CN111463248A - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，包括：衬底；位于该衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括源极、及漏极；位于该薄膜晶体管上的平坦层；贯穿该平坦层的通孔；沉积在该平坦层上和通孔内侧的阳极层，该阳极层在通孔处与该源极电连接；沉积在通孔内和阳极层外侧的填充层；位于该阳极层上的像素定义层，该像素定义层界定出包括该填充层的开口部，该通孔可以使阳极层与源极电连接，该填充层可以避免在像素定义层的开口部打印墨水时出现聚集导致打印不均的问题，同时使像素定义层界定的发光区域面积最大化，从而提高像素开口率。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其设计一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)在诸如液晶显示器(Liquid CrystalDisplay,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)、以及主动矩阵发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示器之类的平面显示装置中用作开关组件。其中，OLED显示面板具有自发光、广视角、发光效率高、功耗低、响应时间块、低温特性好、制造工艺简单、成本低等优点，在显示领域得到广泛的应用，AMOLED是利用TFT驱动控制的OLED。OLED的发光原理为，半导体材料和有机发光材料在电场的驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
随着半导体技术领域中喷墨打印(Ink-jet printing,IJP)技术的发展，采用IJP制作OLED显示面板是实现低成本和高质量的最有效途径。在IJP OLED面板设计中，像素发光区对像素区域内地形平坦度有较高要求，在传统的像素设计中，需要设置开孔使OLED的阳极与TFT的源极连接，而平坦层(Plain,PLN)较厚，开孔后该区域存在较高的段差，打印过程中墨水会在该区域出现聚集，导致墨水分布均匀性差，使像素结构的平坦度降低，影响发光的均匀性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，通过喷墨打印填充层以提高阵列基板的平坦度，使发光功能层发光均匀，而且使像素定义层界定的发光区域面积最大化，从而提高像素开口率。
一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括：
衬底；
位于所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、及漏极；
位于所述薄膜晶体管上的平坦层；
贯穿所述平坦层的通孔；
沉积在所述平坦层上和所述通孔内侧的阳极层，所述阳极层在所述通孔处与所述源极电连接；
沉积在所述通孔内和阳极层外侧的填充层；
位于所述阳极层上的像素定义层，所述像素定义层界定出包括所述填充层的开口部。
进一步优选的，所述填充层为纳米银材料。
进一步优选的，所述填充层的上表面与所述阳极层水平。
进一步优选的，还包括沉积在所述开口部的发光功能层。
进一步优选的，还包括与所述源极电连接的源极层,且由所述源极层连接所述阳极层,所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管与所述源极层。
进一步优选的，还包括：
位于所述衬底上的遮光层；
覆盖于所述衬底和所述遮光层上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的有源层；
位于所述有源层上的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层上的栅极层；
覆盖于所述有源层、栅极绝缘层、栅极层、及缓冲层的中间层。
另一方面，本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、及漏极；
在所述薄膜晶体管上形成平坦层；
形成贯穿所述平坦层的通孔；
在所述平坦层上和所述通孔内侧沉积阳极层，所述阳极层在所述通孔处与所述源极电连接；
在所述通孔内和阳极层外侧沉积填充层；
在所述阳极层上形成像素定义层，所述像素定义层界定出包括所述填充层的开口部。
进一步优选的，所述在所述通孔内和阳极层外侧沉积填充层，包括：
采用纳米银在所述阳极层外侧对所述通孔进行喷墨打印。
进一步优选的，所述阵列基板的制作方法还包括：
在所述开口部喷墨打印发光功能材料，以形成发光功能层。
再一方面，本发明还提供了一种显示面板，包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明的有益效果是：提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，包括：衬底；位于所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、及漏极；位于所述薄膜晶体管上的平坦层；贯穿所述平坦层的通孔；沉积在所述平坦层上和所述通孔内侧的阳极层，所述阳极层在所述通孔处与所述源极电连接；沉积在所述通孔内和阳极层外侧的填充层；位于所述阳极层上的像素定义层，所述像素定义层界定出包括所述填充层的开口部。通过设置所述通孔，可以使阳极层与源极电连接，所述填充层可以避免在像素定义层的开口部打印墨水时出现聚集导致打印不均的问题，同时使像素定义层界定的发光区域面积最大化，从而提高像素开口率。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本发明实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程示意图；
图3是本发明实施例提供的阵列基板中薄膜晶体管的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，请参阅图1，图1为本发明实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图，该阵列基板100为TFT阵列基板，包括：
衬底10，该衬底10可以为玻璃、金属、塑料基板；
位于所述衬底10上的薄膜晶体管11，该薄膜晶体管11包括源极110和漏极111；
位于薄膜晶体管11上的平坦层12，该平坦层12覆盖薄膜晶体管11，可以为氮化硅、氧化硅等无机绝缘材料，也可以为有机绝缘材料，该有机材料包括但不限于聚甲基丙烯酸甲酯和硅氧烷；
贯穿该平坦层12的通孔13；
沉积在平坦层12上和通孔13内侧的阳极层14，该阳极层14在通孔13处与该源极110电连接，该阳极层14可以为金属导电氧化物；
沉积在通孔13内和阳极层14外侧的填充层15；
位于阳极层14上的像素定义层16，该像素定义层16界定出包括填充层15的开口部17，该像素定义层16可以为氮化硅等绝缘材料。
其中，该阵列基板100还包括沉积在该开口部17内的发光功能层(图中未示出)，该发光功能层可以包括：传输空穴层、发光材料层、传输电子层，该发光功能层的上方还可以包括公用阴极层。
优选的，该填充层15可以为纳米银材料，导电性好，可以将阳极层14与薄膜晶体管11的源极110电连接。填充后，该填充层15的上表面与阳极层14的上表面水平，可以提高阳极层14的平坦度，有利于均匀沉积发光材料。
在本实施例中，该TFT阵列基板100还包括：位于衬底10上的遮光层101；覆盖于衬底10和遮光层101上的缓冲层102；位于缓冲层102上的有源层103，位于有源层103上的栅极绝缘层104；位于栅极绝缘层上的栅极层105；覆盖有源层103、栅极绝缘层104、栅极层105和缓冲层102的中间层106。
其中，该缓冲层102为由SiOx、SiNx、SiNO中的一种制备而成的单层结构，或者由SiNx/SiOx制备而成的叠层结构，有源层103采用铟镓锌氧化物或低温多晶硅制备而成，该栅极绝缘层104和中间层106都可以采用无机材料制备而成，该无机材料为SiOx、SiNx、SiNO中的一种，栅极层105可以为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金材料中的一种。
在本实施例中，该阵列基板100还可以包括与源极110电连接的源极层112，且该源极层112与阳极层14连接，以实现阳极层14与源极110的电连接。在变形实施例中,阳极层14可以与源极110直接电连接,而不用经由源极层112。
本发明实施例提供的阵列基板包括：贯穿平坦层12的通孔13，沉积在平坦层12上和通孔13内侧的阳极层14，沉积在通孔13内和阳极层14外侧的填充层15，以及位于阳极层14上的像素定义层16，开设通孔13并在其内侧沉积阳极层14，可以使阳极层14与源极110电连接，在通孔13内的阳极层14外侧沉积填充层15，可以避免在像素定义层16的开口部17打印墨水时出现聚集导致打印不均的问题，同时使像素定义层16界定的发光区域面积最大化，从而提高像素开口率。
本发明实施例还提供一种上述阵列基板100的制作方法，请参阅图2，将结合图1中的阵列基板100的结构进一步说明其制作方法，图2显示出该阵列基板的制作方法的流程示意图，该方法包括：
步骤S1：提供衬底。
在本实施例中，可以使用耐高温的石英玻璃作为基板。
步骤S2：在该衬底上形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括源极、及漏极。
在本实施例中，请参阅图3，薄膜晶体管11的制作过程包括以下步骤：
S21：在衬底上沉积遮光层。
在本实施例中，在衬底10上沉积遮光层101，该遮光层101为金属层。
S22：形成覆盖于该衬底和遮光层上的缓冲层。
在本实施例中，形成覆盖于衬底10和遮光层101上的缓冲层102，可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)依次沉积一层氮化硅和一层氧化硅，从而得到叠层结构的缓冲层。
S23：在该缓冲层上形成有源层。
在本实施例中，在缓冲层102上形成有源层103，可以通过物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition,PVD)在缓冲层102上沉积金属导电氧化物，该氧化物包括铟镓锌氧化物或者铝镓锡氧化物。
S24：在该有源层上形成栅极绝缘层。
在本实施例中，在有源层103上形成栅极绝缘层104，具体地，通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)沉积栅极绝缘层104，可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，例如SiOx或SiNx材料，反应气体可以采用SiH4、HN3、N2的混合气体。
S25：在该有源层上设置源极和漏极。
在本实施例中，在有源层103上设置源极110和漏极111。
S26：在该栅极绝缘层上形成栅极。
在本实施例中，在栅极绝缘层104上形成栅极105，可以采用PVD法沉积金属，比如Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金材料，然后通过涂覆光刻胶、曝光、显影和刻蚀等工艺的构图得到栅极105。
S27：形成覆盖该有源层、栅极绝缘层、栅极层和缓冲层的中间层。
在本实施例中，形成覆盖有源层103、栅极绝缘层104、栅极层105和缓冲层102的中间层106，可以通过CVD法在上方涂抹一层氮化硅作为中间层。
步骤S3：在该薄膜晶体管上形成平坦层。
平坦层12可以采用CVD形成，也可以采用喷墨打印的方法形成，其中，CVD具体为，在薄膜晶体管的上方涂抹并覆盖一层氮化硅形成无机钝化层，并继续通过CVD在无机钝化层的上方涂抹并覆盖一层聚甲基丙烯酸甲酯形成有机平坦层，该平坦层的厚度为2至5微米。
步骤S4：形成贯穿该平坦层的通孔。
在本实施例中，可以通过光刻工艺形成光刻图案，然后采用干法刻蚀工艺在平坦层12中形成通孔13，刻蚀气体包括SF6、Cl2、CF4、Ar和NF3等。
步骤S5：在该平坦层上和该通孔内侧沉积阳极层，该阳极层在该通孔处与该源极电连接。
优选的，可以通过PVD在平坦层12上和通孔13的内侧沉积一层金属导电氧化物，比如ITO/Ag/ITO，以形成阳极层14，该阳极层14在通孔13处与源极110实现电连接。
进一步优选的，可以通过在源极110的右侧延伸形成位于中间层106上的源极层112，该源极层112可以实现阳极层14和源极110的电连接。在变形实施例中,阳极层14可以与源极110直接电连接,而不用经由源极层112。
步骤S6：在通孔内和阳极层外侧沉积填充层。
在本实施例中，沉积阳极层14后，对通孔13进行填充，可以采用纳米银在阳极层14外侧对通孔13进行喷墨打印，使该填充层15的上表面与阳极层14水平，可以提高阳极层14的平坦度，有利于均匀沉积发光材料。
步骤S7：在阳极层上形成像素定义层，该像素定义层界定出包括该填充层的开口部。
在本实施例中，先在该阳极层14上方通过CVD覆盖一层氮化硅，然后通过涂覆光刻胶、曝光、显影和刻蚀等工艺可以形成像素定义层16和开口部17，该开口部17对应该阵列基板的发光区域。
在本实施例中，该阵列基板的制作方法还可以包括：
在开口部17喷墨打印发光功能材料，以形成发光功能层。
本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，包括：提供衬底10；在该衬底10上形成薄膜晶体管11，该薄膜晶体管11包括源极110、及漏极111；在该薄膜晶体管11上形成平坦层12；形成贯穿该平坦层12的通孔13；在该平坦层12上和该通孔13内侧沉积阳极层14，该阳极层14在该通孔13处与该源极110电连接；在通孔13内和阳极层14外侧沉积填充层15；在阳极层14上形成像素定义层16，该像素定义层16界定出包括填充层15的开口部17，通过开设通孔13并填充可以使阳极层14与源极110电连接，避免在像素定义层16的开口部17打印墨水时出现聚集导致打印不均的问题，同时使像素定义层16界定的发光区域面积最大化，从而提高像素开口率。
本发明实施例另提供了一种包括上述阵列基板100的显示面板，该显示面板可以为OLED显示面板，且可以应用于移动终端、电子设备等。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、及漏极；
位于所述薄膜晶体管上的平坦层；
贯穿所述平坦层的通孔；
沉积在所述平坦层上和所述通孔内侧的阳极层，所述阳极层在所述通孔处与所述源极电连接；
沉积在所述通孔内和阳极层外侧的填充层；
位于所述阳极层上的像素定义层，所述像素定义层界定出包括所述填充层的开口部。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述填充层为纳米银材料。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述填充层的上表面与所述阳极层水平。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括沉积在所述开口部的发光功能层。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括与所述源极电连接的源极层,且由所述源极层连接所述阳极层,所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管与所述源极层。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
位于所述衬底上的遮光层；
覆盖于所述衬底和所述遮光层上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的有源层；
位于所述有源层上的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层上的栅极层；
覆盖于所述有源层、栅极绝缘层、栅极层、及缓冲层的中间层。
7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、及漏极；
在所述薄膜晶体管上形成平坦层；
形成贯穿所述平坦层的通孔；
在所述平坦层上和所述通孔内侧沉积阳极层，所述阳极层在所述通孔处与所述源极电连接；
在所述通孔内和阳极层外侧沉积填充层；
在所述阳极层上形成像素定义层，所述像素定义层界定出包括所述填充层的开口部。
8.如权利要求7所述阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述通孔内和阳极层外侧沉积填充层，包括：
采用纳米银在所述阳极层外侧对所述通孔进行喷墨打印。
9.如权利要求7所述阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法还包括：
在所述开口部喷墨打印发光功能材料，以形成发光功能层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
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