CN111492009A - 用于包封半导体装置的环氧树脂组成物及使用其包封的半导体装置 - Google Patents
用于包封半导体装置的环氧树脂组成物及使用其包封的半导体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111492009A CN111492009A CN201880080648.0A CN201880080648A CN111492009A CN 111492009 A CN111492009 A CN 111492009A CN 201880080648 A CN201880080648 A CN 201880080648A CN 111492009 A CN111492009 A CN 111492009A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor device
- average particle
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/28—Nitrogen-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/38—Boron-containing compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/28—Nitrogen-containing compounds
- C08K2003/282—Binary compounds of nitrogen with aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/38—Boron-containing compounds
- C08K2003/382—Boron-containing compounds and nitrogen
- C08K2003/385—Binary compounds of nitrogen with boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/011—Nanostructured additives
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
一种用于包封半导体装置的环氧树脂组成物及一种使用其包封的半导体装置。所述环氧树脂组成物包含环氧树脂;固化剂;填料;及固化加速剂,其中所述填料包括金刚石纳米颗粒与氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的至少一者的混合物,且所述金刚石纳米颗粒可具有1纳米至100纳米的平均粒径(D50)。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于包封半导体装置的环氧树脂组成物及一种使用其包封的半导体装置。更具体而言,本发明涉及一种具有高热导率以确保良好的散热的用于包封半导体装置的环氧树脂组成物及一种使用其包封的半导体装置。
背景技术
随着对应于集成电路的集成密度提高的芯片尺寸的增大,现有的表面安装封装已逐渐替换为薄型扁平封装,例如双列直插式封装(dualin-linepackage,DIP)、小轮廓封装(small outline package,SOP)、小轮廓J形引线封装(small outline J-lead package,SOJ封装)、塑胶带引线芯片载体(plastic leaded chip carrier,PLCC),特别是方形扁平封装(quad-flat package,QFP)。当前,更多集成封装(例如球栅阵列(ballgrid array,BGA)、芯片级封装(chip size package,CSP)、覆晶(flip chip,FC)、大规模集成电路(Large ScaleIntegrated circuit,LSI)封装等)在此项技术中备受关注。当前集成电路(integratedcircuit,IC)不仅需要减小封装大小对芯片大小的比率,且亦需要高的输出,以提供更快的操作速度或更高的接面温度(junction temperature)。此类要求可进一步增大装置故障率。一般而言,尽管使用额外的散热材料、散热块(heat-slug)或散热器(heatspreader)来满足此类要求,然而需要额外的用于***改变的成本。具有高散热能力的热增强型模制化合物(thermally enhanced mold compound,TEMC)是满足此类要求的有用的替代物。
发明内容
技术问题
本发明的目的是提供一种具有高热导率以确保良好的散热的用于包封半导体装置的环氧树脂组成物。
本发明的另一目的是提供一种使用如上所述用于包封半导体装置的环氧树脂组成物包封的半导体装置。
技术方案
根据本发明的一个实施例,一种用于包封半导体装置的环氧树脂组成物包含:环氧树脂;固化剂;填料;及固化加速剂,其中填料包括金刚石纳米颗粒与氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的至少一者的混合物,且金刚石纳米颗粒可具有1纳米(nm)至100纳米的平均粒径(D50)。
在一个实施例中,在环氧树脂组成物中,可存在0.01重量%(wt%)至5重量%的量的金刚石纳米颗粒。
在一个实施例中,氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的至少一者可具有较金刚石纳米颗粒大的平均粒径(D50)。
在一个实施例中,氧化铝可具有1微米(μm)至10微米的平均粒径(D50),硝酸铝可具有1微米至10微米的平均粒径(D50),且硝酸硼可具有5微米至20微米的平均粒径(D50)。
在一个实施例中,在环氧树脂组成物中,可存在50重量%至95重量%的量的氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的至少一者。
在一个实施例中,环氧树脂组成物可包含0.5重量%至20重量%的环氧树脂、0.1重量%至13重量%的固化剂、70重量%至95重量%的填料以及0.01重量%至2重量%的固化加速剂。
根据本发明的另一实施例,提供一种由如上所述的环氧树脂组成物包封的半导体装置。
有利功效
本发明提供了具有高热导率以确保良好的散热效果的用于包封半导体装置的环氧树脂组成物。
本发明提供了一种使用上述用于包封半导体装置的环氧树脂组成物包封的半导体装置。
具体实施方式
以下将详细阐述本发明的实施例。本文中将省略可能不必要地使本发明的标的模糊不清的已知功能及构造的说明。
此外,通过考量本发明的功能而对本文中所使用的用语进行定义,且所述用语可根据使用者或操作者的习惯或意图而变化。因此,应根据本文中所述的整体公开内容而对所述用语进行定义。
用于包封半导体装置的环氧树脂组成物
本发明的一个实施例是有关于一种用于包封半导体装置的环氧树脂组成物。
为了将高热导率赋予用于包封半导体装置的环氧树脂组成物,需要相对大量的填料。然而,使用大量填料会增加环氧树脂组成物的粘性同时降低其可流动性,因而造成封装的可模制性问题。另外,由于包含于环氧模制产品中的树脂具有为0.2W/m·K的低热导率,因此包含所述树脂的混合物很难具有为6W/m·K或大于6W/m·K的高热导率。
通过开发能够显著增大热导率以确保高的散热并具有良好的可流动性以减少热膨胀及水分吸收的用于包封半导体装置的环氧树脂组成物的各种研究,本发明的发明人发现了可使用平均粒径(D50)为1纳米至100纳米的金刚石纳米颗粒与氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的至少一者的混合物作为填料来达成以上目的,并且完成了本发明。
根据本发明的环氧树脂组成物包含环氧树脂、固化剂、填料及固化加速剂,其中所述填料包括金刚石纳米颗粒与氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的至少一者的混合物,且所述金刚石纳米颗粒可具有1纳米至100纳米的平均粒径(D50)。本文中,“平均粒径(D50)”意指以颗粒的直径计在以重量单位分布的颗粒中50重量%的颗粒的粒径,且可通过熟习此项技术者已知的典型方法来测量。环氧树脂组成物可具有6W/m·K或大于6W/m·K、较佳地6W/m·K至20W/m·K的热导率。
接下来,将详细地阐述根据本发明的环氧树脂组成物的组分。
环氧树脂
根据本发明,环氧树脂可选自用于包封半导体装置的任何环氧树脂,而不限于特定环氧树脂。具体而言,环氧树脂可为具有二或更多个环氧基的环氧化合物。环氧树脂的实例可包括通过对酚或烷基酚与羟基苯甲醛的缩合物进行环氧化而获得的环氧树脂、酚芳烷基型环氧树脂、酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、多官能环氧树脂、萘酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚A/双酚F/双酚AD的酚醛清漆型环氧树脂、双酚A/双酚F/双酚AD的缩水甘油醚、双羟基联苯环氧树脂、二环戊二烯环氧树脂、联苯型环氧树脂等。更具体而言,环氧树脂可包括联苯型环氧树脂、酚芳烷基型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂及多官能环氧树脂中的至少一者。较佳地,环氧树脂包括联苯型环氧树脂及酚芳烷基型环氧树脂中的至少一者。
具体而言,联苯型环氧树脂可由式1表示,但并非仅限于此。
<式1>
(其中在上式1中,R为具有1至4个碳原子的烷基,且平均而言,n为0至7的整数)。
虑及环氧树脂组成物的可固化性,环氧树脂可具有100克/当量(g/eq)至500克/当量的环氧当量重量。在此范围内,环氧树脂可提高环氧树脂组成物的固化程度。
环氧树脂可单独使用或以其混合物形式使用。可使用通过使环氧树脂与其他组分(例如固化剂、固化加速剂、脱模剂、偶合剂、应力消除剂等)预反应而获得的加成物,例如熔融母料(melt master badge)。
在一个实施例中,在用于包封半导体装置的环氧树脂组成物中,可存在0.5重量%至20重量%、具体而言3重量%至15重量%的量的环氧树脂。在此范围内,环氧树脂组成物不会遭遇可固化性劣化。举例而言,可存在0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1重量%、1.5重量%、2重量%、3重量%、4重量%、5重量%、6重量%、7重量%、8重量%、9重量%、10重量%、11重量%、12重量%、13重量%、14重量%、15重量%、16重量%、17重量%、18重量%、19重量%或20重量%的量的环氧树脂。
固化剂
固化剂可选自用于包封半导体装置的任何典型固化剂,而不限于特定固化剂。具体而言,固化剂可为酚类固化剂。举例而言,酚类固化剂可包括以下中的至少一者:酚芳烷基型酚树脂、酚酚醛清漆型酚树脂、多官能酚树脂、新酚(Xylok)型酚树脂、甲酚酚醛清漆型酚树脂、萘酚型酚树脂、萜烯型酚树脂、二环戊二烯酚树脂、自双酚A及可溶酚醛树脂(resoles)合成的酚醛清漆型酚树脂以及多元酚化合物(例如三(羟基苯基)甲烷及二羟基联苯)。较佳地,酚类固化剂可包括酚芳烷基型酚树脂、酚酚醛清漆型酚树脂及多官能酚树脂中的至少一者,更佳为酚芳烷基型酚树脂与新酚型酚树脂的混合物。
具体而言,酚芳烷基型环氧树脂可由式2表示,但并非仅限于此:
<式2>
(其中在上式2中,平均而言,n为1至7的整数)。
具体而言,新酚型酚树脂可由式3表示,但并非仅限于此:
<式3>
(其中在上式3中,平均而言,n为0至7的整数)。
虑及可固化性,固化剂可具有90克/当量至250克/当量的羟基当量重量。在此范围内,固化剂可提高固化程度。
该些固化剂可单独使用或以其组合形式使用。另外,固化剂可以通过使以上固化剂与其他组分(例如环氧树脂、固化加速剂、脱模剂及应力消除剂)预反应而获得的加成物(例如熔融母料)的形式使用。
在环氧树脂组成物中,可存在约0.1重量%至约13重量%、较佳地约0.1重量%至约10重量%的量的固化剂。在此范围内,环氧树脂组成物不会遭遇可固化性劣化。举例而言,可存在0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1重量%、1.5重量%、2重量%、3重量%、4重量%、5重量%、6重量%、7重量%、8重量%、9重量%、10重量%、11重量%、12重量%或13重量%的量的固化剂。
可根据半导体装置封装的机械性质及防潮可靠性来调整环氧树脂对固化剂的混合比率。举例而言,环氧树脂对固化剂的化学当量比可介于0.95至3、具体而言1至2、更具体而言1至1.75范围内。在此范围内,环氧树脂组成物可表现出良好的后固化强度。
填料
填料适于在减轻施加至环氧树脂组成物的应力的同时提高其机械强度。另外,根据本发明的填料可通过热导率的显著增加来改善散热,且可在减少环氧树脂组成物的热膨胀及水分吸收的同时确保其高的可流动性。
根据本发明,填料可包括金刚石纳米颗粒与氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒及硝酸硼颗粒中的至少一者的混合物。金刚石纳米颗粒可具有1纳米至100纳米的平均粒径(D50)。
金刚石具有约1,000W/m·K的热导率。另外,氧化铝、硝酸铝及硝酸硼具有约25W/m·K的热导率。在平均粒径的以上范围内,金刚石纳米颗粒可填充由氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒及硝酸硼颗粒中的至少一者形成的空位,或者可设置在氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒或硝酸硼颗粒之间。在根据本发明的环氧树脂组成物中,相较于平均粒径(D50)大于100纳米且不填充空位的金刚石纳米颗粒而言,所述金刚石纳米颗粒可通过热导率的显著增加来改善散热,且可在减少环氧树脂组成物的热膨胀及水分吸收的同时确保其高的可流动性。较佳地,金刚石纳米颗粒具有10纳米至80纳米的平均粒径(D50)。
氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒及硝酸硼颗粒中的至少一者可具有较金刚石纳米颗粒大的平均粒径(D50)。通过此结构,氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒及硝酸硼颗粒中的至少一者之间形成空位,且平均粒径(D50)处于以上范围内的金刚石纳米颗粒可填充所述空位。氧化铝颗粒可具有1微米至10微米、较佳地5微米至6微米的平均粒径(D50)。硝酸铝颗粒可具有1微米至10微米、较佳地1微米至5微米的平均粒径(D50)。硝酸硼颗粒可具有5微米至20微米、较佳地10微米至15微米的平均粒径(D50)。在平均粒径的该些范围内,环氧树脂组成物可确保可流动性、热导率及比介电常数(specific dielectric constant)方面的良好性质。氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒及硝酸硼颗粒中的至少一者可视需要被预先涂布以偶合剂、环氧树脂或固化剂。
金刚石纳米颗粒可具有球形状或非球形状,但并非仅限于此。在环氧树脂组成物中,可存在0.01重量%至5重量%、较佳地0.1重量%至3重量%的量的金刚石纳米颗粒。在此范围内,金刚石纳米颗粒可在防止环氧树脂组成物的可流动性劣化的同时提高其热导率。举例而言,可存在0.01重量%、0.02重量%、0.05重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1重量%、2重量%、3重量%、4重量%或5重量%的量的金刚石纳米颗粒。
氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒及硝酸硼颗粒可具有球形状或非球形状,但并非仅限于此。球形颗粒可提高环氧树脂组成物的可流动性。在环氧树脂组成物中,可存在50重量%至95重量%、较佳地75重量%至90重量%的量的氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒及硝酸硼颗粒中的至少一者。在此范围内,氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒或硝酸硼颗粒可在防止环氧树脂组成物的可流动性劣化的同时提高其热导率。
在环氧树脂组成物中,填料的量可依据环氧树脂组成物的目标性质(包括可模制性、低应力及高温强度)来改变。具体而言,在环氧树脂组成物中,可存在70重量%至95重量%、例如75重量%至94重量%的量的填料。在此范围内,填料可确保环氧树脂组成物在可流动性、可靠性、比介电常数及热导率方面的目标性质。举例而言,可存在70重量%、71重量%、72重量%、73重量%、74重量%、75重量%、76重量%、77重量%、78重量%、79重量%、80重量%、81重量%、82重量%、83重量%、84重量%、85重量%、86重量%、87重量%、88重量%、89重量%、90重量%、91重量%、92重量%、93重量%、94重量%或95重量%的量的填料。
固化加速剂
固化加速剂促进环氧树脂与固化剂之间的反应。固化加速剂的实例可包括三级胺、有机金属化合物、有机磷化合物、咪唑化合物及硼化合物。
三级胺的实例可包括苯甲基二甲胺、三乙醇胺、三乙二胺、二乙胺基乙醇、三(二甲胺基甲基)酚、2,2-(二甲胺基甲基)酚、2,4,6-三(二胺基甲基)酚、三-2-乙基己酸的盐等,但并非仅限于此。有机金属化合物的实例可包括乙酰丙酮酸铬、乙酰丙酮酸锌、乙酰丙酮酸镍等,但并非仅限于此。有机磷化合物的实例可包括三-4-甲氧基膦、四丁基溴化鏻、四苯基溴化鏻、苯基膦、二苯基膦、三苯基膦、三苯基膦三苯基硼烷、三苯基膦-1,4-苯醌加成物等,但并非仅限于此。咪唑化合物的实例可包括2-苯基-4-甲基咪唑(2-phenyl-4-methylidazole)、2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-胺基咪唑、2-甲基-1-乙烯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-十七基咪唑等,但并非仅限于此。硼化合物的实例可包括四苯基鏻四苯基硼酸盐、三苯基膦四苯基硼酸盐、四苯基硼酸盐、三氟硼烷-正己胺、三氟硼烷单乙胺、四氟硼烷三乙胺、四氟硼烷胺等,但并非仅限于此。作为另一选择,可使用1,5-二氮杂双环[4.3.0]壬-5-烯(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene:DBN)、1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一-7-烯(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene:DBU)及酚酚醛树脂盐,但并非仅限于此。
另外,作为固化加速剂,亦可使用通过使环氧树脂及/或固化剂预反应而获得的加成物。
在环氧树脂组成物中,可存在0.01重量%至2重量%、具体而言0.02重量%至1.5重量%的量的固化加速剂。在此范围内,固化加速剂可在确保环氧树脂组成物的良好可固化性的同时促进其固化。举例而言,可存在0.01重量%、0.05重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1重量%、1.5重量%或2重量%的量的固化加速剂。
根据本发明的环氧树脂组成物可更包含偶合剂、脱模剂及着色剂中的至少一者。
偶合剂
偶合剂适于通过环氧树脂与填料之间的反应来提高界面强度,且可例如为硅烷偶合剂。硅烷偶合剂不受特别限制,只要硅烷偶合剂可与环氧树脂及填料反应以增强环氧树脂与填料之间的界面的强度即可。偶合剂的实例可包括环氧基硅烷、胺基硅烷、脲基硅烷、巯基硅烷及烷基硅烷。该些偶合剂可单独使用或以其组合形式使用。
在环氧树脂组成物中,可存在约0.01重量%至约5重量%、较佳地约0.05重量%至约3重量%的量的偶合剂。在此范围内,环氧树脂组成物可具有提高的后固化强度。举例而言,可存在0.01重量%、0.05重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1重量%、1.5重量%、2重量%、3重量%、4重量%或5重量%的量的偶合剂。
脱模剂
脱模剂可包括选自由以下组成的群组中的至少一者:石蜡、酯蜡、高级脂肪酸、高级脂肪酸金属盐、天然脂肪酸以及天然脂肪酸金属盐。
在环氧树脂组成物中,可存在0.1重量%至1重量%的量的脱模剂。举例而言,可存在0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%或1重量%的量的脱模剂。
着色剂
着色剂可用于对半导体装置的包封体进行雷射标记,且可选自此项技术中现有的任何着色剂。举例而言,着色剂可包括碳黑、氮化钛、钛黑、磷酸氢氧化二铜(dicopperhydroxide phosphate)、氧化铁及云母中的至少一者。
在环氧树脂组成物中,可存在0.01重量%至5重量%、较佳地0.05重量%至3重量%的量的着色剂。举例而言,可存在0.01重量%、0.05重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1重量%、2重量%、3重量%、4重量%或5重量%的量的着色剂。
另外,根据本发明的环氧树脂组成物可视需要更包含抗氧化剂(例如四[亚甲基-3-(3,5-二-三级丁基-4-羟基苯基)丙酸酯]甲烷(Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane))及阻燃剂(例如氢氧化铝),而不影响本发明的目的。
可通过以下方法来制备环氧树脂组成物:在所述方法中,使用亨舍尔混合机(Hensel mixer)或罗迪格混合机(Lodige mixer)对预定量的上述组分进行均匀及充分地混合,然后冷却并粉碎,随后使用辊磨机(roll-mill)或捏合机(kneader)进行熔融捏合,藉此获得最终粉末产品。
根据本发明的环氧树脂组成物可用于包封半导体装置,特别是用于汽车的行动显示器或指纹识别传感器的半导体装置。作为使用根据本发明的环氧树脂组成物包封半导体装置的方法,一般可使用低压转移模制。然而,应理解亦可采用注射(injection)成型或浇铸(casting)来模制环氧树脂组成物。
使用用于包封半导体装置的环氧树脂组成物包封的半导体装置
本发明的另一实施例是有关于一种使用用于包封半导体装置的环氧树脂组成物包封的半导体装置。半导体装置可由根据本发明的用于包封半导体装置的环氧树脂组成物来包封。举例而言,半导体装置可包括用于电容型指纹识别的半导体装置。
本发明最佳模式
实例及比较实例中所使用的组分的详细情况如下。
环氧树脂
1)联苯型环氧树脂:YX-4000H(日本环氧树脂有限公司(Japan Epoxy ResinInc.),环氧当量重量:196克/当量)
固化剂
2)新酚型酚树脂:KPH-F3065(科隆化学有限公司(Kolon Chemical Inc.),羟基当量重量:203克/当量)
3)酚芳烷基酚树脂:MEH-7851(明和有限公司(MeiwaInc.),羟基当量重量:203克/当量)
填料
4)二氧化硅:以9∶1的比率混合的平均粒径(D50)为20微米的球形熔融二氧化硅与平均粒径为0.5微米的球形熔融二氧化硅的混合物
5)氧化铝:平均粒径(D50)为5微米(DAB-05MS,日本电气化学有限公司(DenkaDenki Inc.))
6)硝酸铝:平均粒径(D50)为3微米(ANF,丸和有限公司(Maruwa Inc.))
7)硝酸硼:平均粒径(D50)为12微米(MBN,三井高科技有限公司(Mitsui Hi-techInc.))
8)金刚石纳米颗粒:平均粒径(D50)为10纳米(绿色资源有限公司(GreenResource Co.Ltd),纳米金刚石(Nano Diamond)10N)
9)金刚石纳米颗粒:平均粒径(D50)为1纳米(绿色资源有限公司(Green ResourceCo.Ltd),纳米金刚石(Nano Diamond)1N)
10)金刚石纳米颗粒:平均粒径(D50)为100纳米(绿色资源有限公司(GreenResource Co.Ltd),纳米金刚石(Nano Diamond)100N)
11)金刚石粉末:平均粒径(D50)为100微米(绿色资源有限公司(Green ResourceCo.Ltd),纳米金刚石(Nano Diamond)100M)
12)金刚石纳米颗粒:平均粒径(D50)为150纳米(绿色资源有限公司(GreenResource Co.Ltd),纳米金刚石(Nano Diamond)150N)
固化加速剂
13)三苯基膦固化加速剂:TPP-k(北兴化学有限公司(Hokko Chemical Inc.))
着色剂
14)碳黑:MA-600B(三菱化学有限公司(Mitsubishi Chemical Inc.))
偶合剂
15)含胺基的三甲氧基硅烷:N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基硅烷(KBM-573,信越化学有限公司(Shin-Etsu Chemical Inc.))
实例及比较实例
以表1所列量(单位:重量份)秤量了以上组分,且使用亨舍尔混合机(KSM-22,金松机械有限公司(Keum Sung Machinery Co.Ltd))在25℃至30℃下均匀混合了30分钟,以制备初级组成物。接着,使用连续捏合机在高达110℃的温度下将初级组成物熔融捏合了30分钟,然后冷却至10℃至15℃并粉碎,藉此制备用于包封半导体装置的环氧树脂组成物。
[表1]
针对以下性质通过以下方法对在实例及比较实例中制备的所述环氧树脂组成物的每一者进行了评价。结果示于表2中。
性质评价
(1)可流动性(单位:英寸(inch),螺旋流):使用低压转移压模机在175℃的模制温度下在70千克力/平方厘米(kgf/cm2)的压力下将所述环氧树脂组成物的每一者注入与EMMI-1-66对应的用于测量螺旋流的模具,然后测量流场(游动长)(单位:英寸(inch))。测量值越高则表明可流动性越佳。
(2)热导率(单位:W/m·K):根据美国测试与材料协会(American Society forTesting and Materials,ASTM)D5470在25℃下在使用所述环氧树脂组成物的每一者制备的样本上测量了热导率。
[表2]
如表2所示,根据本发明的环氧树脂组成物表现出良好的热导率及可流动性。
相反,不使用金刚石纳米颗粒制备的比较实例1的环氧树脂组成物、使用金刚石纳米颗粒及二氧化硅而非氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的至少一者制备的比较实例3的环氧树脂组成物以及使用平均粒径不处于根据本发明的粒径范围内的金刚石纳米颗粒制备的比较实例2及比较实例4的环氧树脂组成物表现出低的热导率及差的可流动性。特别是,比较实例2的环氧树脂组成物(其中金刚石粉末具有较氧化铝颗粒、硝酸铝颗粒或硝酸硼颗粒大得多的平均粒径)具有较实例的环氧树脂组成物差得多的可流动性。
应理解,在不背离本发明的精神及范围的条件下本领域技术人员可作出各种修改、改变、更改及等效实施例。
Claims (7)
1.一种环氧树脂组成物,用于包封半导体装置,包含:
环氧树脂;固化剂;填料;及固化加速剂,
其中所述填料包括金刚石纳米颗粒与氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的至少一者的混合物,
所述金刚石纳米颗粒具有1纳米至100纳米的平均粒径(D50)。
2.根据权利要求1所述的环氧树脂组成物,其中在所述环氧树脂组成物中存在0.01重量%至5重量%的量的所述金刚石纳米颗粒。
3.根据权利要求1所述的环氧树脂组成物,其中氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的所述至少一者具有较所述金刚石纳米颗粒大的平均粒径(D50)。
4.根据权利要求3所述的环氧树脂组成物,其中所述氧化铝具有1微米至10微米的平均粒径(D50),所述硝酸铝具有1微米至10微米的平均粒径(D50),且所述硝酸硼具有5微米至20微米的平均粒径(D50)。
5.根据权利要求1所述的环氧树脂组成物,其中在所述环氧树脂组成物中存在50重量%至95重量%的量的氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的所述至少一者。
6.根据权利要求1所述的环氧树脂组成物,包含:
0.5重量%至20重量%的所述环氧树脂;
0.1重量%至13重量%的所述固化剂;
70重量%至95重量%的所述填料;以及
0.01重量%至2重量%的所述固化加速剂。
7.一种半导体装置,使用如权利要求1至6中任一项所述的用于包封半导体装置的环氧树脂组成物来包封。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170170794A KR102137550B1 (ko) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
KR10-2017-0170794 | 2017-12-12 | ||
PCT/KR2018/012723 WO2019117452A1 (ko) | 2017-12-12 | 2018-10-25 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111492009A true CN111492009A (zh) | 2020-08-04 |
Family
ID=66819378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880080648.0A Pending CN111492009A (zh) | 2017-12-12 | 2018-10-25 | 用于包封半导体装置的环氧树脂组成物及使用其包封的半导体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102137550B1 (zh) |
CN (1) | CN111492009A (zh) |
TW (1) | TWI782155B (zh) |
WO (1) | WO2019117452A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102544119B1 (ko) * | 2023-01-12 | 2023-06-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 전자 디바이스 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03244137A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 半導体パッケージ用接着テープ |
JP2012077098A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | オーバーコート材及びそれを用いた半導体装置 |
CN104781325A (zh) * | 2012-09-28 | 2015-07-15 | 卡尔博迪昂有限公司 | 含有纳米金刚石的热塑性热复合材料 |
CN106471035A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-03-01 | Dic株式会社 | 电子材料用环氧树脂组合物、其固化物及电子构件 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223222A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 固体素子パッケージ |
TWI442595B (zh) * | 2007-07-25 | 2014-06-21 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光二極體裝置 |
KR101854501B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2018-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 |
-
2017
- 2017-12-12 KR KR1020170170794A patent/KR102137550B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-10-25 CN CN201880080648.0A patent/CN111492009A/zh active Pending
- 2018-10-25 WO PCT/KR2018/012723 patent/WO2019117452A1/ko active Application Filing
- 2018-12-11 TW TW107144606A patent/TWI782155B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03244137A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 半導体パッケージ用接着テープ |
JP2012077098A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | オーバーコート材及びそれを用いた半導体装置 |
CN104781325A (zh) * | 2012-09-28 | 2015-07-15 | 卡尔博迪昂有限公司 | 含有纳米金刚石的热塑性热复合材料 |
CN106471035A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-03-01 | Dic株式会社 | 电子材料用环氧树脂组合物、其固化物及电子构件 |
US20170158807A1 (en) * | 2014-07-02 | 2017-06-08 | Dic Corporation | Epoxy resin composition for electronic material, cured product thereof and electronic member |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190070200A (ko) | 2019-06-20 |
TWI782155B (zh) | 2022-11-01 |
KR102137550B1 (ko) | 2020-07-24 |
TW201927898A (zh) | 2019-07-16 |
WO2019117452A1 (ko) | 2019-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2874089B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
KR19990083454A (ko) | 반도체봉지용에폭시수지조성물및반도체장치 | |
JP6832193B2 (ja) | 樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
JP2010195997A (ja) | 高誘電性エポキシ樹脂組成物及び高周波デバイス | |
KR100617287B1 (ko) | 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 | |
CN108699423B (zh) | 用于密封半导体器件的环氧树脂组合物以及使用其密封的半导体器件 | |
TWI815937B (zh) | 用於封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物和半導體裝置 | |
TWI782155B (zh) | 用於包封半導體裝置的環氧樹脂組成物及使用其包封的半導體裝置 | |
KR102146996B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 | |
KR102665491B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 | |
JP3714399B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
KR102158875B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 | |
KR20210021049A (ko) | 플레이크 형상 밀봉용 수지 조성물, 및 반도체 장치 | |
KR20170013644A (ko) | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 | |
CN111527145A (zh) | 用于封装半导体设备的环氧树脂组合物、以及使用该环氧树脂组合物封装的半导体设备 | |
JP6351927B2 (ja) | 封止用樹脂組成物及び半導体装置の製造方法 | |
JP7460025B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
JP2006001986A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
KR102319562B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 | |
KR102319561B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 | |
KR102549224B1 (ko) | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 | |
KR102146990B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 | |
KR20170079115A (ko) | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 | |
JP2021155731A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
WO2019106953A1 (ja) | 樹脂シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |