CN111487513B - 一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法 - Google Patents

一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111487513B
CN111487513B CN202010301182.1A CN202010301182A CN111487513B CN 111487513 B CN111487513 B CN 111487513B CN 202010301182 A CN202010301182 A CN 202010301182A CN 111487513 B CN111487513 B CN 111487513B
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
junction temperature
test
junction
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010301182.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111487513A (zh
Inventor
刘扬
马瑜加
徐卜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xi'an Taiyi Electronics Co ltd
Original Assignee
Xi'an Taiyi Electronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xi'an Taiyi Electronics Co ltd filed Critical Xi'an Taiyi Electronics Co ltd
Priority to CN202010301182.1A priority Critical patent/CN111487513B/zh
Publication of CN111487513A publication Critical patent/CN111487513A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111487513B publication Critical patent/CN111487513B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法,包括以下步骤:抽选样品进行预试验,确定具体器件在驱动功率下达到试验要求的结温变化量的升温时间,记录结温降至初始温度的时间;采用预试验测定的升温时间作为循环周期的升温周期,在升温周期中持续施加恒定驱动功率,升温周期结束后,使用窄脉冲激励测量器件终点结温,以预试验测定的降温时间作为降温周期,使器件降温。在降温周期结束后,如果结温未达到初始温度,则继续进行二次降温周期;下一个循环周期等于上一循环周期的降温周期和二次降温周期的时间之和。本发明能够更加严格地模拟元器件间歇工作状态,更加准确地达到间歇寿命试验要求。

Description

一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法
技术领域
本发明属于半导体可靠性试验领域,具体涉及一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法。
背景技术
间歇寿命试验是保证半导体分立器件质量可靠性的重要试验项目,通过重复给器件通电和断电,有规律、间断地给器件施加应力来考察器件的可靠性。目前,多数厂家在实际执行间歇寿命试验时,通过测量器件壳温以监测试验要求的结温变化。由于监测手段以及标准的差异,不同的散热环境以及不同封装形式器件的结温-壳温的温差可能较大,监测壳温不能准确地反映结温的变化。而个别厂家以壳温作为试验监控温度,以时控方式进行试验,凭经验确定器件的升温功率、升温时间和降温时间等控制参数,在试验过程中保持不变。随着试验循环次数的增加,器件的电参数出现退化,相同驱动条件下的发热量随着增加,热量的积累使散热效率降低,导致试验温度的准确性降低甚至损坏器件。目前,间歇寿命试验尚且没有基于结温测量\时控的反馈控制,也无法严格地模拟元器件的间歇工作状态。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术中间歇寿命试验准确性不足的问题,提供一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法,通过结温测量替代壳温测量,从而提高结温测量值的准确性;在试验过程中,通过引入反馈,根据结温变化,修正试验中的降温时间,能够更合理的考察器件的可靠性以及试验条件同国军标要求的符合性。
为了实现上述目的,本发明采用如下的技术方案:
一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法,包括以下步骤:
1)抽选样品进行预试验,确定受试器件升温过程施加的驱动功率,施加功率使器件结温升高,升温期间施加采样窄脉冲,监测器件的结温变化,确定具体器件在驱动功率下达到试验要求的结温变化量的升温时间;达到试验要求的结温变化量后停止施加驱动功率,强迫器件降温,降温期间施加采样窄脉冲,监测器件的结温变化,记录结温降至初始温度的时间;
2)在试验进程中采用预试验测定的升温时间作为循环周期的升温周期,在升温周期中持续施加恒定驱动功率,使器件结温上升;升温周期结束后,停止施加驱动功率,使用窄脉冲激励测量器件终点结温,以预试验测定的降温时间作为降温周期,使器件降温;
3)在降温周期结束后,使用窄脉冲激励测量结温,如果结温达到初始温度,开始下一次功率循环;如果结温未达到初始温度,则继续进行二次降温周期;在二次降温周期中,施加采样窄脉冲,监测器件的结温变化,结温降至初始温度时结束二次降温周期,下一个循环周期等于上一循环周期的降温周期和二次降温周期的时间之和,开始下一次功率循环。
试验初始状态下,环境温度、壳温、结温达到热平衡,外部测量壳温作为试验初始温度。
器件降温的方式为施加风冷。
通过监测温敏电参数的变化间接测量器件的结温。
确定器件温敏电参数与结温的关系时,在试验开始前在试验涉及的温度范围内,施加测试激励,对相应的温敏电参数进行多次测量,经过插值拟合建立对应的统计数学模型。
通过计算K系数、测量器件体内二极管压降VF实现结温测量,具体的:
使用温度可调可控的油浴箱作为试验环境,将器件放置在油浴箱里并连接好试验线路;开始试验时先将油浴环境加热到125℃,间隔5℃,设置温度控制点,在各个温度点通过对器件PN结施加正向电流对器件的VF进行测量,由于该电流对器件结温影响较油浴环境对器件结温影响小,忽略之后器件结温等同于油浴环境温度,即TJ=TA;根据不同温度控制点的VF测量值和TA值计算出K系数,确认K系数后,根据不同TJ下的VF测量值得出TJ值;
器件体内二极管压降VF与结温的线性关系如下式:
Figure BDA0002454047780000031
式中,TJn为试验进行到第n时刻的结温;VBEn为试验进行到第n时刻的正向压降;TJ0为参考点的结温,通常选试验启始时刻,温度为常温;VBE0为参考点的正向压降。
通过实时测量VF而得到TJ,选择在器件每个循环的起始低结温点以及结束高结温点分别测量VF,短暂断开器件工作状态,给器件PN结快速施加正向电流,正向电流的大小不影响器件结温,并检测PN结的VF,后继续器件保持工作状态,依次循环;
根据所确认的器件K系数,结合器件起始低结温点以及结束高结温点分别测量得到的VF,推导出器件工作前后的低结温和高结温,并计算出结温的变化量。
参考点选择试验启始时刻,此时器件的壳温TC、结温TJ与环境温度TA一致,设备通过试验初始时对器件强制风冷30s,通过试验母板上的热电偶测得此时的初始温度TJ0,给受试器件体内二极管施加测量电流10mA,测得受试晶体管发射结的VBE0;末点选择在Δ温度上升到规定温度的加热结束时刻,此时器件的结温TJ与明显高于壳温TC和环境温度TA,加热结束断开的时刻,立即给受试器件体内二极管施加测量电流IM,测得受试晶体管试验进行到第n时刻的正向压降VBEn
相较于现有技术,本发明具有如下的有益效果:本发明根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法是通过在生产上的不断实践优化得出的,通过该方法能够更加准确地、严格地执行间歇试验要求。在间歇寿命试验中,如果直接采用结温变化量控制循环周期,随着器件性能的退化,循环周期会越来越短,无法有效地反映实际使用条件下的工作寿命。使用固定的升温周期,可以将器件的退化引入循环周期,条件更加严格,也更能有效反映器件的工作寿命。随着试验循环次数的增加,器件的性能出现退化,导通电阻增加,恒定功率驱动下的发热功率增大,升温周期的终点结温升高,采用固定的风冷降温周期无法使器件充分降温至初始温度。本发明在试验过程中,通过引入反馈,根据结温变化,修正试验中的降温时间,可以更合理的考察器件的可靠性以及试验条件同国军标要求的符合性。本发明的试验方法能够更加严格地模拟元器件间歇工作状态,更加准确地达到间歇寿命试验要求。
附图说明
图1本发明根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明。
本发明试验过程中结温监测的实现方法包括以下内容:
本方法需要在试验过程中在线测量结温,结温的测量对试验进程的影响应当尽量降低。与壳温测量相比,结温测量无法通过热电偶等外部手段直接进行,在本发明的实施过程中,需要使用通过监测温敏电参数的变化间接测量结温。
对于具体器件温敏电参数与结温的关系,需要在试验开始前在试验涉及的温度范围内,施加一定的电应力对相应的电参数进行多次测量,经过插值拟合建立对应的统计数学模型。
在试验进程中,通过以窄脉冲的形式施加测试激励,监测温敏电参数的变化,通过对应的数学模型,间接测量受试器件的结温变化。测试激励使用的窄脉冲,在时间上要尽可能的短,功率上尽可能的小,降低测量过程引入的额外温度变化。
在具体实施中,可以通过计算K系数、测量VF实现结温测量。
使用温度可调可控的油浴箱作为试验环境,将器件放置在油浴箱里并连接好试验线路。开始试验时先将油浴环境加热到125℃,间隔5℃,设置温度控制点,在各个温度点通过对器件PN结施加正向电流(小电流)对器件VF进行测量,由于该小电流对器件结温影响较油浴环境对器件结温影响小,基本可以忽略,所以器件结温等同于油浴环境温度,即TJ=TA
根据选择的不同温度控制点的VF测量值和TA值即可计算出K系数。
确认K系数后,即可根据不同TJ下的VF测量值得出TJ值。
通过监测温敏电参数的变化间接测量结温的方法称为温敏参数法。在间歇工作寿命试验过程中,对器件结温的测量可以借助测量体内二极管电压降的变化实现,器件体内二极管压降VF与结温的线性关系如式(1),通过实时测量VF得到TJ。可选择在器件每个循环的起始(低结温)和结束(高结温)时分别测量VF。短暂断开器件工作状态,给器件PN结快速施加正向小电流(不会影响器件结温),并检测PN结的VF,后继续器件工作状态,依次循环。
根据确认的器件K系数,结合器件起始(低结温)和结束(高结温)时分别测量VF,即可推导出器件工作前后的低结温和高结温,并计算出结温变化量。
Figure BDA0002454047780000051
式中,TJn为试验进行到第n时刻的结温;VBEn为试验进行到第n时刻的正向压降;TJ0为参考点的结温,通常选试验启始时刻,温度为常温;VBE0为参考点的正向压降;
K为发射结正向压降VBE的温度系数,试验设备通过程序编辑输入该批器件的K系数(结温与VSD的一次函数图像,该图像的斜率的倒数(单位为℃/mV))。
参考点选择试验启始时刻,此时器件的TC,TJ与TA基本一致,设备通过试验初始时对器件强制风冷30s,通过试验母板上的热电偶测得此时的初始温度TJ0,给受试器件体内二极管施加测量电流10mA,即可测得受试晶体管发射结的VBE0。末点选择在Δ温度上升到规定的温度的加热结束时刻,此时器件的TJ与明显高于TC和TA,加热结束断开的那一刻,立即给受试器件体内二极管施加测量电流IM,即可测得受试晶体管发射结的VBEn
参见图1,本发明通过监测结温修正降温时间的控制方法包括以下步骤:
1)在间歇寿命试验中,若直接采用结温变化量控制循环周期,随着器件性能的退化,循环周期会越来越短,无法有效地反映实际使用条件下的工作寿命。使用固定的升温周期,可以将器件的退化引入循环周期,条件更加严格,也更能有效反映器件的工作寿命。
2)抽选样品进行预试验,确定受试器件升温过程施加的驱动功率,施加功率使器件结温升高,升温期间以一定频率施加采样窄脉冲,监测器结温变化,确定器件在驱动功率下达到试验要求结温变化量的升温时间。达到试验要求结温变化量后停止施加驱动功率,强迫风冷为器件降温,以一定频率施加采样窄脉冲,监测器结温变化,记录结温降至初始温度的时间。
3)初始状态下,环境温度、壳温、结温达到热平衡,外部测量壳温作为试验初始温度。
4)在试验进程中采用预试验测定的升温时间作为循环周期的升温周期,在升温周期中持续施加恒定驱动功率,使器件结温上升。升温周期结束后,停止施加驱动功率,使用窄脉冲激励测量器件终点结温,以预试验测定的降温时间作为降温周期,施加强迫风冷使器件降温。
5)随着试验循环次数的增加,器件的性能出现退化,导通电阻增加,恒定功率驱动下的发热功率增大,升温周期的终点结温升高,采用固定的风冷降温周期无法使器件充分降温至初始温度。在风冷降温周期结束后,使用窄脉冲激励测量结温,如果结温达到初始温度,开始下一次功率循环;如果结温未达到初始温度,则继续进行二次降温周期;在二次降温周期中,以一定频率施加采样窄脉冲,监测器结温变化,结温降至初始温度时结束二次降温周期。下一个循环周期以上一循环周期的降温周期和二次降温周期时间之和作为新的降温周期。
以上所述仅仅是本发明的较佳实施例,并不用以对本发明的技术方案进行任何限制,本领域技术人员应当理解的是,在不脱离本发明精神和原则的前提下,该技术方案还可以进行若干简单的修改和替换,这些显而易见的修改和替换也均属于权利要求书涵盖的保护范围。

Claims (5)

1.一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)抽选样品进行预试验,确定受试器件升温过程施加的驱动功率,施加功率使器件结温升高,升温期间施加采样窄脉冲,监测器件的结温变化,确定具体器件在驱动功率下达到试验要求的结温变化量的升温时间;达到试验要求的结温变化量后停止施加驱动功率,强迫器件降温,降温期间施加采样窄脉冲,监测器件的结温变化,记录结温降至初始温度的时间;
2)在试验进程中采用预试验测定的升温时间作为循环周期的升温周期,在升温周期中持续施加恒定驱动功率,使器件结温上升;升温周期结束后,停止施加驱动功率,使用窄脉冲激励测量器件终点结温,以预试验测定的降温时间作为降温周期,使器件降温;
3)在降温周期结束后,使用窄脉冲激励测量结温,如果结温达到初始温度,开始下一次功率循环;如果结温未达到初始温度,则继续进行二次降温周期;在二次降温周期中,施加采样窄脉冲,监测器件的结温变化,结温降至初始温度时结束二次降温周期,下一个循环周期等于上一循环周期的降温周期和二次降温周期的时间之和,开始下一次功率循环;
试验初始状态下,环境温度、壳温、结温达到热平衡,外部测量壳温作为试验初始温度;
通过监测温敏电参数的变化间接测量器件的结温;
确定器件温敏电参数与结温的关系时,在试验开始前在试验涉及的温度范围内,施加测试激励,对相应的温敏电参数进行多次测量,经过插值拟合建立对应的统计数学模型。
2.根据权利要求1所述根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法,其特征在于:
器件降温的方式为施加风冷。
3.根据权利要求1所述根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法,其特征在于:
通过计算K系数、测量器件体内二极管压降VF实现结温测量,具体的:
使用温度可调可控的油浴箱作为试验环境,将器件放置在油浴箱里并连接好试验线路;开始试验时先将油浴环境加热到125℃,间隔5℃,设置温度控制点,在各个温度点通过对器件PN结施加正向电流对器件的VF进行测量,由于该电流对器件结温影响较油浴环境对器件结温影响小,忽略之后器件结温等同于油浴环境温度,即TJ=TA;根据不同温度控制点的VF测量值和TA值计算出K系数,确认K系数后,根据不同TJ下的VF测量值得出TJ值;
器件体内二极管压降VF与结温的线性关系如下式:
Figure FDA0003602268610000021
式中,TJn为试验进行到第n时刻的结温;VBEn为试验进行到第n时刻的正向压降;TJ0为参考点的结温,通常选试验启始时刻,温度为常温;VBE0为参考点的正向压降。
4.根据权利要求3所述根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法,其特征在于:
通过实时测量VF而得到TJ,选择在器件每个循环的起始低结温点以及结束高结温点分别测量VF,短暂断开器件工作状态,给器件PN结快速施加正向电流,正向电流的大小不影响器件结温,并检测PN结的VF,后继续器件保持工作状态,依次循环;
根据所确认的器件K系数,结合器件起始低结温点以及结束高结温点分别测量得到的VF,推导出器件工作前后的低结温和高结温,并计算出结温的变化量。
5.根据权利要求3所述根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法,其特征在于:参考点选择试验启始时刻,此时器件的壳温TC、结温TJ与环境温度TA一致,设备通过试验初始时对器件强制风冷30s,通过试验母板上的热电偶测得此时的初始温度TJ0,给受试器件体内二极管施加测量电流10mA,测得受试晶体管发射结的VBE0;末点选择在Δ温度上升到规定温度的加热结束时刻,此时器件的结温TJ明显高于壳温TC和环境温度TA,加热结束断开的时刻,立即给受试器件体内二极管施加测量电流IM,测得受试晶体管试验进行到第n时刻的正向压降VBEn
CN202010301182.1A 2020-04-16 2020-04-16 一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法 Active CN111487513B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010301182.1A CN111487513B (zh) 2020-04-16 2020-04-16 一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010301182.1A CN111487513B (zh) 2020-04-16 2020-04-16 一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111487513A CN111487513A (zh) 2020-08-04
CN111487513B true CN111487513B (zh) 2022-07-19

Family

ID=71794844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010301182.1A Active CN111487513B (zh) 2020-04-16 2020-04-16 一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111487513B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112731091B (zh) * 2020-12-01 2024-04-23 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) SiC MOSFET功率循环试验方法
WO2022178857A1 (en) * 2021-02-26 2022-09-01 Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. SYSTEM AND METHOD FOR MEASURING INTERMITTENT OPERATING LIFE OF GaN-BASED DEVICE
CN113639694A (zh) * 2021-08-12 2021-11-12 中国人民解放军63837部队 深低温叶尖间隙传感器的循环寿命试验方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107024648A (zh) * 2017-04-17 2017-08-08 东南大学 基于脉冲法的led结温测量装置及方法
CN107861040A (zh) * 2016-09-22 2018-03-30 北京航空航天大学 一种基于仿真建模和短时试验的igbt间歇寿命试验方法
CN108051724A (zh) * 2018-01-09 2018-05-18 深圳市振华微电子有限公司 功率模块间歇工作寿命试验***及方法
CN109342914A (zh) * 2018-10-23 2019-02-15 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) Igbt结温监控方法、装置及计算机设备
CN109861571A (zh) * 2019-02-22 2019-06-07 湖南大学 一种改善SiC逆变器可靠性的驱动方法与***

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010009776B4 (de) * 2010-03-01 2014-01-02 Rittal Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Regeln eines in oder an einem Schaltschrank angebrachten Kühlgerätes
CN103353564B (zh) * 2013-07-08 2015-07-15 工业和信息化部电子第五研究所 间歇寿命试验装置
CN104502827B (zh) * 2014-12-17 2017-09-05 工业和信息化部电子第五研究所 功率器件时控方式间歇寿命试验条件确定及试验方法
CN107192934B (zh) * 2017-05-12 2020-07-28 西安交通大学 一种用于大功率igbt的结壳瞬态热阻抗的测量方法
CN108594102B (zh) * 2018-04-04 2020-05-22 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 逆导型igbt的间歇寿命试验电路和方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107861040A (zh) * 2016-09-22 2018-03-30 北京航空航天大学 一种基于仿真建模和短时试验的igbt间歇寿命试验方法
CN107024648A (zh) * 2017-04-17 2017-08-08 东南大学 基于脉冲法的led结温测量装置及方法
CN108051724A (zh) * 2018-01-09 2018-05-18 深圳市振华微电子有限公司 功率模块间歇工作寿命试验***及方法
CN109342914A (zh) * 2018-10-23 2019-02-15 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) Igbt结温监控方法、装置及计算机设备
CN109861571A (zh) * 2019-02-22 2019-06-07 湖南大学 一种改善SiC逆变器可靠性的驱动方法与***

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Intermittent operating life results for different control strategies;Yuan Chen et al;《2015 16th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT)》;20150903;1382-1385 *
大功率分立器件间歇寿命试验中结温在线监测方法研究;黄东巍等;《电子元器件与信息技术》;20191031;15-20 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111487513A (zh) 2020-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111487513B (zh) 一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法
KR101601363B1 (ko) 파워 사이클 시험을 위한 장치 및 방법
US9618569B2 (en) Method and apparatus for testing IC
CN110456264B (zh) 大功率器件功率循环试验结温监测方法、装置和***
TWI705254B (zh) 電子零件處理裝置以及電子零件測試裝置
Bein et al. Comparison of two alternative junction temperature setting methods aimed for thermal and optical testing of high power LEDs
CN104502827B (zh) 功率器件时控方式间歇寿命试验条件确定及试验方法
CN108287300B (zh) 一种测量工作状态下的绝缘栅型场效应晶体管结温的方法和装置
CN110118894A (zh) 功耗测量的方法及***
CN114324992A (zh) 一种芯片测试方法、芯片测试设备及***
CN116699352A (zh) 一种功率半导体模块高温反偏测试的测试温度确定方法
US20230266380A1 (en) Methods and devices for testing a device under test using a synchronization signal
CN104076265A (zh) 一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置
CN111999630A (zh) 一种功率器件工作结温的测试方法及***
CN210719450U (zh) 温控电烙铁校准装置
CN111141781B (zh) 一种针对散热器热阻抗的测试方法及***
CN111880583B (zh) 用于决定及控制受测装置的接合面温度的方法
CN113435048B (zh) 半导体器件的寿命评估方法、装置及温度检测平台
US20230417826A1 (en) Electronic component handling apparatus, electronic component testing apparatus, electronic component testing
CN115078868B (zh) 一种老化试验中器件热学参数的测试方法和装置
CN110850259B (zh) 电子部件处理装置及电子部件测试装置
JP7291818B2 (ja) 動的熱特性評価を用いたジャンクション温度セッティング半導体素子の信頼性試験装置および方法
Hanss et al. Combined Accelerated Stress Test with In-Situ Thermal Impedance Monitoring to Access LED Reliability
CN214409192U (zh) 多路结温在线测试***
CN118332819A (zh) 功率器件损耗标定方法和***

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant