CN111525016A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111525016A CN111525016A CN202010311630.6A CN202010311630A CN111525016A CN 111525016 A CN111525016 A CN 111525016A CN 202010311630 A CN202010311630 A CN 202010311630A CN 111525016 A CN111525016 A CN 111525016A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- contact electrode
- electrode layer
- display panel
- thin film
- material layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 35
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板及其制作方法，包括：形成背板，所述背板包括至少一个薄膜晶体管和第一接触电极层，其中，所述第一接触电极层设置在所述薄膜晶体管上，所述第一接触电极层远离所述薄膜晶体管的一面为第一凹凸面；将预先形成的母板与所述背板对位组合，以形成所述显示面板。本发明实施例提供的显示面板及其制作方法用于改善显示面板出现暗点的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，Mini LED)显示和微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示逐渐成为显示面板的一个热点，其中，Micro LED显示主要应用在AR(Augmented Reality，增强现实)/VR(Virtual Reality，虚拟现实)等领域。Mini LED显示主要应用在TV及户外显示等领域的应用不断被开发出来。Micro LED显示/Mini LED显示可以通过拼接方式实现大尺寸显示，能够突破尺寸限制。此外，由于LED具有自发光、广视角、快速响应、结构简单、体积小、轻薄、节能、高效、长寿、光线清晰等优点，更容易实现高分辨率(Pixels Per Inch，PPI)，因此LED显示技术在未来的发展上具有较好的市场前景。但是，在显示面板的制作过程中，需要将LED芯片绑定在显示基板的驱动电路上，在绑定过程中，容易出现芯片绑定不牢固的现象，造成显示器件出现暗点。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，用于改善显示面板出现暗点的问题。
本发明提供一种显示面板的制作方法，包括：
形成背板，所述背板包括至少一个薄膜晶体管和第一接触电极层，其中，所述第一接触电极层设置在所述薄膜晶体管上，所述第一接触电极层远离所述薄膜晶体管的一面为第一凹凸面；
将预先形成的母板与所述背板对位组合，以形成所述显示面板。
在本发明的显示面板的制作方法中，所述将预先形成的母板与所述背板对位组合包括：
将预先形成的所述母板与所述背板对位组合，并通过绑定材料绑定所述母板和所述背板，所述绑定材料包括熔融态金属锡或熔融态金属铟中的至少一种。
在本发明的显示面板的制作方法中，所述形成背板包括以下步骤：
步骤a1：在基板上形成所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述基板上间隔排列；
步骤a2：形成第一接触电极材料层，所述第一接触电极材料层覆盖所述薄膜晶体管以及所述基板；
步骤a3：对所述第一接触电极材料层进行等离子气体处理，在所述第一接触电极材料层远离所述薄膜晶体管的一面形成所述第一凹凸面；
步骤a4：对所述第一接触电极材料层进行黄光制程，以形成所述第一接触电极层，其中，所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影覆盖所述第一接触电极层在所述基板上的正投影。
在本发明的显示面板的制作方法中，所述步骤a4之后，还包括：
步骤a5：在所述第一接触电极层上形成绑定材料层。
在本发明的显示面板的制作方法中，预先形成的所述母板包括：至少一个发光单元和第二接触电极层，其中，所述第二接触电极层设置在所述发光单元上，所述第二接触电极层远离所述发光单元的一面为第二凹凸面。
在本发明的显示面板的制作方法中，形成所述母板包括以下步骤：
步骤b1：在衬底上形成发光材料层；
步骤b2：在所述发光材料层上形成第二接触电极材料层；
步骤b3：对所述第二接触电极材料层的表面进行所述等离子气体处理，在所述第二接触电极材料层远离所述发光材料层的一面形成所述第二凹凸面；
步骤b4：对所述第二接触电极材料层和所述发光材料层进行黄光制程，以形成所述第二接触电极层和多个所述发光单元，其中，所述发光单元在所述衬底上的正投影覆盖所述第二接触电极层在所述衬底上的正投影。
本发明还提供一种显示面板，包括：背板和母板，所述背板和所述母板对位组合为一体，所述背板包括至少一个薄膜晶体管和第一接触电极层，其中，所述第一接触电极层设置在所述薄膜晶体管上，所述第一接触电极层远离所述薄膜晶体管的一面为第一凹凸面，所述第一凹凸面是通过等离子气体处理形成的。
在本发明提供的显示面板中，所述背板和所述母板之间设置有绑定材料，其中，所述绑定材料包括熔融态金属锡和熔融态金属铟中的至少一种。
在本发明提供的显示面板中，所述背板还包括绑定材料层，所述绑定材料层设置在所述第一接触电极层上。
在本发明提供的显示面板中，预先形成的所述母板包括至少一个发光单元和第二接触电极层，其中，所述第二接触电极层设置在所述发光单元上，所述第二接触电极层远离所述发光单元的一面为第二凹凸面，所述第二凹凸面是通过等离子气体处理形成的。
相较于现有技术，在本发明实施例提供的显示面板及其制作方法中，通过等离子气体处理将第一接触电极层和第二接触电极层的表面粗糙化，以此形成凹凸面，增大绑定材料与第一接触电极层和第二接触电极层的接触面积，改善了显示面板绑定过程中不牢固的问题，从而改善显示面板出现暗点的问题。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示面板的制作方法中背板的制作方法的流程图；
图3为本发明实施例提供为本发明实施例提供的显示面板的制作方法中母板的制作方法的流程图；
图4至图6为本发明实施例提供显示面板的制作方法中背板的制作方法的示意图；
图7和图8发明实施例提供显示面板的制作方法中母板的制作方法的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
请参考图1，本发明实施例提供一种显示面板，包括背板10和母板20，所述背板10和所述母板20对位组合为一体，所述背板10包括至少一个薄膜晶体管110和第一接触电极层120，其中，所述第一接触电极层120设置在所述薄膜晶体管110上，所述第一接触电极层120远离所述薄膜晶体管110的一面为第一凹凸面1201，所述第一凹凸面1201是通过等离子气体处理形成的。
其中，背板10还包括基板100，薄膜晶体管110在基板100上间隔排列，基板100包括柔性基板和玻璃基板等。薄膜晶体管110包括采用低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管。第一接触电极层是通过黄光制程形成的，其中，第一接触电极层120的材料包括导电性能较佳的铜、铝、金和银等金属材料。第一凹凸面1201是通过等离子(Plasma)气体处理形成的，等离子气体处理包括氦气等离子气体处理、氩气等离子气体处理、氖气等离子气体处理等。可选的，在本发明实施例中，形成所述第一凹凸面1201的方法还包括激光处理、酸刻蚀等。所述第一凹凸面的表面粗糙度Ra介于2.0nm至7.0nm之间，优选的，所述第一凹凸面1201的表面粗糙度Ra介于3.5nm至5.5nm之间，其中，Ra代表在轮廓偏距绝对值的算术平均值。
可选的，背板10还包括绑定材料层30，所述绑定材料层30设置在所述第一接触电极层120上。应该理解的是，显示面板通过在所述背板10和所述母板20之间设置有绑定材料30而形成，其中，所述绑定材料30包括熔融态金属锡和熔融态金属铟中的至少一种。也就是说，可以通过在背板10上设置绑定材料层30，然后将母板20对位组合贴合于背板上，或是将母板20和背板10对对位组合后，通过绑定材料30绑定背板10和母板20。也就是说，在本发明实施例中，绑定材料30可以作为背板10的一部分，也可以独立于背板10。即，所述显示面板是通过将所述背板10和所述母板20对位组合后，并使用绑定材料30绑定所述背板10和所述母板20形成的。
所述母板20包括至少一个发光单元210和第二接触电极层220，其中，所述第二接触电极层220设置在所述发光单元210上，所述第二接触电极层220远离所述发光单元210的一面为第二凹凸面2201，所述第二凹凸面2201是通过等离子气体处理形成的。
母板20还包括衬底200，可选的，本发明实施例中的衬底200包括玻璃基板或者塑料基板，鉴于衬底200位于显示面板的发光方向上，因此衬底200需要具有透明性和透光度，以使得光可以透过该衬底200。
发光单元210和第二接触电极层220通过黄光制程形成的。其中，发光单元210包括Mini LED发光单元和Micro LED发光单元，第二接触电极层的材料包括导电性能较佳的铜、铝、金和银等金属材料。第二接触电极层220远离发光单元210的一面为第二凹凸面2201，第二凹凸面2201通过等离子(Plasma)气体对第二接触电极层220的表面进行处理，使得第二接触电极层220的表面粗糙化，形成凹凸不平的第二凹凸面2201，其中，所述等离子气体处理包括惰性气体等离子气体处理，例如，包括氦气等离子气体处理、氩气等离子气体处理、氖气等离子气体处理等。可选的，在本发明实施例中，形成所述第二凹凸面2201的方法还包括激光处理、酸刻蚀等。所述第二凹凸面2201的表面粗糙度Ra介于2.0nm至7.0nm之间，优选的，所述第二凹凸面2201的表面粗糙度Ra介于3.5nm至5.5nm之间，其中，Ra代表在轮廓偏距绝对值的算术平均值。
在本发明实施例提供的显示面板中，通过等离子气体处理将第一接触电极层120和第二接触电极层220的表面粗糙化，以此形成凹凸面，增大绑定材料30与第一接触电极层120和第二接触电极层220的接触面积，改善了显示面板绑定过程中不牢固的问题，从而改善显示面板出现暗点的问题。
请继续参考图1，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括：形成背板10，其中，所述背板10包括至少一个薄膜晶体管110和第一接触电极层120，其中，所述第一接触电极层120设置在所述薄膜晶体管110上，所述第一接触电极层120远离所述薄膜晶体管110的一面为第一凹凸面；然后，将预先形成的母板20与所述背板10对位组合，以形成所述显示面板。
进一步的，如图1所示，将预先形成的所述母板20与所述背板对位组合，并通过绑定材料30绑定所述母板20和所述背板10，其中，所述绑定材料包括熔融态金属锡和熔融态金属铟中的至少一种。
请结合图1和图2，形成背板10包括如下步骤：
步骤S11：在基板100上形成所述薄膜晶体管110，所述薄膜晶体管110在所述基板100上间隔排列；
步骤S12：形成第一接触电极材料层，所述第一接触电极材料层覆盖所述薄膜晶体管110以及所述基板100；
步骤S13：对所述第一接触电极材料层进行等离子气体处理，在所述第一接触电极层远离所述薄膜晶体管110的一面形成所述第一凹凸面；
步骤S14：对所述第一接触电极材料层进行黄光制程，以形成所述第一接触电极层120，其中，所述薄膜晶体管110在所述基板100上的正投影覆盖所述第一接触电极层120在所述基板100上的正投影。
请参考图4，在步骤S11中，在基板100上形成薄膜晶体管110，所述薄膜晶体管110在基板100上间隔排列，其中，基板100包括柔性基板和玻璃基板等。薄膜晶体管110包括采用低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管。
在步骤S12中，在基板100和薄膜晶体管110上沉积一层第一接触电极材料层130，其中，所述第一接触电极材料层130的材料包括导电性能较佳的铜、铝、金和银等金属材料。
随后转到步骤S13，请参考图4和图5，利用等离子(Plasma)气体40对第一接触电极材料层的表面进行处理，使得第一接触电极材料层130的表面粗糙化，形成凹凸不平的第一凹凸面1201，其中，第一凹凸面1201位于远离薄膜晶体管110的一侧。所述等离子气体40处理包括惰性气体等离子气体处理，例如，包括氦气等离子气体处理、氩气等离子气体处理、氖气等离子气体处理等。可选的，在本发明实施例中，形成所述第一凹凸面1201的方法还包括激光处理、酸刻蚀等。所述第一凹凸面1201的表面粗糙度Ra介于2.0nm至7.0nm之间，优选的，所述第一凹凸面1201的表面粗糙度Ra介于3.5nm至5.5nm之间，其中，Ra代表在轮廓偏距绝对值的算术平均值。
请参考图5，在步骤S14中，利用黄光制程对第一接触电极材料层130进行处理，具体的，在第一接触电极材料层130上涂覆光刻胶，通过掩模、曝光、显影和刻蚀工艺形成所述第一接触电极层120。其中，薄膜晶体管110在基板100上的正投影覆盖第一接触电极层120在基板100上的正投影。
可选的，如图6所示，在本发明实施例中，在步骤S14之后，形成背板10的步骤还包括：在所述第一接触电极层120上形成绑定材料层30。
应该理解的是，在形成背板10之后，将预先形成的母板20和背板10对位组合，并通过绑定材料30绑定母板20和背板10。需要说明的是，可以通过在背板10上形成绑定材料层30，然后将母板20对位组合贴合于背板上，或是将母板20和背板10对对位组合后，使用绑定材料30绑定背板10和母板20。其中，绑定材料30包括熔融态金属锡和熔融态金属铟中的至少一种。也就是说，在本发明实施例中，绑定材料30可以作为背板10的一部分，也可以独立于背板10。
请结合图3和图8，预先形成的母板包括至少一个发光单元210和第二接触电极层220，其中，所述第二接触电极层220设置在所述发光单元210上，所述第二接触电极层220远离所述发光单元210的一面为第二凹凸面2201。
形成母板20包括以下步骤：
步骤S21：在衬底上形成发光材料层；
步骤S22：在所述发光材料层上形成第二接触电极材料层；
步骤S23：对所述第二接触电极材料层的表面进行所述等离子气体处理，在所述第二接触电极材料层远离所述发光材料层的一面形成所述第二凹凸面；
步骤S24：对所述第二接触电极材料层和所述发光材料层进行黄光制程，以形成所述第二接触电极层和多个所述发光单元，其中，所述发光单元在所述衬底上的正投影覆盖所述第二接触电极层在所述衬底上的正投影。
具体地，请参考图7和图8，在步骤S21中，通过喷墨打印等工艺在衬底200上形成发光材料层230，其中，衬底200包括玻璃基板或者塑料基板，鉴于衬底200位于显示面板的发光方向上，因此衬底200需要具有透明性和透光度，以使得光可以透过该衬底200。
在步骤S22中，在所述发光材料层230上沉积一层第二接触电极材料层240，其中，所述第二接触电极材料层240的材料包括导电性能较佳的铜、铝、金和银等金属材料。
在步骤S23中，利用等离子(Plasma)气体40对第二接触电极材料层240的表面进行处理，使得第二接触电极材料层240的表面粗糙化，形成凹凸不平的第二凹凸面2201，其中，第二凹凸面2201位于远离发光材料层230的一侧。所述等离子气体40处理包括惰性气体等离子气体处理，例如，包括氦气等离子气体处理、氩气等离子气体处理、氖气等离子气体处理等。可选的，在本发明实施例中，形成所述第二凹凸面2201的方法还包括激光处理、酸刻蚀等。所述第二凹凸面2201的表面粗糙度Ra介于2.0nm至7.0nm之间，优选的，所述第二凹凸面2201的表面粗糙度Ra介于3.5nm至5.5nm之间。其中，Ra代表在轮廓偏距绝对值的算术平均值。
在步骤S24中，利用黄光制程对第二接触电极材料层230和发光材料层240进行处理，具体的，在第二接触电极材料层240上涂覆光刻胶，通过掩摸、曝光和显影，分别在发光单元所在的位置形成未曝光区域，光刻胶被保留，在其他区域形成完全曝光区域，光刻胶被剥离，通过刻蚀工艺刻蚀完全曝光区域的金属膜层，剥离光刻胶后，形成发光单元110和第二接触电极层120。其中，发光单元210包括Mini LED发光单元和Micro LED发光单元。在本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，将第一接触电极层120和第二接触电极层220的表面进行等离子气体处理，使其表面粗糙化，以此形成凹凸面，增大绑定材料30与第一接触电极层120和第二接触电极层220的接触面积，改善了显示面板绑定过程中不牢固的问题，从而改善显示面板出现暗点的问题。
需要说明的是，本发明实施例包括若干个发光单元210和若干个薄膜晶体管110，且第一接触电极层120与薄膜晶体管110一一对应，发光单元210与第二接触电极层220一一对应，本发明实施例提供的附图只是一种示例，应该理解的是，本发明还可以包括其他示例。
本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，包括形成背板，然后将背板10和预先形成的母板20对位组合，通过绑定材料30绑定背板10和母板20，以此形成显示面板。应该理解的是，本发明实施例中制作背板10和母板20两者没有先后次序的要求，可以同时进行，在此不加以限定。
相较于现有技术，在本发明实施例提供的显示面板及其制作方法中，通过等离子气体处理将第一接触电极层和第二接触电极层的表面粗糙化，以此形成凹凸面，增大绑定材料与第一接触电极层和第二接触电极层的接触面积，改善了显示面板绑定过程中不牢固的问题，从而改善显示面板出现暗点的问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
形成背板，所述背板包括至少一个薄膜晶体管和第一接触电极层，其中，所述第一接触电极层设置在所述薄膜晶体管上，所述第一接触电极层远离所述薄膜晶体管的一面为第一凹凸面；
将预先形成的母板与所述背板对位组合，以形成所述显示面板。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述将预先形成的母板与所述背板对位组合包括：
将预先形成的所述母板与所述背板对位组合，并通过绑定材料绑定所述母板和所述背板，所述绑定材料包括熔融态金属锡或熔融态金属铟中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述形成背板包括以下步骤：
步骤a1：在基板上形成所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述基板上间隔排列；
步骤a2：形成第一接触电极材料层，所述第一接触电极材料层覆盖所述薄膜晶体管以及所述基板；
步骤a3：对所述第一接触电极材料层进行等离子气体处理，在所述第一接触电极材料层远离所述薄膜晶体管的一面形成所述第一凹凸面；
步骤a4：对所述第一接触电极材料层进行黄光制程，以形成所述第一接触电极层，其中，所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影覆盖所述第一接触电极层在所述基板上的正投影。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤a4之后，还包括：
步骤a5：在所述第一接触电极层上形成绑定材料层。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，预先形成的所述母板包括：至少一个发光单元和第二接触电极层，其中，所述第二接触电极层设置在所述发光单元上，所述第二接触电极层远离所述发光单元的一面为第二凹凸面。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述母板包括以下步骤：
步骤b1：在衬底上形成发光材料层；
步骤b2：在所述发光材料层上形成第二接触电极材料层；
步骤b3：对所述第二接触电极材料层的表面进行所述等离子气体处理，在所述第二接触电极材料层远离所述发光材料层的一面形成所述第二凹凸面；
步骤b4：对所述第二接触电极材料层和所述发光材料层进行黄光制程，以形成所述第二接触电极层和多个所述发光单元，其中，所述发光单元在所述衬底上的正投影覆盖所述第二接触电极层在所述衬底上的正投影。
7.一种显示面板，其特征在于，包括：背板和母板，所述背板和所述母板对位组合为一体，所述背板包括至少一个薄膜晶体管和第一接触电极层，其中，所述第一接触电极层设置在所述薄膜晶体管上，所述第一接触电极层远离所述薄膜晶体管的一面为第一凹凸面，所述第一凹凸面是通过等离子气体处理形成的。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述背板和所述母板之间设置有绑定材料，其中，所述绑定材料包括熔融态金属锡和熔融态金属铟中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述背板还包括绑定材料层，所述绑定材料层设置在所述第一接触电极层上。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，预先形成的所述母板包括至少一个发光单元和第二接触电极层，其中，所述第二接触电极层设置在所述发光单元上，所述第二接触电极层远离所述发光单元的一面为第二凹凸面，所述第二凹凸面是通过等离子气体处理形成的。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010311630.6A CN111525016A (zh) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | 显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010311630.6A CN111525016A (zh) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | 显示面板及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111525016A true CN111525016A (zh) | 2020-08-11 |
Family
ID=71901673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010311630.6A Pending CN111525016A (zh) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | 显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111525016A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023122962A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 厦门市芯颖显示科技有限公司 | 显示装置 |
| WO2023226068A1 (zh) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109031745A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-12-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 待切割显示模组及其制作方法 |
| CN110120445A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光粒子的转移方法、设备、显示基板和装置 |
| CN110265586A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-09-20 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN110323359A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-11 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 硅基微显示屏及其制备方法 |
| CN110867462A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-03-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110957411A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种Micro-LED芯片及其制备方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-04-20 CN CN202010311630.6A patent/CN111525016A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109031745A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-12-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 待切割显示模组及其制作方法 |
| CN110957411A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种Micro-LED芯片及其制备方法、显示装置 |
| CN110120445A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光粒子的转移方法、设备、显示基板和装置 |
| CN110265586A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-09-20 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN110323359A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-11 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 硅基微显示屏及其制备方法 |
| CN110867462A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-03-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023122962A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 厦门市芯颖显示科技有限公司 | 显示装置 |
| WO2023226068A1 (zh) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101512469B (zh) | 包括触控面板的显示装置 | |
| CN111627967B (zh) | 显示设备 | |
| US11793042B2 (en) | Display panel and fabrication method thereof | |
| CN101772255B (zh) | 用于发光二极管背光单元的柔性印刷电路板及其制造方法 | |
| CN111524460B (zh) | 显示面板、掩膜板和显示面板的制作方法 | |
| US12041829B2 (en) | Chip-on-film structure, display apparatus and method for manufacturing same | |
| US10236279B2 (en) | Emissive display with light management system | |
| CN113363264B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 | |
| US20220130747A1 (en) | Light-emitting substrate and display apparatus | |
| US20230006024A1 (en) | Display substrate, manufacturing method and display device | |
| WO2022047973A1 (zh) | Oled 显示面板及其制作方法 | |
| CN111525016A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| WO2021068805A1 (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| CN112366218A (zh) | 一种显示面板的制作方法及显示面板 | |
| CN110582850A (zh) | 有机发光二极管显示面板及其制造方法、有机发光二极管对置基板 | |
| JP2008070874A (ja) | 可撓性表示装置の製造装置及び製造方法 | |
| CN111243495A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN105393334B (zh) | 压印有图案以形成隔离器件区域的基板 | |
| CN113160714A (zh) | 一种拼接屏及其制备方法 | |
| CN109980078B (zh) | 发光模组及其制造方法、显示装置 | |
| CN108470521B (zh) | 一种显示面板、显示装置及其制作方法 | |
| TW200906209A (en) | System for displaying image and fabrication method thereof | |
| JP4660963B2 (ja) | 電気的接続装置および電気的接続装置を有する電子機器 | |
| CN113990884A (zh) | 驱动基板及其制备方法和显示装置 | |
| CN114464654A (zh) | 显示装置和制造该显示装置的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200811 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |