CN111554225B - 显示装置及其消斑***和消斑方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示装置及其消斑***和消斑方法，该消斑***包括：N个相互级联的时序控制器，N为大于等于2的整数；闪存芯片，用于存储显示装置的消斑数据；其中，闪存芯片、时序控制器依次通过N条总线连接，且闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接；在第L阶段，第L时序控制器通过前(L‑1)个时序控制器和前L条总线与闪存芯片连接，读取闪存芯片内的第L消斑数据，L为大于等于1小于等于N的整数。该消斑***中居于后位的时序控制器在各自的阶段内通过居于前位的时序控制器和总线，实现与闪存芯片的顺时连接，减少了时序控制器与闪存芯片之间的布线，简化了电路，减少了制作成本，释放了控制板的面积，有利于控制板布局布线。

Description

显示装置及其消斑***和消斑方法

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示装置及其消斑***和消斑方法。

背景技术

由于显示面板制程上的瑕疵，导致显示面板经常会出现各式各样的mura(显示面板亮度不均匀，造成各种斑点的现象)，因此需要时序控制器对显示面板进行消斑(Demura)处理。

在现有技术中，如图1所示，显示装置包括至少两个时序控制器102，分别对应于显示面板101的不同区域，时序控制器102相互级联，且时序控制器102分别与选通模块104连接，通过选通模块104的选择导通实现与闪存芯片103的连接，从而读取闪存芯片103内的消斑数据，这种由外部选通模块104实现时序控制器102和闪存芯片103连接的控制方式，外部线路多且复杂，增加了制作成本，占用了控制板的面积，同时大量的连接线也不利于控制板布局布线。

因此，现有显示装置存在成本高、布线复杂的问题。

发明内容

本发明提供一种显示装置及其消斑***和消斑方法，以改进现有显示装置存在成本高、布线复杂的问题。

为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种显示装置的消斑***，其包括：

N个相互级联的时序控制器，所述N为大于等于2的整数；

闪存芯片，用于存储所述显示装置的消斑数据；

其中，所述闪存芯片、所述时序控制器依次通过N条总线连接，且所述闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接；

在第L阶段，第L时序控制器通过前(L-1)个所述时序控制器和前L条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第L消斑数据，所述L为大于等于1小于等于N的整数

在本发明提供的消斑***中，第M时序控制器包括第M切换模块、第M读取模块、第M检测模块以及第M切换控制模块，所述第M切换模块、所述第M读取模块、所述第M检测模块位于所述第M时序控制器内，所述M为大于等于1小于N的整数。

在本发明提供的消斑***中，所述第M切换控制模块位于所述第M时序控制器内；所述第M读取模块通过前(M-1)个所述时序控制器和前M条所述总线与所述闪存芯片连接，用于读取所述闪存芯片内的第M消斑数据，所述第M检测模块与所述第M读取模块连接，用于检测所述第M消斑数据，所述第M切换控制模块与所述第M检测模块、所述第M切换模块连接，用于根据所述第M检测模块的检测结果控制所述第M切换模块进行切换连接。

在本发明提供的消斑***中，所述第M切换控制模块位于所述第M+1时序控制器内；所述第M读取模块通过前(M-1)个所述时序控制器和前M条所述总线与所述闪存芯片连接，用于读取所述闪存芯片内的第M消斑数据，所述第M检测模块与所述第M读取模块连接，用于检测所述第M消斑数据，所述第M切换控制模块与所述第M切换模块连接，用于根据第M时序控制器的级传信号控制所述第M切换模块进行切换连接。

本发明还提供一种显示装置，其包括：

显示面板，包括至少两个子显示区；

控制板，包括N个相互级联的时序控制器，所述N为大于等于2的整数；所述时序控制器与所述子显示区一一对应，用于分别对其所对应的子显示区进行消斑处理；

印刷电路板，包括闪存芯片，所述闪存芯片用于存储所述显示装置的消斑数据；

其中，所述闪存芯片、所述时序控制器依次通过N条总线连接，且所述闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接；

在第L阶段，第L时序控制器通过前(L-1)个所述时序控制器和前L条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第L消斑数据，所述L为大于等于1小于等于N的整数。

同时，本发明还提供一种显示装置的消斑方法，采用本发明提供的消斑***，对本发明提供的显示装置进行消斑处理，所述消斑***包括闪存芯片和N个相互级联的时序控制器，所述N为大于等于2的整数，所述闪存芯片存储有所述显示装置的消斑数据，其中所述闪存芯片、所述时序控制器依次通过N条总线连接，且所述闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接；所述消斑方法包括：

在第M阶段，第M时序控制器通过前(M-1)个所述时序控制器和前M条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第M消斑数据，所述M为大于等于1小于N的整数；

在第N阶段，第N时序控制器通过前(N-1)个所述时序控制器和前N条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第N消斑数据。

在本发明提供的消斑方法中，所述在第M阶段，第M时序控制器通过前(M-1)个所述时序控制器和前M条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第M消斑数据的步骤，包括：

第M读取模块读取所述闪存芯片内的第M消斑数据；

第M检测模块对所述第M消斑数据进行检测，得到检测结果；

第M切换控制模块根据所述检测结果，控制所述第M切换模块进行切换连接。

在本发明提供的消斑方法中，第M检测模块对所述第M消斑数据进行检测，得到检测结果的步骤，包括：

所述第M检测模块检测所述第M消斑数据的存储地址，并判断所述存储地址是否为所述第M消斑数据的最后一位地址。

在本发明提供的消斑方法中，第M切换控制模块根据所述检测结果，控制所述第M切换模块进行切换连接的步骤，包括：

若所述检测结果为所述存储地址是所述第M消斑数据的最后一位地址，所述第M切换控制模块控制所述第M切换模块导通第(M+1)总线和第M总线，使第(M+1)读取模块通过前M个所述时序控制器和前(M+1)条所述总线与所述闪存芯片连接，所述消斑方法进入第(M+1)阶段；

若所述检测结果为所述存储地址不是所述第M消斑数据的最后一位地址，则重复所述第M阶段内的前述步骤。

在本发明提供的消斑方法中，所述在第N阶段，第N时序控制器通过前(N-1)个所述时序控制器和前N条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第N消斑数据的步骤，包括：

第N读取模块读取所述闪存芯片内的第N消斑数据；

第N检测模块检测所述第N消斑数据的存储地址，并判断所述存储地址是否为所述第N消斑数据的最后一位地址；

若所述检测结果为所述存储地址是所述第N消斑数据的最后一位地址，则结束；若所述检测结果为所述存储地址不是所述第N消斑数据的最后一位地址，则重复所述第N阶段内的前述步骤。。

本发明提供了一种显示装置及其消斑***和消斑方法，该消斑***包括：N个相互级联的时序控制器，N为大于等于2的整数；闪存芯片，用于存储显示装置的消斑数据；其中，闪存芯片、时序控制器依次通过N条总线连接，且闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接；在第L阶段，第L时序控制器通过前(L-1)个时序控制器和前L条总线与闪存芯片连接，读取闪存芯片内的第L消斑数据，L为大于等于1小于等于N的整数。本发明实施例提供的消斑***通过将级联的时序控制器中居于首位的时序控制器与闪存芯片直接连接，居于后位的时序控制器在各自的阶段内通过居于前位的时序控制器，实现与闪存芯片的连接，从而实现时序控制器与闪存芯片的顺时连接，获取相对应的消斑数据；相对于现有技术而言，避免了各个时序控制器与闪存芯片的单独连接，减少了时序控制器与闪存芯片之间的布线，简化了电路，减少了制作成本，释放了控制板的面积，有利于控制板布局布线。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有技术的显示装置的结构示意图。

图2为本发明实施例提供的消斑***的第一种结构框图。

图3为本发明实施例提供的消斑***的第二种结构框图。

图4为本发明实施例提供的消斑***的第三种结构框图。

图5为本发明实施例提供的消斑***的第四种结构框图。

图6为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。

图7为本发明实施例提供的显示装置的消斑方法的第一种流程示意图。

图8为本发明实施例提供的显示装置的消斑方法的第二种流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明的具体实施方案，对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本发明保护范围。

本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本发明，而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

本发明提供一种显示装置及其消斑***和消斑方法，以缓解现有显示装置存在成本高、布线复杂的问题。

在一种实施例中，请参照图2，图2示出了本发明实施例提供的显示装置的消斑***的第一种结构框图。该消斑***包括：

N个相互级联的时序控制器Tcon，N为大于等于2的整数；

闪存芯片flash，用于存储显示装置的消斑数据；

其中，闪存芯片flash、时序控制器Tcon依次通过N条总线连接，且闪存芯片与第一时序控制器Tcon1通过第一总线SPI1连接；

在第L阶段，第L时序控制器通过前(L-1)个时序控制器和前L条总线与闪存芯片flash连接，读取闪存芯片flash内的第L消斑数据，L为大于等于1小于等于N的整数。

本实施例提供一种显示装置的消斑***，该消斑***通过将级联的时序控制器中居于首位的时序控制器与闪存芯片直接连接，居于后位的时序控制器在各自的阶段内通过居于前位的时序控制器，实现与闪存芯片的连接，从而实现时序控制器与闪存芯片的顺时连接，获取相对应的消斑数据；相对于现有技术而言，避免了各个时序控制器与闪存芯片的单独连接，减少了时序控制器与闪存芯片之间的布线，简化了电路，减少了制作成本。

在一种实施例中，请参照图3和图4，图3和图4分别示出了本发明实施例体统的显示装置的消斑***的第二、第三种结构框图。如图所示，第M时序控制器TconM包括第M切换模块SwitchM、第M读取模块ReadM、第M检测模块TestM以及第M切换控制模块CtlM，且第M切换模块SwitchM、第M读取模块ReadM、第M检测模块TestM、以及第M切换控制模块CtlM均位于第M时序控制器TconM内。同时，第M时序控制器TconM还包括第M总线接口SPIM1和第M+1总线接口SPIM2。其中，M为大于等于1小于N的整数，即第M时序控制器TconM代表首位到倒数第二位的时序控制器中的任意一个，例如图中所示的第一时序控制器Tcon1。

在一种实施方案中，请参照图3，第M总线接口SPIM1与第M总线SPIM连接，同时与第M读取模块ReadM直接连接，即第M读取模块ReadM直接通过第M总线接口SPIM1与第M总线SPIM连接，用于读取闪存芯片flash内的第M消斑数据，第M读取模块ReadM的读取操作不受第M切换模块SwitchM的限制。

第M检测模块TestM与第M读取模块ReadM连接，用于检测第M读取模块ReadM读取的第M消斑数据，并得到检测结果。具体检测为检测第M消斑数据的存储地址，判断该存储地址是否为第M消斑数据的最后一位地址。

第M切换控制模块CtlM与第M检测模块TestM连接，用于根据第M检测模块TestM的检测结果，向第M切换模块SwitchM输出控制信号，进而控制第M切换模块SwitchM进行切换连接。

第M切换模块SwitchM与第M切换控制模块CtlM、第M总线接口SPIM1和第M+1总线接口SPIM2连接，用于根据第M切换控制模块CtlM的控制信号进行切换连接，这里所说的切换连接主要是指第M切换模块SwitchM与第M总线接口SPIM1、第M+1总线接口SPIM2之间的连接，进而实现第M总线和第M+1总线之间的导通。

例如，当第M检测模块TestM的检测结果为第M消斑数据的存储地址是第M消斑数据的最后一位地址时，第M切换控制模块CtlM向第M切换模块SwitchM输出导通第M总线和第M+1总线的控制信号，该控制信号具体是导通第M总线接口SPIM1和第M+1总线接口SPIM2的控制信号；第M切换模块SwitchM根据接收到的控制信号，实现第M总线接口SPIM1和第M+1总线接口SPIM2之间的连接，进而实现第M总线和第M+1总线之间的导通。此时，第M读取模块ReadM完成读取操作。

当第M检测模块TestM的检测结果为第M消斑数据的存储地址不是第M消斑数据的最后一位地址，第M切换控制模块CtlM不向第M切换模块SwitchM输出控制信号。此时，第M读取模块ReadM继续读取闪存芯片flash内的第M消斑数据，直至第M消斑数据的存储地址是第M消斑数据的最后一位地址。

居于末位的第N时序控制器TconN包括第N读取模块ReadN、第N检测模块TestN、以及第N总线接口SPIN1，第N读取模块ReadN和第N检测模块TestN位于第N时序控制器TconN内。其中第N总线接口SPIN1与第N总线连接，第N读取模块ReadN与第N总线接口SPIN1连接，用于通过第N总线读取闪存芯片flash内的第N消斑数据，第N检测模块TestN与第N读取模块ReadN连接，用于检测第N读取模块ReadN读取的第N消斑数据，并得到检测结果。具体检测为检测第N消斑数据的存储地址，判断该存储地址是否为第N消斑数据的最后一位地址。

当第N检测模块TestN的检测结果为第N消斑数据的存储地址是第N消斑数据的最后一位地址时，第N读取模块ReadN完成读取操作。当第N检测模块TestN的检测结果为第N消斑数据的存储地址不是第N消斑数据的最后一位地址时，第N读取模块ReadN继续读取闪存芯片flash内的第N消斑数据，直至第N消斑数据的存储地址是第N消斑数据的最后一位地址。

在另一种实施方案中，请参照图4，第M总线接口SPIM1与第M总线SPIM、第M切换模块SwitchM连接，第M读取模块ReadM与第M切换模块SwitchM连接，即第M读取模块ReadM通过第M切换模块SwitchM的切换控制，实现与第M总线SPIM的间接连接，从而读取闪存芯片flash内的第M消斑数据。第M读取模块ReadM的读取操作受制于第M切换模块SwitchM。

第M检测模块TestM与第M读取模块ReadM连接，用于检测第M读取模块ReadM读取的第M消斑数据，并得到检测结果。具体检测为检测第M消斑数据的存储地址，判断该存储地址是否为第M消斑数据的最后一位地址。

第M切换控制模块CtlM与第M检测模块TestM连接，用于根据第M检测模块TestM的检测结果，向第M切换模块SwitchM输出控制信号，进而控制第M切换模块SwitchM进行切换连接。

第M切换模块SwitchM与第M切换控制模块CtlM、第M总线接口SPIM1、第M+1总线接口SPIM2和第M读取模块ReadM连接，用于根据第M切换控制模块CtlM的控制信号进行切换连接，这里所说的切换连接主要是指第M切换模块SwitchM与第M读取模块ReadM、第M+1总线接口SPIM2之间的连接，以分别实现第M总线和第M读取模块ReadM之间的导通，第M总线和第M+1总线之间的导通。

例如，当第M检测模块TestM的检测结果为第M消斑数据的存储地址是第M消斑数据的最后一位地址时，第M切换控制模块CtlM向第M切换模块SwitchM输出导通第M总线和第M+1总线的控制信号，该控制信号具体是导通第M总线接口SPIM1和第M+1总线接口SPIM2的控制信号；第M切换模块SwitchM根据接收到的控制信号，实现第M总线接口SPIM1和第M+1总线接口SPIM2之间的连接，进而实现第M总线和第M+1总线之间的导通。此时第M读取模块ReadM完成读取操作，第M切换控制模块CtlM同时向第M切换模块SwitchM输出断开第M总线和第M读取模块ReadM的控制信号，该控制信号具体是断开第M总线接口SPIM1和第M切换模块SwitchM的控制信号；第M切换模块SwitchM根据接收到的控制信号，断开第M总线接口SPIM1和第M切换模块SwitchM，进而实现第M总线和第M切换模块SwitchM的断接。

当第M检测模块TestM的检测结果为第M消斑数据的存储地址不是第M消斑数据的最后一位地址，第M切换控制模块CtlM不向第M切换模块SwitchM输出控制信号。此时，第M读取模块ReadM继续读取闪存芯片flash内的第M消斑数据，直至第M消斑数据的存储地址是第M消斑数据的最后一位地址。

居于末位的第N时序控制器TconN包括第N读取模块ReadN、第N检测模块TestN、第N切换模块SwitchN以及第N总线接口SPIN1，第N读取模块ReadN、第N检测模块TestN以及第N切换模块SwitchN位于第N时序控制器TconN内。其中第N总线接口SPIN1与第N总线连接，第N切换模块SwitchN与第N总线接口SPIN1连接，第N读取模块ReadN与第N切换模块SwitchN连接，第N读取模块ReadN通过第N切换模块SwitchN的切换控制，实现与第N总线SPIN的间接连接，从而读取闪存芯片flash内的第N消斑数据.

第N检测模块TestN与第N读取模块ReadN连接，用于检测第N读取模块ReadN读取的第N消斑数据，并得到检测结果。具体检测为检测第N消斑数据的存储地址，判断该存储地址是否为第N消斑数据的最后一位地址。

第N切换控制模块CtlN与第N检测模块TestN连接，用于根据第N检测模块TestN的检测结果，向第N切换模块SwitchN输出控制信号，进而控制第N切换模块SwitchN进行切换连接。

第N切换模块SwitchN与第N切换控制模块CtlN、第N总线接口SPIM1、第M读取模块ReadM连接，用于根据第N切换控制模块CtlN的控制信号进行切换连接，这里所说的切换连接主要是指第N切换模块SwitchN与第N读取模块ReadM之间的连接，以实现第N总线和第N读取模块ReadN之间的导通。

当第N检测模块TestN的检测结果为第N消斑数据的存储地址是第N消斑数据的最后一位地址时，第N读取模块ReadN完成读取操作，第N切换控制模块CtlN向第N切换模块SwitchN输出断开第N总线和第N读取模块ReadN的控制信号，第N切换模块SwitchN根据接收到的控制信号，断开第N总线接口SPIN1和第N切换模块SwitchN，进而实现第N总线和第N切换模块SwitchN的断接。

当第N检测模块TestN的检测结果为第N消斑数据的存储地址不是第N消斑数据的最后一位地址时，第N读取模块ReadN继续读取闪存芯片flash内的第N消斑数据，直至第N消斑数据的存储地址是第N消斑数据的最后一位地址。

在另一种实施例中，请参照图5，图5示出了本发明实施例体统的显示装置的消斑***的第四种结构框图。如图所示，第M时序控制器TconM包括第M切换模块SwitchM、第M读取模块ReadM、第M检测模块TestM以及第M切换控制模块CtlM，第M切换模块SwitchM、第M读取模块ReadM、第M检测模块TestM位于第M时序控制器TconM内，而第M切换控制模块CtlM位于第M+1时序控制器TconM内。同时，第M时序控制器TconM还包括第M总线接口SPIM1和第M+1总线接口SPIM2。其中，M为大于等于1小于N的整数，即第M时序控制器TconM代表首位到倒数第二位的时序控制器中的任意一个，例如图中所示的第一时序控制器Tcon1。

在一种实施方案中，请参照图5，第M总线接口SPIM1与第M总线SPIM连接，同时与第M读取模块ReadM直接连接，第M读取模块ReadM通过第M总线接口SPIM1与第M总线SPIM连接，用于读取闪存芯片flash内的第M消斑数据。

第M检测模块TestM与第M读取模块ReadM连接，用于检测第M读取模块ReadM读取的第M消斑数据，并得到检测结果。具体检测为检测第M消斑数据的存储地址，判断该存储地址是否为第M消斑数据的最后一位地址。

第M+1总线接口SPIM2和第M+1总线接口SPI(M+1)1通过第M+1总线连接，第M切换控制模块CtlM与第M+1总线接口SPI(M+1)1连接，第M切换模块SwitchM与第M+1总线接口SPIM2连接，第M切换控制模块CtlM用于接受第M时序控制器TconM的级传信号，并根据该级传信号向第M切换模块SwitchM输出控制信号，进而控制第M切换模块SwitchM进行切换连接。

第M切换模块SwitchM与第M总线接口SPIM1和第M+1总线接口SPIM2连接，用于根据第M切换控制模块CtlM的控制信号进行切换连接，这里所说的切换连接主要是指第M切换模块SwitchM与第M总线接口SPIM1、第M+1总线接口SPIM2之间的连接，进而实现第M总线和第M+1总线之间的导通。

例如，当第M检测模块TestM的检测结果为第M消斑数据的存储地址是第M消斑数据的最后一位地址时，第M时序控制器TconM向第M切换控制模块CtlM输出级传信号；第M切换控制模块CtlM收到级传信号后，向第M切换模块SwitchM输出导通第M总线和第M+1总线的控制信号；第M切换模块SwitchM根据接收到的控制信号，实现第M总线接口SPIM1和第M+1总线接口SPIM2之间的连接，进而实现第M总线和第M+1总线之间的导通。此时，第M读取模块ReadM完成读取操作。

当第M检测模块TestM的检测结果为第M消斑数据的存储地址不是第M消斑数据的最后一位地址时，第M时序控制器TconM无级传信号输出至第M切换控制模块CtlM，第M切换控制模块CtlM不向第M切换模块SwitchM输出控制信号。此时，第M读取模块ReadM继续读取闪存芯片flash内的第M消斑数据，直至第M消斑数据的存储地址是第M消斑数据的最后一位地址。

居于末位的第N时序控制器TconN与前述实施例中的第N时序控制器TconN相类似，具体可参照前述实施例，在此不再赘述。

读取模块读取的闪存芯片内的消斑数据是处于压缩状态的压缩消斑数据，该压缩消斑数据需要进行解压等一些列的处理后，才能用于对显示装置进行消斑。因此，本发明实施例提供的时序控制器还包括解码模块和算法模块(未画出)。压缩消斑数据包括用于对显示装置进行消斑处理的消斑数据、以及用于标识消斑数据的位置的标识符，即本发明实施例所述的消斑数据的地址信息。在读取模块获取闪存芯片内的压缩消斑数据后，解码模块基于标识符，解码压缩消斑数据，得到解压后的实际消斑数据；算法模块基于显示装置的亮度数据以及解压后的实际消斑数据，得到显示装置的目标驱动电压值，采用该目标驱动电压驱动显示装置，即可实现对显示装置的消斑处理，消除显示装置的mura现象。

在一种实施例中，本发明还提供一种显示装置。请参照图6，图6示出了本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。如图所示，该显示装置包括：

显示面板610，包括至少两个子显示区(611、612)；

控制板630，包括N个相互级联的时序控制器(631、632)，其中N为大于等于2的整数；时序控制器(631、632)与子显示区(611、612)一一对应，用于分别对其所对应的子显示区(611、612)进行消斑处理；

印刷电路板620，包括闪存芯片621，闪存芯片621用于存储显示装置的消斑数据；

其中，闪存芯片621、时序控制器(631、632)依次通过N条总线连接，且闪存芯片621与第一时序控制器631通过第一总线连接；

在第L阶段，第L时序控制器通过前(L-1)个时序控制器和前L条总线与闪存芯片连接，读取闪存芯片内的第L消斑数据，L为大于等于1小于等于N的整数。

本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，包括至少两个子显示区；控制板，包括N个级联的时序控制器，其中N为大于等于2的整数，时序控制器与子显示区一一对应，用于分别对其所对应的子显示区进行消斑处理；印刷电路板，包括闪存芯片，闪存芯片用于存储显示装置的消斑数据；该显示装置通过将级联的时序控制器中居于首位的时序控制器与闪存芯片直接连接，居于后位的时序控制器在各自的阶段内通过居于前位的时序控制器，实现与闪存芯片的连接，从而实现时序控制器与闪存芯片的顺时连接，获取相对应的消斑数据；相对于现有技术而言，避免了各个时序控制器与闪存芯片的单独连接，减少了时序控制器与闪存芯片之间的布线，简化了电路，减少了制作成本，释放了控制板的面积，有利于控制板布局布线。

在一种实施例中，本发明还提供一种显示装置的消斑方法，采用本发明实施例提供的消斑***，对本发明实施例提供的显示装置进行消斑处理，该消斑***包括闪存芯片和N个相互级联的时序控制器，N为大于等于2的整数，闪存芯片存储有显示装置的消斑数据，其中闪存芯片时序控制器依次通过N条总线连接，且闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接。请参照图7，图7示出了本发明实施例提供的消斑方法的第一种流程示意图。如图所示，该消斑方法包括：

步骤S701、在第M阶段，第M时序控制器通过前(M-1)个时序控制器和前M条总线与闪存芯片连接，读取闪存芯片内的第M消斑数据，M为大于等于1小于N的整数；

步骤S702、在第N阶段，第N时序控制器通过前(N-1)个时序控制器和前N条总线与闪存芯片连接，读取闪存芯片内的第N消斑数据。

本实施例提供一种显示装置的消斑方法，该消斑方法的各个步骤通过本发明实施例提供的消斑***实施，通过将级联的时序控制器中居于首位的时序控制器与闪存芯片直接连接，居于后位的时序控制器在各自的阶段内通过居于前位的时序控制器，实现与闪存芯片的连接，从而实现时序控制器与闪存芯片的顺时连接，获取相对应的消斑数据；相对于现有技术而言，避免了各个时序控制器与闪存芯片的单独连接，减少了时序控制器与闪存芯片之间的布线，简化了电路，减少了制作成本，释放了控制板的面积，有利于控制板布局布线。

在一种实施例中，请参照图8，图8示出了本发明实施例提供的消斑方法的第二种流程示意图。如图所示，该消斑方法包括：

在第M阶段，第M读取模块读取闪存芯片内的第M消斑数据；M为大于等于1小于N的整数，M起始于1；

第M检测模块检测第M消斑数据的存储地址，判断该存储地址是否为第M消斑数据的最后一位地址；

若检测结果为该存储地址不是第一消斑数据的最后一位地址，则重复上一步骤；

若检测结果为该存储地址是第M消斑数据的最后一位地址，第M切换控制模块控制第M切换模块导通第(M+1)总线和第M总线，使第(M+1)读取模块通过前M个时序控制器和前(M+1)条总线与闪存芯片连接，消斑方法进入第(M+1)阶段；

第N阶段，第N读取模块读取闪存芯片内的第N消斑数据；

第N检测模块检测第N消斑数据的存储地址，判断该存储地址是否为第N消斑数据的最后一位地址；

若检测结果为该存储地址不是第N消斑数据的最后一位地址，则重复上一步骤；

若检测结果为该存储地址是第N消斑数据的最后一位地址，结束。

本发明实施例提供的消斑方法中各个步骤的具体实现方式，可以参考本发明提供的显示装置的消斑***的具体实施例，在此不再赘述。

根据上述实施例可知：

本发明实施例提供了一种显示装置及其消斑***和消斑方法，该消斑***包括：N个相互级联的时序控制器，N为大于等于2的整数；闪存芯片，用于存储显示装置的消斑数据；其中，闪存芯片、时序控制器依次通过N条总线连接，且闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接；在第L阶段，第L时序控制器通过前(L-1)个时序控制器和前L条总线与闪存芯片连接，读取闪存芯片内的第L消斑数据，L为大于等于1小于等于N的整数。本发明实施例提供的消斑***通过将级联的时序控制器中居于首位的时序控制器与闪存芯片直接连接，居于后位的时序控制器在各自的阶段内通过居于前位的时序控制器，实现与闪存芯片的连接，从而实现时序控制器与闪存芯片的顺时连接，获取相对应的消斑数据；相对于现有技术而言，避免了各个时序控制器与闪存芯片的单独连接，减少了时序控制器与闪存芯片之间的布线，简化了电路，减少了制作成本，释放了控制板的面积，有利于控制板布局布线。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示装置的消斑***，其特征在于，包括：

N个相互级联的时序控制器，所述N为大于等于2的整数；

闪存芯片，用于存储所述显示装置的消斑数据；

其中，所述闪存芯片、所述时序控制器依次通过N条总线连接，且所述闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接；第M时序控制器包括第M切换模块、第M读取模块、第M检测模块以及第M切换控制模块，所述第M读取模块用于读取所述闪存芯片内的第M消斑数据，所述第M检测模块用于检测所述第M消斑数据，所述第M切换控制模块用于根据所述第M检测模块的检测结果控制所述第M切换模块进行切换连接，所述第M切换模块用于连通或断开第M总线和第M+1总线，所述M为大于等于1小于N的整数；

在第L阶段，第L时序控制器通过前(L-1)个所述时序控制器和前L条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第L消斑数据，所述L为大于等于1小于等于N的整数。

2.如权利要求1所述的消斑***，其特征在于，所述第M切换模块、所述第M读取模块、所述第M检测模块位于所述第M时序控制器内。

3.如权利要求2所述的消斑***，其特征在于，所述第M切换控制模块位于所述第M时序控制器内；所述第M读取模块通过前(M-1)个所述时序控制器和前M条所述总线与所述闪存芯片连接，所述第M检测模块与所述第M读取模块连接，所述第M切换控制模块与所述第M检测模块、所述第M切换模块连接。

4.如权利要求2所述的消斑***，其特征在于，所述第M切换控制模块位于第M+1时序控制器内；所述第M读取模块通过前(M-1)个所述时序控制器和前M条所述总线与所述闪存芯片连接，所述第M检测模块与所述第M读取模块连接，所述第M切换控制模块与所述第M切换模块连接。

5.一种显示装置，其特征在于，包括：

显示面板，包括至少两个子显示区；

控制板，包括N个相互级联的时序控制器，所述N为大于等于2的整数；所述时序控制器与所述子显示区一一对应，用于分别对其所对应的子显示区进行消斑处理；

印刷电路板，包括闪存芯片，所述闪存芯片用于存储所述显示装置的消斑数据；

其中，所述闪存芯片、所述时序控制器依次通过N条总线连接，且所述闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接；第M时序控制器包括第M切换模块、第M读取模块、第M检测模块以及第M切换控制模块，所述第M读取模块用于读取所述闪存芯片内的第M消斑数据，所述第M检测模块用于检测所述第M消斑数据，所述第M切换控制模块用于根据所述第M检测模块的检测结果控制所述第M切换模块进行切换连接，所述第M切换模块用于连通或断开第M总线和第M+1总线，所述M为大于等于1小于N的整数；

在第L阶段，第L时序控制器通过前(L-1)个所述时序控制器和前L条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第L消斑数据，所述L为大于等于1小于等于N的整数。

6.一种显示装置的消斑方法，其特征在于，采用如权利要求1至4任一所述的消斑***，对权利要求5所述的显示装置进行消斑处理，所述消斑***包括闪存芯片和N个相互级联的时序控制器，所述N为大于等于2的整数，所述闪存芯片存储有所述显示装置的消斑数据，其中所述闪存芯片、所述时序控制器依次通过N条总线连接，且所述闪存芯片与第一时序控制器通过第一总线连接；第M时序控制器包括第M切换模块、第M读取模块、第M检测模块以及第M切换控制模块，所述第M读取模块用于读取所述闪存芯片内的第M消斑数据，所述第M检测模块用于检测所述第M消斑数据，所述第M切换控制模块用于根据所述第M检测模块的检测结果控制所述第M切换模块进行切换连接，所述第M切换模块用于连通或断开第M总线和第M+1总线，所述M为大于等于1小于N的整数；

所述消斑方法包括：

在第M阶段，第M时序控制器通过前(M-1)个所述时序控制器和前M条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第M消斑数据，所述M为大于等于1小于N的整数；

在第N阶段，第N时序控制器通过前(N-1)个所述时序控制器和前N条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第N消斑数据。

7.如权利要求6所述的消斑方法，其特征在于，所述在第M阶段，第M时序控制器通过前(M-1)个所述时序控制器和前M条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第M消斑数据的步骤，包括：

所述第M读取模块读取所述闪存芯片内的第M消斑数据；

所述第M检测模块对所述第M消斑数据进行检测，得到检测结果；

所述第M切换控制模块根据所述检测结果，控制所述第M切换模块进行切换连接。

8.如权利要求7所述的消斑方法，其特征在于，所述第M检测模块对所述第M消斑数据进行检测，得到检测结果的步骤，包括：

所述第M检测模块检测所述第M消斑数据的存储地址，并判断所述存储地址是否为所述第M消斑数据的最后一位地址。

9.如权利要求8 所述的消斑方法，其特征在于，所述第M切换控制模块根据所述检测结果，控制所述第M切换模块进行切换连接的步骤，包括：

若所述检测结果为所述存储地址是所述第M消斑数据的最后一位地址，所述第M切换控制模块控制所述第M切换模块导通第(M+1)总线和第M总线，使第(M+1)读取模块通过前M个所述时序控制器和前(M+1)条所述总线与所述闪存芯片连接，所述消斑方法进入第(M+1)阶段；

若所述检测结果为所述存储地址不是所述第M消斑数据的最后一位地址，则重复所述第M阶段内的前述步骤。

10.如权利要求9所述的消斑方法，其特征在于，所述在第N阶段，第N时序控制器通过前(N-1)个所述时序控制器和前N条所述总线与所述闪存芯片连接，读取所述闪存芯片内的第N消斑数据的步骤，包括：

第N读取模块读取所述闪存芯片内的第N消斑数据；

第N检测模块检测所述第N消斑数据的存储地址，并判断所述存储地址是否为所述第N消斑数据的最后一位地址；

若所述检测结果为所述存储地址是所述第N消斑数据的最后一位地址，则结束；若所述检测结果为所述存储地址不是所述第N消斑数据的最后一位地址，则重复所述第N阶段内的前述步骤。

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