CN111604611A - 一种晶体基材的封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：步骤1：将晶体基材热沉外表面镀金，晶体底面镀金；步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；步骤3：镀完后，立即晶体上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出晶体。本发明通过真空镀制铟膜的方式，采用真空回流焊技术，实现光学晶体基材与金属热沉的焊接封装。本方法使得晶体元件在不影响其使用性能的条件下实现了牢固封装，封装的规模化程度高。

Description

一种晶体基材的封装方法
技术领域
本发明涉及光学元件表面封装技术领域，特别涉及一种晶体基材的封装方法。
背景技术
功能材料由于其有优良的性能，在我们的生产生活中起到了无可替代的作用。而在光学领域，晶体材料可算是功能材料家族中有着举足轻重作用的一员，晶体材料中相当一部分属于各项异性的范畴，而且一些重要的晶体材料的硬度都较低，使用过程中也常常会遇到力的、热的、光的、电的等方面的问题，使用条件相当苛刻，往往很难将应力、散热、导电、牢固性兼顾。于是，在不断地尝试着各种封装方式，以求在对这方面要求严格的晶体能使其性能得到最大体现。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶体基材的封装方法，本发明通过真空镀制铟膜的方式，采用真空回流焊技术，实现光学晶体基材与金属热沉的焊接封装。本方法使得晶体元件在不影响其使用性能的条件下实现了牢固封装，封装的规模化程度高，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将晶体基材热沉外表面镀金，晶体底面镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；
步骤3：镀完后，立即晶体上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出晶体。
进一步地，所述基材为铜、可伐合金或玻璃。
进一步地，所述镀膜机的膜层材料为铟或锡。
进一步地，所述晶体为三硼酸锂晶体（LBO）、偏硼酸钡晶体（BBO)或掺钕钒酸钇晶体(YVO4)。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1.本发明真空镀膜、真空焊接，使得封装水平更高，避免虚焊、焊接不均匀、温度不均匀，人为因素的干扰小，而且环境洁净，不会污染晶体。
2.本发明以薄膜作为焊料和焊层，避免了晶体与基底材料直接刚性接触封装的风险。
3.本发明采用真空回流焊技术使得晶体的焊接水平更高、更牢固。
4.本发明铟薄膜可以及时释放异性晶体材料的热应力和机械应力，而且导热导电性良好，规模化水平高，易封装，易批量化，易于实现晶体材料的二次封装。
附图说明
图1为本发明的紫铜热沉外表面镀金示意图；
图2为本发明的紫铜热沉上沉头孔实施例一分布图；
图3为本发明紫铜热沉上沉头孔实施例二分布图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将紫铜热沉外表面镀金（如图1所示），三硼酸锂晶体（LBO）底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；
步骤3：镀完后，立即三硼酸锂晶体（LBO）上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出三硼酸锂晶体（LBO）。
如图2，紫铜热沉上前后有两个备用的沉头孔，该沉头孔位于紫铜的两端，用于锁螺钉。
实施例2
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将紫铜热沉外表面镀金（如图1所示），三硼酸锂晶体（LBO）底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；
步骤3：镀完后，立即三硼酸锂晶体（LBO）上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出三硼酸锂晶体（LBO）。
如图2，紫铜热沉上前后有两个备用的沉头孔，该沉头孔位于紫铜的两侧呈写对角线分布，用于锁螺钉。
实施例3
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将紫铜热沉外表面镀金，偏硼酸钡晶体（BBO)底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；
步骤3：镀完后，立即偏硼酸钡晶体（BBO)上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出偏硼酸钡晶体（BBO)。
实施例4
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将紫铜热沉外表面镀金，掺钕钒酸钇晶体(YVO4)底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的锡料块材，采用直接加热蒸发镀制锡层；
步骤3：镀完后，立即掺钕钒酸钇晶体(YVO4)上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出掺钕钒酸钇晶体(YVO4)。
实施例5
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将可伐合金热沉外表面镀金，三硼酸锂晶体（LBO）底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；
步骤3：镀完后，立即三硼酸锂晶体（LBO）上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出三硼酸锂晶体（LBO）。
实施例6
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将可伐合金热沉外表面镀金，偏硼酸钡晶体（BBO)底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；
步骤3：镀完后，立即偏硼酸钡晶体（BBO)上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出偏硼酸钡晶体（BBO)。
实施例6
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将可伐合金热沉外表面镀金，掺钕钒酸钇晶体(YVO4)底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的锡料块材，采用直接加热蒸发镀制锡层；
步骤3：镀完后，立即掺钕钒酸钇晶体(YVO4)上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出掺钕钒酸钇晶体(YVO4)。
实施例7
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将玻璃热沉外表面镀金，三硼酸锂晶体（LBO）底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的锡料块材，采用直接加热蒸发镀制锡层；
步骤3：镀完后，立即三硼酸锂晶体（LBO）上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出三硼酸锂晶体（LBO）。
实施例8
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将玻璃热沉外表面镀金，偏硼酸钡晶体（BBO)底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的锡料块材，采用直接加热蒸发镀制锡层；
步骤3：镀完后，立即偏硼酸钡晶体（BBO)上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出偏硼酸钡晶体（BBO)。
实施例9
一种晶体基材的封装方法，包括如下步骤：
步骤1：将玻璃热沉外表面镀金，掺钕钒酸钇晶体(YVO4)底面镀金，下表面抛光并镀金，底面尽量光滑，尽量使用溅射镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；
步骤3：镀完后，立即掺钕钒酸钇晶体(YVO4)上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出掺钕钒酸钇晶体(YVO4)。
本发明通过真空镀制铟膜的方式，采用真空回流焊技术，实现光学晶体基材与金属热沉的焊接封装。本方法使得晶体元件在不影响其使用性能的条件下实现了牢固封装，封装的规模化程度高。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种晶体基材的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：将晶体基材热沉外表面镀金，晶体底面镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；
步骤3：镀完后，立即晶体上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出晶体。
2.如权利要求1所述的一种晶体基材的封装方法，其特征在于，所述基材为铜、可伐合金或玻璃。
3.如权利要求1所述的一种晶体基材的封装方法，其特征在于，所述镀膜机的膜层材料为铟或锡。
4.如权利要求1所述的一种晶体基材的封装方法，其特征在于，所述晶体为三硼酸锂晶体（LBO）、偏硼酸钡晶体（BBO)或掺钕钒酸钇晶体(YVO4)。
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