阻R₃的另一端与所述电容C₃的另一端、所述MOS管M_S3的源极连接，所述MOS管M_S3的栅极与第三开关信号输入端SW3连接，所述MOS管M_S3的漏极与所述可重构放大器单元(100)连接；

所述可重构放大器单元(100)包括MOS管M₁～MOS管M₅、MOS管M_N1、MOS管M_N2、MOS管M_S0、电阻R₀、静态电流调节单元(110)和前馈单元(120)，其中，

所述信号输入端I_IN与所述MOS管M₂的栅极、所述MOS管M₁的栅极、所述前馈单元(120)连接，所述MOS管M₂的漏极与所述MOS管M₁的漏极、所述MOS管M_N1的栅极、所述MOS管M_N1的漏极、所述MOS管M₄的栅极、所述MOS管M₃的栅极、所述电阻R₀的一端连接，所述电阻R₀的另一端与所述MOS管M_S0的源极连接，所述MOS管M_S0的栅极与第四开关信号输入端SW0连接，所述MOS管M_S0的漏极与所述MOS管M₄的漏极、所述MOS管M₃的漏极、所述MOS管M_N2的栅极、所述MOS管M_N2的漏极、所述MOS管M₅的栅极、所述静态电流调节单元(110)连接，所述MOS管M₅的漏极与所述增益切换单元(200)、所述静态电流调节单元(110)、所述前馈单元(120)、所述输出驱动单元(300)连接，所述MOS管M₁的源极、所述MOS管M_N1的源极、所述MOS管M₃的源极、所述MOS管M_N2的源极接地，所述MOS管M₂的源极、所述MOS管M₄的源极、所述MOS管M₅的源极接电源电压VDD；

所述输出驱动单元(300)包括MOS管M₇～MOS管M₁₀，其中，

所述MOS管M₇的栅极与所述MOS管M₅的漏极连接，所述MOS管M₇的源极与所述MOS管M₈的漏极、所述MOS管M₉的栅极连接，所述MOS管M₈的栅极与偏置电压VB连接，所述MOS管M₉的漏极与所述MOS管M₁₀的源极连接，所述MOS管M₁₀的栅极与所述MOS管M₁₀的漏极连接，所述MOS管M₁₀的源极与所述信号输出端V_OUT连接，所述MOS管M₇的漏极、所述MOS管M₁₀的栅极、所述MOS管M₁₀的漏极接地，所述MOS管M₈的源极、所述MOS管M₉的源极接电源电压VDD。

2.根据权利要求1所述的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，其特征在于，所述前馈单元(120)包括一MOS管M_F，所述MOS管M_F的栅极与所述信号输入端I_IN连接，所述MOS管M_F的漏极与所述MOS管M₅的漏极连接，所述MOS管M_F的源极接地。

3.根据权利要求1所述的大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，其特征在于，所述静态电流调节单元(110)包括MOS管M_S4和MOS管M₆，其中，

所述MOS管M_S4的栅极与所述第三开关信号输入端SW3连接，所述MOS管M_S4的漏极与所述MOS管M₅的漏极连接，所述MOS管M_S4的源极与所述MOS管M₆的漏极连接，所述MOS管M₆的栅极与所述MOS管M₅的栅极连接，所述MOS管M₆的源极接地。

Images