CN111487719A - 一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器 - Google Patents

一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器 Download PDF

Info

Publication number
CN111487719A
CN111487719A CN202010319894.6A CN202010319894A CN111487719A CN 111487719 A CN111487719 A CN 111487719A CN 202010319894 A CN202010319894 A CN 202010319894A CN 111487719 A CN111487719 A CN 111487719A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mode
silicon
waveguide
lithium niobate
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010319894.6A
Other languages
English (en)
Inventor
陆荣国
王玉姣
沈黎明
林瑞
吕江泊
蔡松炜
陈进湛
周勇
刘永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN202010319894.6A priority Critical patent/CN111487719A/zh
Publication of CN111487719A publication Critical patent/CN111487719A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/125—Bends, branchings or intersections
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/126—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12035—Materials
    • G02B2006/1204—Lithium niobate (LiNbO3)
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12085—Integrated
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/12142—Modulator

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，涉及光电子器件技术领域，本发明包括基底层，基底层上端面设置有模式转换器、非对称定向耦合器、两个结构相同的并排设置MZ结构调制器，模式转换器包括对称设置在对应MZ结构调制器两端的结构相同的输入端模式转换器与输出端模式转换器，非对称定向耦合器包括对称设置在对应MZ结构调制器两端的结构相同的输入端非对称定向耦合器与输出端非对称定向耦合器；本发明将硅与铌酸锂混合在一起，把铌酸锂的线性电光效应引入到硅基平台上，通过结合硅和铌酸锂这两种材料的优点，来提高光调制器的性能；能实现偏振无关的光调制器。

Description

一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器
技术领域
本发明涉及光电子器件技术领域，更具体的是涉及一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器。
背景技术
硅基光子学平台是当下最好的集成光学平台。硅基光子学平台由于其与传统CMOS工艺兼容，具有高折射率差，使得硅基光子学平台具有易于大规模制作、易于集成两大优势。硅基平台十分适合制作无源器件，但是硅的基本特性导致实现一些有源器件有巨大的挑战。硅本身是中心对称的晶体结构，因此硅没有线性电光效应，而线性电光效应是目前高性能光调制器所需的硅基调制器需要依靠等离子体色散效应，通常利用离子注入形成PN结的方式实现，通过改变PN结的载流子浓度来改变硅波导的折射率，进而实现对光波振幅的调制。不过这种方式在改变硅波导的折射率的同时，也会改变硅波导的损耗，是在牺牲消光比的基础上实现高带宽，这使得硅基调制器在长距离数字光通信***中的应用受到限制，此外，由于载流子效应本身是一个非线性过程，因此硅基调制器的线性度远远比不上传统的铌酸锂器件，而未来的5G移动通信***，微波光子学，以及下一代光纤通信的应用中，线性度的要求越来越高。
综上所述，尽管硅基光子器件有非常大的技术优势，但是基于载流子效应的硅基调制器在性能上仍然无法与商用的铌酸锂调制器相比拟。铌酸锂材料具有优越的线性电光效应，是高性能光调制器的首选材料。
然而基于硅基铌酸锂的电光调制器具有明显的偏振敏感特性，只能对特定偏振方向的光波产生有效的调制，而对其他偏振方向的光波调制效果不明显，这限制了这种光调制器的适用范围。
正如上述现有的基于硅基铌酸锂电光调制器中存在的问题，都是本领域人员需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于：为了解决传统硅基铌酸锂调制器对入射光波的偏振方向敏感技术问题，本发明提供一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器。
本发明为了实现上述目的具体采用以下技术方案：
一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，包括基底层，基底层上端面设置有模式转换器、非对称定向耦合器、两个结构相同的并排设置MZ结构调制器，模式转换器包括对称设置在对应MZ结构调制器两端的结构相同且分别与对应MZ结构调制器两端连接的输入端模式转换器与输出端模式转换器，非对称定向耦合器包括对称设置在对应MZ结构调制器两端的结构相同的且分别与对应MZ结构调制器两端连接的输入端非对称定向耦合器与输出端非对称定向耦合器；每个MZ结构调制器均包括硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构、键合介质层、脊形铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极，硅基光波导结构与光学分束结构的输入端连接，光学分束结构的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构与脊形铌酸锂波导连接；信号金属电极设置到光学分束结构的两个输出端相对的一侧；接地金属电极设置在光学分束结构两个输出端相背的一侧；硅楔形波导光学模式转换结构设置在键合介质层内，脊形铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极设置在键合介质层上方。
进一步地，所述模式转换器能够实现低阶模式(TE0，TM0)与高阶模式的转换，所述模式转换器较小端波导宽度W1为单模宽度，所述单模宽度是指波导在该宽度下只能稳定传输TE0，TM0模式，所述模式转换器的较大端波导宽度W3应大于TE1模式的截止宽度。
进一步地，所述非对称定向耦合器可将下波导臂中的TE1模耦合到上波导臂中，并转换为TE0模式。
进一步地，所述键合介质层为苯并环丁烯。
进一步地，所述信号金属电极和接地金属电极的材料均为金。
进一步地，所述基底层的材料为二氧化硅，脊形铌酸锂波导的材料为铌酸锂。
进一步地，模式转换器、非对称定向耦合器、硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构的波导材料均为Si。
本发明的有益效果如下：
1、本发明结构简单，将硅与铌酸锂混合在一起，把铌酸锂的线性电光效应引入到硅基平台上，通过结合硅和铌酸锂这两种材料的优点，来提高光调制器的性能，具体是：光学分束结构将硅基光学结构中的光束分成两束完全相等的光束通过硅楔形波导光学模式转换结构将光束逐步耦合进入铌酸锂波导中。在信号金属电极上加电压，将接地金属电极接地，由于普克尔斯效应铌酸锂波导的折射率发生变化，两条铌酸锂波导之间产生折射率差，从而使两束相等的光之间产生相位差。将两束光通过硅楔形波导光学模式转换结构逐步耦合进入硅波导，通过光学分束结构两束光发生干涉，实现光束强度调制。
2、由于采用模式转换结构，采用传统的硅基铌酸锂制作工艺，就能实现偏振无关的光调制器。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图2是本发明的俯视示意图；
图3是硅楔形波导模式转换结构端面示意图；
图4是图2的局部结构示意图；
图5是图2的局部结构示意图；
附图标记：1-衬底，2-模式转换器，3-非对称耦合器，4-硅基光波导，5-光学分束结构，6-硅楔形波导光学模式转换结构，7-键合介质层，8-脊形铌酸锂波导，9-信号金属电极，10-接地金属电极。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明实施方式的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”、“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，包括基底层1，基底层1上端面设置有模式转换器2、非对称定向耦合器3、两个结构相同的并排设置MZ结构调制器，模式转换器2包括对称设置在对应MZ结构调制器两端的结构相同且分别与对应MZ结构调制器两端连接的输入端模式转换器与输出端模式转换器，非对称定向耦合器3包括对称设置在对应MZ结构调制器两端的结构相同的且分别与对应MZ结构调制器两端连接的输入端非对称定向耦合器与输出端非对称定向耦合器；每个MZ结构调制器均包括硅基光波导结构4、光学分束结构5、硅楔形波导光学模式转换结构6、键合介质层7、脊形铌酸锂波导8、信号金属电极9和接地金属电极10，硅基光波导结构4与光学分束结构5的输入端连接，光学分束结构5的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构6与脊形铌酸锂波导8连接；信号金属电极9设置到光学分束结构5的两个输出端相对的一侧；接地金属电极10设置在光学分束结构5两个输出端相背的一侧；硅楔形波导光学模式转换结构6设置在键合介质层7内，脊形铌酸锂波导8、信号金属电极9和接地金属电极10设置在键合介质层上方。
所述模式转换器2能够实现低阶模式(TE0，TM0)与高阶模式的转换，所述模式转换器2的较小端波导宽度W1为单模宽度，所述单模宽度是指波导在该宽度下只能稳定传输TE0，TM0模式，所述模式转换器2的较大端波导宽度W3应大于TE1模式的截止宽度。
所述非对称定向耦合器3可将下波导臂中的TE1模耦合到上波导臂中，并转换为TE0模式。
实施例1
如图1-3所示，本实施例中，基底层1的材料为SiO2，模式转换器2、非对称定向耦合器3、硅基光波导结构4、光学分束结构5、硅楔形波导光学模式转换结构6的波导材料均为Si，键合介质层7材料为苯并环丁烯BCB，脊形铌酸锂波导8材料为铌酸锂，信号金属电极9和接地金属电极10的材料为Au；模式转换器2为锥型波导模式转换器。
锥型波导模式转换器结构尺寸为:W1＝0.69μm，W2＝0.7μm，W3＝0.74μm，W4＝0.8μm，W5＝0.4μm，L1＝10μm，L2＝50μm，L3＝10μm，L4＝7μm，L5＝40μm；
耦合器两波导间距：Wgap＝0.04μm；
硅楔形波导光学模式转换结构6尺寸：W5＝0.4μm，W6＝0.01μm，L6＝150μm，h0＝0.26μm；
键合介质层7尺寸：h1＝0.3μm；
脊形铌酸锂波导8尺寸：W7＝1μm，h2＝0.42μm，h3＝0.18μm；
本发明的工作原理为：
如果入射光为TM0模式，入口处的锥型波导会把TM0模式转为TE1模式。而TE1模式能够通过非对称定向耦合器，将下波导臂中的TE1模耦合到上波导臂中，并转换为TE0模式，最后在调制器区域以TE0的模式被调制。当入射模式是TE0模式时，模式转换结构和定向耦合器都不会对它产生影响。对于TE0和TM0这两种偏振模式的入射光，在进入铌酸锂调制区域之前都被转换为TE0模式，最后由于调制区域调制臂的结构完全相同，因此可以得到相同的调制效果。
光学分束结构将硅基光学结构中的光束分成两束完全相等的光束通过硅楔形波导光学模式转换结构将光束逐步耦合进入铌酸锂波导中。在信号金属电极上加电压，将接地金属电极接地，由于普克尔斯效应铌酸锂波导的折射率发生变化，两条铌酸锂波导之间产生折射率差，从而使两束相等的光之间产生相位差。将两束光通过硅楔形波导光学模式转换结构逐步耦合进入硅波导，通过光学分束结构两束光发生干涉，实现光束强度调制。
总体而言，本发明将硅与铌酸锂混合在一起，把铌酸锂的线性电光效应引入到硅基平台上，通过结合硅和铌酸锂这两种材料的优点，来提高光调制器的性能。同时由于采用模式转换结构，采用传统的硅基铌酸锂制作工艺，就能实现偏振无关的光调制器。

Claims (7)

1.一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，包括基底层(1)，其特征在于：基底层(1)上端面设置有模式转换器(2)、非对称定向耦合器(3)、两个结构相同的并排设置MZ结构调制器，模式转换器(2)包括对称设置在对应MZ结构调制器两端的结构相同且分别与对应MZ结构调制器两端连接的输入端模式转换器与输出端模式转换器，非对称定向耦合器(3)包括对称设置在对应MZ结构调制器两端的结构相同的且分别与对应MZ结构调制器两端连接的输入端非对称定向耦合器与输出端非对称定向耦合器；每个MZ结构调制器均包括硅基光波导结构(4)、光学分束结构(5)、硅楔形波导光学模式转换结构(6)、键合介质层(7)、脊形铌酸锂波导(8)、信号金属电极(9)和接地金属电极(10)，硅基光波导结构(4)与光学分束结构(5)的输入端连接，光学分束结构(5)的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构(6)与脊形铌酸锂波导(8)连接；信号金属电极(9)设置到光学分束结构(5)的两个输出端相对的一侧；接地金属电极(10)设置在光学分束结构(5)两个输出端相背的一侧；硅楔形波导光学模式转换结构(6)设置在键合介质层(7)内，脊形铌酸锂波导(8)、信号金属电极(9)和接地金属电极(10)设置在键合介质层上方。
2.根据权利要求1所述的一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，其特征在于：所述模式转换器(2)能够实现低阶模式(TE0，TM0)与高阶模式的转换，所述模式转换器(2)的较小端波导宽度W1为单模宽度，所述单模宽度是指波导在该宽度下只能稳定传输TE0，TM0模式，所述模式转换器(2)的较大端波导宽度W3应大于TE1模式的截止宽度。
3.根据权利要求1所述的一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，其特征在于：所述非对称定向耦合器(3)可将下波导臂中的TE1模耦合到上波导臂中，并转换为TE0模式。
4.根据权利要求1所述的一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，其特征在于：所述键合介质层(7)为苯并环丁烯。
5.根据权利要求1所述的一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，其特征在于：所述信号金属电极(9)和接地金属电极(10)的材料均为金。
6.根据权利要求1所述的一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，其特征在于：所述基底层(1)的材料为二氧化硅，脊形铌酸锂波导(8)的材料为铌酸锂。
7.根据权利要求1所述的一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器，其特征在于：模式转换器(2)、非对称定向耦合器(3)、硅基光波导结构(4)、光学分束结构(5)、硅楔形波导光学模式转换结构(6)的波导材料均为Si。
CN202010319894.6A 2020-04-22 2020-04-22 一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器 Pending CN111487719A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010319894.6A CN111487719A (zh) 2020-04-22 2020-04-22 一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010319894.6A CN111487719A (zh) 2020-04-22 2020-04-22 一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111487719A true CN111487719A (zh) 2020-08-04

Family

ID=71795110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010319894.6A Pending CN111487719A (zh) 2020-04-22 2020-04-22 一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111487719A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112764161A (zh) * 2021-01-12 2021-05-07 电子科技大学 一种新型3um中红外波段基于狭缝波导偏振无关石墨烯电光调制器结构
CN113777706A (zh) * 2021-08-11 2021-12-10 华中科技大学 一种基于x切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器
CN115291334A (zh) * 2022-08-01 2022-11-04 吉林大学 一种硅基pin调制的te0/te1多模电光开关

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0001345D0 (en) * 1999-01-21 2000-03-08 Samsung Electronics Co Ltd Mode shape converter for an integrated optical device
JP5050003B2 (ja) * 2008-11-19 2012-10-17 アンリツ株式会社 光変調器
US20150234252A1 (en) * 2012-03-19 2015-08-20 Fujitsu Optical Components Limited Optical modulator
CN109116590A (zh) * 2018-05-16 2019-01-01 中山大学 硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0001345D0 (en) * 1999-01-21 2000-03-08 Samsung Electronics Co Ltd Mode shape converter for an integrated optical device
JP5050003B2 (ja) * 2008-11-19 2012-10-17 アンリツ株式会社 光変調器
US20150234252A1 (en) * 2012-03-19 2015-08-20 Fujitsu Optical Components Limited Optical modulator
CN109116590A (zh) * 2018-05-16 2019-01-01 中山大学 硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨忠华: "基于石墨烯的偏振无关电光调制器基础研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库---工程科技Ⅰ辑》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112764161A (zh) * 2021-01-12 2021-05-07 电子科技大学 一种新型3um中红外波段基于狭缝波导偏振无关石墨烯电光调制器结构
CN113777706A (zh) * 2021-08-11 2021-12-10 华中科技大学 一种基于x切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器
CN113777706B (zh) * 2021-08-11 2022-09-20 华中科技大学 一种基于x切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器
CN115291334A (zh) * 2022-08-01 2022-11-04 吉林大学 一种硅基pin调制的te0/te1多模电光开关
CN115291334B (zh) * 2022-08-01 2024-04-19 吉林大学 一种硅基pin调制的te0/te1多模电光开关

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wooten et al. A review of lithium niobate modulators for fiber-optic communications systems
CN111487719A (zh) 一种基于模式转换的硅基铌酸锂偏振无关光调制器
CN103293715B (zh) 一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器
CN110729630A (zh) 一种采用铌酸锂材料制成的波长高速调谐的激光器
US20230055077A1 (en) Optical hybrid-waveguide electro-optical modulator
Sun et al. Hybrid silicon and lithium niobate modulator
CN115308834B (zh) 集成光收发芯片、光电子器件和光收发***
CN117590628B (zh) 基于薄膜铌酸锂波导的光学器件、制备方法及工作方法
US20220163827A1 (en) Optical device, optical communication apparatus, and manufacturing method of the optical device
CN115718381A (zh) 铌酸锂光收发器及其形成方法
CN206497266U (zh) 一种铌酸锂薄膜qpsk光调制器
Kawabata et al. Proposal and experimental demonstration of monolithic InP/InGaAsP polarization modulator
US7403670B1 (en) Compact optical modulator
Sun et al. Hybrid silicon and lithium niobate Mach-Zehnder modulators with high bandwidth operating at C-band and O-band
Vermeulen et al. Demonstration of silicon photonics push–pull modulators designed for manufacturability
Sun et al. 120 Gb s-1 hybrid silicon and lithium niobate modulators with on-chip termination resistor
US20090269017A1 (en) Optical waveguide device
Doerr et al. Compact EAM-based InP DQPSK modulator and demonstration at 80 Gb/s
JP4443932B2 (ja) 光周波数信号と無線周波数信号との間の変換
Pan et al. Low fiber-to-fiber loss, large bandwidth and low drive voltage lithium niobate on insulator modulators
WO2021142588A1 (zh) 一种电光调制器及其制造方法、芯片
Kaplan et al. LiNbO3 integrated optical QPSK modulator and coherent receiver
Ogawa et al. Low-loss high-speed silicon Mach-Zehnder modulator for optical-fiber telecommunications
CN114488580A (zh) 基于氮化硅/有机聚合物混合波导结构的高速电光调制器
WO2024093732A1 (zh) 光模式调制器件及光子芯片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200804