CN111614328A - 一种提升线性度的驱动电路结构 - Google Patents

一种提升线性度的驱动电路结构 Download PDF

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CN111614328A CN202010314173.6A CN202010314173A CN111614328A CN 111614328 A CN111614328 A CN 111614328A CN 202010314173 A CN202010314173 A CN 202010314173A CN 111614328 A CN111614328 A CN 111614328A
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苏强
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Abstract

本申请实施例公开了一种提升线性度的驱动电路结构，所述驱动电路结构包括第一功率管和第二功率管；其中，所述第二功率管与所述第一功率管并联，且所述第二功率管与所述第一功率管的静态偏置点位于不同的工作区，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述工作区用于指示功率管所处的工作状态，所述工作状态包括导通状态和关断状态；这样，通过第二功率管对第一功率管的跨导非线性度进行补偿，可以提高驱动电路的跨导线性度。

Description

一种提升线性度的驱动电路结构
技术领域
本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种提升线性度的驱动电路结构。
背景技术
随着数字通信技术的发展，互补式金属氧化物半导体功率放大器因为其低成本，小面积以及集成度高的优势在通信技术中应用广泛，但是其高非线性的特点也使其设计极具挑战性。功率放大器的非线性不仅会引起频谱扩展，干扰其他信道信号，而且会引起传输信号的幅度和相位失真，因此提升功率放大器的线性度在功率放大器设计中非常重要。同时，功率放大器的非线性主要是由电路中功率管的跨导非线性造成的，所以提高驱动电路的跨导线性度是解决功率放大器非线性问题的重点。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供了一种提升线性度的驱动电路结构，通过引入辅助功率管来补偿主功率管的非线性度，从而能够提高驱动电路的跨导线性度。
本申请实施例的技术方案是这样实现的：
本申请实施例提供了一种提升线性度的驱动电路结构，所述驱动电路结构包括第一功率管和第二功率管；其中，
所述第二功率管与所述第一功率管并联，且所述第二功率管与所述第一功率管的静态偏置点位于不同的工作区，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述工作区用于指示功率管所处的工作状态，所述工作状态包括导通状态和关断状态。
在上述方案中，所述第一功率管与所述第二功率管采用共源极结构，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度。
在上述方案中，所述第二功率管的工作电流小于第一功率管的工作电流。
在上述方案中，所述第二功率管对应的三阶跨导值用于抵消所述第一功率管对应的三阶跨导值，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述三阶跨导值是对功率管的跨导进行三阶导数计算得到的。
在上述方案中，通过调整所述第二功率管的沟道宽长比和/或静态偏置点，控制所述第二功率管对应的三阶跨导值，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述沟道宽长比表示功率管的沟道宽度与沟道长度之间的比值。
在上述方案中，所述工作区至少包括线性区和亚阈值区；其中，
所述第一功率管的静态偏置点位于线性区，以使得第一功率管的三阶跨导值为正值；
所述第二功率管的静态偏置点位于亚阈值区，以使得第二功率管的三阶跨导值为负值。
在上述方案中，所述第一功率管是金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一功率管的管脚包括栅极管脚、源级管脚和漏级管脚；
所述第二功率管是金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二功率管的管脚包括栅极管脚、源级管脚和漏级管脚。
在上述方案中，所述第一功率管的漏级管脚与所述第二功率管的漏级管脚连接，所述第一功率管的源极管脚与所述第二功率管的源极管脚连接，所述第一功率管与所述第二功率管栅极分别偏置在不同的状态，以使得所述第一功率管与所述第二功率管并联。
在上述方案中，所述驱动电路结构还包括第三功率管；其中，
所述第三功率管的源级管脚与所述第一功率管的漏级管脚以及所述第二功率管的漏级管脚相连接，以通过所述第一功率管、所述第二功率管和所述第三功率管实现功率放大。
本申请实施例还提供了一种功率放大器，所述功率放大器至少包括前述的驱动电路结构。
本申请实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备至少包括前述的功率放大器。
本申请实施例提供了一种提升线性度的驱动电路结构，所述驱动电路结构包括第一功率管和第二功率管；其中，所述第二功率管与所述第一功率管并联，且所述第二功率管与所述第一功率管的静态偏置点位于不同的工作区，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述工作区用于指示功率管处于的导通状态；这样，通过第二功率管对第一功率管的跨导非线性度进行补偿，能够提高驱动电路结构的跨导线性度，避免频谱扩展而干扰其他信道信号；同时，通过引入第二功率管还能够提高功率放大器的线性度，既不会额外增加功率放大器的电路面积，也不会增加功率放大器的偏置电流。
附图说明
图1为相关技术方案中提供的一种MOS管的工作特性与跨导示意图；
图2为相关技术方案中提供的一种MOS管的高阶跨导曲线示意图；
图3为本申请实施例提供的一种驱动电路的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种驱动电路的三阶跨导曲线示意图；
图5为本申请实施例提供的另一种驱动电路的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种功率放大器的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
随着数字通信技术的发展，互补式金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor，CMOS)功率放大器(Power Amplifier，PA)，简称CMOS PA，由于成本低，面积小以及集成度高的优势在通信技术中应用广泛，但是CMOS PA具有高非线性的特点，这使其设计极具挑战性。功率放大器的非线性不仅会引起频谱扩展，干扰其他信道信号，而且会引起传输信号的幅度和相位失真，因此提升功率放大器的线性度在功率放大器设计中非常重要。
在功率放大器中，主要起到功率放大作用的是功率管，通常可以包括三极管或者MOS管。对于三极管，存在发射级、基级和集电极三个电极，当发射极电压小于导通电压时，三极管处于截止状态；当发射极正向导通、集电极反向导通时，三极管处于放大状态；当发射极正向导通、集电极也正向导通时，三极管处于饱和状态。对于MOS管，存在三个电极，即源级(S级)、漏级(D级)和栅极(G级)，当MOS管处于不同的电压状态时，同样存在不同的工作状态。优选地，以功率管为MOS管为例进行详细说明。
(1)当Vgs<Vtn时，其中，Vgs代表栅极与源级之间的电压，Vtn代表阈值电压，理论上此时MOS管中不产生沟道，不存在漏极电流，MOS管处于关断状态，所以称为截止区；进一步地，当Vgs<Vtn，而Vgs逐渐升高到接近于Vtn处时，MOS管虽然没有产生导电沟道，但是产生了一个表面弱反型层，从而产生由漏级流向源级的电流，称为亚阈电流，而这一段区域称为亚阈值区；
(2)当Vgs≥Vtn且Vds<Vgs-Vtn，其中，Vds代表漏极和源级之间的电压，MOS管开始产生沟道处于导通状态，此时电流随着栅极电压的增大而增大，所以称为线性区；
(3)当Vgs≥Vtn且Vds>Vgs-Vtn，当Vds增大到使得沟道在漏级端被夹断，其电流达到饱和，此时，电流不再随着栅极电压增大而增大，所以称为饱和区。
实际使用中，为了减小直流偏置且不减小射频增益，功率管的静态工作点一般偏置在线性区，此时，功率管的跨导是非线性的，参见图1，其示出了相关技术方案中的一种MOS管的工作特性与跨导示意图，其中，X轴(即水平轴)表示栅极相对于源级的电压，即Vgs，Y轴(即垂直轴)表示漏级电流Id以及跨导gm，跨导即为Id与Vgs的比值；如图1所示，gm随着Vgs的增大呈现非线性变化。由于功率管的跨导非线性度会导致功率放大器的非线性，从而产生信号的三阶交调失真，其中，交调即不同信道的信号相互干扰。交调干扰信号有三阶、五阶、七阶和更多阶的分量，但是三阶交调的分量最大，所导致的干扰程度最强，所以一般以三阶交调来衡量射频器件的非线性。参见图2，其示出了相关技术方案中提供的MOS管的高阶跨导曲线示意图，其中，X轴(即水平轴)表示栅极相对于源级的电压，即Vgs，Y轴(即垂直轴)表示MOS管的二阶跨导值gm2以及MOS管的三阶跨导值gm3，其中MOS管的三阶跨导非线性是信号产生三阶交调失真的主要原因。
目前有很多的方法来提升驱动电路的跨导线性度，例如前馈技术、卡迪尔(Cartesian)反馈技术和预失真技术，前馈技术是提升功率放大器线性度的主要技术，但是由于其是开环***，因此对负载、环境或器件变化都相对敏感，需要复杂的数字和模拟模块来进行校准，从而会增加功率放大器的功耗。Cartesian反馈技术需要复杂的电路，因此更适用于基带而非手持设备，且Cartesian反馈技术的反馈环路会限制信号带宽，并且会引入不稳定因素；预失真技术因其设计简单，基本不增加电路面积，在功率放大器提升线性度中应用更加广泛。但是，以上技术都是通过加入额外的非线性器件来抵消功率管自身非线性。
基于此，本申请实施例提供了一种提升线性度的驱动电路结构，所述驱动电路结构包括第一功率管和第二功率管；其中，所述第二功率管与所述第一功率管并联，且所述第二功率管与所述第一功率管的静态偏置点位于不同的工作区，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述工作区用于指示功率管所处的工作状态，所述工作状态包括导通状态和关断状态；这样，通过第二功率管对第一功率管的跨导非线性度进行补偿，能够提高驱动电路结构的跨导线性度，避免频谱扩展而干扰其他信道信号；同时，通过引入第二功率管还能够提高功率放大器的线性度，既不会额外增加功率放大器的电路面积，也不会增加功率放大器的偏置电流。
下面结合附图及具体实施例对本申请作进一步详细的说明。
本申请实施例提供的一种提升线性度的驱动电路结构，参见图3，其示出了本申请实施例提供的一种驱动电路10的结构示意图，如图3所示，所述驱动电路10可以包括第一功率管101和第二功率管102；其中，
所述第二功率管102与所述第一功率管101并联，且所述第二功率管102与所述第一功率管101的静态偏置点位于不同的工作区，以使得所述第二功率管102用于补偿所述第一功率管101的跨导非线性度；其中，所述工作区用于指示功率管所处的工作状态，所述工作状态包括导通状态和关断状态。
需要说明的是，图3为驱动电路10的结构示例，也可以将其称为驱动电路结构。在该驱动电路结构中，为了补偿第一功率管101的非线性，将同样为非线性器件的第二功率管102与第一功率管101进行并联。此时，第一功率管101和第二功率管102并联后电路的跨导值gm、第一功率管101的跨导值gm_MN1和第二功率管102的三阶跨导值gm_MN2存在如式(1)所示的关系：
gm＝gm_MN1+gm_MN2 (1)
这样，利用第二功率管102可以调整驱动电路10的跨导值，从而提升整体驱动电路的跨导线性度，减少信号的三阶交调失真。
在一些实施例中，所述第二功率管102的工作电流小于第一功率管101的工作电流。
需要说明的是，所述第二功率管102仅用于补偿第一功率管101的三阶跨导值，以提高驱动电路10的跨导线性度，而驱动电路10的主要元件仍然是第一功率管101，所以需要控制第二功率管102的工作电流小于第一功率管101，从而使得第一功率管101与第二功率管102并联后不会增加额外的偏置电流。
在一些实施例中，所述第二功率管102对应的三阶跨导值用于抵消所述第一功率管101对应的三阶跨导值，以使得所述第二功率管102用于补偿所述第一功率管101的跨导非线性度；其中，所述三阶跨导值是对功率管的跨导进行三阶导数计算得到的。
需要说明的是，理论上驱动电路的非线性对于信号最大的影响是三阶交调失真，所以利用第二功率管102对第一功率管101的跨导非线性度进行补偿实际上是指对三阶跨导值的补偿，三阶跨导值也就是对功率管的跨导进行三阶导数计算得到的。在第一功率管101和第二功率管102并联后，驱动电路的三阶跨导值gm3、第一功率管101的三阶跨导值gm3_MN1和第二功率管102的三阶跨导值gm3_MN2存在如式(2)所示的关系：
gm3＝gm3_MN1+gm3_MN2 (2)
在一些实施例中，通过调整所述第二功率管102的沟道宽长比和/或静态偏置点，控制所述第二功率管102对应的三阶跨导值，以使得所述第二功率管102用于补偿所述第一功率管101的跨导非线性度；其中，所述沟道宽长比表示功率管的沟道宽度与沟道长度之间的比值。
需要说明的是，对于功率管而言，决定其三阶跨导值的因素有很多，主要的是沟道宽长比和偏置电流，沟道宽长比是功率管中导电沟道宽度与长度的比值。沟道宽长比越大，在相同输入电压时，功率管的输出电流就会越大；偏置电流是指偏置电路为功率管提供的偏置电流，从而决定功率管的工作状态。对于第二功率管102而言，在电路中仅起到辅助作用，需要基于现有电路的条件进行确定。也就是说，可以根据驱动电路10所提供的偏置电流(偏置电流决定了静态工作点)和第一功率管101的三阶跨导值，来选择第二功率管102。
在一些实施例中，所述第一功率管101是金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一功率管101的管脚包括栅极管脚、源级管脚和漏级管脚；
所述第二功率管102是金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二功率管102的管脚包括栅极管脚、源级管脚和漏级管脚。
需要说明的是，实际使用中，比较常见的功率管可以是MOS管，所以第一功率管101和第二功率管102均可采用MOS管；对于MOS管而言，存在有栅极、源级和漏极三个管脚。另外，MOS管还可以包括N型MOS管或P型MOS管；除MOS管之外，也可以利用三极管作为功率管，本申请实施例不作限定。
在一些实施例中，所述第一功率管101与所述第二功率管102采用共源极结构，以使得所述第二功率管102用于补偿所述第一功率管101的跨导非线性度。
需要说明的是，当使用MOS管作为放大元件的驱动电路10来说，可以采用共源、共栅和共漏三种基本形式，其中，共源电路的使用率最广，其等效电路相当于是源级接地，能够起到反向放大的作用，且电压增益高。
在一些实施例中，所述第一功率管101的漏级管脚与所述第二功率管102的漏级管脚连接，所述第一功率管101的源极管脚与所述第二功率管102的源极管脚连接，所述第一功率管101与所述第二功率管102栅极分别偏置在不同的状态，以使得所述第一功率管101与所述第二功率管102并联。
需要说明的是，当利用MOS管作为第一功率管101时，可采用共源结构，以栅极管脚连接接入端，源级管脚接地(在多电源的情况下，源级也可以接另一个电源)，以漏级管脚连接输出端；也就是说，第二功率管102的漏级管脚与第一功率管101的漏级管脚相连，第二功率管102的源级管脚与第一功率管101的源级管脚相连，所述第一功率管101与所述第二功率管102栅极分别偏置在不同的状态，以使得所述第一功率管101与所述第二功率管102并联。
此时，对于第一功率管101和第二功率管102，均以栅极相对于源级的电压作为输入电压，以漏级电流作为输出电流。
在一些实施例中，所述工作区至少包括线性区和亚阈值区；其中，
所述第一功率管101的静态偏置点位于线性区，以使得第一功率管101的三阶跨导值为正值；
所述第二功率管102的静态偏置点位于亚阈值区，以使得第二功率管102的三阶跨导值为负值。
需要说明的是，在MOS管中，静态偏置点是指交流输入信号为零时，电路处于直流工作状态，用于确定驱动电路10电压和电流的静态值。如前述，对于MOS管，在不同的电压状态下对应不同的工作区，为了减小直流偏置且不减少射频增益，第一功率管101一般偏置在线性区，即第一功率管101的静态偏置点位于线性区，此时第一功率管101的三阶跨导为正值；为了抵消第一功率管101的三阶跨导，第二功率管102必须提供负的三阶跨导，所以第二功率管102的静态偏置点需要位于亚阈值区，此时第二功率管102产生的漏极电流非常小，在这种结构下，第二功率管102基本不增加额外的直流电流。
基于此，参见图4，其示出了本申请实施例提供的一种驱动电路的三阶跨导曲线示意图。如图4所示，X轴(即水平轴)表示栅极相对于源级的电压，即Vgs，Y轴(即垂直轴)表示MOS管的三阶跨导值gm3；这里，曲线a是第一功率管101的三阶跨导曲线，即gm3_MN1，曲线b是第二功率管102的三阶跨导曲线，即gm3_MN2，曲线c是第一功率管101和第二功率管102并联后输出的三阶跨导曲线，即gm3；图4中所示的阴影部分表示驱动电路工作时的电压范围(即Vgs)，在阴影部分处的三阶跨导存在如式(3)所示的关系：
gm3＝gm3_MN1+gm3_MN2≈0 (3)
由上可知，三阶跨导补偿的本质是在主放大的第一功率管101上并联一个附加的第二功率管102，通过补偿第一功率管101的栅极偏置电压控制其工作状态，使得主放大的第一功率管101的三阶跨导值gm3_MN1和第二功率管102的三阶跨导值gm3_MN2叠加后近似为0，进而改善驱动电路的跨导线性度。
所以，本实施例主要是利用两个共源功率管提升驱动电路的跨导线性度。驱动电路的非线性主要来自于功率管跨导的非线性，所造成的三阶交调失***要是由跨导的三阶非线性产生的，因此要提升驱动电路的跨导线性度，需要降低跨导的三阶非线性。在亚阈值区，MOS管跨导的三阶非线性为正值且比较大；一般情况下，为了减小直流偏置且不减小射频增益，主管一般偏置在线性区，而此时跨导的三阶非线性为正，在主管旁边并联一个辅助管子，通过调整辅助管子的宽长比和静态偏置点来补偿主管跨导的三阶非线性。因为辅助管子比主管小并且偏置在亚阈值区，这种结构基本不增加额外的直流电流。
需要说明的是，在构建驱动电路10时，需要根据所选定第一功率管101和第一功率管101的使用环境(主要是输入电压的范围，也就是Vgs)，确定第一功率管101的三阶跨导值，需要说明的是，由于第一功率管101的输入电压一般是一个范围，所以三阶跨导值本质上是随着输入电压变化的曲线，基于第一功率管101的三阶跨导值，然后确定能够对其进行抵消的第二功率管102的三阶跨导值，然后选定第二功率管102。
在一些实施例中，在图3所示驱动电路10的基础上，参见图5，其示出了本申请实施例提供的另一种驱动电路10的结构示意图。如图5所示，驱动电路10还可以包括第三功率管103；其中，
所述第三功率管103的源级管脚与所述第一功率管101的漏级管脚以及所述第二功率管102的漏级管脚相连接，以通过所述第一功率管101、所述第二功率管102和所述第三功率管103实现功率放大。
图5为驱动电路10的另一种结构示例，也可以将其称为另一种驱动电路结构。在该驱动电路结构中，通过第二功率管102对第一功率管101的跨导非线性进行补偿，能够提高驱动电路的跨导线性度，同时通过第一功率管101、第二功率管102和第三功率管103还可以实现功率放大的作用。
本申请实施例提供一种驱动电路，所述驱动电路包括第一功率管和第二功率管；其中，所述第二功率管与所述第一功率管并联，且所述第二功率管与所述第一功率管的静态偏置点位于不同的工作区，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述工作区用于指示功率管处于的导通状态；这样，通过第二功率管对第一功率管的跨导非线性度进行补偿，能够提高驱动电路的跨导线性度，有效避免了频谱扩展而干扰其他信道信号。
在本申请的另一实施例中，参见图6，其示出了本申请实施例提供的一种功率放大器的结构示意图。如图6所示，所述功率放大器20至少包括前述实施例中任一项所述的驱动电路10。
在本申请实施例中，功率放大器20可以集成有驱动电路10，而驱动电路10可以包括第一功率管和第二功率管，且第二功率管与第一功率管并联；这样，通过第二功率管对第一功率管的跨导非线性度进行补偿，能够提高驱动电路的跨导线性度，避免频谱扩展而干扰其他信道信号；同时，通过引入第二功率管来减小第一功率管的跨导非线性，可以提升功率放大器的线性度；另外，通过引入第二功率管来提高功率放大器的线性度，既不会额外增加功率放大器的电路面积，也不会增加功率放大器的偏置电流。
在本申请的又一实施例中，见图7，其示出了本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。如图7所示，所述电子设备30至少包括前述实施例所述的功率放大器20。这样，通过第二功率管对第一功率管的跨导非线性度进行补偿，能够提高驱动电路的跨导线性度，有效避免了频谱扩展而干扰其他信道信号；同时，通过引入第二功率管还能够提高功率放大器的线性度，既不会额外增加功率放大器的电路面积，也不会增加功率放大器的偏置电流。
需要说明的是，在本申请中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
本申请所提供的几个方法实施例中所揭露的方法，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例。
本申请所提供的几个产品实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的产品实施例。
本申请所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或设备实施例。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种提升线性度的驱动电路结构，其特征在于，所述驱动电路结构包括第一功率管和第二功率管；其中，
所述第二功率管与所述第一功率管并联，且所述第二功率管与所述第一功率管的静态偏置点位于不同的工作区，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述工作区用于指示功率管所处的工作状态，所述工作状态包括导通状态和关断状态。
2.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，
所述第一功率管与所述第二功率管采用共源极结构，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度。
3.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，
所述第二功率管的工作电流小于所述第一功率管的工作电流。
4.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，
所述第二功率管对应的三阶跨导值用于抵消所述第一功率管对应的三阶跨导值，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述三阶跨导值是对功率管的跨导进行三阶导数计算得到的。
5.根据权利要求4所述的驱动电路结构，其特征在于，
通过调整所述第二功率管的沟道宽长比和/或静态偏置点，控制所述第二功率管对应的三阶跨导值，以使得所述第二功率管用于补偿所述第一功率管的跨导非线性度；其中，所述沟道宽长比表示功率管的沟道宽度与沟道长度之间的比值。
6.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，所述工作区至少包括线性区和亚阈值区；其中，
所述第一功率管的静态偏置点位于线性区，以使得第一功率管的三阶跨导值为正值；
所述第二功率管的静态偏置点位于亚阈值区，以使得第二功率管的三阶跨导值为负值。
7.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，
所述第一功率管是金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一功率管的管脚包括栅极管脚、源级管脚和漏级管脚；
所述第二功率管是金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二功率管的管脚包括栅极管脚、源级管脚和漏级管脚。
8.根据权利要求7的所述的驱动电路结构，其特征在于，
所述第一功率管的漏级管脚与所述第二功率管的漏级管脚连接，所述第一功率管的源极管脚与所述第二功率管的源极管脚连接，所述第一功率管与所述第二功率管栅极分别偏置在不同的状态，以使得所述第一功率管与所述第二功率管并联。
9.根据权利要求1至8任一项所述的驱动电路结构，其特征在于，所述驱动电路结构还包括第三功率管；其中，
所述第三功率管的源级管脚与所述第一功率管的漏级管脚以及所述第二功率管的漏级管脚相连接，以通过所述第一功率管、所述第二功率管和所述第三功率管实现功率放大。
10.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器至少包括如权利要求1-9任一项所述的驱动电路结构。
11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备至少包括如权利要求10所述的功率放大器。
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