CN111584376A - 贴片二极管的快速组装工艺 - Google Patents

贴片二极管的快速组装工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN111584376A
CN111584376A CN202010454080.3A CN202010454080A CN111584376A CN 111584376 A CN111584376 A CN 111584376A CN 202010454080 A CN202010454080 A CN 202010454080A CN 111584376 A CN111584376 A CN 111584376A
Authority
CN
China
Prior art keywords
diode
welding
diode chip
surface mount
chip set
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010454080.3A
Other languages
English (en)
Inventor
王志敏
黄丽凤
丁晓飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rugao Dachang Electronics Co Ltd
Original Assignee
Rugao Dachang Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rugao Dachang Electronics Co Ltd filed Critical Rugao Dachang Electronics Co Ltd
Priority to CN202010454080.3A priority Critical patent/CN111584376A/zh
Publication of CN111584376A publication Critical patent/CN111584376A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • H01L29/6609—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了贴片二极管的快速组装工艺，该贴片二极管的快速组装工艺包括以下步骤：首先焊接，线将贴片二极管的两铜引线电极、焊片、二极管芯片进行焊接，先将电极片穿进二极管轴向两端与焊片接触，而后将引线同向折弯后装入烧焊模具固定，而后将模具放入烧焊炉，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为300‑320℃，得到焊接好的二极管芯片组；本发明所述的贴片二极管的快速组装工艺，通过焊接、清洗及烘干、封装、引脚线处理等四个步骤，使得在组装过程中能够快速的完成贴片二极管组装，有效的节省了组装的时间，提高了组装效率，降低了工作人员的工作强度，同时组装的贴片二极管质量好，操作方便，具有良好的使用前景。

Description

贴片二极管的快速组装工艺
技术领域
本发明属于二极管组装技术领域，特别涉及贴片二极管的快速组装工艺。
背景技术
贴片二极管又称晶体二极管,简称二极管，另外，还有早期的真空电子二极管，它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性；
而传统的贴片二极管组装的在使用时会存在不足，传统的贴片二极管组装通常要经过点胶、焊接、清洗、烘干、封装、电锡等一列步骤，使得组装的速度低，工作效率慢，同时组装过程中时间过长导致工作人员的强度大，给使用带来不便，为此，我们提出贴片二极管的快速组装工艺。
发明内容
本发明的主要目的在于提供贴片二极管的快速组装工艺，可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
贴片二极管的快速组装工艺，该贴片二极管的快速组装工艺包括以下步骤：
步骤一、焊接，线将贴片二极管的两铜引线电极、焊片、二极管芯片进行焊接，先将电极片穿进二极管轴向两端与焊片接触，而后将引线同向折弯后装入烧焊模具固定，而后将模具放入烧焊炉，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为300-320℃，得到焊接好的二极管芯片组；
步骤二、清洗及烘干，将得到好的二极管芯片组使用酸性洗液进行除氧化层处理，而后采用水枪进行冲洗，而后取出放入85-100℃的烘箱里烘50-60min，取出备用，得到烘干后的二极管芯片组；
步骤三、封装，将得到烘干后的二极管芯片组上保护胶，而后通过黑胶对其进行注塑封装成型，得到封装好的贴片二极管；
步骤四、引脚线处理，将得到封装好的贴片二极管的引脚线进行折弯，而后去除树脂以及引脚线毛刺，即可完成贴片二极管的快速组装工艺，最终得到成品的贴片二极管。
优选的，步骤一烧焊炉内的保护气体为氮气，烧焊时长为40min。
优选的，步骤二中酸性洗液为硝酸、硫酸、盐酸按照质量比为0.5:0.2-0.3：1。
优选的，步骤二中采用高压水枪进行冲洗，射出的高压水的水压为280-300Kg/cm2。
优选的，步骤三中的黑胶为环氧树脂。
优选的，步骤四中采用引脚线折弯工具进行折弯。
优选的，去毛刺时，采用毛刺液进行擦拭，而毛刺液的配方为：异丙醇与二甲基甲酰胺按照重量比15：85混合配置而成。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：该贴片二极管的快速组装工艺，通过焊接、清洗及烘干、封装、引脚线处理等四个步骤，使得在组装过程中能够快速的完成贴片二极管组装，有效的节省了组装的时间，提高了组装效率，降低了工作人员的工作强度，同时组装的贴片二极管质量好，操作简单，便于使用。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
实施例
组装时，首先工作人员进行焊接，线将贴片二极管的两铜引线电极、焊片、二极管芯片进行焊接，先将电极片穿进二极管轴向两端与焊片接触，而后将引线同向折弯后装入烧焊模具固定，而后将模具放入烧焊炉，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为300℃，烧焊炉内的保护气体为氮气，烧焊时长为40min，得到焊接好的二极管芯片组；而后清洗及烘干，将得到好的二极管芯片组使用酸性洗液进行除氧化层处理，酸性洗液为硝酸、硫酸、盐酸按照质量比为0.5:0.3：1，而后采用水枪进行冲洗，采用高压水枪进行冲洗，射出的高压水的水压为300Kg/cm2，而后取出放入85-100℃的烘箱里烘50-60min，取出备用，得到烘干后的二极管芯片组；其次封装，将得到烘干后的二极管芯片组上保护胶，而后通过黑胶对其进行注塑封装成型，黑胶为环氧树脂，得到封装好的贴片二极管；最后引脚线处理，将得到封装好的贴片二极管的引脚线进行折弯，采用引脚线折弯工具进行折弯，而后去除树脂以及引脚线毛刺，毛刺液的配方为：异丙醇与二甲基甲酰胺按照重量比15：85混合配置而成，即可完成贴片二极管的快速组装工艺。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.贴片二极管的快速组装工艺，其特征在于,该贴片二极管的快速组装工艺包括以下步骤：
步骤一、焊接，线将贴片二极管的两铜引线电极、焊片、二极管芯片进行焊接，先将电极片穿进二极管轴向两端与焊片接触，而后将引线同向折弯后装入烧焊模具固定，而后将模具放入烧焊炉，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为300-320℃，得到焊接好的二极管芯片组；
步骤二、清洗及烘干，将得到好的二极管芯片组使用酸性洗液进行除氧化层处理，而后采用水枪进行冲洗，而后取出放入85-100℃的烘箱里烘50-60min，取出备用，得到烘干后的二极管芯片组；
步骤三、封装，将得到烘干后的二极管芯片组上保护胶，而后通过黑胶对其进行注塑封装成型，得到封装好的贴片二极管；
步骤四、引脚线处理，将得到封装好的贴片二极管的引脚线进行折弯，而后去除树脂以及引脚线毛刺，即可完成贴片二极管的快速组装工艺，最终得到成品的贴片二极管。
2.根据权利要求2所述的贴片二极管的快速组装工艺，其特征在于：步骤一烧焊炉内的保护气体为氮气，烧焊时长为40min。
3.根据权利要求2所述的贴片二极管的快速组装工艺，其特征在于：步骤二中酸性洗液为硝酸、硫酸、盐酸按照质量比为0.5:0.2-0.3：1。
4.根据权利要求2所述的贴片二极管的快速组装工艺，其特征在于：步骤二中采用高压水枪进行冲洗，射出的高压水的水压为280-300Kg/cm2。
5.根据权利要求1所述的贴片二极管的快速组装工艺，其特征在于：步骤三中的黑胶为环氧树脂。
6.根据权利要求1所述的贴片二极管的快速组装工艺，其特征在于：步骤四中采用引脚线折弯工具进行折弯。
7.根据权利要求1所述的贴片二极管的快速组装工艺，其特征在于：去毛刺时，采用毛刺液进行擦拭，而毛刺液的配方为：异丙醇与二甲基甲酰胺按照重量比15：85混合配置而成。
CN202010454080.3A 2020-05-26 2020-05-26 贴片二极管的快速组装工艺 Pending CN111584376A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010454080.3A CN111584376A (zh) 2020-05-26 2020-05-26 贴片二极管的快速组装工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010454080.3A CN111584376A (zh) 2020-05-26 2020-05-26 贴片二极管的快速组装工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111584376A true CN111584376A (zh) 2020-08-25

Family

ID=72127070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010454080.3A Pending CN111584376A (zh) 2020-05-26 2020-05-26 贴片二极管的快速组装工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111584376A (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101350321A (zh) * 2007-07-18 2009-01-21 晶科电子（广州）有限公司 直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法
CN101567411A (zh) * 2009-05-26 2009-10-28 晶科电子（广州）有限公司 发光二极管倒装焊集成封装结构及制作方法
CN101958389A (zh) * 2010-07-30 2011-01-26 晶科电子（广州）有限公司 一种硅基板集成有功能电路的led表面贴装结构及其封装方法
CN101997074A (zh) * 2010-07-30 2011-03-30 晶科电子（广州）有限公司 一种基于硅基板的led表面贴片式封装结构及其封装方法
CN201985771U (zh) * 2011-01-13 2011-09-21 常州西整电子科技有限公司 超声波焊接机专用超大功率整流电力电子器件模块
CN102237275A (zh) * 2010-05-05 2011-11-09 如皋市易达电子有限责任公司 一种新型贴片二极管的制造方法
CN203445154U (zh) * 2013-04-03 2014-02-19 大连德豪光电科技有限公司 Led倒装芯片封装器件及使用其的封装结构
CN104347565A (zh) * 2013-07-23 2015-02-11 中国振华集团永光电子有限公司 瞬态电压抑制二极管封装结构

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101350321A (zh) * 2007-07-18 2009-01-21 晶科电子（广州）有限公司 直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法
CN101567411A (zh) * 2009-05-26 2009-10-28 晶科电子（广州）有限公司 发光二极管倒装焊集成封装结构及制作方法
CN102237275A (zh) * 2010-05-05 2011-11-09 如皋市易达电子有限责任公司 一种新型贴片二极管的制造方法
CN101958389A (zh) * 2010-07-30 2011-01-26 晶科电子（广州）有限公司 一种硅基板集成有功能电路的led表面贴装结构及其封装方法
CN101997074A (zh) * 2010-07-30 2011-03-30 晶科电子（广州）有限公司 一种基于硅基板的led表面贴片式封装结构及其封装方法
CN201985771U (zh) * 2011-01-13 2011-09-21 常州西整电子科技有限公司 超声波焊接机专用超大功率整流电力电子器件模块
CN203445154U (zh) * 2013-04-03 2014-02-19 大连德豪光电科技有限公司 Led倒装芯片封装器件及使用其的封装结构
CN104347565A (zh) * 2013-07-23 2015-02-11 中国振华集团永光电子有限公司 瞬态电压抑制二极管封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102263140A (zh) 一种塑封功率二极管及其制造工艺
CN102651404B (zh) 轴向二极管及保护胶层为聚酰亚胺胶的轴向二极管的制备方法
CN105406129A (zh) 一种锂离子电池的化成方法
CN102528194A (zh) 一种真空共晶焊接方法
CN106024625B (zh) 一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法
CN106024624B (zh) 一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法
CN102867747A (zh) 一种o.j二极管生产工艺
CN105405896A (zh) 一种玻璃钝化高压双向触发二极管及制备工艺
CN115863295B (zh) 一种用于银烧结的复合焊片结构及其制备方法
CN102237275B (zh) 一种新型贴片二极管的制造方法
CN103928568A (zh) 一种可以提高p型背面钝化电池效率的热处理方法
CN102528200A (zh) 一种蓄电池端子铜镶件预处理方法
CN111584376A (zh) 贴片二极管的快速组装工艺
CN111799521A (zh) 一种避免锂离子电池负极引脚-软连接发黑的方法
CN108389913A (zh) 一种GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳电池性能的方法
CN110690120B (zh) 烧结封装mos芯片双向开关电子模块及其制作方法
CN106981547A (zh) 一种处理单晶返工片的方法
CN101354963B (zh) 高反向电压电容器的制备方法
CN110211885A (zh) 功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构
CN110534437B (zh) 一种基于igbt模块的母排的新型制备工艺
CN113611607A (zh) 半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法
CN114005761A (zh) 光伏旁路模块的封装方法
CN108231909A (zh) 一种高可靠超小型玻璃钝化复合二极管及其制备方法和应用
CN101969031B (zh) 一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法
CN110767543B (zh) 一种半导体材料的触头制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200825

RJ01 Rejection of invention patent application after publication