CN111508884A - 静电吸盘 - Google Patents

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糸山哲朗
西愿修一郎
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Abstract

本发明提供一种静电吸盘，具备：基座板；及陶瓷电解质基板，具有第1主面，其特征在于，所述第1主面至少包含第1区域、第2区域，所述第1主面的所述第1区域设置有多个第1槽、至少1个第1气体导入孔，所述多个第1槽包含：第1边界槽，最靠近于所述第1区域和所述第2区域之间的第1边界而设置，且沿着所述第1边界延伸；及至少1个第1区域内槽，在所述第1主面的所述第2区域中，设置有多个第2槽、至少1个第2气体导入孔，所述多个第2槽包含沿着所述第1边界延伸的第2边界槽，所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离比所述第1边界槽和邻接于所述第1边界槽的所述第1区域内槽之间的槽端部间距离更小。

Description

静电吸盘
技术领域
本发明的形态涉及静电吸盘。
背景技术
静电吸盘例如具有由氧化铝等构成的陶瓷电解质基板、设置在陶瓷电解质基板的内部的电极。当将电外加于电极时，则产生静电力。静电吸盘是利用所产生的静电力来吸附硅晶片等对象物的装置。在这样的静电吸盘上，在陶瓷电解质基板的表面和对象物的背面之间流入有氦(He)等惰性气体(以下仅称为气体)，以便控制对象物的温度。
例如，在CVD(化学汽相沉积Chemical Vapor Deposition)装置、溅射装置、离子注入装置、蚀刻装置等对基板进行处理的装置上，存在有在处理中基板的温度上升的情况。因此，在这样的装置所使用的静电吸盘上，通过在陶瓷电解质基板和基板之间流入气体，使气体与基板接触，来实现基板的放热。
此外，在处理中，在对象物的面内产生有温度分布。此时，由于如果气体压力升高，则从对象物的放热量增大，因此能够使对象物的温度降低。因此，可通过将陶瓷电解质基板的对象物侧的表面分割成多个区域，使多个区域中的气体压力改变，来控制对象物的面内温度。
例如，为了控制各区域中的气体压力，提出有一种在各区域之间设置密封环的技术(例如参照专利文献1)。
此时，为了控制各区域中的气体压力，优选利用密封环将各区域气密性隔开。可是，如此，在晶片加工工艺中产生的颗粒变得容易积存在密封环的部分上，可能会导致产生在该部分上产生不良等不便。
还提出有一种在密封环的顶部和对象物之间设置微小的间隙，来控制各区域中的气体压力的技术(参照专利文献2)。
在该情况下，也未能解决颗粒容易积存在密封环部分上的课题。
因此，希望开发一种技术，能够在有效地控制各区域中的气体压力的同时，抑制密封环部分上的颗粒的堆积。
专利文献
专利文献1：日本国特开2011-119708号公报
专利文献2：日本国特开2012-129547号公报
发明内容
第1发明为一种静电吸盘，具备：基座板；及陶瓷电解质基板，被设置在所述基座板之上，具有露出于外部的第1主面，其特征在于，所述第1主面至少包含第1区域(区域101)、与所述第1区域邻接的第2区域(区域102)，在所述第1主面的所述第1区域中，设置有多个第1槽(槽14a、14b)、与所述多个第1槽的至少1个连接的至少1个第1气体导入孔(气体导入孔15)，所述多个第1槽包含：第1边界槽(槽14a)，最靠近于所述第1区域和所述第2区域之间的第1边界(边界102a)而设置，且沿着所述第1边界延伸；及至少1个第1区域内槽(槽14b)，与所述第1边界槽不同，在所述第1主面的所述第2区域中，设置有多个第2槽(槽14a、14b)、与所述多个第2槽的至少1个连接的至少1个第2气体导入孔(气体导入孔15)，所述多个第2槽包含，最靠近于所述第1边界而设置且沿着所述第1边界延伸的第2边界槽(槽14a)，所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离(L1)比所述第1边界槽和邻接于所述第1边界槽的所述第1区域内槽之间的槽端部间距离(L2)更小。
在该静电吸盘上，不具有像以往那样为了控制各区域中的气体压力而配置在各区域间的密封环。即，在设置有对象物W时，由对象物W、陶瓷电解质基板(第1区域和第2区域)形成1个密闭空间。因此，能够解决颗粒积存在密封环部分上这样的课题。另一方面，如果仅是不设置密封环，则难以实现各区域每个区域的气体压力的分割，会导致气体压力控制性降低。因此，在本发明中，不仅是消除了密封环，还对第1边界槽和第2边界槽之间的槽端部间距离进行了研究，以便使其比第1边界槽和邻接于第1边界槽的第1区域内槽之间的槽端部间距离更小。
此外，根据该静电吸盘，能够在区域与区域的边界附近，减小气体压力发生变化的区域，进而能够增大达成预期的气体压力的区域。因此，能够在解决颗粒发生堆积这样的课题的同时，有效地控制各区域中的气体压力。
第2发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第1发明中，所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离比所述第1区域内槽彼此之间的槽端部间距离更小。
根据该静电吸盘，能够更有效地控制各区域中的气体压力。
第3发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第1或第2发明中，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第1气体导入孔的至少一部分与所述第1边界槽重叠。
在该静电吸盘上，由于第1边界槽与第1气体导入孔直接连通，因此气体控制性优秀。因此，可在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第4发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第1～第3的任意1项发明中，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第2气体导入孔的至少一部分与所述第2边界槽重叠。
根据该静电吸盘，可在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第5发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第1～第4的任意1项发明中，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与第1边界所呈的角度小于90°。
根据该静电吸盘，可以使边界槽彼此更接近，进而能够减小气体压力发生变化的区域。因此，能够增大达成预期的气体压力的区域。
第6发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第1～第4的任意1项发明中，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与第1边界所呈的角度为90°。
根据该静电吸盘，更便于将各区域的压力保持在目标压力。
第7发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第1～第6的任意1项发明中，还具备设置在所述第1主面上的提升销孔，所述提升销孔和所述第1边界槽之间的距离比所述提升销孔和最靠近所述提升销孔的所述第1区域内槽之间的距离更大。
根据该静电吸盘，能够降低区域内的压力变化。
第8发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第1～第7的任意1项发明中，所述第1主面至少包含所述第1区域、位于所述第1区域的外侧的所述第2区域、位于所述第2区域的外侧且与所述第2区域邻接的第3区域(区域103)，所述多个第2槽包含，最靠近于所述第2区域和所述第3区域之间的第2边界而设置且沿着所述第2边界延伸的第2外侧边界槽(槽14a)，在所述第3区域中，设置有与所述第2边界邻接设置且沿着所述第2边界延伸的第3边界槽(槽14a)，所述第2外侧边界槽和所述第3边界槽之间的槽端部间距离(L4)比所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离(L1)更大。
根据该静电吸盘，能够在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第9发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第8发明中，还具备以包围所述第1主面的周缘的方式设置且至少一部分与吸附的对象物可接触的外密封，在正交于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的第2方向上，所述第2边界和所述外密封之间的距离比所述第1边界和所述第2边界之间的距离更小。
根据该静电吸盘，能够在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第10发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第4或第5发明中，所述第1气体导入孔被设置成可将气体供给到所述第1边界槽，且至少设置有2个所述第1气体导入孔。
根据该静电吸盘，可将气体切实地供给到沿着第1边界(边界102a)而延伸的第1边界槽(槽14a)。
第11发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第10发明中，所述第2气体导入孔被设置成可将气体供给到所述第2边界槽，且至少设置有2个所述第2气体导入孔。
根据该静电吸盘，可将气体切实地供给到沿着第1边界(边界102a)延伸的第2边界槽(槽14a)。
第12发明为一种静电吸盘，具备：基座板；及陶瓷电解质基板，被设置在所述基座板之上，具有露出于外部的第1主面，其特征在于，所述第1主面至少包含第1区域(区域101)、与所述第1区域邻接的第2区域(区域102)，在所述第1主面的所述第1区域中，设置有多个第1槽(槽14a、14b)、与所述多个第1槽的至少1个连接的至少1个第1气体导入孔(气体导入孔15)，所述多个第1槽包含：第1边界槽(槽14a)，最靠近于所述第1区域和所述第2区域之间的第1边界(边界102a)而设置，且沿着所述第1边界延伸；及至少1个第1区域内槽(槽14b)，与所述第1边界槽不同，在所述第1主面的所述第2区域中，设置有多个第2槽(槽14a、14b)、与所述多个第2槽的至少1个连接的至少1个第2气体导入孔(气体导入孔15)，所述多个第2槽包含，最靠近于所述第1边界而设置且沿着所述第1边界延伸的第2边界槽(槽14a)，第1范围(范围C1)内的边界槽占有率比第2范围(范围D、D1)内的区域内槽占有率更大，所述第1范围具有规定的单位面积，且包含所述第1边界、所述第1边界槽、所述第2边界槽，所述第2范围包含所述第1区域内槽，且具有与所述第1范围相同的形状及相同的尺寸。
在该静电吸盘上，不具有像以往那样为了控制各区域中的气体压力而配置在各区域间的密封环。即，在设置有对象物W时，由对象物W、陶瓷电解质基板(第1区域和第2区域)形成1个密闭空间。因此，能够解决颗粒积存在密封环部分上这样的课题。另一方面，如果仅是不设置密封环，则难以实现各区域每个区域的气体压力的分割，会导致气体压力控制性降低。因此，在本发明中，不仅是消除了密封环，还对第1边界槽和第2边界槽之间的槽端部间距离进行了研究，以便使其比第1边界槽和邻接于第1边界槽的第1区域内槽之间的槽端部间距离更小。
此外，根据该静电吸盘，由于能够在区域与区域的边界附近，减小气体压力发生变化的区域，因此能够增大达成预期的气体压力的区域。因此，能够在解决颗粒发生堆积这样的课题的同时，有效地控制各区域中的气体压力。
第13发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第12发明中，所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离比所述第1区域内槽彼此之间的槽端部间距离更小。
根据该静电吸盘，能够更有效地控制各区域中的气体压力。
第14发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第12或第13发明中，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第1气体导入孔的至少一部分与所述第1边界槽重叠。
在该静电吸盘上，由于第1边界槽与第1气体导入孔直接连通，因此气体控制性优秀。因此，能够在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第15发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第12～第14的任意1项发明中，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第2气体导入孔的至少一部分与所述第2边界槽重叠。
根据该静电吸盘，能够在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第16发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第12～第15的任意1项发明中，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1边界所呈的角度小于90°。
根据该静电吸盘，可以使边界槽彼此更接近，进而能够减小气体压力发生变化的区域。因此，能够增大达成预期的气体压力的区域。
第17发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第12～第16的任意1项发明中，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1边界所呈的角度为90°。
根据该静电吸盘，更便于将各区域的压力保持在目标压力。
第18发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第12～第17的任意1项发明中，还具备设置在所述第1主面上的提升销孔，所述提升销孔和所述第1边界槽之间的距离比所述提升销孔和最靠近所述提升销孔的所述第1区域内槽之间的距离更大。
根据该静电吸盘，能够降低区域内的压力变化。
第19发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第12～第18的任意1项发明中，所述第1主面至少包含所述第1区域、位于所述第1区域的外侧的所述第2区域、位于所述第2区域的外侧且与所述第2区域邻接的第3区域(区域103)，所述多个第2槽包含被设置在最靠近所述第2区域和所述第3区域之间的第2边界，且沿着所述第2边界延伸的第2外侧边界槽(槽14a)，在所述第3区域中，设置有与所述第2边界邻接设置且沿着所述第2边界延伸的第3边界槽(槽14a)，第3范围(范围C2)内的边界槽占有率比所述第1范围(范围C1)内的区域内槽占有率更大，所述第3范围具有所述规定的单位面积，且包含所述第2边界、所述第2边界槽、所述第3边界槽。
根据该静电吸盘，可在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第20发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第19发明中，还具备以包围所述第1主面的周缘的方式设置且至少一部分与吸附的对象物可接触的外密封，在正交于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的第2方向上，所述第2边界和所述外密封之间的距离比所述第1边界和所述第2边界之间的距离更小。
根据该静电吸盘，可在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第21的发明为一种静电吸盘，具备：基座板；及陶瓷电解质基板，被设置在所述基座板之上，具有露出于外部的第1主面，所述第1主面至少包含第1区域(区域101)、与所述第1区域邻接的第2区域(区域102)，在所述第1主面的所述第1区域中，设置有多个第1槽(槽14a、14b)、与所述多个第1槽的至少1个连接的至少1个第1气体导入孔(气体导入孔15)，所述多个第1槽包含，最靠近于所述第1区域和所述第2区域之间的第1边界(边界102a)而设置，且沿着所述第1边界延伸的第1边界槽(槽14a)，在所述第1主面的所述第2区域中，设置有多个第2槽(槽14a、14b)、与所述多个第2槽的至少1个连接的至少1个第2气体导入孔(气体导入孔15)，所述多个第2槽包含，最靠近于所述第1边界而设置且沿着所述第1边界延伸的第2边界槽，所述第1边界槽和所述第2边界槽(槽14a)之间的槽端部间距离超过0mm且为60mm以下。
在该静电吸盘上，不具有像以往那样为了控制各区域中的气体压力而配置在各区域间的密封环。即，在设置有对象物W时，由对象物W、陶瓷电解质基板(第1区域和第2区域)形成1个密闭空间。因此，能够解决颗粒积存在密封环部分上这样的课题。另一方面，如果仅是不设置密封环，则难以实现各区域每个区域的气体压力的分割，会导致气体压力控制性降低。因此，在本发明中，不仅是消除了密封环，还以超过0mm且为60mm以下的方式对第1边界槽和第2边界槽之间的槽端部间距离进行了研究。
此外，根据该静电吸盘，由于能够在区域与区域的边界附近，减小气体压力发生变化的区域，因此能够增大达成预期的气体压力的区域。因此，能够在解决颗粒发生堆积这样的课题的同时，有效地控制各区域中的气体压力。
第22发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第21发明中，所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离超过0mm且为20mm以下。
根据该静电吸盘，能够更有效地控制各区域中的气体压力。
第23发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第21或第22发明中，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第1气体导入孔的至少一部分与所述第1边界槽重叠。
在该静电吸盘上，由于第1边界槽与第1气体导入孔直接连通，因此气体控制性优秀。因此，可在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第24发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第21～第23的任意1项发明中，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第2气体导入孔的至少一部分与所述第2边界槽重叠。
根据该静电吸盘，能够在区域与区域的边界附近，使气体压力发生变化的区域更加减小。
第25发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第21～第24的任意1项发明中，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1边界所呈的角度小于90°。
根据该静电吸盘，可以使边界槽彼此更接近，进而能够减小气体压力发生变化的区域。因此，能够增大达成预期的气体压力的区域。
第26发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第21～第25的任意1项发明中，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1边界所呈的角度为90°。
根据该静电吸盘，更便于将各区域的压力保持在目标压力。
第27发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第21～第26的任意1项发明中，所述多个第1槽还具备与所述第1边界槽不同的至少1个第1区域内槽(槽14b)、设置在所述第1主面上的提升销孔，所述提升销孔和所述第1边界槽之间的距离比所述提升销孔和最靠近所述提升销孔的所述第1区域内槽之间的距离更大。
根据该静电吸盘，能够降低区域内的压力变化。
附图说明
图1是用于例示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式剖视图。
图2是用于例示陶瓷电解质基板、电极及第1多孔质部的模式剖视图。
图3(a)是用于例示比较例所涉及的槽的配置及气体导入孔的配置的模式剖视图。(b)是用于例示本实施方式所涉及的槽的配置及气体导入孔的配置的一个例子的模式剖视图。
图4是通过模拟而求出的区域的压力、区域与区域的边界的压力的曲线图。
图5是用于例示边界槽间隔的效果的曲线图。
图6(a)是用于通过“梯度偏离率”来例示边界槽间隔的效果的曲线图。(b)是用于说明“梯度偏离率”的曲线图。
图7是图6(a)的H部的放大图。
图8是用于例示第2槽(槽14a、14b)的数量的效果的曲线图。
图9(a)是用于例示气体导入孔的配置的模式剖视图。(b)是用于例示其他实施方式所涉及的气体导入孔的配置的模式剖视图。
图10(a)、(b)是通过模拟而求出的区域的压力、区域与区域的边界的压力曲线图。
图11是其他实施方式所涉及的陶瓷电解质基板的模式俯视图。
图12(a)是用于例示比较例所涉及的槽的配置的模式俯视图。(b)是用于例示槽的配置的模式俯视图。
图13是用于例示基板的中心上的压力变化的曲线图。
图14(a)～(c)是用于例示槽14c的形态的模式图。
图15是其他实施方式所涉及的陶瓷电解质基板的模式俯视图。
图16是用于例示本实施方式所涉及的处理装置的模式图。
符号说明
1-静电吸盘；11-陶瓷电解质基板；11a-第1主面；11b-第2主面；12-电极；13-圆点；14a～14c-槽；15-气体导入孔；16-提升销孔；17-外密封；50-基座板；51-输入路；52-输出路；53-供气路；70-第2多孔质部；90-第1多孔质部；101～104-区域；101a～103a-边界；200-处理装置；231-气体供给部；232-气体控制部；W-对象物。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施的方式进行说明。此外，在各附图中，对相同的构成要素标注有相同的符号，并适当省略了详细的说明。
此外，在各图中，将从基座板50朝向陶瓷电解质基板11的方向作为Z方向，将与Z方向大致正交的方向的1个方向作为Y方向，将与Z方向及Y方向大致正交的方向作为X方向。
(静电吸盘)
图1是用于例示本实施方式所涉及的静电吸盘1的模式剖视图。
图2是例示陶瓷电解质基板11、电极12及第1多孔质部90的模式剖视图。
如图1所示，在静电吸盘1上，可设置陶瓷电解质基板11、电极12、第1多孔质部90、基座板50及第2多孔质部70。
如图1及图2所示，陶瓷电解质基板11例如可为使用烧结陶瓷的平板状的部件。例如，陶瓷电解质基板11可包含氧化铝(Al2O3)。例如，陶瓷电解质基板11可使用高纯度的氧化铝来形成。陶瓷电解质基板11中的氧化铝的浓度例如可为99原子百分比(atоmic％)以上100atоmic％以下。如果使用高纯度的氧化铝，则可提高陶瓷电解质基板11的耐等离子性。陶瓷电解质基板11的气孔率例如可为1％以下。陶瓷电解质基板11的密度例如可为4.2g/cm3。
陶瓷电解质基板11具有载放吸附的对象物W的第1主面11a、与第1主面11a相反侧的第2主面11b。第1主面11a为露出于静电吸盘1的外部的面。对象物W例如可为硅晶片等半导体基板、玻璃基板等。
在陶瓷电解质基板11的第1主面11a上设置有多个圆点13。对象物W被载放在多个圆点13之上，并被多个圆点13支撑。如果设置有多个圆点13，则在载放于静电吸盘1的对象物W的背面和第1主面11a之间形成有空间。通过适当选择圆点13的高度、数量、圆点13的面积比例、形状等，例如可使附着在对象物W上的颗粒成为优选的状态。例如，多个圆点13的高度(Z方向上的尺寸)可为1μm以上100μm以下，优选为1μm以上30μm以下，更优选为5μm以上15μm以下。
在陶瓷电解质基板11的第1主面11a上设置有多个槽14a、14b。多个槽14a、14b开口于陶瓷电解质基板11的第1主面11a侧。槽14a的宽度(X方向或Y方向上的尺寸)例如可为0.1mm以上2.0mm以下，优选为0.1mm以上1.0mm以下，更优选为0.2mm以上0.5mm以下。槽14a的深度(Z方向上的尺寸)例如可为10μm以上300μm以下，优选为10μm以上200μm以下，更优选为50μm以上150μm以下。槽14b的宽度(X方向或Y方向上的尺寸)例如可为0.1mm以上1.0mm以下。槽14b的深度(Z方向上的尺寸)例如可为0.1mm以上2.0mm以下，优选为0.1mm以上1.0mm以下，更优选为0.2mm以上0.5mm以下。
在陶瓷电解质基板11上设置有多个气体导入孔15。多个气体导入孔15的各自的一方的端部可与槽14a连接。多个气体导入孔15的各自的另一方的端部可介由第1多孔质部90与后述的供气路53连接。气体导入孔15被设置为从第2主面11b至第1主面11a。即，气体导入孔15在第2主面11b侧和第1主面11a侧之间在Z方向上延伸，并贯穿陶瓷电解质基板11。气体导入孔15的直径例如可为0.05mm以上0.5mm以下。
此外，对与多个槽14a、14b及多个气体导入孔15相关的详细内容进行后述。
电极12被设置在陶瓷电解质基板11的内部。电极12被设置在陶瓷电解质基板11的第1主面11a和第2主面11b之间。
电极12的形状例如可为沿着陶瓷电解质基板11的第1主面11a及第2主面11b的薄膜状。电极12为用于吸附保持对象物W的吸附电极。电极12既可以为单极型，也可以为双极型。图1所例示的电极12为双极型，在同一面上设置有2极的电极12。
在电极12上设置有连接部20。电极12及连接部20可由金属等导电性材料形成。连接部20的与电极12侧相反侧的端部可露出于陶瓷电解质基板11的第2主面11b侧。连接部20例如可为与电极12导通的过孔(via)(实心型)、导通孔(Via Hole)(中空型)。连接部20也可以为通过钎焊等适当的方法而连接的金属端子。
电源210介由连接部20与电极12电连接。如果将规定的电压外加在电极12上，则可在电极12的第1主面11a侧的区域中产生电荷。因此，对象物W被静电力吸附保持在陶瓷电解质基板11的第1主面11a侧。
第1多孔质部90被设置在陶瓷电解质基板11的内部。第1多孔质部90例如可在Z方向上设置在基座板50和陶瓷电解质基板11的第1主面11a之间，且设置在与供气路53相对的位置上。例如，第1多孔质部90可设置在陶瓷电解质基板11的气体导入孔15中。例如，将第1多孔质部90***到气体导入孔15的一部分中。
在图1及图2所例示的第1多孔质部90的情况下，第1多孔质部90被设置在气体导入孔15的第2主面11b侧的部分上。第1多孔质部90的一方的端部露出于陶瓷电解质基板11的第2主面11b。第1多孔质部90的另一方的端部位于第1主面11a和第2主面11b之间。此外，第1多孔质部90的另一方的端部也可以露出于槽14a的底面。此外，第1多孔质部90的两方的端部也可以位于第1主面11a和第2主面11b之间。
第1多孔质部90的原材料例如可为具有绝缘性的陶瓷。第1多孔质部90例如包含氧化铝(Al2 O3)、氧化钛(TiO2)及氧化钇(Y2 O3)的至少任一。如此，可形成具有高绝缘耐压和高刚性的第1多孔质部90。
此时，可使陶瓷电解质基板11的氧化铝的纯度比第1多孔质部90的氧化铝的纯度更高。如此，可确保静电吸盘1的耐等离子性等性能，且确保第1多孔质部90的机械强度。作为一个例子，通过使第1多孔质部90含有微量的添加物，可促进第1多孔质部90的烧结，确保气孔的控制、机械强度。
例如，氧化铝等的陶瓷的纯度可通过荧光X线分析、ICP-AES法(InductivelyCoupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry：电感耦合等离子体原子发光光谱分析法)等来进行测定。
如图1所示，基座板50例如支撑陶瓷电解质基板11。陶瓷电解质基板11例如可粘接在基座板50之上。粘接剂例如可为硅酮粘接剂等。
基座板50例如为金属制。基座板50例如被分为铝制的上部50a和下部50b，在上部50a和下部50b之间设置有连接路55。连接路55的一端侧与输入路51连接，连接路55的另一端侧与输出路52连接。
基座板50还起到进行电解质基板11的温度调整的作用。例如，在对电解质基板11进行冷却时，从输入路51流入冷却介质，使其在连接路55中通过，从输出路52流出。由此，可利用冷却介质来吸收基座板50的热，冷却安装于其上的陶瓷电解质基板11。此外，也可以在对电解质基板11进行保温时，使保温介质流入连接路55内。如果能够控制电解质基板11的温度，则便于控制吸附保持于电解质基板11的对象物W的温度。
在多个槽14a、14b中供给有气体。通过使供给的气体与对象物W接触，可控制对象物W的温度。此时，如果能够控制基座板50的温度，则能够减小供给到槽14a、14b的气体的温度控制的幅度。例如，可通过基座板50来粗略地控制对象物W的温度，进而通过供给到槽14a、14b的气体来精密地控制对象物W的温度。
可在基座板50上设置多个供气路53。供气路53可以以贯穿基座板50的方式设置。供气路53也可以从其他供气路53的中途分支并设置至陶瓷电解质基板11侧，而不用贯穿基座板50。
供气路53与气体导入孔15连接。即，流入供气路53的气体在通过供气路53后流入气体导入孔15。
流入气体导入孔15的气体在通过气体导入孔15后流入连接气体导入孔15的槽14a。由此，可利用气体直接冷却对象物W。
可在Z方向上在第1多孔质部90和供气路53之间设置第2多孔质部70。例如，第2多孔质部70被嵌入于基座板50的陶瓷电解质基板11侧的端面。如图1所示，例如在基座板50的陶瓷电解质基板11侧的端面上设置有锪孔部53a，可将第2多孔质部70与锪孔部53a嵌合。锪孔部53a与供气路53连接。第2多孔质部70可以以与第1多孔质部90相对的方式设置。
接下来，对多个槽14a、14b及多个气体导入孔15进一步进行说明。
如前所述，可利用供给到多个槽14a、14b的气体来控制对象物W的温度。在对象物W的处理中，存在有在对象物W的面内产生有温度分布的情况。例如，存在有在对象物W的面内产生有低温区域、高温区域的情况。此时，由于如果使与高温区域接触的气体压力比与低温区域接触的气体压力更高，则从高温区域的放热量可增大，因此可在控制对象物W的温度的同时，抑制在对象物W的面内产生温度分布。
例如，通过将陶瓷电解质基板11的第1主面11a侧分割成多个区域，并改变供给到多个区域的气体压力，即可控制对象物W的面内温度。此时，为了控制各区域中的气体压力，存在有在各区域之间设置密封环的情况，以便将各区域隔开。在该例子中，使密封环的顶部与对象物W的第1主面11a侧的面接触。如此，由于能够大致消除区域间的气体的流动，因此能够有效地控制各区域中的气体压力。
可是，当设置有密封环时，则在晶片加工工艺中产生的颗粒变得容易积存在密封环的部分上，可能会导致在该部分上产生不良等不便。
因此，在本发明中，未设置用于将区域分开的密封环，而是对槽14a、14b的配置进行了研究。即，在设置对象物W时，由对象物W和陶瓷电解质基板11(例如区域101和区域102)形成密闭空间。根据本发明，尽管没有密封环，也可以有效地进行区域内的压力控制。
此外，在本发明中，不实质性设置密封环，而只要可有效地控制各区域中的气体压力即可，且不妨碍部分性或局部性设置密封环。即，只要不实质上设置密封环，而可得到有效地控制各区域中的气体压力的效果，则也可以部分性或局部性设置密封环。
图3(a)是用于例示比较例所涉及的槽14的配置及气体导入孔15的配置的模式剖视图。
在图3(a)上，在X方向上，以等间隔设置槽14。即，使X方向上的槽端部间距离L23相同。
此外，在本说明书中，槽端部间距离是指，在存在有邻接的2个槽时，其中一方槽的另一方槽侧的内壁与另一方槽的其中一方槽侧的内壁之间的最短距离。此时，在2个槽的槽端部间距离发生变化的情况下，可将最短距离作为槽端部间距离。
此外，在X方向上，区域100a与区域100b1、区域100a与区域100b2分别邻接。在图3(a)所例示的构成中，在夹着区域100a与区域100b1的边界而设置的2个槽14上连接有气体导入孔15。
此外，将供给到设置在区域100a中的槽14的气体压力作为P1，将供给到设置在区域100b1中的槽14的气体压力作为P2，将供给到设置在区域100b2中的槽14的气体压力作为P3。
图3(b)是用于例示本实施方式所涉及的槽14a、14b的配置及气体导入孔15的配置的一个例子的模式剖视图。槽14a为夹着不同区域的边界而设置的边界槽，槽14b为设置在区域内的且槽14a以外的区域内槽。
在图3(b)中，将在X方向上夹着区域100a与区域100b1、100b2的边界而设置的2个槽14a(边界槽)的槽端部间距离(边界槽间隔)作为L21，将槽14a(边界槽)与邻接于该边界槽14a的设置在区域100a内的槽14a以外的槽14b(区域内槽)的槽端部间距离(区域内槽间隔)作为L22。此时，L21<L22。此外，将槽14a(边界槽)与邻接于该边界槽14a的设置在区域100b1、100b2内的槽14a以外的槽14b的槽端部间距离分别作为L24。
此外，将介由气体导入孔15而供给到设置在区域100a中的槽14a的气体压力作为P1，将供给到设置在区域100b1中的槽14a的气体压力作为P2。
图4是通过模拟而求出的区域100a的压力、区域100b1、100b2的压力、区域100a与区域100b1、100b2的边界的压力曲线图。在模拟中，在陶瓷电解质基板11的第1主面11a的上方模拟有被圆点13支撑的对象物W。
图4中的A为，图3(a)所例示的槽14的配置、气体导入孔15的配置及边界槽间隔与区域内槽间隔相等时的例子。
图4中的B为，图3(b)所例示的槽14a、槽14b的配置、气体导入孔15的配置及边界槽间隔比区域内槽间隔更小时的例子。在任一的例子中，在区域间都未设置有密封环。
此外，在模拟中，以P1＝3×P2，并使槽端部间距离L21为5mm，使槽端部间距离L22为20mm，使槽端部间距离L23为15mm。使X方向上的区域100a的尺寸为50mm。
由图4可知，在边界槽间隔与区域内槽间隔相等的情况(A的情况)下，在区域100a与区域100b1、100b2的边界的附近，气体压力发生变化的区域变大。与此相反，在边界槽间隔比区域内槽间隔更小的情况(B的情况)下，能够在区域100a与区域100b1、100b2的边界的附近，使气体压力发生变化的区域比A的情况更小。即，在区域100a、区域100b1、100b2的任一中，都能够增大达成预期的气体压力的区域，因而能够提高区域内的气体压力的均匀性。
如前所述，通过对槽14a、槽14b的配置进行研究，即使在区域间不设置密封环的情况下，也能够利用气体压力来控制对象物W的温度。因此，如果能够提高区域内的气体压力的均匀性，则能够更有效地控制与该区域相对应的部分中的对象物W的温度。此外，能够抑制在对象物W的温度上产生面内分布。
此外，根据本发明者所得到的见解，如果在夹着边界而设置的边界槽即2个槽14a的至少任一上连接气体导入孔15，则可得到前述的效果，因此优选。
此时，由于在第1主面11a和对象物W之间，存在有仅圆点13的高度的间隙，因此供给到连接有气体导入孔15的槽14a的气体介由该间隙而被供给到槽14b、其他槽14a。即，在各区域中，气体被供给到在对象物W的背面和第1主面11a之间形成的空间，所述第1主面11a包含槽14a、14b。
此外，像图3(b)所例示的那样，由于在夹着边界而设置的2个槽14a上分别连接有气体导入孔15的情况下，能够使区域边界上的气体压力的变化更为显著，此外，能够更有效地控制对象物W的温度，因此进一步优选。此外，能够更有效地抑制在对象物W的温度上产生面内分布。
图5是用于例示边界槽间隔的效果的曲线图。
横轴的边界槽间隔为夹着邻接的区域的边界而设置的2个槽(边界槽)的槽端部间距离。边界槽间隔的效果为边界槽间隔自身的效果，例如既可以适用图3(a)所例示的距离L23，也可以适用图3(b)所例示的距离L21。
纵轴的偏离率表示各自的区域中的平均压力多大程度从设定的压力(预期的压力)离解。如果偏离率增大，则表示各自的区域中的平均压力与预期的压力的差变大。
图5为，例如使图3(a)、(b)中的区域100a的压力P1为20Torr(2666.4Pa)，使区域100b2的压力P3为60Torr(7999.2Pa)，并通过模拟而求出的偏离率。
由图5可知，如果边界槽的槽端部间距离即边界槽间隔超过0mm且为60mm以下，优选超过0mm且为20mm以下，则偏离率大致线性增加。如果边界槽间隔超过60mm，则偏离率呈指数函数性增加。这意味着，如果边界槽间隔为60mm以下，优选为20mm以下，则可抑制偏离率的增加，进而各自的区域中的平均压力接近预期的压力。
如前所述，由于边界槽间隔的效果是边界槽间隔自身的效果，因此如果将前述的槽14a、14b的配置的研究、前述的气体导入孔15的配置(在边界槽上连接气体导入孔15)、后述的槽14c适当组合，则可在进一步有效地控制各区域中的气体压力的同时，有效地抑制密封环部分上的颗粒的堆积。
图6(a)是用于通过“梯度偏离率”来例示边界槽间隔的效果的曲线图。
图6(b)是用于说明“梯度偏离率”的曲线图。
图7是图6(a)中的H部的放大图。
如果理想地分割第1区域的压力和第2区域的压力，则如图6(b)所示，认为第1区域和第2区域之间的第1边界上的压力分布是直线性分布(线性变化)。因此，如果由压力分布算术计算出梯度，所述压力分布为通过解析而求出的区域间的压力分布，并求出其与理想的梯度的偏离率(梯度偏离率)，则能够对边界槽间隔的效果进行评价。
由图6(a)可知，如果边界槽的槽端部间距离即边界槽间隔超过0mm且为60mm以下，则梯度偏离率大致呈线性增加。如果边界槽间隔超过60mm，则梯度偏离率呈指数函数性增加。这意味着，如果边界槽间隔为60mm以下，则能够抑制梯度偏离率的增加，进而各自的区域中的平均压力接近预期的压力。
此外，进一步由图7可知，如果边界槽的槽端部间距离即边界槽间隔超过0mm且为20mm以下，则能够使梯度偏离率进一步接近线性。这意味着，如果边界槽间隔为20mm以下，则能够进一步抑制梯度偏离率的增加，进而各自的区域中的平均压力更接近预期的压力。
图8是用于例示第2槽(径向槽14a、14b)的数量的效果的曲线图。
由图8可知，如果在第2区域中至少设置2个第2槽，则能够使偏离率非常小。即，能够使第1区域(区域101)和第2区域(区域102)之间的第1边界(边界102a)的压力接近第1区域的压力和第2区域的压力的平均值。因此，更便于将各区域的压力保持在目标压力。
根据本发明者所得到的见解，如果边界槽占有率比区域内槽占有率更大，则可得到图4所例示的效果。即，如果边界槽占有率比区域内槽占有率更大，则可在边界的附近，减小气体压力发生变化的区域。因此，由于能够增大达成预期的气体压力的区域，因此能够有效地控制对象物W的温度。此外，能够抑制在对象物W的温度上产生面内分布。
图9(a)是用于例示气体导入孔15的配置的模式剖视图。
在图9(a)中，在X方向上，区域100a与区域100b1、区域100a与区域100b2分别邻接。此外，在X方向上，夹着区域100a与区域100b1、100b2的边界，设置有2个槽14a(边界槽)。此外，在区域100a的内部及区域100b1、100b2的内部，设置有槽14b(区域内槽)。在区域100a中，在区域100b1侧的槽14a上连接有气体导入孔15，在区域100b2侧的槽14a上未连接有气体导入孔15。在区域100b1中，在区域100a侧的槽14a上连接有气体导入孔15。在区域100b2中，在区域100a侧的槽14a上连接有气体导入孔15。即，在区域100a中，仅在一方的槽14a上连接有气体导入孔15。
此外，将供给到设置在区域100a中的槽14a的气体压力作为P1，将供给到设置在区域100b1、100b2中的槽14a的气体压力作为P2。
图9(b)是用于例示其他实施方式所涉及的气体导入孔15的配置的模式剖视图。
在图9(b)中，在区域100a中，在区域100b1侧的槽14a及区域100b2侧的槽14a上连接有气体导入孔15。
此外，将供给到设置在区域100a中的槽14a的气体压力作为P1，将供给到设置在区域100b1、100b2中的槽14a的气体压力作为P2。
图10(a)、(b)是通过模拟而求出的区域100a的压力、区域100b1、100b2的压力、区域100a与区域100b1、100b2的边界的压力的曲线图。在模拟中，在陶瓷电解质基板11的第1主面11a的上方模拟有被圆点13支撑的对象物W。
图10(a)为图9(a)的情况。
图10(b)为图9(b)的情况。
此外，使P1＝3×P2，使X方向上的区域100a的尺寸为50mm。
如图9(a)所示，由于在区域100a的区域100b2侧，在槽14a上未连接有气体导入孔15，因此由图9(a)可知，在边界的附近，气体压力发生变化的区域变大。因此，达成预期的气体压力的区域变小。
与此相反，由于在区域100a的区域100b1侧，在槽14a上连接有气体导入孔15，因此由图10(a)可知，在边界的附近，气体压力发生变化的区域变小。因此，可增大达成预期的气体压力的区域。
此外，由图10(b)可知，如果在夹着边界而设置的2个槽14a上分别连接有气体导入孔15，则能够进一步增大达成预期的气体压力的区域，因而更优选。
如前所述，可通过气体压力来控制对象物W的温度。因此，如果使达成预期的气体压力的区域增大，则能够有效地控制对象物W的温度。此外，能够抑制在对象物W的温度上产生面内分布。
像以上说明的那样，优选在槽14a(边界槽)上连接有气体导入孔15。此外，更优选在夹着边界而设置的2个槽14a上分别连接有气体导入孔15。此外，在图9(b)所示的例子中，在区域100a中设置有2个气体导入孔15。例如，该2个气体导入孔15均可与一个供气路53(参照图1)连通。
此外，在夹着边界而设置的2个槽14a上分别连接有气体导入孔15的情况下，连接中心的线与该边界所呈的角度可小于90°，所述中心为与一方的槽14a连接的气体导入孔15的中心和与另一方的槽14a连接的气体导入孔15的中心。此时，角度例如可为1.0°以上89°以下，优选为2.0°以上70°以下，更优选为3.0°以上60°以下。
如此，可使边界槽彼此更接近，进而能够减小气体压力发生变化的区域。因此，能够增大达成预期的气体压力的区域。
连接中心的线与该边界所呈的角度也可以为90°，所述中心为与一方的槽14a连接的气体导入孔15的中心和与另一方的槽14a连接的气体导入孔15的中心。
此时，角度例如容许制造误差程度的差异，而不仅为严格意义上的90°。
如此，如果将2个气体导入孔15配置在相对位置上，则从2个气体导入孔15供给的不同压力的气体相对抗。因此，更便于将各区域的压力保持在目标压力。
图11是其他实施方式所涉及的陶瓷电解质基板11的模式俯视图。图11为图2所记述的陶瓷电解质基板11的模式俯视图。
如图11所示，还可在陶瓷电解质基板11的第1主面11a上设置多个槽14c。槽14c的宽度(大致垂直于槽的延伸存在方向的方向的尺寸)例如可为0.1mm以上1mm以下。槽14c的深度(Z方向上的尺寸)例如可为50μm以上150μm以下。
在该例子中，在区域101、102、104的各自中至少设置有1个槽14c。槽14c对设置在1个区域中的多个槽14a、14b进行连接。因此，供给到连接有气体导入孔15的槽14a的气体沿着槽14a流动，并介由槽14c被供给到槽14b、其他槽14a。由于如果设置槽14c，则能够使气体的流动顺利，因此即使在没有密封环的情况下，也能够抑制在区域中产生压力分布。此外，即使圆点13的顶部磨损而导致对象物W与第1主面11a的间隙变窄，也能够介由槽14c将气体供给到槽14b、其他槽14a。
槽14c被配置为使槽14a、槽14b连通。槽14c例如可在与槽14a、14b交叉的方向上延伸。
例如，如图11所示，可将多个槽14c设置在通过陶瓷电解质基板11的中心的线上。此外，多个槽14c不一定必须设置在通过陶瓷电解质基板11的中心的线上。此外，虽然例示了直线状的槽14c，但在可与槽14a、槽14b连通的范围内，槽14c可为曲线状的槽14c，或是具有直线状的部分和曲线状的部分的槽14c。根据对象物W的尺寸、对象物W上的温度分布的规格要求等，可适当变更多个槽14c的数量、配置、形状等。多个槽14c的数量、配置、形状等例如可通过进行实验、模拟来适当确定。
在未设置有密封环的本发明的形态下，为了提高区域内的气体压力的响应性而进行了研究。作为其一个例子，可通过设置与槽14a、槽14b连通的槽14c，来有效地控制区域内的气体压力。
此外，由于在第1主面11a和对象物W之间，存在有仅圆点13的高度的间隙，因此供给到连接有气体导入孔15的槽14a的气体介由该间隙被供给到槽14b、其他槽14a。可是，当圆点13的顶部磨损而导致对象物W和第1主面11a之间的间隙变窄时，则可能会导致阻碍各区域内的气体的流动，进而产生压力分布。如果设置有槽14c，则即使是圆点13的顶部磨损而导致对象物W和第1主面11a之间的间隙变窄，也能够介由槽14c将气体供给到槽14b、其他槽14a。因此，能够大幅缩短至区域内的压力达成规定压力为止的时间，或是抑制在区域内产生压力分布。
此外，如图11所示，可在区域101(第1区域)中设置至少2个可将气体供给到槽14a(第1边界槽)的气体导入孔15(第1气体导入孔)，所述槽14a(第1边界槽)为最接近于区域101和区域102(第2区域)之间的边界102a(第1边界)而设置且沿着边界102a而延伸的槽14a。
近来，半导体集成电路的高密度化在进一步发展，为了达成进一步的精细加工，等离子密度也在高密度化。当为了抑制该高密度等离子下的燃弧，而减小气体导入孔15的孔径时，则可能会导致因制造误差等而在每个气体导入孔15上产生个体差异。根据本实施方式，可抑制各气体导入孔15的孔径的误差的影响，且可将规定流量的气体更切实地供给到沿着边界102a而延伸的槽14a。
此外，如图11所示，可在区域102中设置至少2个可将气体供给到槽14a(第2边界槽)的气体导入孔15(第2气体导入孔)，所述槽14a(第2边界槽)为最接近于边界102a而设置且沿着边界102a而延伸的槽14a。另外，在图11所示的例子中，设置有3个气体导入孔15。
如此，与前述相同，可抑制各气体导入孔15的孔径的误差的影响，且可将气体更切实地供给到沿着边界102a而延伸的槽14a。
接下来，对槽14c的效果进一步进行说明。
图12(a)是用于例示比较例所涉及的槽14的配置的模式俯视图。
在图12(a)中，在基板110的表面上设置有多个槽14。多个槽14呈环状，以基板110的中心110a为中心并以等间隔被设置成同心状。此外，在图12(a)中，未设置有槽14c。
图12(b)是用于例示槽14和槽14c的配置的模式俯视图。
在图12(b)中，设置有多个槽14、使该多个槽14彼此的至少一部分连通的多个槽14c。在该例子中，槽14c被设置在通过基板110的中心110a的线上。多个槽14介由槽14c而彼此连接。
图13是用于例示基板110的中心110a上的压力变化的曲线图。图13是通过模拟而求出的基板110的中心110a上的压力变化的曲线图。在模拟中，在基板110的上方模拟有被圆点13支撑的对象物W。
图13中的E为图12(a)所例示的设置有多个槽14的情况。
图13中的F为图12(b)所例示的设置有多个槽14和多个槽14c的情况。
由图13可知，在图12(a)所例示的情况(E的情况)下，只能上升至规定压力(20Torr)的95％的压力。这意味着，可能在区域内产生有压力分布。
在图12(b)所例示的情况(F的情况)下，可上升至规定压力(20Torr)。这意味着，能够抑制在区域内产生压力分布。
此外，在F的情况下，上升至规定压力所需的时间T1比在E的情况下上升至规定压力的95％的压力所需的时间T2更短。这意味着，能够大幅缩短至区域内的压力达成规定压力为止的时间，换言之，能够提高气体控制进而温度控制的响应性。
如前所述，优选在夹着边界101a～103a而设置的2个槽14a的至少任一上连接有气体导入孔15。
例如，如图11所例示，可在第1主面11a的内侧的区域101、102、104中，在各自的区域中，将气体导入孔15与设置在最外侧的槽14a连接。在第1主面11a的最外侧的区域103中，可将气体导入孔15与设置在最内侧的槽14a连接。
可根据对象物W的尺寸、对象物W的温度分布的规格要求等，适当变更设置在各自的区域中的气体导入孔15的数量、配置等。例如，如图11所例示，可在1个区域中以等间隔设置3个气体导入孔15。此时，可将设置在区域103中的多个气体导入孔15之中的至少1个、设置在区域102中的气体导入孔15设置在通过第1主面11a的中心的线上。
上述是在边界的附近使气体压力发生变化的区域减小的情况，但当考虑到向设置在区域中的槽14a、14c供给气体时，则优选将气体导入孔15设置在槽14a与槽14c交叉的位置上或其附近。例如，在投影到垂直于Z方向的平面时，在连接槽14a和槽14c的部分上，可使气体导入孔15的至少一部分与槽14a及槽14c的至少任一重叠。如此，可便于使供给到槽14a的气体向槽14c侧流出。因此，便于得到前述的槽14c的效果。
图14(a)～(c)是用于例示槽14c的形态的模式图。
图14(b)是图14(a)中的E部的放大图。
图14(c)是图14(a)中的F部的放大图。
如图14(b)所示，例如可将槽14c设置为，与从陶瓷电解质基板11的中心朝向外周画的线重叠。此时，在连接槽14a和槽14c的部分上，槽14a的切线与槽14c所呈的角度可为90°。
此外，如图14(c)所示，槽14c例如也可以为，与从陶瓷电解质基板11的中心朝向外周画的线不重叠。此时，在连接槽14a和槽14c的部分上，槽14a的切线与槽14c所呈的角度不为90°。
图15是其他实施方式所涉及的陶瓷电解质基板11的模式俯视图。
在图9及图11所例示的情况下，是将第1主面11a以同心圆状分割成多个区域101～104。与此相反，在图15所例示的情况下，则是将第1主面11a分割成彼此密合的多个区域105。多个区域105可并排设置。虽然对多个区域105的外形形状没有特别限制，但优选形成彼此能够密合的形状。多个区域105例如可为三角形、四角形等多角形。图15所例示的区域105的外形形状为正六角形。可根据对象物W的尺寸、对象物W上的温度分布的规格要求等，适当变更多个区域105的外形形状、数量、配置等。多个区域105的外形形状、数量、配置等例如可通过进行实验、模拟来适当确定。
沿着区域105的边界105a而设置有槽14a。槽14a夹着边界105a而被设置在两侧。在区域105内设置有至少1个槽14b。槽14b可设置成与槽14a同心。可根据对象物W的尺寸、对象物W上的温度分布的规格要求等，适当变更设置在1个区域中的槽14b的数量、位置等。设置在1个区域中的槽14b的数量、位置等例如可通过进行实验、模拟来适当确定。
其他构成与前述的情况相同，可设置槽14c、气体导入孔15、圆点13、提升销孔16、外密封17等。
(处理装置)
图16是用于例示本实施方式所涉及的处理装置200的模式图。
如图16所示，在处理装置200上，可设置静电吸盘1、电源210、介质供给部220及供给部230。
电源210与设置在静电吸盘1上的电极12电连接。电源210例如可为直流电源。电源210将规定的电压外加在电极12上。此外，在电源210上，可设置对电压的外加、停止电压的外加进行切换的开关。
介质供给部220与输入路51及输出路52连接。介质供给部220例如可进行作为冷却介质或保温介质的液体的供给。
介质供给部220例如具有收纳部221、控制阀222及排出部223。
收纳部221例如可为收纳液体的储罐、工厂配管等。此外，在收纳部221上，可设置控制液体的温度的冷却装置、加热装置。在收纳部221上，可具备用于送出液体的泵等。
在输入路51和收纳部221之间连接有控制阀222。控制阀222可控制液体的流量及压力的至少任一。此外，控制阀222可对液体的供给和停止供给进行切换。
在输出路52上连接有排出部223。排出部223可为回收从输出路52排出的液体的储罐、排液配管等。此外，也可以将从输出路52排出的液体供给到收纳部221，而不一定需要排出部223。如此，由于能够使冷却介质或保温介质循环，因此能够实现省资源化。
供给部230具有气体供给部231及气体控制部232。
气体供给部231可为收纳氦等气体的高压储气瓶、工厂配管等。此外，虽然例示了设置有1个气体供给部231的情况，但也可以设置多个气体供给部231。
气体控制部232被连接在多个供气路53和气体供给部231之间。气体控制部232可控制气体的流量及压力的至少任一。此外，气体控制部232也可以还具有对气体的供给和停止供给进行切换的功能。气体控制部232例如可为质量流量控制器、质量流量计等。
如图16所示，可设置多个气体控制部232。例如，可对多个区域101～104的每个区域设置气体控制部232。如此，可对多个区域101～104的每个区域，对供给的气体进行控制。此时，可在多个供气路53的每个供气路上设置气体控制部232。如此，能够更精密地进行多个区域101～104中的气体的控制。此外，虽然例示了设置有多个气体控制部232的情况，但如果气体控制部232可独立地控制多个供给***中的气体的供给，则也可以为1台。
在此，在保持对象物W的单元上，具有真空吸盘、机械式吸盘等。可是，在低于大气压的环境中，真空吸盘无法使用。此外，当使用机械式吸盘时，则可能会导致损伤对象物W，或是产生颗粒。因此，例如在用于半导体制造工艺等的处理装置上使用了静电吸盘。
在这样的处理装置上，需要将处理空间与外部环境隔离。因此，处理装置200可还具备腔室240。腔室240例如可具有可维持低于大气压的气氛的气密性结构。
此外，处理装置200可具备多个提升销、使多个提升销升降的驱动装置。在从搬送装置接收对象物W，或是向搬送装置交接对象物W时，提升销通过驱动装置而上升并从第1主面11a突出。在将从搬送装置接收的对象物W载放到第1主面11a上时，提升销通过驱动装置而下降，并被收纳到陶瓷电解质基板11的内部。
此外，可根据处理的内容，在处理装置200上设置各种装置。例如，可设置对腔室240的内部进行排气的真空泵等。可设置使腔室240的内部产生等离子体的等离子体产生装置。可设置向腔室240的内部供给工艺气体的工艺气体供给部。可在腔室240的内部设置加热对象物W、工艺气体的加热器。此外，设置于处理装置200的装置不局限于所例示的装置。由于在设置于处理装置200的装置上，可适用已知的技术，因此省略了详细的说明。
如以上说明的那样，本实施方式所涉及的处理装置200具备前述的静电吸盘1、可独立地控制供给到设置在静电吸盘1上的第1气体导入孔(气体导入孔15)和第2气体导入孔(气体导入孔15)的气体的气体控制部(气体控制部232)。如果采用本实施方式所涉及的处理装置200，则可使各区域中的气体压力成为适当的压力。
以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不局限于上述记述。例如，虽然作为静电吸盘1而例示有利用库仑力的构成，但也可以为利用约翰逊拉别克力的构成。另外，关于前述的实施方式，只要具备本发明的特征，则本领域技术人员适当加以设计变更的技术也包含在本发明的范围内。另外，只要在技术上可行，前述的各实施方式所具备的各要素可进行组合，但只要包含本发明的特征，则这些组合后的技术也包含在本发明的范围内。

Claims (27)

1.一种静电吸盘，具备：
基座板；
及陶瓷电解质基板，被设置在所述基座板之上，具有露出于外部的第1主面，其特征在于，
所述第1主面至少包含第1区域、与所述第1区域邻接的第2区域，
在所述第1主面的所述第1区域中，设置有多个第1槽、与所述多个第1槽的至少1个连接的至少1个第1气体导入孔，
所述多个第1槽包含：
第1边界槽，最靠近于所述第1区域和所述第2区域之间的第1边界而设置，且沿着所述第1边界延伸；
及至少1个第1区域内槽，与所述第1边界槽不同，
在所述第1主面的所述第2区域中，设置有多个第2槽、与所述多个第2槽的至少1个连接的至少1个第2气体导入孔，
所述多个第2槽包含，最靠近于所述第1边界而设置且沿着所述第1边界延伸的第2边界槽，
所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离比所述第1边界槽和邻接于所述第1边界槽的所述第1区域内槽之间的槽端部间距离更小。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离比所述第1区域内槽彼此之间的槽端部间距离更小。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第1气体导入孔的至少一部分与所述第1边界槽重叠。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第2气体导入孔的至少一部分与所述第2边界槽重叠。
5.根据权利要求1～4的任一所述的静电吸盘，其特征在于，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与第1边界所呈的角度小于90°。
6.根据权利要求1～4的任一所述的静电吸盘，其特征在于，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与第1边界所呈的角度为90°。
7.根据权利要求1～6的任一所述的静电吸盘，其特征在于，
还具备设置在所述第1主面上的提升销孔，
所述提升销孔和所述第1边界槽之间的距离比所述提升销孔和最靠近所述提升销孔的所述第1区域内槽之间的距离更大。
8.根据权利要求1～7的任一所述的静电吸盘，其特征在于，
所述第1主面至少包含所述第1区域、位于所述第1区域的外侧的所述第2区域、位于所述第2区域的外侧且与所述第2区域邻接的第3区域，
所述多个第2槽包含，最靠近于所述第2区域和所述第3区域之间的第2边界而设置且沿着所述第2边界延伸的第2外侧边界槽，
在所述第3区域中，设置有与所述第2边界邻接设置且沿着所述第2边界延伸的第3边界槽，
所述第2外侧边界槽和所述第3边界槽之间的槽端部间距离比所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离更大。
9.根据权利要求8所述的静电吸盘，其特征在于，
还具备以包围所述第1主面的周缘的方式设置且至少一部分与吸附的对象物可接触的外密封，
在正交于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的第2方向上，
所述第2边界和所述外密封之间的距离比所述第1边界和所述第2边界之间的距离更小。
10.根据权利要求4或5所述的静电吸盘，其特征在于，所述第1气体导入孔被设置成可将气体供给到所述第1边界槽，且至少设置有2个所述第1气体导入孔。
11.根据权利要求10所述的静电吸盘，其特征在于，所述第2气体导入孔被设置成可将气体供给到所述第2边界槽，且至少设置有2个所述第2气体导入孔。
12.一种静电吸盘，具备：
基座板；
及陶瓷电解质基板，被设置在所述基座板之上，具有露出于外部的第1主面，其特征在于，
所述第1主面至少包含第1区域、与所述第1区域邻接的第2区域，
在所述第1主面的所述第1区域中，设置有多个第1槽、与所述多个第1槽的至少1个连接的至少1个第1气体导入孔，
所述多个第1槽包含：
第1边界槽，最靠近于所述第1区域和所述第2区域之间的第1边界而设置，且沿着所述第1边界延伸；
及至少1个第1区域内槽，与所述第1边界槽不同，
在所述第1主面的所述第2区域中，设置有多个第2槽、与所述多个第2槽的至少1个连接的至少1个第2气体导入孔，
所述多个第2槽包含，最靠近于所述第1边界而设置且沿着所述第1边界延伸的第2边界槽，
第1范围内的边界槽占有率比第2范围内的区域内槽占有率更大，所述第1范围具有规定的单位面积，且包含所述第1边界、所述第1边界槽、所述第2边界槽，所述第2范围包含所述第1区域内槽，且具有与所述第1范围相同的形状及相同的尺寸。
13.根据权利要求12所述的静电吸盘，其特征在于，所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离比所述第1区域内槽彼此之间的槽端部间距离更小。
14.根据权利要求12或13所述的静电吸盘，其特征在于，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第1气体导入孔的至少一部分与所述第1边界槽重叠。
15.根据权利要求12～14的任一所述的静电吸盘，其特征在于，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第2气体导入孔的至少一部分与所述第2边界槽重叠。
16.根据权利要求12～15的任一所述的静电吸盘，其特征在于，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1边界所呈的角度小于90°。
17.根据权利要求12～16的任一所述的静电吸盘，其特征在于，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1边界所呈的角度为90°。
18.根据权利要求12～17的任一所述的静电吸盘，其特征在于，
还具备设置在所述第1主面上的提升销孔，
所述提升销孔和所述第1边界槽之间的距离比所述提升销孔和最靠近所述提升销孔的所述第1区域内槽之间的距离更大。
19.根据权利要求12～18的任一所述的静电吸盘，其特征在于，
所述第1主面至少包含所述第1区域、位于所述第1区域的外侧的所述第2区域、位于所述第2区域的外侧且与所述第2区域邻接的第3区域，
所述多个第2槽包含被设置在最靠近所述第2区域和所述第3区域之间的第2边界，且沿着所述第2边界延伸的第2外侧边界槽，
在所述第3区域中，设置有与所述第2边界邻接设置且沿着所述第2边界延伸的第3边界槽，
第3范围内的边界槽占有率比所述第1范围内的区域内槽占有率更大，所述第3范围具有所述规定的单位面积，且包含所述第2边界、所述第2边界槽、所述第3边界槽。
20.根据权利要求19所述的静电吸盘，其特征在于，
还具备以包围所述第1主面的周缘的方式设置且至少一部分与吸附的对象物可接触的外密封，
在正交于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的第2方向上，
所述第2边界和所述外密封之间的距离比所述第1边界和所述第2边界之间的距离更小。
21.一种静电吸盘，具备：
基座板；
及陶瓷电解质基板，被设置在所述基座板之上，具有露出于外部的第1主面，
所述第1主面至少包含第1区域、与所述第1区域邻接的第2区域，
在所述第1主面的所述第1区域中，设置有多个第1槽、与所述多个第1槽的至少1个连接的至少1个第1气体导入孔，
所述多个第1槽包含，最靠近于所述第1区域和所述第2区域之间的第1边界而设置，且沿着所述第1边界延伸的第1边界槽，
在所述第1主面的所述第2区域中，设置有多个第2槽、与所述多个第2槽的至少1个连接的至少1个第2气体导入孔，
所述多个第2槽包含，最靠近于所述第1边界而设置且沿着所述第1边界延伸的第2边界槽，
所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离超过0mm且为60mm以下。
22.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征在于，所述第1边界槽和所述第2边界槽之间的槽端部间距离超过0mm且为20mm以下。
23.根据权利要求21或22所述的静电吸盘，其特征在于，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第1气体导入孔的至少一部分与所述第1边界槽重叠。
24.根据权利要求21～23的任一所述的静电吸盘，其特征在于，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，所述第2气体导入孔的至少一部分与所述第2边界槽重叠。
25.根据权利要求21～24的任一所述的静电吸盘，其特征在于，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1边界所呈的角度小于90°。
26.根据权利要求21～25的任一所述的静电吸盘，其特征在于，连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1边界所呈的角度为90°。
27.根据权利要求21～26的任一所述的静电吸盘，其特征在于，
所述多个第1槽还具备与所述第1边界槽不同的至少1个第1区域内槽、设置在所述第1主面上的提升销孔，
所述提升销孔和所述第1边界槽之间的距离比所述提升销孔和最靠近所述提升销孔的所述第1区域内槽之间的距离更大。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220351951A1 (en) * 2021-04-29 2022-11-03 Applied Materials, Inc. Substrate support apparatus, methods, and systems having elevated surfaces for heat transfer

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335630A (ja) * 1994-06-13 1995-12-22 Hitachi Ltd 真空処理装置
JP2002170868A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp 静電チャック
JP2005136104A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック
JP2005203426A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Hitachi High-Technologies Corp ウエハ載置用電極
CN1806324A (zh) * 2003-06-17 2006-07-19 创意科技股份有限公司 双极型静电卡盘
JP2006253204A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置の試料載置電極
JP2011119708A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Canon Anelva Corp 基板保持装置、及び、プラズマ処理装置
CN105074901A (zh) * 2013-03-29 2015-11-18 Toto株式会社 静电吸盘
JP2016143760A (ja) * 2015-02-02 2016-08-08 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
CN105934715A (zh) * 2014-01-20 2016-09-07 Asml荷兰有限公司 衬底保持件和用于光刻设备的支撑台

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4676074B2 (ja) * 2001-02-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及びプラズマ処理装置
TWI234417B (en) * 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
KR100511854B1 (ko) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
US7646581B2 (en) * 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP4974873B2 (ja) * 2007-12-26 2012-07-11 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板温調固定装置
JP5604888B2 (ja) * 2009-12-21 2014-10-15 住友大阪セメント株式会社 静電チャックの製造方法
JP5740203B2 (ja) * 2010-05-26 2015-06-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造
TW201518538A (zh) * 2013-11-11 2015-05-16 Applied Materials Inc 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
KR101507548B1 (ko) * 2014-01-17 2015-04-07 피에스케이 주식회사 지지 유닛 및 기판 처리 장치
JP5811513B2 (ja) * 2014-03-27 2015-11-11 Toto株式会社 静電チャック

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335630A (ja) * 1994-06-13 1995-12-22 Hitachi Ltd 真空処理装置
JP2002170868A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp 静電チャック
CN1806324A (zh) * 2003-06-17 2006-07-19 创意科技股份有限公司 双极型静电卡盘
JP2005136104A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック
JP2005203426A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Hitachi High-Technologies Corp ウエハ載置用電極
JP2006253204A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置の試料載置電極
JP2011119708A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Canon Anelva Corp 基板保持装置、及び、プラズマ処理装置
CN105074901A (zh) * 2013-03-29 2015-11-18 Toto株式会社 静电吸盘
CN105934715A (zh) * 2014-01-20 2016-09-07 Asml荷兰有限公司 衬底保持件和用于光刻设备的支撑台
JP2016143760A (ja) * 2015-02-02 2016-08-08 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置

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