CN111628098A

CN111628098A - 显示装置

Info

Publication number: CN111628098A
Application number: CN202010092264.XA
Authority: CN
Inventors: 河载兴; 金锺祐; 李炳德
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2019-02-28
Filing date: 2020-02-14
Publication date: 2020-09-04
Also published as: US11205766B2; US20200280023A1

Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：发光元件；以及密封构件，位于发光元件上，并且密封发光元件，其中，密封构件包括位于发光元件上的第一无机层、位于第一无机层上的有机层以及位于有机层上的第二无机层。

Description

显示装置

本申请要求于2019年2月28日提交的第10-2019-0024168号韩国专利申请以及于2019年8月23日提交的第10-2019-0103375号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

显示装置是用于显示图像的装置。正在开发用在诸如电视、移动电话、平板计算机、导航装置和游戏装置的多媒体装置中的各种显示装置。此外，近年来，正在进行对具有提高的光利用效率和改善的颜色平衡的自发光型显示装置的开发。

自发光型显示装置包括由阳极、发光层和阴极组成的发光元件。发光层非常容易受到湿气或氧的影响，从而当湿气或氧从外部穿透发光层时，存在由于发光层的劣化而会发生诸如暗斑和像素收缩的各种缺陷的问题，导致用于保护发光元件的密封部件被用于补救这样的问题。

发明内容

本公开的实施例的方面针对一种具有改善的效率的显示装置。

此外，本公开提供了一种阻挡诸如氧和湿气的外来物质从外部流到显示装置中并且具有改善的可靠性的显示装置。

根据发明构思的一些实施例，提供了一种显示装置，该显示装置包括发光元件以及位于发光元件上并且密封发光元件的密封构件，其中，密封构件包括：第一无机层，位于发光元件上并且具有1.58至1.64的折射率；有机层，位于第一无机层上；以及第二无机层，位于有机层上并且具有1.58至2.00的折射率。

在一些实施例中，第一无机层的厚度为0.5μm至1.5μm。

在一些实施例中，第一无机层包括氮氧化硅、氮化硅和氧化硅中的至少一种。

在一些实施例中，第二无机层的厚度为0.5μm至1.5μm。

在一些实施例中，第二无机层包括具有彼此不同的折射率的两个或更多个子无机层。

在一些实施例中，第二无机层包括具有1.58至1.64的折射率的第一子无机层以及具有1.80至2.00的折射率的第二子无机层。

在一些实施例中，第一子无机层的厚度与第二子无机层的厚度的比为3:1至5:1。

在一些实施例中，第一子无机层的厚度为0.5μm至0.6μm。

在一些实施例中，第二子无机层的厚度为0.1μm至0.2μm。

在一些实施例中，第一子无机层包括氮氧化硅或氧化硅。

在一些实施例中，第二子无机层包括氮化硅、氧化铝和氧化钛中的至少一种。

在一些实施例中，第二子无机层位于密封构件的顶部处。

在一些实施例中，第二无机层包括不包含Si-O键的氮化硅并且具有0.15μm至0.25μm的厚度。

在一些实施例中，第二无机层的氢含量小于或等于2.8×10²²原子/cm³。

在一些实施例中，对于整个第二无机层，氮与硅的摩尔比为1至1.3。

在一些实施例中，第二无机层具有2.3g/cm³至2.6g/cm³的密度。

在一些实施例中，发光元件包括：第一电极；第二电极，位于第一电极上；以及中间层，位于第一电极与第二电极之间并且包括具有有机发光材料和量子点发光材料中的至少一种的发光层。

在一些实施例中，显示装置还包括位于发光元件与密封构件之间的盖层。

在一些实施例中，显示装置还包括位于盖层与密封构件之间并且具有1.3至1.4的折射率的覆盖层。

在一些实施例中，显示装置还包括位于密封构件上并且包括量子点的颜色控制层。

根据发明构思的一些实施例，提供了一种显示装置，该显示装置包括：发光元件；第一无机层，位于发光元件上并且具有第一厚度；有机层，位于第一无机层上；以及第二无机层，位于有机层上，其中，第二无机层包括具有比第一厚度小的第二厚度的第一子无机层以及位于第一子无机层上并且具有比第二厚度小的第三厚度的第二子无机层。

在一些实施例中，第二厚度与第三厚度的比为3:1至5:1。

在一些实施例中，第一无机层具有第一折射率，第一子无机层具有第二折射率，并且第二子无机层具有比第一折射率和第二折射率大的第三折射率。

在一些实施例中，第一折射率为1.58至1.64。

在一些实施例中，第二折射率为1.58至1.64，并且第三折射率为1.80至2.00。

根据发明构思的一些实施例，提供了一种显示装置，该显示装置包括发光元件以及位于发光元件上并且密封发光元件的密封构件，其中，密封构件包括：第一无机层；有机层，位于第一无机层上；以及第二无机层，位于有机层上，并且其中，第二无机层包括不包含Si-O键的氮化硅，具有0.15μm至0.25μm的厚度，具有对于整个第二无机层的氮与硅的1至1.3的摩尔比，并且具有小于或等于2.8×10²²原子/cm³的氢含量。

在一些实施例中，第二无机层具有2.3g/cm³至2.6g/cm³的密度。

在一些实施例中，第一无机层的折射率为1.58至1.64，第二无机层的折射率为1.58至2.00。

附图说明

附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于描述发明构思的原理。在附图中：

图1A是根据发明构思的示例实施例的显示装置的组装透视图；

图1B是根据发明构思的示例实施例的显示装置的分解透视图；

图2是包括在根据发明构思的示例实施例的显示装置中的像素之一的电路图；

图3是沿图1B中所示的线I-I'截取的剖视图；

图4A是根据发明构思的示例实施例的显示装置的剖视图；

图4B是示出根据发明构思的示例实施例的显示装置和比较示例的显示装置(两者均包括蓝色发光层)的效率的图；

图4C是示出根据发明构思的示例实施例的显示装置和比较示例的显示装置(两者均包括白色发光层)的效率的图；

图5A是根据发明构思的示例实施例的显示装置的剖视图；

图5B是示出根据发明构思的示例实施例的显示装置和比较示例的显示装置的效率的图；

图6A至图6C是根据发明构思的示例实施例的显示装置的剖视图；并且

图7A至图7B是根据发明构思的示例实施例的显示装置的剖视图。

具体实施方式

贯穿本说明书，同样的附图标记表示同样的元件。在附图中，为了技术内容的有效描述，可以夸大元件的厚度、比例和尺寸。

除非另有限定，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有由本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被理解为具有与在相关领域的上下文中的它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意思来解释，除非在此明确地如此限定。

在下文中，将参照附图详细地解释本发明。

图1A是根据发明构思的示例实施例的显示装置DD的组装透视图。图1B是根据发明构思的示例实施例的显示装置DD的分解透视图。图2是包括在根据发明构思的示例实施例的显示装置DD中的像素之一的电路图。

参照图1A和图1B，根据发明构思的实施例的显示装置DD包括基体构件BS、设置在基体构件BS上的显示层DL以及设置在显示层DL上的密封构件EN。

显示装置DD在实施例中被示出为包括平面显示表面，但是不局限于此。显示装置DD也可以包括弯曲显示表面或立体显示表面。立体显示表面包括指示(例如，示出)不同空间方向的多个显示区域，并且也可以包括例如多边柱状显示表面。

根据实施例的显示装置DD可以是刚性显示装置或柔性显示装置。当显示装置DD是柔性显示装置时，显示装置DD可以是可折叠显示装置。

显示装置DD包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA显示图像。当在显示装置DD的厚度方向上观看时，显示区域DA可以具有基本上矩形形状，但是不局限于此。

显示区域DA包括多个像素区域PX-B、PX-G和PX-R。像素区域PX-B、PX-G和PX-R可以以矩阵形式布置。像素区域PX-B、PX-G和PX-R可以由像素限定膜PDL(见图3)限定。像素区域PX-B、PX-G和PX-R可以具有设置在其中的像素PX(见图2)。每个像素包括发光元件ED(见图2)。在发明构思的实施例中，像素可以是发光型像素或透射型像素。

显示装置DD可以包括发射彼此不同的波长的光束的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域。在图1B中所示的实施例中，第一像素区域可以是蓝色像素区域PX-B，第二像素区域可以是绿色像素区域PX-G，并且第三像素区域可以是红色像素区域PX-R。也就是说，在实施例中，显示装置DD可以包括蓝色像素区域PX-B、绿色像素区域PX-G和红色像素区域PX-R。蓝色像素区域PX-B是发射蓝光的蓝色发光区域，绿色像素区域PX-G和红色像素区域PX-R分别代表绿色发光区域和红色发光区域。

非显示区域NDA不显示图像(例如，不能够显示图像)。当在显示装置DD的厚度方向DR3上观看时，非显示区域NDA可以例如围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以在第一方向DR1和第二方向DR2上与显示区域DA相邻。

参照图2，每个像素PX可以连接到由栅极线GL、数据线DAL和驱动电压线DVL组成的线部分。每个像素PX包括连接到线部分的薄膜晶体管TFT1和TFT2、发光元件ED以及连接到薄膜晶体管TFT1和TFT2的电容器Cst。

栅极线GL在第一方向DR1上延伸。数据线DAL在与栅极线GL交叉的第二方向DR2上延伸。驱动电压线DVL与数据线DAL在基本上相同的方向上(即，在第二方向DR2上)延伸。栅极线GL向薄膜晶体管TFT1和TFT2传输扫描信号，数据线DAL向薄膜晶体管TFT1和TFT2传输数据信号，并且驱动电压线DVL向薄膜晶体管TFT1和TFT2提供驱动电压。

薄膜晶体管TFT1和TFT2可以包括用于控制发光元件ED的驱动薄膜晶体管TFT2和用于切换驱动薄膜晶体管TFT2的开关薄膜晶体管TFT1。在发明构思的实施例中，每个像素PX被描述为包括两个薄膜晶体管TFT1和TFT2，但是不局限于此。每个像素PX可以包括单个薄膜晶体管和单个电容器，或者也可以包括三个或更多个薄膜晶体管以及两个或更多个电容器。

开关薄膜晶体管TFT1包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第一栅电极连接到栅极线GL，并且第一源电极连接到数据线DAL。第一漏电极通过接触孔(或接触开口)连接到第一共电极。开关薄膜晶体管TFT1响应于施加到栅极线GL的扫描信号向驱动薄膜晶体管TFT2传输施加到数据线DAL的数据信号。

发光元件ED包括连接到驱动薄膜晶体管TFT2的第一电极和接收第二电源电压的第二电极。发光元件ED可以包括设置在第一电极与第二电极之间的发光图案。

发光元件ED在驱动薄膜晶体管TFT2的导通时间段期间发光。在发光元件ED中产生的光的颜色由形成发光图案的材料确定。例如，在发光元件ED中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的任意一种。

再次参照图1A和图1B，密封构件EN设置在基体构件BS和显示层DL上。密封构件EN覆盖显示层DL。密封构件EN保护显示层DL免受外部的氧、湿气和污染物的影响。下面将提供密封构件EN的详细描述。

图3是沿图1B中所示的线I-I'截取的剖视图。

参照图3，显示装置DD包括基体构件BS、显示层DL、盖层CAL、覆盖层COL和密封构件EN。基体构件BS可以包括基体层SUB、缓冲层BFL、薄膜晶体管TFT等。

基体层SUB不受具体地限制，只要基体层SUB由常用的材料形成即可，并且基体层SUB可以由诸如玻璃、塑料和石英的绝缘材料形成。构成基体层SUB的有机聚合物的示例可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺和聚醚砜。可以考虑到机械强度、热稳定性、透明性、表面光滑度、处理的容易度、防水性等来选择形成基体层SUB的材料。

功能层可以设置在基体层SUB上。在图3中示例性地示出缓冲层BFL被设置为功能层，但是功能层也可以包括阻挡层。缓冲层BFL可以用于改善基体构件BS与显示层DL之间的结合力，并且阻挡层可以用于防止或基本上防止外来物质流到显示层DL中。

薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BFL上。薄膜晶体管TFT可以包括用于控制发光元件ED的驱动薄膜晶体管和用于切换驱动薄膜晶体管的开关薄膜晶体管。

薄膜晶体管TFT可以包括半导体层SM、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。半导体层SM由半导体材料形成，并且作为薄膜晶体管TFT的有源层来操作。半导体层SM可以由无机半导体或有机半导体形成。

栅极绝缘层GI设置在半导体层SM上。栅极绝缘层GI覆盖半导体层SM。栅极绝缘层GI可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。

栅电极GE设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以形成为覆盖与半导体层SM的沟道区对应的区域。

源电极SE和漏电极DE设置在层间绝缘层IL上。漏电极DE可以通过形成在栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的接触孔(或接触开口)与半导体层SM的漏区接触，并且源电极SE可以通过形成在栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的接触孔(或接触开口)与半导体层SM的源区接触。

钝化层PL设置在源电极SE、漏电极DE和层间绝缘层IL上。钝化层PL可以用作用于保护薄膜晶体管TFT的保护膜，并且也可以用作用于使其顶表面平坦化的平坦化膜。

显示层DL可以包括发光元件ED和像素限定膜PDL。

发光元件ED设置在钝化层PL上。发光元件ED包括第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的第二电极EL2以及设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的中间层CL。发光元件ED可以是顶发射型。然而，发光元件ED不局限于此，并且也可以是底发射型。

第一电极EL1可以是像素电极或阳极。第一电极EL1可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明金属氧化物。当第一电极EL1是透反射电极或反射电极时，第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或这些金属的混合物。

第二电极EL2可以是共电极或阴极。第二电极EL2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极EL2是透射电极时，第二电极EL2可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。然而，第二电极EL2不局限于此，并且也可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)。当第二电极EL2是透反射电极或反射电极时，第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。可选择地，第二电极EL2可以是包括由上面描述的材料形成的反射膜或透反射膜以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜的多个层的结构。

像素限定膜PDL可以设置在第一电极EL1上。例如，像素限定膜PDL可以覆盖第一电极EL1的一部分，并且暴露第一电极EL1的另一部分。像素限定膜PDL可以包括金属氟化物离子化合物，但是不局限于此。例如，像素限定膜PDL可以由LiF、BaF₂和CSF中的任意一种金属氟化物离子化合物组成。当金属氟化物离子化合物具有设定或预定的厚度时，金属氟离子化合物具有绝缘性质。

像素限定膜PDL可以限定开口PDL-OP。像素限定膜PDL的开口PDL-OP可以限定发光区域。

中间层CL可以设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间。中间层CL可以设置在限定在像素限定膜PDL中的开口PDL-OP中。中间层CL可以与由像素限定膜PDL的开口PDL-OP限定的发光区域叠置。将参照将在后面描述的图4A更加详细地描述中间层CL。

密封构件EN包括第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2。然而，密封构件EN不局限于此，并且还可以包括一个无机层和一个有机层。密封构件EN设置在发光元件ED上并且密封发光元件ED。

第一无机层IOL1设置在显示层DL上。第一无机层IOL1设置在发光元件ED上。例如，第一无机层IOL1可以设置为比第二无机层IOL2更接近发光元件ED。第一无机层IOL1可以设置为与发光元件ED的第二电极EL2接触。第一无机层IOL1可以设置为与发光元件ED和像素限定膜PDL叠置。第一无机层IOL1可以包括无机材料。第一无机层IOL1可以通过沉积法等形成，例如可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来形成。第一无机层IOL1可以密封发光元件ED并且用作用于防止或基本上防止外来物质流到发光元件ED中的阻挡膜。

有机层OL设置在第一无机层IOL1上。有机层OL可以直接设置在第一无机层IOL1上。有机层OL具有设定或预定的厚度，可以用作用于保护发光元件ED的保护膜，可以缓解密封构件EN的内部应力，并且可以用作用于使第一无机层IOL1的顶表面平坦化的平坦化膜。有机层OL可以包括有机材料，例如可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯，但是不局限于此。包括上述有机材料的有机层OL的折射率可以是大约1.35至大约1.55。有机层OL可以通过沉积法、涂覆法等形成。

第二无机层IOL2设置在有机层OL上。第二无机层IOL2可以直接设置在有机层OL上。第二无机层IOL2可以设置为与发光元件ED和像素限定膜PDL叠置。从平面图来看，第二无机层IOL2可以与第一无机层IOL1完全叠置。第二无机层IOL2包括无机材料。第二无机层IOL2可以包括与包括在第一无机层IOL1中的材料相同或不同的无机材料。第二无机层IOL2可以通过沉积法等形成，例如可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)来形成。第二无机层IOL2可以密封发光元件ED并且可以用作用于防止或基本上防止外来物质流到发光元件ED中的阻挡膜。

显示装置DD还可以包括盖层CAL。盖层CAL可以设置在发光元件ED与密封构件EN之间。盖层CAL可以设置为覆盖第二电极EL2。盖层CAL可以设置在第二电极EL2与第一无机层IOL1之间。

盖层CAL可以具有透光性质并且可以用于保护发光元件ED。此外，盖层CAL可以用于帮助在发光层中产生的光被有效地发射到外部。盖层CAL可以包括具有透光性质的无机材料和有机材料中的至少一种。此外，盖层CAL也可以由具有彼此不同的折射率的两种或更多种材料形成。例如，盖层CAL可以通过高折射率材料和低折射率材料的混合使用来形成。高折射率材料和低折射率材料可以是有机材料或无机材料。盖层CAL的厚度不受具体地限制，例如可以是从大约30nm至大约1000nm。

显示装置DD还可以包括覆盖层COL。覆盖层COL可以设置在发光元件ED与密封构件EN之间。此外，覆盖层COL可以设置在盖层CAL与密封构件EN之间。覆盖层COL的折射率可以是从大约1.3至大约1.4。覆盖层COL可以用于帮助在发光层中产生的光被有效地发射到外部。包括在覆盖层COL中的材料不受具体地限制，例如可以包括氟化锂(LiF)。

图4A是根据发明构思的示例实施例的显示装置DD-1的剖视图，图4B和图4C是示出根据发明构思的示例实施例的显示装置DD-1和显示装置DD-1'以及比较示例的显示装置Com-DD1和显示装置Com-DD1'的相对效率的图。

当与图3比较时，在图4A中示意性地示出基体构件BS。在下文中，将不提供对于与参照图1A至图3描述的显示装置的组件相同的组件的详细描述。

参照图4A，中间层CL可以包括发光层EML。发光层EML可以发射红色、绿色、蓝色和白色中的任意一种颜色的光。发光层EML可以是单个层。此外，发光层EML可以具有被称为串列(tandem)的多层结构。例如，发光层EML可以是蓝色发光层/蓝色发光层、蓝色发光层/黄色发光层、蓝色发光层/绿色发光层等的两层串列结构，或者蓝色发光层/蓝色发光层/蓝色发光层、蓝色发光层/黄色发光层/蓝色发光层、蓝色发光层/绿色发光层/蓝色发光层等的三层串列结构。此外，电荷产生层还可以被包括在发光层之间的每个位置中。

发光层EML可以包括发光材料。发光材料的种类不受具体地限制，可以是有机化合物和/或无机化合物。在实施例中，发光材料可以是量子点材料。量子点的核可以从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及它们的组合选择。

除了发光层之外的多个公共层还可以设置在中间层CL中。例如，中间层CL可以通过顺序地层叠空穴传输区域HTR、发光层EML和电子传输区域ETR来形成。空穴传输区域HTR设置在第一电极EL1上，并且可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。电子传输区域ETR设置在发光层EML上，并且可以包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。

密封构件EN包括第一无机层IOL1、直接设置在第一无机层IOL1上的有机层OL以及直接设置在有机层OL上的第二无机层IOL2。

在实施例中，第一无机层IOL1的折射率可以是大约1.64或更小。当第一无机层IOL1的折射率大于大约1.64时，第一无机层IOL1与有机层OL之间的折射率的差值变大，并且因此经历第一无机层IOL1和有机层OL之间的界面反射的光与从发光层EML发射的光的比例会增大。因此，发光元件ED的微腔效应受到影响，并且显示装置DD-1的效率降低。

参照图4B和图4C，可以看出根据第一无机层IOL1的折射率的显示装置的光效率方面的差异。显示装置DD-1的效率是通过测量电流-电压-亮度(IVL)特性来评估的。比较示例和实施例具有与根据与图4A的显示装置DD-1相同的结构，除了密封构件EN的第一无机层IOL1的折射率彼此不同之外。在图中，省略了相同的结构，仅示出了密封构件的结构。例如，比较示例的显示装置Com-DD1和显示装置Com-DD1'包括包含具有氮氧化硅和大约1.76的折射率的第一无机层IOL1'、有机层OL以及具有大约1.90的折射率的第二无机层IOL2的密封构件，实施例的显示装置DD-1和显示装置DD-1'包括包含具有氮氧化硅和大约1.60的折射率的第一无机层IOL1、有机层OL以及具有大约1.90的折射率的第二无机层IOL2的密封构件。

图4B是示出显示装置包括蓝色发光层时的相对光效率的图。当以比较示例的显示装置Com-DD1的效率作为100％时，根据实施例的显示装置DD-1具有大约102％的效率，与比较示例的显示装置相比时高大约2％。图4C是示出显示装置包括白色发光层时的相对光效率的图。当以比较示例的显示装置Com-DD1'的效率作为100％时，根据实施例的显示装置DD-1'具有大约103.5％的效率，与比较示例的显示装置相比时高大约3.5％。被认为是由于第一无机层IOL1的折射率降低使得第一无机层IOL1与有机层OL之间的界面反射减小而改善了显示装置的效率。因此，根据发明构思的实施例的显示装置DD、DD-1和DD-1'的效率可以通过将第一无机层IOL1的折射率控制为大约1.64或更小而得到改善。

此外，在实施例中，第一无机层IOL1的折射率可以是大约1.58或更大。当第一无机层IOL1的折射率小于大约1.58时，第一无机层IOL1作为阻挡膜的功能劣化，使得不能合适地防止氧、湿气、外来物质等流到发光元件ED中。具体地，作为湿式高温存储(WHTS)测量试验的结果，当第一无机层IOL1的折射率小于大约1.58时，产生大量的暗斑等并且显示装置被评估为有缺陷或不可用，但是当第一无机层IOL1的折射率为大约1.58或更大时，显示装置被评估为良好。这里，WHTS测量试验是在高温和高湿度条件下的存储试验，这是指显示装置被放置在大约85℃的温度和大约85％的湿度下的烤箱中大约500小时，以定性地评估是否出现暗斑等。因此，通过将第一无机层IOL1的折射率控制为大约1.58或更大，第一无机层IOL1可以有效地用作阻挡膜，使得根据发明构思的实施例的显示装置DD、DD-1和DD-1'的可靠性得到改善。

在实施例中，第一无机层IOL1的厚度可以是从大约0.5μm至大约1.5μm。第一无机层IOL1的厚度可以大于或等于第二无机层IOL2的厚度。在另一实施例中，第一无机层IOL1的厚度可以是从大约0.7μm至大约1.2μm。

在实施例中，第一无机层IOL1可以包括具有相对小的吸收系数的无机材料，并且可以包括例如氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN)和氧化硅(SiO)中的至少一种，但是不局限于此。通过调节第一无机层IOL1的厚度范围并且在第一无机层IOL1中包括具有相对小的吸收系数的无机材料，可以使第一无机层IOL1吸收的光的量最小化或者基本上减小，同时第一无机层IOL1可以有效地执行阻挡膜的功能，使得可以防止或基本上减小显示装置DD、DD-1和DD-1'效率的降低。

在实施例中，有机层OL的厚度可以是从大约0.5μm至大约1.3μm。有机层OL可以是单个层，或者可以包括多个层。

在实施例中，第二无机层IOL2的折射率可以是从大约1.58至大约2.00。在实施例中，第二无机层IOL2的厚度可以是从大约0.1μm至大约1.5μm。在另一实施例中，第二无机层IOL2的厚度可以是从大约0.1μm至大约1.0μm。第二无机层IOL2可以是单个层，或者可以包括多个子无机层。当第二无机层IOL2包括多个子无机层时，子无机层的折射率和/或厚度可以在该范围内彼此相同或彼此不同，并且将在下面提供详细的描述。

参照回图4A，当在实施例中第二无机层IOL2是单个层时，第二无机层IOL2的厚度可以是从大约0.15μm至大约0.25μm，并且更优选地，从大约0.15μm至大约0.2μm。第二无机层IOL2可以包括氮化硅(Si_xN_y，其中x和y是彼此独立的并且均是1至5的整数)。例如，第二无机层IOL2可以由诸如Si₃N₄的氮化硅构成。

氮化硅可以不包含Si-O(硅-氧)键。此外，氮化硅中每单位体积(cm³)的氢含量可以是从大约0原子/cm³至大约2.8×10²²原子/cm³。氮化硅中氮与硅的摩尔比可以是从大约1至大约1.3。

当氮化硅满足上述条件时，氮化硅对具有大约460nm的中心波长的光的吸收系数可以收敛到零。因此，因为在蓝光从发光层EML发射之后被第二无机层IOL2吸收的蓝光的量减少，显示装置DD的对蓝光的发光效率可以得到改善。

当第二无机层IOL2包括满足上述条件的氮化硅时，第二无机层IOL2的密度可以是从大约2.3g/cm³至大约2.6g/cm³。因此，第二无机层IOL2可以具有优异的阻挡性质并且可以更有效地防止湿气从外部渗透。

当第二无机层IOL2的厚度是从大约0.15μm至大约0.25μm时，即使当密封构件EN被应用于可折叠显示装置并且被折叠数次时，也可以防止或基本上减小对密封构件EN的损坏。因此，可以防止或基本上防止由于对密封构件EN的损坏而导致的外部湿气的渗透，使得显示装置DD的耐用性可以得到改善。当第二无机层IOL2的厚度小于大约0.15μm时，密封构件EN的抗湿性会降低，当第二无机层IOL2的厚度超过大约0.25μm时，密封构件EN的耐用性在密封构件EN被应用于可折叠显示装置的情况下会劣化。

在下文中，将参照实施例和比较示例详细地描述根据发明构思的实施例的第二无机层IOL2以及包括该第二无机层IOL2的显示装置DD的效果。

实施例1和比较示例1的显示装置具有与图4A中所示的显示装置DD-1相同的层叠结构。实施例1和比较示例1的显示装置除了第二无机层之外由相同的材料和结构制造。

在实施例1的显示装置中，沉积了氮化硅以形成具有大约0.2μm的厚度的第二无机层。在比较示例1的显示装置中，沉积了氮化硅以形成具有大约0.7μm的厚度的第二无机层。

在下面的表1中示出了实施例1和比较示例1的第二无机层的性质。

表1

分析项目	实施例1	比较示例1
			吸收系数(M<sup>-1</sup>cm<sup>-1</sup>)	0	4.8×10<sup>-3</sup>
Si-O键	无	存在
			氢含量(原子/cm<sup>3</sup>)	2.58×10<sup>22</sup>	3.24×10<sup>22</sup>
组分比例(N/Si<sup>2p</sup>)	49.86/48.50	47.94/50.50
			密度	2.520g/cm<sup>3</sup>	2.101g/cm<sup>3</sup>

当使用傅里叶变换红外光谱仪测量了根据实施例1和比较示例1的第二无机层时，在实施例1的第二无机层中没有检测到对应于Si-O键的峰，并且在比较示例1的第二无机层中检测到了对应于Si-O键的峰。因此，可以看出，实施例1的第二无机层不包含Si-O键。使用动态二次离子质谱仪(D-SIMS)测量了实施例1和比较示例1的第二无机层的氢含量。

使用X射线光电子能谱仪(XPS)测量了实施例1和比较示例1的第二无机层中的氮和硅的摩尔百分比。Si^2p是测得的硅(Si)的2p轨道的摩尔数。实施例1的第二无机层中的氮和硅的摩尔百分比分别为大约49.86％和大约48.50％，因此测得实施例1的第二无机层中的氮与硅的摩尔比为大约1或更大。在比较示例1的第二无机层中由相同的方法测得的氮和硅的摩尔百分比分别为大约47.94％和大约50.50％，因此在比较示例1的第二无机层中的氮和硅的摩尔比被测得为大约1或更小。

使用X射线反射仪测量了实施例1和比较示例1的第二无机层的密度。

利用具有大约460nm的中心波长的蓝光测量了实施例1和比较示例1的第二无机层的吸收系数。

实施例1和比较示例1的第二无机层的折射率为大约1.9。

针对实施例1和比较示例1的显示装置测量了水蒸气透过率(MVTR)值。在下面的表2中示出了MVTR测量结果。

表2

	实施例1	比较示例1
			MVTR(g/m<sup>2</sup>天)	2.0×10<sup>-6</sup>	3.1×10<sup>-6</sup>

根据实施例1的显示装置与比较示例1的显示装置相比较薄，但是具有较低的水蒸气透过率。实施例1的第二无机层不包含Si-O键，具有大约1或更大的氮与硅的摩尔比，具有大约2.8×10²²原子/cm³或更小的小的氢含量，并且具有与比较示例1的第二无机层的密度相比较高的密度。结果，认为实施例1的第二无机层具有优异的阻挡性质并因此表现出低的水蒸气透过率。为了测量根据实施例的显示装置的光耐用性，针对根据实施例和比较示例的显示装置测量了根据暴露于光的程度的透光率的改变的量，并且在表3中示出了测量结果。透光率的改变的量通过以下方法测得。

透光率的改变的量1是利用具有大约405nm的中心波长的深蓝光的两次测量的值，透光率的改变的量2是利用具有大约430nm的中心波长的深蓝光的两次测量的值。

针对实施例2和比较示例2中的每个沉积了具有大约2μm的厚度的第二无机层，针对实施例3和比较示例3中的每个沉积了具有大约4μm的厚度的第二无机层，并且针对实施例4和比较示例4中的每个沉积了具有大约7μm的厚度的第二无机层。实施例2至实施例4的第二无机层的性质与表1中所示的实施例1的第二无机层的性质相同，并且比较示例2至比较示例4的第二无机层的性质与表1中所示的比较示例1的第二无机层的性质相同。

根据实施例和比较示例的透光率的改变的量是通过测量暴露于光之前的透光率和在暴露于光共计40个循环之后的透光率而得到的，从而计算出暴露于光之前和之后的透光率的改变的百分比。在一个循环期间，每个显示装置暴露于具有大约1120瓦特(W)的强度的光达大约8小时。

透光率的改变的量在透光率增大时被表示为负值，透光率的改变的量在透光率减小时被表示为正值。

表3

参照表3，即使当实施例2至实施例4的显示装置暴露于光时，透光率也基本上没有改变。对于比较示例2至比较示例4，透光率在显示装置暴露于光之后减小，具有大约405nm的中心波长的光的透光率尤其显著地减小，并且由于第二无机层的厚度增加，所以透光率进一步减小。此外，参照比较示例4，当形成具有大约7μm的厚度的第二无机层时，对具有大约430nm的中心波长的光的透光率显著减小。被认为是因为实施例2至实施例4分别通过包括具有表1中所示的性质的第二无机层而具有高耐用性，所以对于实施例2至实施例4而言由于被光的损坏较小而使透光率没有改变。被认为是因为在比较示例2至比较示例4中分别包括具有低耐用性的第二无机层，所以透光率由于被光损坏的第二无机层而减小。此外，被认为是，随着第二无机层变得越厚，被损坏的区域变得越宽，因此透光率的减小的百分比变得越大。

在下文中，将参照图5A和图5B、实施例以及比较示例详细地描述包括多个子无机层的第二无机层IOL2以及包括该第二无机层IOL2的显示装置的效果。

图5A是根据发明构思的示例实施例的显示装置DD-2的剖视图，图5B是示出根据发明构思的示例实施例的显示装置DD-2和比较示例的显示装置Com-DD2的相对效率的图。在下文中，针对与参照图1A至图4C描述的显示装置的组件相同的组件将不提供详细的描述。

参照图5A，显示装置DD-2可以包括密封构件EN-1，密封构件EN-1可以包括包含多个子无机层的第二无机层IOL2。第二无机层IOL2可以包括其折射率和厚度彼此不同的第一子无机层Sub-IOL1和第二子无机层Sub-IOL2。

当第二无机层IOL2包括两个子无机层Sub-IOL1和Sub-IOL2时，第二无机层IOL2的厚度可以是从大约0.5μm至大约1.5μm。例如，第二无机层IOL2的厚度可以是从大约0.5μm至大约1.0μm。

第一子无机层Sub-IOL1可以直接设置在有机层OL上。第一子无机层Sub-IOL1的折射率可以与第一无机层IOL1的折射率相同或相似，例如，可以是从大约1.58至大约1.64。因为第一子无机层Sub-IOL1直接设置在有机层OL上，所以第一子无机层Sub-IOL1的折射率可以被控制为类似于第一无机层IOL1的折射率，使得第一子无机层Sub-IOL1防止或基本上减少显示装置DD-2的效率的劣化并且有效地执行阻挡膜的功能。

第一子无机层Sub-IOL1可以比第一无机层IOL1薄，并且可以比第二子无机层Sub-IOL2厚。在实施例中，第一子无机层Sub-IOL1的厚度t1可以是从大约0.5μm至大约0.6μm。

在实施例中，第一子无机层Sub-IOL1可以包括具有相对小的吸收系数的无机材料，例如可以包括氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO)，但是不局限于此。通过调节第一子无机层Sub-IOL1的厚度和折射率的范围并且在第一子无机层Sub-IOL1中包括具有相对小的吸收系数的无机材料，可以使被第一子无机层Sub-IOL1吸收的光的量最小化或基本上减小，同时第一子无机层Sub-IOL1可以有效地执行阻挡膜的功能，从而可以防止或基本上减少显示装置DD-2的效率的降低。

第二子无机层Sub-IOL2可以设置在第一子无机层Sub-IOL1上。第二子无机层Sub-IOL2可以设置在密封构件EN-1的顶部处。防止氧、湿气、外来物质等流到发光元件ED中的功能在设置在密封构件EN-1的顶部处的第二子无机层Sub-IOL2中是最重要的。因此，第二子无机层Sub-IOL2的折射率可以比第一无机层IOL1和第一子无机层Sub-IOL1的折射率大。在实施例中，第二子无机层Sub-IOL2的折射率可以是从大约1.80至大约2.00。

第二子无机层Sub-IOL2的厚度t2可以比第一子无机层Sub-IOL1的厚度t1小。在实施例中，第二子无机层Sub-IOL2的厚度t2可以是从大约0.1μm至大约0.2μm。当第二子无机层Sub-IOL2的厚度t2大于大约0.2μm时，因为具有更大的折射率的第二子无机层Sub-IOL2的吸收系数比第一子无机层Sub-IOL1的吸收系数大，所以被第二子无机层Sub-IOL2吸收的光的量会变大，因此显示装置的效率会降低。

在实施例中，第一子无机层Sub-IOL1的厚度t1与第二子无机层Sub-IOL2的厚度t2的比(t1:t2)可以是从大约3:1至大约5:1。

参照图5B，可以看出根据第二无机层IOL2的显示装置的光效率的差异。通过测量电流-电压-亮度(IVL)特性来评估显示装置的效率。比较示例的显示装置Com-DD2具有与图4B的比较示例的显示装置Com-DD1相同的构造。实施例中的显示装置DD-2与图5A中的显示装置相同，包括蓝色发光层，并且包括包含具有大约1.60的折射率的第一无机层IOL1、有机层OL、具有大约1.60的折射率的第一子无机层Sub-IOL1以及具有大约1.90的折射率的第二子无机层Sub-IOL2的密封构件。当以比较示例的显示装置Com-DD2的效率作为100％时，根据实施例的显示装置DD-2具有大约109.1％的效率，与比较示例的显示装置相比时高大约9.1％。与根据图4B和图4C的实施例的显示装置DD-1和显示装置DD-1′中相比效率的改善更大，被认为是由于具有大约1.90的折射率的第二子无机层Sub-IOL2的厚度减小而使被第二子无机层Sub-IOL2吸收的光的量减少，所以显示装置DD-2的效率进一步改善。因此，根据发明构思的示例实施例的显示装置DD-2可以通过包括其折射率和厚度被控制的第一子无机层Sub-IOL1和第二子无机层Sub-IOL2而具有改善的效率。

在实施例中，第二子无机层Sub-IOL2可以包括具有相对大的吸收系数的无机材料，例如可以包括氮化硅、氧化铝和氧化钛中的任意一种。

图6A至图6C是根据发明构思的示例实施例的显示装置的剖视图。在下文中，针对与参照图1A至图5B描述的显示装置的组件相同的组件将不提供详细的描述。

参照图6A，显示装置DD-3可以包括设置在发光元件ED与密封构件EN-1之间的覆盖层COL。覆盖层COL可以直接设置在发光元件ED上，并且密封构件EN-1可以直接设置在覆盖层COL上。

参照图6B，显示装置DD-4可以包括设置在发光元件ED与密封构件EN-1之间的盖层CAL。盖层CAL可以直接设置在发光元件ED上，并且密封构件EN-1可以直接设置在盖层CAL上。

参照图6C，显示装置DD-5可以包括直接设置在发光元件ED上的密封构件EN-1。在这种情况下，显示装置DD-5可以不包括覆盖层和盖层。

图7A和图7B是根据发明构思的示例实施例的包括颜色控制层CCL的显示装置DD-6的剖视图。图7B示出了根据与图7A对应的实施例的三个像素区域PX-R、PX-G和PX-B。在下文中，针对与参照图1A至图6C描述的显示装置的组件相同的组件将不提供详细的描述。

参照图7A，显示装置DD-6还可以包括设置在密封构件EN上的颜色控制层CCL。盖层CAL和/或覆盖层COL可以被包括在发光元件ED与密封构件EN之间。

参照图7B，发光层EML可以设置为与全部的第一像素区域至第三像素区域PX-R、PX-G和PX-B叠置，并且可以具有一体的形状(例如，形成为单个连续的且单片的层)。发光层EML可以提供相同的蓝光。

虽然在图7B中被示出为包括单个中间层CL，但是发光元件ED不局限于此而是也可以包括被称为串列的多层结构的中间层CL。例如，发光元件可以包括第一中间层、第二中间层和第三中间层，并且在这种情况下，发光层可以具有蓝色发光层/蓝色发光层/蓝色发光层的结构等。

颜色控制层CCL可以包括与第一像素区域PX-B、第二像素区域PX-G和第三像素区域PX-R对应的透射滤光器TF和颜色转换构件CCF。在本实施例中，示例性地示出了包括一个透射滤光器TF以及两个颜色转换构件CCF1和CCF2的颜色控制层CCL以与三个像素区域对应。

透射滤光器TF可以设置为与第一像素区域PX-B对应。透射滤光器TF不包括发光体，并且可以透射从发光层EML提供的光。透射滤光器TF可以包括透明聚合物树脂，并且还可以包括蓝色颜料和蓝色染料中的至少一种以改善色纯度。

第一颜色转换构件CCF1和第二颜色转换构件CCF2可以设置为分别与第二像素区域PX-G和第三像素区域PX-R对应，并且可以吸收从发光层EML提供的光束以发射不同颜色的光束。第一颜色转换构件CCF1和第二颜色转换构件CCF2可以包括发光体，并且发光体可以包括量子点。

光阻挡部分BM可以设置在彼此隔开设置的透射滤光器TF和第一颜色转换构件CCF1之间以及彼此隔开设置的第一颜色转换构件CCF1和第二颜色转换构件CCF2之间。光阻挡部分BM可以通过包括有机光阻挡材料或者包含黑色颜料或黑色染料的无机光阻挡材料形成。光阻挡部分BM可以与***区域NPX叠置。光阻挡部分BM可以防止或基本上防止漏光现象并且限定彼此相邻的透射滤光器TF与颜色转换构件CCF1和CCF2之间的边界。然而，可以省略光阻挡部分BM，而是可以直接设置颜色转换构件CCF。

依据根据发明构思的实施例的显示装置，可以提供具有改善的效率的显示装置。

依据根据发明构思的实施例的显示装置，可以有效地阻挡诸如氧或湿气的外来物质从外部流到显示装置中，并且可以增强显示装置的可靠性。

虽然已经在此描述了发明构思的示例性实施例，但是理解的是，可以由本领域的技术人员在由权利要求及其等同物所限定的发明构思的精神和范围内做出各种改变和修改。

将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在此被用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该被这些术语限制。这些术语被用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在这里讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离发明构思的精神和范围。

此外，也将理解的是，当一个层被称为“在”两个层“之间”时，它可以是在这两个层之间的唯一的层，或者也可以存在一个或更多个中间的层。

在此所使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不旨在对发明构思进行限制。如在此所使用的，单数形式“一”和“一个(种/者)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确地指明。还将理解的是，术语“包括”、“包含”用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。

出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被理解为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。

此外，在描述发明构思的实施例时“可以”的使用是指“发明构思的一个或更多个实施例”。另外，术语“示例性”旨在是指示例或图示。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”或“相邻于”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到、直接结合到或直接相邻于所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”另一元件或层或者“直接与”另一元件或层“相邻”时，不存在中间元件或层。

如在此所使用的，术语“基本上”、“大约”和相似术语被用作近似术语而不被用作程度术语，并且旨在解释将由本领域的普通技术人员所认识到的测量值或计算值中的固定偏差。此外，在此文字描述或权利要求书中所叙述的特定的量或范围也可以包含将由本领域的普通技术人员所认识到的测量值或计算值中的固有偏差。

另外，在此所叙述的任意数值范围旨在包括包含在所叙述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所叙述的最小值1.0与所叙述的最大值10.0之间(并且包括端点)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。在此所叙述的任意最大数值限制旨在包括其中包含的所有较低的数值限制，并且本说明书中所叙述的任意最小数值限制旨在包括其中包含的所有较高的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括修改权利要求书)的权利，以明确叙述包含在此明确叙述的范围内的任意子范围。在本说明书中所有这样的范围旨在被固有地描述。

如在此所使用的，术语“使用”及其变型可以被考虑为与“利用”及其变型同义。

可以利用任意合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的合适的组合来实施根据在此所描述的本发明的实施例的显示装置和/或任何其它相关的装置或组件。例如，显示装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或者单独的IC芯片上。此外，显示装置的各种组件可以实施在柔性印刷电路膜、带载封装件(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在同一基底上。此外，显示装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中在一个或更多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并且与用于执行在此所描述的各种功能的其它***组件交互的进程或线程。计算机程序指令存储在可以使用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储器装置的计算装置中实施的存储器中。计算机程序指令也可以存储在诸如以CD-ROM、闪速驱动器等为例的其它非暂时性计算机可读介质中。另外，本领域技术人员应该认识到各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者具体的计算装置的功能可以分布在一个或更多其它计算装置中，而不脱离本发明的示例性实施例的范围。

因此，发明构思的范围要由权利要求和它们的等同物的最宽泛的可允许解释来确定，并且不应该由前述详细的描述限定或限制。

Claims

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

发光元件；以及

密封构件，位于所述发光元件上并且密封所述发光元件，

其中，所述密封构件包括：第一无机层，位于所述发光元件上并且具有1.58至1.64的折射率；有机层，位于所述第一无机层上；以及第二无机层，位于所述有机层上并且具有1.58至2.00的折射率。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一无机层的厚度为0.5μm至1.5μm。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一无机层包括氮氧化硅、氮化硅和氧化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机层的厚度为0.5μm至1.5μm。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机层包括具有1.58至1.64的折射率的第一子无机层以及具有1.80至2.00的折射率的第二子无机层。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一子无机层的厚度与所述第二子无机层的厚度的比为3:1至5:1。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一子无机层的所述厚度为0.5μm至0.6μm。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二子无机层的所述厚度为0.1μm至0.2μm。

9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一子无机层包括氮氧化硅或氧化硅。

10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二子无机层包括氮化硅、氧化铝和氧化钛中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机层包括不包含Si-O键的氮化硅，并且具有0.15μm至0.25μm的厚度。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二无机层的氢含量小于或等于2.8×10²²原子/cm³。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，对于整个所述第二无机层，氮与硅的摩尔比为1至1.3。

14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二无机层具有2.3g/cm³至2.6g/cm³的密度。

15.一种显示装置，所述显示装置包括：

发光元件；以及

密封构件，位于所述发光元件上并且密封所述发光元件，

其中，所述密封构件包括：第一无机层；有机层，位于所述第一无机层上；以及第二无机层，位于所述有机层上，并且

其中，所述第二无机层：包括不包含Si-O键的氮化硅；具有0.15μm至0.25μm的厚度；对于整个所述第二无机层，具有1至1.3的氮与硅的摩尔比；并且具有小于或等于2.8×10²²原子/cm³的氢含量。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一无机层的折射率为1.58至1.64，并且所述第二无机层的折射率为1.58至2.00。