CN111599936B - 一种有机发光显示面板及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了有机发光显示面板及制备方法，阵列基板包括第一电极层、像素限定层和第二电极层，像素限定层的第一开口结构露出部分第一电极；彩膜基板包括：导电连接结构、色阻层、弹性导电墙以及金属连接垫；导电连接结构位于第二衬底朝向阵列基板一侧；色阻层位于第二衬底朝向阵列基板一侧；相邻子像素色阻之间的间隙露出部分导电连接结构；弹性导电墙位于导电连接结构朝向阵列基板一侧；弹性导电墙通过相邻子像素色阻之间的间隙与导电连接结构接触；金属连接垫位于弹性导电墙朝向阵列基板一侧表面；弹性导电墙在第一衬底的垂直投影与像素限定层在第一衬底的垂直投影交叠，提高了弹性导电墙与第二电极层间的电性接触，以及显示面板的发光均匀性。

Description

一种有机发光显示面板及制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示面板及制备方法。
背景技术
近年来，有机发光显示面板在移动显示终端屏幕和显示屏上逐渐占据主流。有机发光显示面板包括阵列排布的多个子像素，每个子像素包括像素驱动电路以及与该像素驱动电路电连接的发光元件。
现有技术中每个发光元件均包括叠层设置的阳极、空穴辅助传输层、发光层、电子辅助传输层以及阴极。为了提高子像素密度，或者制备较小尺寸的显示面板，不同颜色的发光元件的空穴辅助传输层、发光层以及电子辅助传输层均为整层膜层，各个发光元件的空穴辅助传输层、发光层以及电子辅助传输层没有中断，不同像素单元之间通过像素限定层隔离。进一步，为了防止或减轻空穴在空穴注入层或空穴传输层中的横向扩散或者横向串扰，往往在像素限定层上设置凹槽以便阻断横向漏电流。
由于需要越过像素限定层，以及像素限定层上设置有凹槽，导致像素限定层出的阴极比较薄，电阻比较大，而且容易发生断裂，使阴极电阻上产生加大的压降，影响到有机发光显示面板的发光效率和发光均匀性。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光显示面板及制备方法，以避免阴极在像素限定层处断裂导致阴极产生压降，引起发光不均匀的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种有机发光显示面，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；
所述阵列基板包括：第一衬底、第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；所述第一电极层包括多个第一电极，且位于所述第一衬底上；所述像素限定层位于所述第一电极层背离所述第一衬底一侧；所述像素限定层包括多个第一开口结构；所述第一开口结构露出部分所述第一电极；所述发光功能层位于所述第一电极背离所述第一衬底一侧；所述第二电极层位于所述发光功能层背离所述第一衬底一侧；
所述彩膜基板包括：第二衬底、导电连接结构、色阻层、弹性导电墙以及金属连接垫；所述导电连接结构位于所述第二衬底朝向所述阵列基板一侧；所述色阻层位于所述第二衬底朝向所述阵列基板一侧；所述色阻层包括多个子像素色阻；相邻子像素色阻之间的间隙露出部分所述导电连接结构；所述弹性导电墙位于所述导电连接结构朝向所述阵列基板一侧；所述弹性导电墙通过相邻子像素色阻之间的间隙与所述导电连接结构接触；所述金属连接垫位于所述弹性导电墙朝向所述阵列基板一侧表面；所述弹性导电墙在所述第一衬底上的垂直投影与所述像素限定层在所述第一衬底上的垂直投影交叠。
第二方面，本发明实施例提供一种有机发光显示面板的制备方法，包括：
在第一衬底上依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；其中，所述第一电极层包括多个第一电极；所述像素限定层包括多个第一开口结构；所述第一开口结构露出部分所述第一电极；
在第二衬底上形成导电连接结构以及色阻层；其中，所述色阻层包括多个子像素色阻；相邻子像素色阻之间的间隙露出部分所述导电连接结构；
形成弹性导电墙以及金属连接垫，其中，所述弹性导电墙通过相邻子像素色阻之间的间隙与所述导电连接结构接触；所述金属连接垫位于弹性导电墙背离所述第二衬底的一侧；
将所述第一衬底形成有第二电极层的一侧与所述第二衬底形成有弹性导电墙以及金属连接垫的一侧压合封装。
本发明实施例提供的有机发光显示面板，通过在彩膜基板侧设置导电连接结构、弹性导电墙以及金属连接垫，使阵列基板上的第二电极层依次通过金属连接垫、弹性导电墙和导电结构电连接，一方面可以解决由于第二电极层较薄导致的第二电极层电阻过大的问题。另一方面，若第二电极层在像素限定层位置处发生断裂，由于第二电极层还可以依次通过金属连接垫、弹性导电墙与导电连接结构电连接，因此还可以避免第二电极层的断裂处导致该处压降增加，进而影响发光效率和发光均匀性的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图；
图2为图1提供的有机发光显示面板沿AA'的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的剖面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；
图9为图8提供的有机发光显示面板沿BB'的剖面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法流程图；
图11为本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图，图2是图1提供的有机发光显示面板沿AA'的剖面结构示意图，如图1和图2所示，有机发光显示面板包括：相对设置的阵列基板100和彩膜基板200。
阵列基板100包括：第一衬底11、第一电极层12、像素限定层13、发光功能层14和第二电极层15，第一电极层12包括多个第一电极121，且位于第一衬底11上，像素限定层13位于第一电极层12背离第一衬底11一侧，像素限定层13包括多个第一开口结构131，第一开口结构131露出部分第一电极121，发光功能层14位于第一电极层12背离第一衬底11一侧，第二电极层15位于发光功能层14背离第一衬底11一侧。
彩膜基板200包括：第二衬底21、导电连接结构22、色阻层23、弹性导电墙24以及金属连接垫25，导电连接结构22位于第二衬底21朝向阵列基板100一侧，色阻层23位于第二衬底21朝向阵列基板100一侧，色阻层23包括多个子像素色阻231，相邻子像素色阻231之间的间隙露出部分导电连接结构22，弹性导电墙24位于导电连接结构22朝向阵列基板100一侧，弹性导电墙24通过相邻子像素色阻231之间的间隙与导电连接结构22接触，金属连接垫25位于弹性导电墙24朝向阵列基板100一侧表面，弹性导电墙24在第一衬底11上的垂直投影与像素限定层13在第一衬底11上的垂直投影交叠。
结合图1和图2，第一开口结构131对应位置为一个子像素区域，该区域上的第一电极121、发光功能层14以及第二电极层15形成一发光元件，其中发光功能层14例如可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层等膜层。为了提高子像素密度，或者制备较小尺寸的显示面板，发光元件的发光功能层14可以设置为整层膜层，即各个发光元件的电子传输层、空穴传输层、发光层、电子注入层以及空穴注入层没有中断，均越过相邻子像素之间的像素限定层13，从而避免了使用多张掩膜来分别蒸发不同发光元件的各膜层。进一步，为了防止或减轻空穴在空穴注入层或空穴传输层中的横向扩散或者横向串扰，还可以通过在相邻两子像素之间的像素限定层13上设置凹槽结构16以增加相邻两个子像素区域的漏电流在空穴注入层等膜层中的传输路径，从而便阻断横向漏电流，进而提升显示面板的显示效果。
需要说明的是，本发明实施例对像素限定层13上是否设置凹槽结构16不做限定，像素限定层13中设置凹槽结构16时，跨越像素限定层13的第二电极层15出现断裂的风险更大，因此对于本发明实施例提供的方案对于像素限定层15中设置凹槽结构16的情况也适用。
本发明实施例通过在彩膜基板200侧设置导电连接结构22、弹性导电墙24以及金属连接垫25，使阵列基板100上的第二电极层15通过金属连接垫25、弹性导电墙24和导电连接结构22电连接，一方面可以解决由于第二电极层15较薄导致的第二电极层15电阻过大的问题。另一方面，若第二电极层15在像素限定层13位置处发生断裂，由于第二电极层15还可以依次通过金属连接垫25、弹性导电墙24与导电连接结构22电连接，因此还可以避免第二电极层15的断裂处导致该处压降增加的问题。此外，在弹性导电墙24具有弹性，该弹性导电墙24可提供阵列基板和彩膜基板之间的支撑，吸收阵列基板100和彩膜基板200封装时的机械压力并保持封装后各个区域膜层的紧密接触。此外，弹性导电墙24上沉积生长有金属连接垫25，因此金属连接垫25可以与弹性导电墙24紧密相连，在原子或者分子水平获得可靠的电性连接。另外，由于第二电极层15一般采用金属或者金属氧化物材料，弹性导电墙24通过金属连接垫25与第二电极层15连接，可以减少因弹性导电墙24和第二电极层15表面的截然不同的化学和物理特性的差异引起的较大接触电阻的问题。
导电连接结构22还可以延伸到彩膜基板200的非显示区，形成第二电极连接焊盘，以便在后续贴合工艺时连接到下方的阵列基板100上的外部电压控制电极上。
本发明实施例提供的有机发光显示面板，通过在彩膜基板侧设置导电连接结构、弹性导电墙以及金属连接垫，使阵列基板上的第二电极层依次通过金属连接垫、弹性导电墙和导电结构电连接，一方面可以解决由于第二电极层较薄导致的第二电极层电阻过大的问题。另一方面，若第二电极层在像素限定层位置处发生断裂，由于第二电极层还可以依次通过金属连接垫、弹性导电墙与导电连接结构电连接，因此还可以避免第二电极层的断裂处导致该处压降增加，进而影响发光效率和发光均匀性的问题。弹性导电墙由于具有弹性，因此还可以实现各位置处弹性导电墙通过金属连接垫与第二电极层的紧密接触，避免现有技术中因为需考虑不同子像素的谐振腔结构，导致部分像素限定层区域处的第二电极层与彩膜基板之间具有间隙。此外，由于金属连接垫是沉积生长在弹性导电墙上，因此金属连接垫可以与弹性导电墙紧密相连，在原子或者分子水平获得可靠的电性连接。由于第二电极层一般采用金属或者金属氧化物材料，弹性导电墙通过金属连接垫与第二电极层连接，可以减少因弹性导电墙和第二电极层表面的截然不同的化学和物理特性的差异引起的较大接触电阻的问题。
可选的，弹性导电墙24包括有机材料基体和导电掺杂粒子。
通过在相邻子像素色阻231之间设置弹性导电墙24，实现将每个像素隔离成独立的封闭或半封闭的空间。由于有机材料存在一定的弹性，通过选取弹性导电墙24包括有机材料基体，可以实现弹性导电墙24在垂直于第二衬底21方向上存在垂直伸缩性，保证弹性导电墙24良好的弹性，进一步的，通过在弹性导电墙24中掺杂导电掺杂离子，提高弹性导电墙24的电导率。
可选的，有机材料基体包括聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯或树脂材料。
可选的，导电掺杂粒子包括碳纳米颗粒、碳纳米管、石墨烯颗粒、硅纳米颗粒或金属纳米颗粒。
通过直接在弹性导电墙24的有机材料基体中参入高比例的碳纳米颗粒、碳纳米管、石墨烯颗粒、硅纳米颗粒或金属纳米颗粒，进而提高弹性导电墙24的电导率，且掺杂的导电掺杂粒子也可以降低弹性导电墙24的透光性，可防止相邻子像素区域发光串扰问题。
可选的，弹性导电墙24中碳纳米颗粒或碳纳米管的体积比范围为10％-30％。
通过在弹性导电墙24中掺杂导电掺杂粒子，实现弹性导电墙24的较好的导电性，较低的透光性，但当弹性导电墙24中掺杂较多的导电掺杂粒子时，过多的导电掺杂粒子会影响弹性导电墙24的弹性，但当弹性导电墙24中掺杂的导电掺杂粒子较少时，此时弹性导电墙24弹性较好但导电性会降低，因此，当弹性导电墙24中碳纳米颗粒或碳纳米管的体积比在10％-30％范围之间时，弹性导电墙24可以兼顾导电性、透光性和伸缩弹性同时满足制备工艺要求。例如在聚乙烯(Poly Ethylene，PE)内掺杂的碳纳米颗粒的体积比在10％-30％，则可以实现弹性导电墙24具有较好的导电性以及较优的弹性，如果是掺入具有更好导电性的碳纳米管，可以降低碳纳米管的掺杂比例，比如掺杂的碳纳米管的体积比在3％-6％，且可以保证弹性导电墙24具有很好的弹性和导电性。
需要说明的是，有机材料基体包括聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯或树脂材料，也可以为其它有机材料，本发明实施例不对有机材料基体的材料进行具体限定。导电掺杂粒子可以为碳纳米颗粒、碳纳米管、石墨烯颗粒，硅纳米颗粒或金属纳米颗粒也可以为其它具有导电性质的颗粒，本发明实施例不对导电掺杂粒子的性质进行具体限定。在实际设计过程中，可以综合权衡弹性导电墙的弹性和导电性能，从而选择合适的有机材料基体以及导电掺杂粒子的材料、体积比等。
可选的，碳纳米管长度小于2um，管径小于50nm。
由于一般设置的弹性导电墙24的厚度在1微米到5微米之间，当选定弹性导电墙24中碳纳米颗粒或碳纳米管的体积比范围之后，设定碳纳米管长度小于2um，管径小于50nm，比较容易得到在满足弹性导电墙24厚度的同时，得到低阻值的弹性导电墙24，使得制备的弹性导电墙24在具有较好的导电性、较优的弹性的同时具备较小的电阻，避免制备的弹性导电墙24阻值过大影响第二电极层15向弹性导电墙24的电子传输。
可选的，弹性导电墙24包括导电高分子聚合物。
进一步的，可以设置弹性导电墙24为导电高分子聚合物，通过选取导电高分子聚合物作为弹性导电墙24的主要材料，一方面，可以利用材料本身的高导电率实现导电连接结构22与金属连接垫25之间的电连接，另一方面，可以避免当采用刻蚀工艺制备弹性导电墙24时，因弹性导电墙24中掺杂有碳粉等导电颗粒而在制备弹性导电墙24时存在的潜在的导电颗粒的污染。
可选的，弹性导电墙24包括导电高分子聚苯胺、聚乙炔或聚丁二烯。
采用具有较高导电性的高分子聚合物类材料，例如聚苯胺、聚乙炔或聚丁二烯，在聚苯胺、聚乙炔或聚丁二烯类型的分子结构中，碳和碳分子之间单键和双键交替排列：-CH＝CH-，且碳分子的双键中的π电子是非定域性的，沿着共轭链的π电子的移动形成了高分子聚合物导电的机理。共轭聚合物的分子链越长，π电子的数量越多，电子的活化能就越低，导电性就越好。
可选的，弹性导电墙24还包括碳纳米颗粒、碳纳米管、石墨烯颗粒、硅纳米颗粒或金属纳米颗粒掺杂粒子。
当弹性导电墙24为导电高分子聚合物时，也可以通过在弹性导电墙24中掺杂碳纳米颗粒、碳纳米管、石墨烯颗粒、硅纳米颗粒或金属纳米颗粒等粒子，进一步提高弹性导电墙24的导电性。
在上述技术方案的基础上，图3是本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的剖面结构示意图，如图3所示，有机发光显示面板还包括反射层30，反射层30至少位于弹性导电墙24的侧壁。
图3示例性表示反射层30位于弹性导电墙24的侧壁，由于在弹性导电墙24的侧壁设置反射层30，每个子像素发射出来的光线被限制在该像素的封闭空间之内，绝大多数光线直接向上发射出去，部分大角度的光线到达弹性导电墙24侧壁的反射层30，经过一次或多次的反射后被发射出去，与使用不透光的弹性导电墙24相比，本实施例被像素限定层侧壁吸收的光线可以忽略不计，光线在子像素内损失较小，即每个子像素的发光元件出射的光线几乎全部被反射出去，提高有机发光显示面板的发光效率。
进一步的，图4是本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的剖面结构示意图，如图4所示，金属连接垫25延伸至弹性导电墙24的侧壁形成反射层30。
通过将金属连接垫25延伸至弹性导电墙24形成反射层30，一方面，金属连接垫25和反射层30可以在一道工艺中形成，从而避免了使用多张掩膜来制备形成金属连接垫25和反射层30，降低制备工艺的复杂度。另一方面，由于反射墙30的存在，因此不需要弹性导电墙24本身吸收大角度泄漏的光线，所以弹性导电墙24的材料以及其内部掺杂的导电掺杂粒子的选择余地更大，且弹性导电墙掺杂导电掺杂粒子后可以是透明的，也可以是不透明的。
可选的，如图5和图6所示，反射层30位于金属连接垫25朝向或背离阵列基板100的一侧，图5示例性表示反射层30位于金属连接垫25朝向阵列基板100的一侧，图6示例性表示反射层30位于金属连接垫25背离阵列基板100的一侧。
可选的，反射层30与金属连接垫25的功函数差小于0.5V。
参见图5和图6，可以设置反射层位于金属连接垫朝向阵列基板一侧，也可以设置反射层位于金属连接垫背离阵列基板一侧。通过设置反射层30与金属连接垫25的功函数差小于0.5V，可有效防止由于金属连接垫25与反射30层材料差异而造成二者之间具有较大的接触电阻。
可选的，导电连接结构22包括铬、氧化铬或氧化铟锡。
通过在弹性导电墙24朝向第二衬底21一侧设置导电连接结构22，导电结构22位于相邻子像素色阻231之间，且弹性导电墙24通过相邻子像素色阻231之间的间隙与导电连接结构22电连接。选取导电连接结构22的材料包括铬、氧化铬或氧化铟锡，可以保证导电连接结构22具有较低的反射率，防止外界环境光反射可见问题，提高显示面板的显示效果。
需要说明的是，导电连接结构22也可以为其它低反射率的导电材料，本发明实施例不对导电连接结构22的材料进行具体限定。
可选的，导电连接结构22呈网格状，或者导电连接结构22包括多个平行的导电条221，图7示例性表示导电连接结构22呈网格状，图8示例性表示导电结构22包括多个平行的导电条221。
由于有机发光显示面板通过多条扫描线和多条数据线限定出多个子像素，通过在相邻子像素之间的扫描线和数据线上设置导电连接结构22，且导电连接结构22呈网格状，导电连接结构22可以实现对相邻子像素之间的扫描线和数据线的遮挡，避免在相邻子像素之间出现的漏光现象进而提高显示面板的显示效果。
进一步的，设置导电连接结构22包括多个平行的导电条221，例如，导电连接结构22可以为多条平行于显示面板数据线的导电条221，也可以为多条平行于显示面板扫描线的导电条221。如图8所示，图8示例性表示导电连接结构22为多条平行的导电条221，通过增加导电条的厚度，在保证导电连接结构22导电性要求的前提下可节省材料成本，制备工艺简单。
可选的，在上述实施例的基础上，图9为图8提供的有机发光显示面板沿BB'的剖面结构示意图，如图9所示，多个子像素色阻231阵列排布，沿平行于阵列行方向和/或沿平行于阵列列方向，弹性导电墙24包括间隔设置的凸起部27和凹陷部26。
如图9所示，弹性导电墙24包括凸起部27和凹陷部26，当有机发光显示面板中的阵列基板100和彩膜基板200进行贴合时，阵列基板100和彩膜基板200之间的内部气流可以实现横向流通，进而保证各位置处弹性导电墙24通过金属连接垫25与第二电极层15的紧密接触，避免现有技术中因为需考虑不同子像素的谐振腔结构，导致部分像素限定层13区域处的第二电极层15与彩膜基板200之间具有间隙。
进一步的，彩膜基板还包括平坦化层，平坦化层位于色阻层朝向阵列基板的一侧表面。首先通过在相邻子像素色阻之间露出导电连接结构的地方采用线性涂布或者旋转涂布的方式形成弹性导电墙，且弹性导电墙24包括凸起部27以及凹陷部26，然后通过涂布的方式形成平坦化层。由于形成的弹性导电墙24包括凸起部和凹陷部，因此在不同像素限定层上形成的弹性导电墙存在高度差异，通过涂布的方式在弹性导电墙上形成平坦化层，固化前呈液体状态的平坦化层能够在相邻子像素之间通过凸起部和凹陷部之间做横向流动，从而达到整个弹性导电墙凹凸表面平坦化的目的，保证了阵列基板100和彩膜基板200机械压合时各个区域膜层的紧密接触。
可选的，继续参见图9，凹陷部的厚度为D1，凸起部的厚度为D2，沿凹陷部和凸起部间隔排列的方向上，凸起部的长度为L1，凹陷部的长度为L2，其中，0.3≤D2/D1≤0.7，1≤L2/L1≤10。
当设置弹性导电墙24的凹陷部26和凸起部27的高度差过高时，容易造成当前像素内的大角度光线穿过该间隙进入相邻子像素的腔室内进而造成光线的串扰和混色。而当设置弹性导电墙24的凹陷部26和凸起部27的高度差过低时，会影响弹性导电墙24内部气流的横向流通，增加气流横向流通的阻碍。考虑到工艺制作的难易度、阵列基板和彩膜基板封装时的机械压力以及弹性导电墙的弹性伸缩特性，可设置凹陷部的厚度D1与凸起部的厚度D2满足0.3≤D2/D1≤0.7，凸起部的长度L1与凹陷部的长度L2满足1≤L2/L1≤10即可。
在上述实施例的基础上，图10是本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法流程图，包括：
S110、在第一衬底上依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层，其中，第一电极层包括多个第一电极，像素限定层包括多个第一开口结构，第一开口结构露出部分第一电极。
S120、在第二衬底上形成导电连接结构以及色阻层，其中，色阻层包括多个子像素色阻，相邻子像素色阻之间的间隙露出部分导电连接结构。
S130、形成弹性导电墙以及金属连接垫，其中，弹性导电墙通过相邻子像素色阻之间的间隙与导电连接结构接触，金属连接垫位于弹性导电墙背离第二衬底的一侧。
S140、将第一衬底形成有第二电极层的一侧与第二衬底形成有弹性导电墙以及金属连接垫的一侧压合封装。
制备阵列基板侧的工艺包括在第一衬底上依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层，其中，第一电极层包括多个第一电极，像素限定层包括多个第一开口结构，第一开口结构露出部分第一电极。
制备彩膜基板侧的工艺包括在第二衬底上，首先沉积一层导电连接结构，导电连接结构的材料包括铬、氧化铬或氧化铟锡灯，然后在导电连接结构上采用具有光感作用的掺有红，绿，蓝染料的树脂，分别采用三道工序做成R、G、B三色的像素色阻阵列。由于各个像素色阻层的厚度不一，然后使用涂布方式形成平坦化层。在相邻子像素色阻之间的平坦化膜层上开孔，露出导电连接结构，然后在相邻子像素色阻之间露出导电连接结构的地方采用线性涂布或者旋转涂布的方式，例如涂布上一层不少于1微米厚度的弹性导电墙。在完成涂布工艺后，在不低于110℃的烘烤炉中做热烘烤或者UV硬化处理，或者进行热烘烤和UV并重的有机膜硬化工艺。在硬化成型后的弹性导电墙上用溅射或者热蒸发的方式镀上一层高导电性的金属膜层，可以选择比较稳定的高导电率材料，比如金，银，铜或者合金，或者直接使用和第二电极层同样的金属材料，用光刻的方式对金属膜层做光刻，制成金属连接垫。
在分别完成阵列基板侧和彩膜基板侧工艺后，将第一衬底形成有第二电极层的一侧与第二衬底形成有弹性导电墙以及金属连接垫的一侧压合封装。
本发明实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，通过在阵列基板侧形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层，在彩膜基板侧形成导电连接结构、色阻层、弹性导电墙以及金属连接垫，然后将阵列基板形成有第二电极层的一侧与彩膜基板形成有弹性导电墙以及金属连接垫的一侧进行机械压合封装，由于阵列基板上的第二电极层依次通过金属连接垫、弹性导电墙和导电结构电连接，一方面可以解决由于第二电极层较薄导致的第二电极层电阻过大的问题。另一方面，若第二电极层在像素限定层位置处发生断裂，由于第二电极层还可以依次通过金属连接垫、弹性导电墙与导电连接结构电连接，因此还可以避免第二电极层的断裂处导致该处压降增加，进而影响发光效率和发光均匀性的问题。此外，由于弹性导电墙具有弹性，因此还可以实现各位置处弹性导电墙通过金属连接垫与第二电极层的紧密接触，避免现有技术中因为需考虑不同子像素的谐振腔结构，导致部分像素限定层区域处的第二电极层与彩膜基板之间具有间隙。进一步的，由于金属连接垫是沉积生长在弹性导电墙上，因此金属连接垫可以与弹性导电墙紧密相连，在原子或者分子水平获得可靠的电性连接。由于第二电极层一般采用金属或者金属氧化物材料，弹性导电墙通过金属连接垫与第二电极层连接，可以减少因弹性导电墙和第二电极层表面的截然不同的化学和物理特性的差异引起的较大接触电阻的问题，提高了有机发光显示面板的发光效率和以及发光的均匀性。
可选的，在上述实施例的基础上，图11是本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的制备方法流程图，其中形成弹性导电墙以及金属连接垫，包括：
S210、形成弹性导电墙材料层。
S220、在弹性导电墙材料层背离第二衬底的一侧形成金属连接垫材料层。
S230、刻蚀金属连接垫材料层形成多个金属连接垫。
S240、以金属连接垫或者刻蚀金属连接垫的光刻胶为掩膜形成多个弹性导电墙。
需要说明的是，通过以刻蚀金属连接垫的光刻胶为掩膜形成多个弹性导电墙，金属连接垫和弹性导电墙可以在一道工艺中形成，从而避免了使用多张掩膜来制备形成金属连接垫和反射层弹性导电墙，降低制备工艺的复杂度。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板；
所述阵列基板包括：第一衬底、第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；所述第一电极层包括多个第一电极，且位于所述第一衬底上；所述像素限定层位于所述第一电极层背离所述第一衬底一侧；所述像素限定层包括多个第一开口结构；所述第一开口结构露出部分所述第一电极；所述发光功能层位于所述第一电极层背离所述第一衬底一侧；所述第二电极层位于所述发光功能层背离所述第一衬底一侧；
所述彩膜基板包括：第二衬底、导电连接结构、色阻层、弹性导电墙以及金属连接垫；所述导电连接结构位于所述第二衬底朝向所述阵列基板一侧；所述色阻层位于所述第二衬底朝向所述阵列基板一侧；所述色阻层包括多个子像素色阻；相邻子像素色阻之间的间隙露出部分所述导电连接结构；所述弹性导电墙位于所述导电连接结构朝向所述阵列基板一侧；所述弹性导电墙通过相邻子像素色阻之间的间隙与所述导电连接结构接触；所述金属连接垫连续覆盖所述弹性导电墙朝向所述阵列基板一侧；所述弹性导电墙在所述第一衬底上的垂直投影与所述像素限定层在所述第一衬底上的投影连续覆盖；
其中，所述像素限定层上设置凹槽结构；所述弹性导电墙覆盖所述凹槽结构。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述弹性导电墙包括有机材料基体和导电掺杂粒子。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机材料基体包括聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯或树脂材料。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述导电掺杂粒子包括碳纳米颗粒、碳纳米管、石墨烯颗粒、硅纳米颗粒或金属纳米颗粒。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述弹性导电墙中所述碳纳米颗粒或碳纳米管的体积比范围为10％-30％。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述碳纳米管长度小于2μm，管径小于50nm。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述弹性导电墙包括导电高分子聚合物。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述弹性导电墙包括导电高分子聚苯胺、聚乙炔或聚丁二烯。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述弹性导电墙还包括碳纳米颗粒、碳纳米管、石墨烯颗粒、硅纳米颗粒或金属纳米颗粒掺杂粒子。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，还包括反射层；所述反射层至少位于所述弹性导电墙的侧壁。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述金属连接垫延伸至所述弹性导电墙的侧壁形成所述反射层。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述反射层位于所述金属连接垫朝向或背离所述阵列基板的一侧。
13.根据权利要求10所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述反射层与所述金属连接垫的功函数差小于0.5V。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述导电连接结构包括铬、氧化铬或氧化铟锡。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述导电连接结构呈网格状；或者所述导电连接结构包括多个平行的导电条。
16.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，多个所述子像素色阻阵列排布，沿平行于阵列行方向和/或沿平行于阵列列方向，所述弹性导电墙包括间隔设置的凸起部和凹陷部。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述凹陷部的厚度为D1，所述凸起部的厚度为D2；沿所述凹陷部和所述凸起部间隔排列的方向上，所述凸起部的长度为L1，所述凹陷部的长度为L2；
其中，0.3≤D2/D1≤0.7,1≤L2/L1≤10。
18.一种有机发光显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；其中，所述第一电极层包括多个第一电极；所述像素限定层包括多个第一开口结构；所述第一开口结构露出部分所述第一电极；
在第二衬底上形成导电连接结构以及色阻层；其中，所述色阻层包括多个子像素色阻；相邻子像素色阻之间的间隙露出部分所述导电连接结构；
形成弹性导电墙以及金属连接垫，其中，所述弹性导电墙通过相邻子像素色阻之间的间隙与所述导电连接结构接触；所述弹性导电墙与所述像素限定层在所述第一衬底的投影连续覆盖；所述金属连接垫连续覆盖所述弹性导电墙朝向所述第二衬底的一侧；
将所述第一衬底形成有第二电极层的一侧与所述第二衬底形成有弹性导电墙以及金属连接垫的一侧压合封装；
其中，所述像素限定层上设置凹槽结构；所述弹性导电墙覆盖所述凹槽结构。
19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，所述形成弹性导电墙以及金属连接垫，包括：
形成弹性导电墙材料层；
在所述弹性导电墙材料层背离所述第二衬底的一侧形成金属连接垫材料层；
刻蚀所述金属连接垫材料层形成多个金属连接垫；
以所述金属连接垫或者刻蚀所述金属连接垫的光刻胶为掩膜形成多个所述弹性导电墙。
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