CN111584356A - 刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备，该方法包括：向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，晶圆吸附在刻蚀腔体内的基台上；消除基台和晶圆之间的吸附静电，且同时向刻蚀腔体中通入清洁气体，清洁气体为用于去除刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，副产物为对进行刻蚀的过程产生的。相比现有技术中的方案，该方案中，刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，解决了现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种刻蚀过程的控制方法、3D NAND的台阶结构的形成方法、控制装置、存储介质、处理器和刻蚀设备。
背景技术
近年来，闪存(Flash Memory)存储器的发展尤为迅速，闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，其具有集成度高、存取速度快、易擦除以及重写等优点，因此，在微机以及自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。
现有技术中的3D NAND闪存中，如图1所示，需要通过干法刻蚀形成台阶结构，由于现在堆叠结构中的结构层的个数较多，因此，一般需要通过多个刻蚀过程形成多个台阶，进而形成台阶结构。目前，在刻蚀腔中进行刻蚀，在每个刻蚀的过程中，一般分为是三个步骤：第一步，先刻蚀腔体中位于基台上的晶圆，以去除部分的堆叠结构，形成预定的台阶；第二步，晶圆和基台解吸附，同时向腔体中输送氩气，以使得氩气吹向基台的吸盘的小孔，以避免刻蚀的副产物落在小孔中；第三步，向腔体中输送清洁气体，以对腔体内部进行清洁。
上述的刻蚀形成台阶结构的过程耗时较长，使得晶圆的生产效率较低。
在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种刻蚀过程的控制方法、3D NAND的台阶结构的形成方法、控制装置、存储介质、处理器和刻蚀设备，以解决现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题。
根据本发明实施例的一个方面，提供了一种刻蚀过程的控制方法，包括：向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，所述晶圆吸附在所述刻蚀腔体内的基台上；消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，且同时向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，所述清洁气体为用于去除所述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，所述副产物为对所述进行刻蚀的过程产生的。
进一步地，向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，以去除所述刻蚀在所述刻蚀腔体内形成的至少部分副产物，且以消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，包括：确定向所述刻蚀腔体中通入所述清洁气体的总时间为预定时间；控制向所述刻蚀腔体中通入清洁气体持续所述预定时间。
进一步地，在向所述刻蚀腔体中通入清洁气体之后，所述控制方法还包括：将所述晶圆运送至所述刻蚀腔体外。
进一步地，所述清洁气体包括氧气。
进一步地，所述预定时间在10s～100s之间。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种3D NAND的台阶结构的形成方法，所述形成方法包括：执行权利任一种所述的控制方法至少两次，形成台阶结构，所述台阶结构包括多个台阶，不同次的所述控制方法形成的台阶的个数相同或者不同。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种刻蚀过程的控制装置，包括：第一控制单元，用于控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，所述晶圆吸附在所述刻蚀腔体内的基台上；第二控制单元，用于控制消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，且同时向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，所述清洁气体为用于去除所述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，所述副产物为对所述进行刻蚀的过程产生的。
根据本发明实施例的再一方面，还提供了一种存储介质，所述存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的刻蚀过程的控制方法或者所述的3D NAND的台阶结构的形成方法。
根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的刻蚀过程的控制方法或者所述的3D NAND的台阶结构的形成方法。
根据本发明实施例的再一方面，还提供了一种刻蚀设备，包括：一个或多个处理器，存储器，显示装置以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行任意一种所述的刻蚀过程的控制方法或者所述的3D NAND的台阶结构的形成方法。
在本发明实施例中，上述控制方法中，首先，控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，然后，消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，且同时向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，以去除上述刻蚀在上述刻蚀腔体内形成的至少部分副产物，且清洁气体还能吹入向基台的吸盘的小孔中，以避免副产物落在小孔中，即向上述刻蚀腔体中通入清洁气体既可以清洗腔体，又可以以避免副产物落在小孔中，即相比现有技术中的方案，该方案中，无需向腔体中通入氩气避免副产物落在小孔中，而刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，将该方法应用在3D NAND闪存中刻蚀过程中，就可以解决现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1示出了现有技术中3D NAND闪存中台阶结构的示意图；
图2示出了根据本申请的一种实施例的刻蚀过程的控制方法的流程图；
图3示出了根据本申请的一种实施例的含硅副产物的光强监测曲线；
图4示出了根据本申请的一种实施例的副产物中碳氧化合物的含量的光强监测曲线；以及
图5示出了根据本申请的一种实施例的刻蚀过程的控制装置的示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
正如背景技术中所说的，现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长，为了解决上述问题，本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种刻蚀过程的控制方法、装置、存储介质、处理器和刻蚀设备。
本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种刻蚀过程的控制方法。
图2是根据本发明实施例的刻蚀过程的控制方法的流程图，如图2所示，该方法包括如下步骤：
步骤S101，向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，上述晶圆吸附在上述刻蚀腔体内的基台上；
步骤S102，消除上述基台和上述晶圆之间的吸附静电，且同时向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，上述清洁气体为用于去除上述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，上述副产物为对上述进行刻蚀的过程产生的。
上述控制方法中，首先，控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，然后，消除上述基台和上述晶圆之间的吸附静电，且同时向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，以去除上述刻蚀在上述刻蚀腔体内形成的至少部分副产物，且清洁气体还能吹入向基台的吸盘的小孔中，以避免副产物落在小孔中，即向上述刻蚀腔体中通入清洁气体既可以清洗腔体，又可以以避免副产物落在小孔中，即相比现有技术中的方案，该方案中，无需向腔体中通入氩气避免副产物落在小孔中，而刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，将该方法应用在3D NAND闪存中刻蚀过程中，就可以解决现有技术中的3DNAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
还需要说明的是，上述清洁气体在通入刻蚀腔体内进行清洁的过程中，基本不与晶圆发生反应，一方面，由于晶圆处于晶格比较稳定的状态；另一方面，清洁气体在刻蚀腔体内的时间较短。
当然，该方法并不限于只应用在3D NAND闪存中，还可以应用在任何可行的刻蚀过程中，本领域技术人员可以根据实际情况将该方法应用在合适的器件的刻蚀过程中。
需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机***中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
本申请的一种实施例中，向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，包括：确定向上述刻蚀腔体中通入上述清洁气体的总时间为预定时间；控制向上述刻蚀腔体中通入清洁气体持续上述预定时间。具体地，根据实际情况确定合适的通入清洁气体的总时间，设定为预定时间，并向刻蚀腔体中通入清洁气体持续预定时间，使得刻蚀腔体内形成的至少部分副产物被去除，并消除基台和晶圆之间的吸附静电，后续可以将晶圆运送至上述刻蚀腔体外，从而完成预定结构的刻蚀过程。
具体的一种实施例中，在3D NAND台阶的刻蚀过程中，图3和图4分别为对含硅副产物和副产物中碳氧化合物的光强监测图，纵坐标为表征光强的光通量，通过光通量的大小可以反映出对应监测物质的含量的多少，光通量越大，含量越多，反之，则越少。从图3可以看出，通入刻蚀气体对晶圆进行刻蚀过程中，含硅副产物的含量逐渐上升，向刻蚀腔体中通入清洁气体后，含硅副产物的含量逐渐减小，到20s后基本不变，从图4可以看出，通入刻蚀气体对晶圆进行刻蚀过程中，副产物中碳氧化合物的含量逐渐上升，向刻蚀腔体中通入清洁气体后，副产物中碳氧化合物的含量逐渐减小，到20s后基本不变，即通入清洁气体20s后，含硅副产物和副产物中碳氧化合物的含量较少。
本申请的一种实施例中，在向上述刻蚀腔体中通入清洁气体之后，上述控制方法还包括：将上述晶圆运送至上述刻蚀腔体外。具体地，在向上述刻蚀腔体中通入清洁气体之后，基台和晶圆之间的吸附静电也被消除了，这样就可以将晶圆运送至上述刻蚀腔体外，该刻蚀腔体可以对下一个晶圆进行刻蚀。
本申请的一种实施例中，上述清洁气体包括氧气。具体地，氧气可以与刻蚀得到的副产物发送反应，从而去除刻蚀腔体内副产物，提高清洁效果。需要说明的是，上述清洁气体不限于氧气，本领域技术人员可以根据副产物选择合适的清洁气体，以提高清洁效果。
本申请的一种实施例中，上述预定时间在10s～100s之间。具体地，上述预定时间设定在上述范围内，可以进一步保证清洁效果且保证消除基台和晶圆之间的吸附静电，需要说明的是，上述预定时间不限于此范围，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的预定时间，以保证清洁效果且保证消除基台和晶圆之间的吸附静电。
本申请的另一种典型的实施方式中，提供了一种3D NAND的台阶结构的形成方法，上述形成方法包括：执行任一种上述的控制方法至少两次，形成台阶结构，上述台阶结构包括多个台阶，不同次的上述控制方法形成的台阶的个数相同或者不同，即不同次的控制方法形成的个数可以相同或不同。
上述的3D NAND的台阶结构的形成方法中，通过执行上述控制方法来形成台阶结构，这样，每次形成一定数量的台阶，且每次形成一定数量的台阶花费时间相比现有技术较少，解决了现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
本申请实施例还提供了一种刻蚀过程的控制装置。需要说明的是，本申请实施例的刻蚀过程的控制装置可以用于执行本申请实施例所提供的刻蚀过程的控制方法。以下对本申请实施例提供的刻蚀过程的控制装置进行介绍。
图5是根据本申请实施例的刻蚀过程的控制装置的示意图，如图5所示，上述控制装置包括：
第一控制单元10，用于控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，上述晶圆吸附在上述刻蚀腔体内的基台上；
第二控制单元20，用于消除上述基台和上述晶圆之间的吸附静电，且同时向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，上述清洁气体为用于去除上述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，上述副产物为对上述进行刻蚀的过程产生的。
上述控制装置中，第一控制单元控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，第二控制单元控制消除上述基台和上述晶圆之间的吸附静电，且同时向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，以去除上述刻蚀在上述刻蚀腔体内形成的至少部分副产物，且清洁气体还能吹入向基台的吸盘的小孔中，以避免副产物落在小孔中，即向上述刻蚀腔体中通入清洁气体既可以清洗腔体，又可以以避免副产物落在小孔中，即相比现有技术中的方案，该方案中，无需向腔体中通入氩气避免副产物落在小孔中，而刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，将该方法应用在3D NAND闪存中刻蚀过程中，就可以解决现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
本申请的一种实施例中，上述第二控制单元包括确定模块和第一控制模块，其中，上述确定模块用于确定向上述刻蚀腔体中通入上述清洁气体的总时间为预定时间；上述第一控制模块用于控制向上述刻蚀腔体中通入清洁气体持续上述预定时间。具体地，根据实际情况确定合适的通入清洁气体的总时间，设定为预定时间，并向刻蚀腔体中通入清洁气体持续预定时间，使得刻蚀腔体内形成的至少部分副产物被去除，并消除基台和晶圆之间的吸附静电，后续可以将晶圆运送至上述刻蚀腔体外，从而完成预定结构的刻蚀过程。
具体的一种实施例中，在3DNAND台阶的刻蚀过程中，图3和图4分别为对含硅副产物和副产物中碳氧化合物的光强监测图，纵坐标为表征光强的光通量，通过光通量的大小可以反映出对应监测物质的含量的多少，光通量越大，含量越多，反之，则越少。从图3可以看出，通入刻蚀气体对晶圆进行刻蚀过程中，含硅副产物的含量逐渐上升，向刻蚀腔体中通入清洁气体后，含硅副产物的含量逐渐减小，到20s后基本不变，从图4可以看出，通入刻蚀气体对晶圆进行刻蚀过程中，副产物中碳氧化合物的含量逐渐上升，向刻蚀腔体中通入清洁气体后，副产物中碳氧化合物的含量逐渐减小，到20s后基本不变，即通入清洁气体20s后，含硅副产物和副产物中碳氧化合物的含量较少。
本申请的一种实施例中，上述控制装置还包括第三控制单元，上述第三控制单元用于在控制向上述刻蚀腔体中通入清洁气体之后，控制将上述晶圆运送至上述刻蚀腔体外。具体地，在控制向上述刻蚀腔体中通入清洁气体之后，消除了基台和晶圆之间的吸附静电，即可控制将晶圆运送至上述刻蚀腔体外，该刻蚀腔体可以对下一个晶圆进行刻蚀。
本申请的一种实施例中，上述清洁气体包括氧气。具体地，氧气可以与刻蚀得到的副产物发送反应，从而去除刻蚀腔体内副产物，提高清洁效果。需要说明的是，上述清洁气体不限于氧气，本领域技术人员可以根据副产物选择合适的清洁气体，以提高清洁效果。
本申请的一种实施例中，上述预定时间在10s～100s之间。具体地，上述预定时间设定在上述范围内，可以进一步保证清洁效果且保证消除基台和晶圆之间的吸附静电，需要说明的是，上述预定时间不限于此范围，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的预定时间，以保证清洁效果且保证消除基台和晶圆之间的吸附静电。
本申请的一种实施例中，上述控制方法应用3D NAND的台阶结构的刻蚀过程中，上述台阶结构的形成过程包括多个上述刻蚀过程。具体地，制作3D NAND的过程中，由于现在堆叠结构中的结构层的个数较多，需要通过多个刻蚀过程形成多个台阶，即台阶结构的形成过程包括多个刻蚀过程，即相比现有技术中的方案，该方案中，刻蚀过程仅仅需要两步，减少了刻蚀过程的时间，即减少了3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时，提高了晶圆的生产效率。
本申请实施例还提供了一种刻蚀设备，上述刻蚀设备包括：一个或多个处理器，存储器，显示装置以及一个或多个程序，其中，上述一个或多个程序被存储在上述存储器中，并且被配置为由上述一个或多个处理器执行，上述一个或多个程序包括用于执行任意一种上述的刻蚀过程的控制方法。
上述刻蚀设备中，首先，控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，然后，消除上述基台和上述晶圆之间的吸附静电，且同时向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，以去除上述刻蚀在上述刻蚀腔体内形成的至少部分副产物，且清洁气体还能吹入向基台的吸盘的小孔中，以避免副产物落在小孔中，即向上述刻蚀腔体中通入清洁气体既可以清洗腔体，又可以以避免副产物落在小孔中，即相比现有技术中的方案，该方案中，无需向腔体中通入氩气避免副产物落在小孔中，而刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，将该方法应用在3D NAND闪存中刻蚀过程中，就可以解决现有技术中的3DNAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
上述控制装置包括处理器和存储器，上述第一控制单元和第二控制单元等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。
处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题。
存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。
本发明实施例提供了一种存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述控制方法。
本发明实施例提供了一种处理器，上述处理器用于运行程序，其中，上述程序运行时执行上述控制方法。
本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现至少以下步骤：
步骤S201，控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，上述晶圆吸附在上述刻蚀腔体内的基台上；
步骤S202，控制消除上述基台和上述晶圆之间的吸附静电，且同时控制向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，上述清洁气体为用于去除上述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，上述副产物为对上述进行刻蚀的过程产生的。
本文中的设备可以是服务器、PC、PAD、手机等。
本申请还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有至少如下方法步骤的程序：
步骤S201，控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，上述晶圆吸附在上述刻蚀腔体内的基台上；
步骤S202，控制消除上述基台和上述晶圆之间的吸附静电，且同时控制向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，上述清洁气体为用于去除上述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，上述副产物为对上述进行刻蚀的过程产生的。
在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如上述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例上述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：
1)、本申请的控制方法中，首先，控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，然后，消除上述基台和上述晶圆之间的吸附静电，且同时向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，以去除上述刻蚀在上述刻蚀腔体内形成的至少部分副产物，且清洁气体还能吹入向基台的吸盘的小孔中，以避免副产物落在小孔中，即向上述刻蚀腔体中通入清洁气体既可以清洗腔体，又可以以避免副产物落在小孔中，即相比现有技术中的方案，该方案中，无需向腔体中通入氩气避免副产物落在小孔中，而刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，将该方法应用在3D NAND闪存中刻蚀过程中，就可以解决现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
2)、本申请的控制装置中，第一控制单元控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，第二控制单元控制消除上述基台和上述晶圆之间的吸附静电，且同时向上述刻蚀腔体中通入清洁气体，以去除上述刻蚀在上述刻蚀腔体内形成的至少部分副产物，且清洁气体还能吹入向基台的吸盘的小孔中，以避免副产物落在小孔中，即向上述刻蚀腔体中通入清洁气体既可以清洗腔体，又可以以避免副产物落在小孔中，即相比现有技术中的方案，该方案中，无需向腔体中通入氩气避免副产物落在小孔中，而刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，将该方法应用在3D NAND闪存中刻蚀过程中，就可以解决现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种刻蚀过程的控制方法，其特征在于，包括：
向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，所述晶圆吸附在所述刻蚀腔体内的基台上；
消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，且同时向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，所述清洁气体为用于去除所述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，所述副产物为对所述进行刻蚀的过程产生的。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，包括：
确定向所述刻蚀腔体中通入所述清洁气体的总时间为预定时间；
控制向所述刻蚀腔体中通入清洁气体持续所述预定时间。
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，在向所述刻蚀腔体中通入清洁气体之后，所述控制方法还包括：
将所述晶圆运送至所述刻蚀腔体外。
4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述清洁气体包括氧气。
5.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述预定时间在10s～100s之间。
6.一种3D NAND的台阶结构的形成方法，其特征在于，其特征在于，所述形成方法包括：
执行权利要求1至5中任一项所述的控制方法至少两次，形成台阶结构，所述台阶结构包括多个台阶，不同次的所述控制方法形成的台阶的个数相同或者不同。
7.一种刻蚀过程的控制装置，其特征在于，包括：
第一控制单元，用于控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，所述晶圆吸附在所述刻蚀腔体内的基台上；
第二控制单元，用于控制消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，且同时向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，所述清洁气体为用于去除所述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，所述副产物为对所述进行刻蚀的过程产生的。
8.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行权利要求1至5中任意一项所述的刻蚀过程的控制方法或者权利要求6所述的3D NAND的台阶结构的形成方法。
9.一种处理器，其特征在于，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1至5中任意一项所述的刻蚀过程的控制方法或者权利要求6所述的3D NAND的台阶结构的形成方法。
10.一种刻蚀设备，其特征在于，包括：一个或多个处理器，存储器，显示装置以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行权利要求1至5中任意一项所述的刻蚀过程的控制方法或者权利要求6所述的3D NAND的台阶结构的形成方法。
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112582306A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-03-30 | 长江存储科技有限责任公司 | 存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置 |
| CN113658888A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-16 | 长鑫存储技术有限公司 | 混合制程控制方法、装置、设备及介质 |
| WO2022205121A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Method for forming semiconductor structure |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1468977A (zh) * | 2002-07-19 | 2004-01-21 | 联华电子股份有限公司 | 前清除残留聚合物的方法 |
| CN1801474A (zh) * | 2005-01-07 | 2006-07-12 | 联华电子股份有限公司 | 制作双镶嵌结构以及清除其残余聚合物的方法 |
| CN1848383A (zh) * | 2005-12-02 | 2006-10-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法 |
| CN1851864A (zh) * | 2005-12-09 | 2006-10-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种硅片卸载工艺 |
| CN1851850A (zh) * | 2005-12-02 | 2006-10-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种硅片卸载工艺 |
| CN101752209A (zh) * | 2008-12-19 | 2010-06-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 减少球状缺陷的方法及其装置 |
| CN103871865A (zh) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法 |
| CN104143522A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-11-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种浅沟槽的形成方法 |
| CN104465369A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-03-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 锗的刻蚀方法 |
| CN109196644A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-01-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于形成三维存储器设备的阶梯结构的方法 |
| CN109727857A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-07 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 干法刻蚀方法 |
| CN110211866A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种等离子体刻蚀方法 |
-
2020
- 2020-06-01 CN CN202010486606.6A patent/CN111584356A/zh active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1468977A (zh) * | 2002-07-19 | 2004-01-21 | 联华电子股份有限公司 | 前清除残留聚合物的方法 |
| CN1801474A (zh) * | 2005-01-07 | 2006-07-12 | 联华电子股份有限公司 | 制作双镶嵌结构以及清除其残余聚合物的方法 |
| CN1848383A (zh) * | 2005-12-02 | 2006-10-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法 |
| CN1851850A (zh) * | 2005-12-02 | 2006-10-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种硅片卸载工艺 |
| CN1851864A (zh) * | 2005-12-09 | 2006-10-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种硅片卸载工艺 |
| CN101752209A (zh) * | 2008-12-19 | 2010-06-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 减少球状缺陷的方法及其装置 |
| CN103871865A (zh) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法 |
| CN104143522A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-11-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种浅沟槽的形成方法 |
| CN104465369A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-03-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 锗的刻蚀方法 |
| CN109196644A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-01-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于形成三维存储器设备的阶梯结构的方法 |
| CN109727857A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-07 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 干法刻蚀方法 |
| CN110211866A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种等离子体刻蚀方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112582306A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-03-30 | 长江存储科技有限责任公司 | 存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置 |
| WO2022205121A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Method for forming semiconductor structure |
| CN113658888A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-16 | 长鑫存储技术有限公司 | 混合制程控制方法、装置、设备及介质 |
| CN113658888B (zh) * | 2021-08-16 | 2023-07-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 混合制程控制方法、装置、设备及介质 |
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