CN111628641A - 无桥整流电路、漏电流峰值控制方法及可读存储介质 - Google Patents

无桥整流电路、漏电流峰值控制方法及可读存储介质 Download PDF

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Abstract

一种无桥整流电路、漏电流峰值控制方法及可读存储介质，其中，无桥整流电路包括共模滤波电路和电容电路。共模滤波电路用于抑制交流信号中的共模干扰信号电容电路用于当交流信号过零点时控制减小共模滤波电路的电压变化率。共模滤波电路包括：连接保护地的第一Y电容，电容电路的等效容值大于第一Y电容的容值。上述的无桥整流电路，通过新增电容电路，使得在交流信号过零点时，共模滤波电路的电压变化率减小，因而相应减小了第一Y电容的漏电流的峰值，安全性高，避免电子产品漏电流的峰值超标而不符合IEC62368国际产品安全标准。

Description

无桥整流电路、漏电流峰值控制方法及可读存储介质
技术领域
本申请属于开关电源技术领域，尤其涉及无桥整流电路及一种无桥整流电路、漏电流峰值控制方法及可读存储介质。
背景技术
传统的无桥整流电路(详参图1(a))存在一个固有特性，即AC(AlternatingCurrent，交流电)输入在过零点的时刻，其输入电流极性反向，使得N-PGND和PE-PGND均产生一个的突变电压Vbulk，突变电压Vbulk的幅值较大，使得通过共模滤波电容(以下简称Y电容)CY1的漏电流IPE的峰值较大(详参图1(b))，从而威胁人体安全，电子产品安全性低；目前的解决办法是通过减小Y电容CY1的容值，使得过零点时Y电容CY1漏电流的峰值减小，然而这样操作会严重影响无桥整流电路的EMI特性。
因此，传统的无桥整流技术方案中存在着由于AC输入在过零点时刻，Y电容CY1的漏电流IPE的峰值较大，从而威胁人体安全，电子产品安全性低的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种无桥整流电路、漏电流峰值控制方法及可读存储介质，旨在解决传统的无桥整流技术方案中存在着由于AC输入在过零点时刻，Y电容CY1的漏电流的峰值较大，从而威胁人体安全，电子产品安全性低的问题。
本申请实施例的第一方面提供了一种无桥整流电路，包括第一储能电路、第二储能电路、开关电路以及电流流向控制电路，所述开关电路根据脉宽调制信号进行导通或断开；所述开关电路导通时，所述第一储能电路与所述第二储能电路之间断开，由电力线输出交流信号以供所述第一储能电路充电；所述开关电路断开时，所述第一储能电路与所述第二储能电路之间导通，所述第一储能电路通过所述电流流向控制电路向所述第二储能电路放电，以供所述第二储能电路充电；还包括：
共模滤波电路，与所述电力线及保护地连接，用于抑制所述交流信号中的共模干扰信号；和
电容电路，与所述电力线及保护地连接，和/或与所述电流流向控制电路连接，用于当所述交流信号过零点时控制减小所述共模滤波电路的电压变化率；
所述共模滤波电路包括：连接于所述电力线的安全地线及保护地之间的第一Y电容；所述电容电路的等效容值大于所述第一Y电容的容值。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的无桥整流电路，通过新增电容电路，电容电路的等效容值大于第一Y电容的容值，使得在交流信号过零点时，共模滤波电路的电压变化率减小，由于在过零点时刻第一Y电容的漏电流的峰值与电压变化率正相关，因此共模滤波电路的电压变化率减小则第一Y电容的漏电流的峰值也相应减小，无需减小第一Y电容的容值，提高了电子产品的安全性能，避免电子产品漏电流的峰值超标而不符合IEC62368国际产品安全标准。
本申请实施例的第二方面提供了一种漏电流峰值控制方法，用于对上述的无桥整流电路进行漏电流峰值控制，所述漏电流峰值控制方法包括：
检测所述交流信号是否过零点；
控制所述开关电路在所述交流信号过零点时进行软启动，以指示所述交流信号的幅值维持在预设阈值内。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的电流峰值控制方法，应用于本申请实施例第一方面提供的无桥整流电路，通过检测到交流信号过零点时控制输入至无桥整流电路的交流信号的幅值，使之维持在预设阈值内；利用在过零点时刻第一Y电容的漏电流的峰值与交流信号的幅值呈正相关的特性，通过减小过零点时刻交流信号的幅值，辅助无桥整流电路进一步减小第一Y电容的漏电流的峰值，提高了电子产品的安全性能，避免电子产品漏电流的峰值超标而不符合IEC62368国际产品安全标准。
本申请实施例的第三方面提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述漏电流峰值控制方法的步骤。
附图说明
图1(a)为传统的无桥整流电路的示意电路原理图；
图1(b)为图1(a)所示的无桥整流电路的时序示意图；
图2(a)为本申请一实施例第一方面提供的一种无桥整流电路的模块结构示意图；
图2(b)为本申请一实施例第一方面提供的另一种无桥整流电路的模块结构示意图；
图3为图2(b)所示的无桥整流电路的示意电路原理图；
图4为图2(b)所示的无桥整流电路的另一示意电路原理图；
图5为图2(b)所示的无桥整流电路的又一示意电路原理图；
图6为图2(b)所示的无桥整流电路的再一示意电路原理图；
图7为图2(b)所示的无桥整流电路的再一示意电路原理图；
图8为图7所示的无桥整流电路的第一等效电路图；
图9为图8所示的第一等效电路图的第二等效电路图；
图10为本申请一实施例第二方面提供的一种漏电流峰值控制方法的具体流程图；
图11为图10所示的漏电流峰值控制方法的应用示意图；
图12为图7所示的无桥整流电路的第一工作状态示意图；
图13为图7所示的无桥整流电路的第二工作状态示意图；
图14为图7所示的无桥整流电路的第三工作状态示意图；
图15为图7所示的无桥整流电路的第四工作状态示意图。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
请参阅图2(a)，为本申请一实施例第一方面提供的一种无桥整流电路的模块结构示意图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：
一种无桥整流电路，包括第一储能电路10、第二储能电路20、开关电路30、电流流向控制电路40、共模滤波电路50以及电容电路60。
其中，开关电路30根据脉宽调制信号PWM进行导通或断开；开关电路30导通时，第一储能电路10与第二储能电路20之间断开，由电力线输出交流信号Vin以供第一储能电路10充电；开关电路30断开时，第一储能电路10与第二储能电路20之间导通，第一储能电路10通过电流流向控制电路40向第二储能电路20放电，以供第二储能电路20充电。
具体的，全文所指交流信号Vin均为市电。
共模滤波电路50与电力线及保护地PGND连接；电容电路60与电力线及保护地PGND连接，和/或与电流流向控制电路40连接。
共模滤波电路50用于抑制交流信号Vin中的共模干扰信号；电容电路60用于当交流信号Vin过零点时控制减小共模滤波电路50的电压变化率，具体为减小共模滤波电路50中第一Y电容CY1的电压变化率。
共模滤波电路50包括：连接于所述电力线的安全地线PE及保护地PGND之间的第一Y电容CY1。
具体的，在过零点时刻第一Y电容CY1的漏电流IPE＝CY1*(dVCY1/dt)，IPE为第一Y电容CY1的漏电流峰值，CY1为第一Y电容CY1的容值，dVCY1/dt为第一Y电容CY1在过零点时的电压变化率。在过零点时刻，第一Y电容CY1的漏电流IPE与电压变化率正相关。本实施例通过在传统的无桥整流电路的基础上新增电容电路60，将电容电路60设置于特定节点，并且设置电容电路60的等效容值大于第一Y电容CY1的容值，使得共模滤波电路50中的第一Y电容CY1在过零点时刻其电压变化率减小，从而无需减小第一Y电容CY1的容值即可减小第一Y电容CY1在过零点时的漏电流的峰值。
具体的，电容电路60与电力线及保护地PGND连接时，可以是与电力线的火线L及保护地PGND连接，也可以是与电力线的零线N及保护地PGND连接；电容电路60与电流流向控制电路40连接时，电容电路60的两端分别连接电流流向控制电路40的一个输入端和一个输出端。
电容电路60的等效容值大于第一Y电容CY1的容值。电容电路60具有多种连接方式，任意连接方式均可实现减小第一Y电容CY1在过零点时刻其电压变化率，在进行PCB布板时，可根据实际需要进行不同的设计，灵活性强。值得说明的是，图2(a)仅示出了电容电路60连接在电力线的火线L及保护地PGND之间的情况以作示例，并未示出其它多种连接情况，本领域技术人员结合下述图3至图7应知，电容电路60还具有多种连接情况。
可选的，如图2(b)，共模滤波电路50还包括第二Y电容CY2和第三Y电容CY3。
其中，第二Y电容CY2连接于电力线的零线N及保护地PGND之间；第三Y电容CY3连接于电力线的火线L及保护地PGND之间。
具体的，第二Y电容CY2和第三Y电容CY3用于滤除交流信号Vin中的共模干扰杂波。
请参阅图3～7，为图2(b)所示的无桥整流电路的多个示意电路原理图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：
如图3～7，上述的第一储能电路10采用电感L1实现，电感L1接入交流信号Vin，并且连接电流流向控制电路40的一个输入端。
开关电路30采用第一NMOS管Q1和与第一NMOS管Q1连接的第二NMOS管Q2实现，第一NMOS管Q1连接第一储能电路10和电流流向控制电路40，第二NMOS管电流流向控制电路40；并且第一NMOS管Q1与第二NMOS管Q2的受控端接入脉宽调制信号PWM。
电流流向控制电路40采用四个二极管实现D1、D2、D3及D4实现，二极管D1的阴极与二极管D3的阴极共接的节点作为电流流向控制电路40的第一输出端；二极管D2的阳极与二极管D2的阳极共接的节点作为电流流向控制电路40的第二输出端；二极管D3的阳极与二极管D4的阴极共接的节点作为电流流向控制电路40的第一输入端；二极管D1的阳极与二极管D2的阴极共接的节点作为电流流向控制电路40的第二输入端。
第二储能电路20采用电容C5实现，具体的，电容C5为电解电容。第二C5的
第一NMOS管Q1和与第二NMOS管Q2根据脉宽调制信号PWM相应进行导通或关断；导通时，电感L1与电容C5之间断开，交流信号Vin给电感L1充电；关断时，电感L1与电容C5之间导通，电感L1通过电流流向控制电路40向电容C5放电，电容C5充电。本申请是通过电感L1和电容C5交替储能以实现整流功能。
在一可选实施例中，电容电路60包括至少一个电容。
该电容的两端分别与电力线及保护地PGND连接，或者与电流流向控制电路40连接。具体的，该电容的两端分别与电力线及保护地PGND连接时，该电容与电力线的火线L及保护地PGND连接，或者与电力线的零线N及保护地PGND连接。
如图3所示，在一实施例中，电容电路60包括第一电容C1。
其中，第一电容C1的第一端连接电力线的火线L，第一电容C1的第二端接电力线的安全地线PE。
如图4所示，在一实施例中，电容电路60包括第二电容C2。
其中，第二电容C2的第一端连接电力线的零线N，第二电容C2的第二端接电力线的安全地线PE。
如图5所示，在一实施例中，电容电路60包括第三电容C3。
其中，第三电容C3的第一端连接电流流向控制电路40的第一输出端，第三电容C3的第二端连接电流流向控制电路40的第一输入端。
具体的，电流流向控制电路40的第一输出端为二极管D1的阴极与二极管D3的阴极共接的节点。电流流向控制电路40的第一输入端为二极管D3的阳极与二极管D4的阴极共接的节点。
如图6所示，在一实施例中，电容电路60包括第四电容C4。
其中，第四电容C4的第一端连接电流流向控制电路40的第二输出端，第四电容C4的第二端连接电流流向控制电路40的第二输入端。
具体的，电流流向控制电路40的第二输出端为二极管D2的阳极与二极管D2的阳极共接的节点，流流向控制电路的第二输入端为极管D1的阳极与二极管D2的阴极共接的节点。
在一可选实施例中，电容电路60包括至少两个电容。
其中一个电容的两端分别与电力线及保护地PGND连接，或者分别与电流流向控制电路40的一个输入端及一个输出端连接。
具体的，该电容的两端分别与电力线及保护地PGND连接时，该电容与电力线的火线L及保护地PGND连接，或者与电力线的零线N及保护地PGND连接。
另一个电容的两端分别与电力线及保护地PGND连接，或者分别与电流流向控制电路40的一个输入端及一个输出端连接。
如图7所示，在一可选实施例中，电容电路60包括上述的第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及第四电容C4，各个电容的具体连接方式参考图3至图6。
第一电容C1的第一端连接电力线的火线L，第一电容C1的第二端连接电力线的安全地线PE。
第二电容C2的第一端连接电力线的零线N，第二电容C2的第二端连接电力线的安全地线PE。
第三电容C3的第一端连接电流流向控制电路40的第一输出端，第三电容C3的第二端连接电流流向控制电路40的第一输入端。
第四电容C4的第一端连接电流流向控制电路40的第二输出端，第三电容C3的第二端连接电流流向控制电路40的第二输入端。
值得说明的是，本申请所提供的电容电路60，采用上述的第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及第四电容C4的任意一个或多个实现，各个电容的具体连接方式分别通过图3至图6体现。电容电路60具体采用哪个/哪几个电容实现，并不影响电容电路60本身功能的实现。
并且，任何一种连接方式的电容电路60，其等效容值均大于第一Y电容CY1的容值。例如：一种电容电路60，采用上述的第一电容C1和第三电容C3组成，第一电容C1的第一端连接电力线的火线L，第一电容C1的第二端接电力线的安全地线PE，第三电容C3的第一端连接电流流向控制电路40的第一输出端，第三电容C3的第二端连接电流流向控制电路40的第一输入端；该电容电路60的等效容值由第一电容C1的容值和第三电容C3的容值共同决定，该电容电路60的等效容值大于第一Y电容CY1的容值。
由图3至图7可知，电容电路60具有多种连接方式，任意连接方式均可实现减小在过零点时刻第一Y电容CY1两端的电压变化率，在进行PCB布板时，可根据实际需要进行不同的设计，灵活性强。
以下将结合图7、图8及图9，对本申请提供的无桥整流电路的工作原理进行阐述。
请参阅图8，为图7所示的无桥整流电路的第一等效电路图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：
对于前文所述的交流信号Vin，也即市电过零点时，N-PGND处会产生突变电压Vbulk，该突变电压Vbulk的基波频率远大于市电的频率，即在N-PGND的突变电压区间，交流信号Vin的输入电压基本保持不变。因此，分析这个突变电压Vbulk对第一Y第电容的漏电流的峰值的影响时，可以将输入的市电等效成直流，这样便得到如图8所示的第一等效电路图。
如图8所示，图7中的第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及第四电容C4在该等效模型中，实际上为并联关系，并联于电力线的零线N和保护地PGND之间。
其它形式的电容电路60，若采用第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及第四电容C4中的任意一个电容实现，则该电容在等效模型中连接于电力线的零线N和保护地PGND之间；若采用第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及第四电容C4中的任意几个电容实现，则该几个电容相应并联于电力线的零线N和保护地PGND之间。
请参阅图9，为图8所示的第一等效电路图的第二等效电路图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：
根据图8，第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及第四电容C4的容值共同决定了图7所示的电容电路60的等效容值，假设图7所示的电容电路60的等效容值为CΣ，则CΣ＝C1+C2+C3+C4。在实际电路中，地线PE和零线N相互独立，但它们的电位是相同的，因此第二Y电容CY2和第三Y电容CY3相对于其电压而言处于虚短状态，相对于其电流而言处于虚断状态。据此，可对图8的第一等效电路进行进一步等效，从而得到图9所示的第二等效电路。
根据图9，在已知市电的输入电流Iin的条件下，可以求得第一Y电容CY1两端的电压变化率：
dVCY1/dt＝dVCΣ/dt＝Iin/CΣ；
其中，dVCY1/dt为第一Y电容CY1在过零点时的电压变化率，Iin为过零点时交流信号Vin对应的输入电流Iin的幅值，CΣ为电容电路60的等效容值，CΣ＞CY1。
因此，在交流信号Vin过零点时刻，通过第一Y电容CY1的漏电流峰值为：
IPE＝CY1*(dVCY1/dt)＝Iin*(CY1/CΣ)；
其中，IPE为第一Y电容CY1的漏电流峰值，CY1为第一Y电容CY1的容值，Iin为过零点时市电的输入电流Iin的幅值，CΣ为电容电路60的等效容值，dVCY1/dt为第一Y电容CY1在过零点时的电压变化率；CΣ＞CY1。
通过上述分析可知，在交流信号Vin过零点时刻，由电容电路60构成的等效电容与第一Y电容CY1并联，已知Iin的条件下，通过增加等效容值CΣ可以减小交流信号Vin过零点时刻通过第一Y电容CY1的漏电流峰值，无需减小第一Y电容CY1的容值，在不影响无桥整流电路的EMI特性的前提下，减小了第一Y电容CY1过零点时刻的漏电流峰值。
请参阅图10，为本申请一实施例第二方面提供的一种漏电流峰值控制方法的具体流程图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：
一种漏电流峰值控制方法，用于上述无桥整流电路进行漏电流峰值控制，该方法包括如下步骤：
步骤S100：检测交流信号Vin是否过零点。
步骤S200：控制开关电路30在交流信号Vin过零点时进行软启动，以指示交流信号Vin的幅值维持在预设阈值内。
根据前文对无桥整流电路的第一等效电路和第二等效电路进行分析可知，在交流信号Vin过零点时刻，通过第一Y电容CY1的漏电流峰值为：
IPE＝CY1*(dVCY1/dt)＝Iin*(CY1/CΣ)；
其中，IPE为第一Y电容CY1的漏电流峰值，CY1为第一Y电容CY1的容值，Iin为过零点时交流信号Vin对应的输入电流Iin的幅值，CΣ为电容电路60的等效容值，dVCY1/dt为第一Y电容CY1在过零点时的电压变化率；CΣ＞CY1。
本实施例提供的漏电流峰值控制方法，通过控制过零点时交流信号Vin的幅值，使得第一Y电容CY1的漏电流峰值在过零点时保持一个较低的值，辅助无桥整流电路进一步减小第一Y电容CY1的漏电流的峰值，提高了电子产品的安全性能，避免电子产品漏电流的峰值超标而不符合IEC62368国际产品安全标准。
在一可选实施例中，步骤S100具体包括：
步骤S101：检测电容电路60两端的电压值是否达到预设电压值；
步骤S102：当电容电路60两端的电压值达到预设电压值时，判定交流信号Vin正处于过零点状态。
在一可选实施例中，步骤S200具体包括：
步骤S201：控制脉宽调制信号PWM在交流信号Vin过零点时按照占空比从小到大的规律输出至开关电路30。
请参阅图11，为图10所示的漏电流峰值控制方法的应用示意图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：
结合图1(b)的时序示意图，本申请提供的漏电流峰值控制方法，实际上是控制第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2在交流信号Vin过零点附近的导通和关断规律，具体是通过增加软启动控制过零点时刻的输入电流Iin，使其在过零点附近维持一个较小的幅值Iin，直至等效电容CΣ完全充电或放电后(即CΣ两端的电压已完成突变后)再切回到正常控制模式；所谓“正常控制模式”是指脉宽调制信号PWM直接按固定占空比输出至第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2的控制模块。
通过可以减缓N-PGND也即第一Y电容CY1两端的电压在市电过零点附近的突变写了，从而减小流过第一Y电容CY1的漏电流峰值。在PWM控制模块(用于输出脉宽调制信号PWM)和驱动模块(用于驱动第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2)之间增加了过零软启动模块及其信号检测和算法控制模块。当检测到交流信号Vin过零点时，启动过零软启动模块，脉宽调制信号PWM按照占空比从小到大的规律输出至驱动模块，由驱动模块软启动第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2。当检测到等效电容CΣ两端的电压已完成阶跃变换后，结束软启动控制，第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2的驱动模块回归到直接由PWM控制模块提供。
请参阅图12～15，分别为图7所示的无桥整流电路的某一工作状态示意图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：
以下结合图1(b)所示的波形时序图和图12～15，分析本申请提供的无桥整流电路在任一时序周期内的工作原理。
t0-t3时间段内，交流信号Vin处于正半周：
(1)如图12，t0-t1时刻，第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2导通，输出交流信号Vin的电力线、电感L1、第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2构成一个闭合回路，此时电感L1储能。
(2)如图13，t1-t2时刻，第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2关断，输出交流信号Vin的电力线、电感L1、二极管D1、电容C5以及二极管D4组成一个闭合回路，电感L1通过二极管D1和D4向电容C5放电，电容C5储能。
(3)t2-t3时间段内，重复以上(1)和(2)两个过程。
t3-t6时间段内，交流信号Vin处于负半周：
(4)如图14，t3-t4时刻，第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2导通，输出交流信号Vin的电力线、第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2、电感L1构成一个闭合回路，此时电感L1储能。
(5)如图15，t4-t5时刻，第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2关断，输出交流信号Vin的电力线、二极管D3、电容C5、二极管D2及电感L1组成一个闭合回路，电感L1通过二极管D3和D2向电容C5放电，电容C5储能。
(6)t5-t6时间段内，重复以上(4)和(5)两个过程。
任一时序周期内，交流信号Vin在过零时刻PE-PGND的电压跳跃状态如下：
t0时刻，PE-PGND从Vbulk跳跃到0V；
t3时刻，PE-PGND从0V跳跃到Vbulk；
t6时刻(即下一周期的t0时刻)，PE-PGND从Vbulk跳跃到0V，周而复始。
本申请的第三方面还提供了一种可读存储介质，可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述电流峰值控制方法的步骤。
具体的，本申请实现上述电流峰值控制方法中的全部或部分步骤，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
综上所述，本申请提供了一种无桥整流电路、漏电流峰值控制方法及可读存储介质，其中，无桥整流电路，通过新增电容电路，使得在交流信号过零点时，共模滤波电路的电压变化率降低减小，因而相应降低减小了第一Y电容的漏电流的峰值，安全性高，避免电子产品漏电流的峰值超标而不符合IEC62368国际产品安全标准。所提供的电流峰值控制方法，应用于本申请提供的无桥整流电路，通过检测到交流信号过零点时控制输入至无桥整流电路的交流信号的幅值，使之维持在预设阈值内；利用在过零点时刻第一Y电容的漏电流的峰值与交流信号的幅值呈正相关的特性，通过降低减小过零点时刻交流信号的幅值，辅助无桥整流电路进一步降低减小第一Y电容的漏电流的峰值，提高了电子产品的安全性能，避免电子产品漏电流的峰值超标而不符合IEC62368国际产品安全标准。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述***中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

Claims (10)

1.一种无桥整流电路，包括第一储能电路、第二储能电路、开关电路以及电流流向控制电路，所述开关电路根据脉宽调制信号进行导通或断开；所述开关电路导通时，所述第一储能电路与所述第二储能电路之间断开，由电力线输出交流信号以供所述第一储能电路充电；所述开关电路断开时，所述第一储能电路与所述第二储能电路之间导通，所述第一储能电路通过所述电流流向控制电路向所述第二储能电路放电，以供所述第二储能电路充电；其特征在于，还包括：
共模滤波电路，与所述电力线及保护地连接，用于抑制所述交流信号中的共模干扰信号；和
电容电路，与所述电力线及保护地连接，和/或与所述电流流向控制电路连接，用于当所述交流信号过零点时控制减小所述共模滤波电路的电压变化率；
所述共模滤波电路包括：连接于所述电力线的安全地线及保护地之间的第一Y电容；所述电容电路的等效容值大于所述第一Y电容的容值。
2.如权利要求1所述的无桥整流电路，其特征在于，所述电容电路包括：
至少一个电容；
所述电容的两端分别与所述电力线及保护地连接，或者与所述电流流向控制电路连接。
3.如权利要求1所述的无桥整流电路，其特征在于，所述电容电路包括：
至少两个电容；
其中一个所述电容的两端分别与所述电力线及保护地连接，或者分别与所述电流流向控制电路的一个输入端及一个输出端连接；
另一个所述电容的两端分别与所述电力线及保护地连接，或者分别与所述电流流向控制电路的一个输入端及一个输出端连接。
4.如权利要求1所述的无桥整流电路，其特征在于，所述电容电路包括：
第一电容、第二电容、第三电容及第四电容；
所述第一电容的第一端连接所述电力线的火线，所述第一电容的第二端连接所述电力线的安全地线；
所述第二电容的第一端连接所述电力线的零线，所述第二电容的第二端连接所述电力线的安全地线；
所述第三电容的第一端连接所述电流流向控制电路的第一输出端，所述第三电容的第二端连接所述电流流向控制电路的第一输入端；
所述第四电容的第一端连接所述电流流向控制电路的第二输出端，所述第三电容的第二端连接所述电流流向控制电路的第二输入端。
5.如权利要求1所述的无桥整流电路，其特征在于，所述共模滤波电路还包括：
第二Y电容和第三Y电容；
所述第二Y电容连接于所述电力线的零线及保护地之间；所述第三Y电容连接于所述电力线的火线及保护地之间。
6.一种漏电流峰值控制方法，其特征在于，用于对如权利要求1至5任一项所述的无桥整流电路进行漏电流峰值控制，所述漏电流峰值控制方法包括：
检测所述交流信号是否过零点；
控制所述开关电路在所述交流信号过零点时进行软启动，以指示所述交流信号的幅值维持在预设阈值内。
7.如权利要求6所述的电流峰值控制方法，其特征在于，检测所述交流信号是否过零点具体包括：
检测所述电容电路两端的电压值是否达到预设电压值；
当所述电容电路两端的电压值达到预设电压值时，判定所述交流信号正处于过零点状态。
8.如权利要求6所述的电流峰值控制方法，其特征在于，控制所述开关电路在所述交流信号过零点时进行软启动具体包括：
控制所述脉宽调制信号在所述交流信号过零点时按照占空比从小到大的规律输出至所述开关电路。
9.如权利要求6所述的电流峰值控制方法，其特征在于，过零点时，所述第一Y电容的漏电流峰值为：
IPE＝CY1*(dVCY1/dt)＝Iin*(CY1/CΣ)；
其中，IPE为第一Y电容的漏电流峰值，CY1为第一Y电容的容值，Iin为过零点时交流信号的幅值，CΣ为电容电路的等效容值，dVCY1/dt为第一Y电容在过零点时的电压变化率；CΣ＞CY1。
10.一种可读存储介质，所述可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求6至9任一项所述电流峰值控制方法的步骤。
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