CN111432049B - 一种移动终端外壳及移动终端 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种移动终端外壳及移动终端，该外壳包括一个壳体，该壳体为金属壳体，并且在该壳体上割裂出至少一个缝隙，在该缝隙中填充有非导电无机非金属材质层。此外，该壳体还包括贴附的膜层，该膜层包括层叠设置在所述壳体上的至少两层层结构，其中，最靠近所述壳体的一层层结构为打底层，最远离所述壳体的一层层结构为表面层；所述至少两层层结构均为绝缘层，且所述至少两层层结构中的至少一个层结构为非氧化物层。通过采用绝缘层来制作膜层，从而改善膜层的电磁信号穿透效果，同时提高膜层对移动终端外壳的美观效果。

Description

一种移动终端外壳及移动终端
技术领域
本申请涉及到移动终端技术领域，尤其涉及到一种移动终端外壳及移动终端。
背景技术
目前手机中框或边框的发展，主要是金属结构件为主，如钛不锈钢和铝、等，用来支撑手机的强度和刚度。但是在采用金属外壳时，当前的金属材料都有电磁屏蔽的作用，手机天线电磁信号难以通过，必须在完整的金属中框或边框上开一道缝以使天线电磁信号通过。为了提高手机的美观效果，在移动终端的外壳上涂覆一层薄膜，以改善移动终端手机的外观效果，但是现有技术中涂覆到外壳上的膜层的电磁信号穿透效果比较差。
发明内容
本申请提供了一种移动终端外壳及移动终端，用以提高移动终端的外壳的电磁信号穿透效果。
第一方面，提供了一种移动终端外壳，该外壳包括一个壳体，该壳体为金属壳体，并且在该壳体上割裂出至少一个缝隙，在该缝隙中填充有非导电无机非金属材质层。此外，该壳体还包括贴附的膜层，该膜层包括层叠设置在所述壳体上的至少两层层结构，其中，最靠近所述壳体的一层层结构为打底层，最远离所述壳体的一层层结构为表面层；为了改善屏蔽效果，在设置时，所述至少两层层结构均为绝缘层，且所述至少两层层结构中的至少一个层结构为非氧化物层。其中，上述绝缘层可以为单一材质的绝缘层，也可以为混合物组成的绝缘层。通过采用绝缘层来制作膜层，从而改善膜层的电磁信号穿透效果，同时提高膜层对移动终端外壳的美观效果。
在具体设置该打底层时，可以采用不同的材质制备，如所述打底层为绝缘的金属化合物层或金属及该金属的绝缘化合物组成的混合层，或所述打底层为半导体层。在采用金属氧化物时，可以采用氧化锆或者其他的氧化物。在采用混合层时，可以为金属锆及其金属锆的氧化物。
在具体设置该打底层时，该打底层可以通过采用溅射或者离子镀的方式形成在壳体上。
在具体制备该膜层时，所述膜层还包括设置在所述打底层及所述表面层之间的中间层。
在具体设置中间层及表面层时，所述中间层及所述表面层为金属氧化物、金属碳化物、金属氮化物中的一种或者至少两种的混合层。通过不同的材质形成中间层及表面层。
在具体设置上述各层时，所述打底层、中间层及表面层中至少一层为非透明的绝缘层。从而形成非透明的膜层。
在具体设置上述各层时，所述金属化合物、金属氧化物、金属碳化物、金属氮化物中的金属原子与非金属原子的配比符合化合的原子配比，且误差不大于10％。
在具体制备该打底层时，所述混合层的厚度小于200纳米。从而更进一步的改善膜层的电磁信号通过效果。
在具体制备中间层时，所述中间层至少为一层，且在所述中间层为至少两层时，至少两层中间层层叠设置。
在具体制备该膜层时，除上述的几层外，该膜层还可以包括类金刚石层，且所述类金刚石层设置在所述表面层背离所述打底层的一面。
在具体制备该类金刚石层时，所述类金刚石层中的SP3键含量不低于30％。
在具体制备该膜层时，该膜层还包括设置在所述表面层背离所述打底层一面的抗***层。改善在膜层上留下指纹的情况。
在具体制备上述打底层、中间层及表面层时，各层的电阻值不低于105Ω。保证了各层的绝缘效果。
在具体设置时，打底层、中间层和表面层之间，在50nm范围内可能会存在一定的混合区，此混合区不影响各层之间的独立性。
第二方面，提供了一种移动终端，该移动终端包括上述任一项所述的移动终端外壳，以及设置在所述移动终端外壳的显示屏。通过采用绝缘层来制作膜层，从而改善膜层的屏蔽效果，同时提高膜层对移动终端外壳的美观效果。
附图说明
图1为本申请实施例的提供的移动终端外壳的层结构示意图；
图2为本申请实施例的提供的移动终端外壳的另一种层结构示意图；
图3为本申请实施例的提供的移动终端外壳的另一种层结构示意图；
图4为本申请实施例的提供的移动终端外壳的另一种层结构示意图；
图5为本申请实施例的提供的移动终端外壳的另一种层结构示意图；
图6为本申请实施例的提供的移动终端外壳的另一种层结构示意图；
图7为本申请实施例的提供的移动终端外壳的另一种层结构示意图；
图8为本申请实施例的提供的移动终端外壳的另一种层结构示意图；
图9为本申请实施例的提供的移动终端外壳的另一种层结构示意图；
图10为本申请实施例提供的移动终端的结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。
为了方便理解本申请实施例提供的移动终端外壳，下面说明一下其应用场景，该移动终端外壳应用于移动终端上，如手机、平板电脑、手表或手环上。并且在移动终端中，该移动终端壳体的一部分用于作为移动终端的天线的辐射体来使用。因此，该移动终端外壳的壳体采用金属壳体，并且在金属壳体上开设有至少一个缝隙。为了保证壳体的完整性，在壳体内填充有绝缘物质。并且为了保证该移动终端外壳的完整性以及美观效果，在壳体的外表面贴附了一个膜层，以改善该移动终端外观效果，但在设置该膜层时，应保证该膜层的电磁信号的穿透效果。
在具体设置该壳体时，该壳体及填充的材质可以采用不同的材质，如金属壳体采用不锈钢、钛合金、非晶合金、铝合金，镁合金，锌合金或者在这些合金表面上的单质或合金涂层而成的壳体，填充在缝隙中的绝缘材质可以选择氧化锆陶瓷、氧化铝陶瓷、蓝宝石、玻璃等材质或者通过其他方式形成的无机非金属涂层。
如图1所示，在设置该膜层时，该膜层包括层叠设置在壳体上的至少两层层结构，其中，最靠近壳体的一层层结构为打底层20，最远离壳体的一层层结构为表面层40；至少两层层结构均为绝缘层，且至少两层层结构中的至少一个层结构为非氧化物层。在设置时，打底层20设置在壳体上并覆盖该壳体以及填充在缝隙中的绝缘材质10。在设置表面层40时，该表面层40覆盖在打底层20上。上述打底层20及表面层40在设置时，均采用绝缘层以保证整个膜层的绝缘效果，在本申请中，绝缘层可以为单一材质的绝缘层，也可以为混合物组成的绝缘层。但无论采用那种，均需保证打底层20与表面层40的电阻值不低于105Ω，以保证各层的绝缘效果，从而使得整个膜层整体绝缘，以保证电磁信号的穿透性。当然，在设置膜层时，还可在打底层20与表面层40之间增加中间层30，该中间层30也采用绝缘材质10制备而成的绝缘层，其电阻值也不低于105Ω。当然还可以根据需要增加一些特殊功能的层结构。
在具体制备各层时，可以采用绝缘的金属化合物制备而成，如金属氧化物或者其他材质制备而成，如金属氮化物、金属碳化物或者还可以采用混合物质组合而成，如：金属及其氧化物、金属氧化物与金属氮化物的混合物，金属氧化物与金属碳化物的混合物等不同的混合材质制备而成。在采用混合物时，该混合物中各物质的比例在此不做限定，可根据实际的需要进行配比进行混合，只需要能够保证形成的混合层的电阻值不低于105Ω，保证绝缘效果即可。
为了方便理解本申请实施例提供的上述膜层，下面结合附图对其进行详细的说明。
如图1及图2所示，在图1及图2所示的结构中仅仅示出了膜层覆盖壳体缝隙中填充的绝缘材质10的部分。在填充缝隙时，可以选择17-4不锈钢和氧化锆组成的无缝材料，即由17-4和氧化锆组成的混合物组成，并且在本申请实施例中，不限定混合物的混合比例，可以根据实际的需要选择不同比例上述两种物质进行混合。或者还可以采用氧化锆陶瓷作为填充缝隙的材质。
在设置打底层20时，该打底层20采用绝缘层，该绝缘层为绝缘的金属化合物层或者金书及该金属的绝缘化合物组成的混合层，如采用混合层时，该混合层包括但不限定金属及其氧化物、金属及其碳化物、金属及其氮化物等材质。在图1所示的结构中，采用金属锆及氧化锆作为打底层20。在具体制备时，(1)采用PVD工艺，并选择锆作为靶材。其中，PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)是用物理的方法(如溅射)使镀膜材料气化，在基体表面沉积成膜的方法。除传统的溅射沉积技术外，还包括近30多年来蓬勃发展起来的各种离子束沉积，离子镀和离子束辅助沉积技术。其沉积类型包括:磁控溅射、离子镀等，或者其他气相沉积的方法，如化学气相沉积。
(2)开炉洗靶半小时，去除靶表面的氧化物等杂质，同时洁净炉内真空，减少气体杂质。
(3)开启锆靶、并同时开启氧气，时间为3分钟，最终形成超薄层氧化锆和不连续的锆金属的混合物层。在形成锆氧化物时，形成的锆氧化物中的锆原子与氧原子的原子配比为：1:1.9～1:2.1之间。在具体制备时，可以根据需要进行调节，如形成的氧化物中的锆原子与氧原子之间的原子配比为：1:1.9、1:2、1:2.1等任意介于1:1.9～1:2.1之间的比例。在具体形成上述比例时，通过控制锆原子与氧原子喷入时的比例来形成的，并且在形成时直接形成金属锆以及金属锆的氧化物，从而形成不连续的金属锆以及氧化锆。并且在形成的金属锆与氧化锆之间的比例可以根据需要进行调节，在本申请中对此不进行限定。
当然上述原子配比的比例仅为一个具体的示例，在采用其他金属时，形成的氧化物的原子配比也不同，如在采用氧化铝时，金属原子与氧原子的原子配比为1:1.4～1:1.6之间，采用氧化锌时，金属原子与氧原子的原子配比介于1:0.98～1:1.1之间。但是无论采用那种金属氧化物或者金属碳化物、金属氮化物等包含金属原子的绝缘的化合物时，金属原子与非金属原子的原子配比符合化合的原子配比，且误差小于10％。
继续参考图1，在本申请实施例提供的打底层20中，形成的超薄层氧化锆和不连续的锆金属的混合物层中，该超薄指的是厚度小于200纳米。即本申请实施例提供的打底层20的厚度低于200纳米，如190纳米、150纳米、100纳米、50纳米等不同的厚度，从而避免在形成锆金属时出现连续的情况，更进一步的改善膜层的电磁信号通过效果。
继续参考图1及图2，由图1及图2可以看出，在制备的膜层中包含中间层30，该中间层30可以为金属氧化物、金属碳化物、金属氮化物中的一种或者至少两种的混合层，且层数至少为一层，且在为至少两层时，至少两层中间层层叠设置。如图1及图2中所示的中间层30均为两层。但是在本申请实施例提供的中间层30不仅限于两层，还可以为一层、三层、四层等不同的层数，当然也可以没有中间层30。继续参考图1及图2，中间层30包括层叠设置的氧化物层、氧化物与碳化物的混合层或氧化物与氮化物的混合层，且氧化物层设置在打底层20上。以图1及图2为例，说明一下本申请实施例提供的中间层30。
为了方便描述，将图1及图2所示的中间层30分别命名为第一中间层32及第二中间层31，其中，第一中间层32覆盖在打底层20上，第二中间层31覆盖在第一中间层32上，并介于第一中间层32与表面层40之间。在具体制备第一中间层32时，该第一中间层32为氧化锆层，在制备完打底层20后，加大氧气含量，形成最终原子配比接近1：1.9～1：2.1的氧化锆绝缘膜。通过上述制备过程可以看出，在制备打底层20及第一中间层32时，可以连续制备，通过控制氧气的加入量可以形成金属锆与锆氧化物的混合层(打底层20)，之后增大氧气的含量，形成氧化锆层(第一中间层32)，通过连续制备，增加了第一中间层32与打底层20之间连接的效果。
在制备完第一中间层32后，开始制备第二中间层31，该第二中间层31为采用的绝缘层，该绝缘层为氧化锆与碳化锆的混合物，在制备时，首先开启乙炔气体，提供碳原子，并且最终形成原子配比1：1.9～1：2.1的氧化锆、和形成原子配比接近1：1的碳化锆，最终形成的是这两种材料的混合物。在形成上述混合物时，通过控制加入的锆原子、氧原子及碳原子的配比进行控制。且形成的氧化锆与碳化锆的比例在本申请实施例中不进行限定，可以根据实际的需要选择不同的比例。
在形成表面层40时，该表面层40覆盖第二中间层31，该表面层40可以为金属氧化物层、金属氮化物层或金属氮化物层。如氧化锆、碳化锆或氮化锆等。在图1所示的结构中，该表面层40为碳化锆层。在具体制备时，关闭氧化、加大乙炔含量，最终形成原子配比接近1：1的碳化锆层。如1：0.9、1：1、1：1.2等不同的比例的碳化锆。
由上述描述可以看出，在本申请实施例提供的上述膜层的各层在制备时，通过采用连续制备的方式形成各层，因此，在各层之间，会存在一些纳米级别的相邻层之间的混合状态，也在本申请实施例的保护范围之内，如在50nm范围内可能会存在一定的混合区，如打底层20与第一中间层32之间存在打底层20物质与第一中间层32物质的混合状态，第一中间层32与第二中间层31之间存在第一中间层32物质与第二中间层31物质之间的混合状态等不同的情况，此混合区不影响各层之间的独立性。
在制备的上述的打底层20、中间层30及表面层40中，至少一层为非透明的绝缘层。如采用打底层20为非透明的、或者中间层30(第一中间层32或第二中间层31)为非透明的，或者表面层40为非透明的。当然还可以采用两层或者多层均为非透明的层结构，在具体设置时，可以根据实际的需要进行设定。
此外，在制备完表面层40后，在本申请实施例提供的膜层中，还可以包含其他的膜层，如图2中所示，该膜层还可以包括类金刚石层50，且类金刚石层50设置在表面层40背离打底层20的一面。在具体制备时，在表面层40形成类金刚石层50。并且在具体制备该类金刚石层50时，该类金刚石层50中的SP3键含量不低于30％。
当然除了上述膜层外，该膜层还包括设置在表面层40背离打底层20一面的抗***层，以改善在膜层上留下指纹的情况。该抗***层可以采用现有技术中已知的材质制备的抗***层，如AF膜，AF膜可以通过蒸发或磁控溅射镀膜的方式形成。且在具体制备该抗***层时，当包含类金刚石层50时，该抗***层制备在了该类金刚石层50背离打底层20的一面。
一并参考图1及图2，由图1及图2可以看出，该膜层最终形成：(1)打底层20：超薄层氧化锆和不连续的锆金属的混合物层；(2)第一中间层32：原子配比接近1：2的氧化锆绝缘膜；(3)第二中间层31：原子配比接近1：2的氧化锆、和形成原子配比接近1：1的碳化锆，最终形成的是这两种材料的混合物；(4)表面层40为原子配比接近1：1的碳化锆，(5)形成在碳化锆基础上的类金刚石层50。
在形成该膜层时，相对于现有技术，膜层的各个层结构均采用绝缘材质10，且电阻值均不低于105Ω，实现整个膜层体系的绝缘，提高了透电磁波的效果。
一并参考图3及图4，其中，该壳体中的缝隙中填充的绝缘材质10可以选择钛合金和氧化铝组成的绝缘材质10，即由钛合金和氧化铝组成的混合物组成。也可以单独以氧化铝陶瓷作为绝缘材质10。
对于图3及图4示出的膜层结构，其与图1及图2的层结构类似，也包含打底层20、中间层30及表面层40等结构。其区别在于制备的材质不同。下面结合图3及图4分别进行说明。
继续参考图3，该打底层20采用氧化物层作为打底层20，如氧化锆。在制备时，采用PVD工艺选择锆作为靶材。开炉洗靶半小时，去除靶表面的氧化物等杂质，同时洁净炉内真空，减少气体杂质。开启锆靶、并同时开启氧气，并加大氧气含量，形成最终原子配比接近1：1.9～1:2.1的氧化锆绝缘膜。如形成的氧化物中的锆原子与氧原子之间的原子配比为：1:1.9、1:2、1:2.1等任意介于1:1.9～1:2.1之间的比例。在具体形成上述比例时，通过控制锆原子与氧原子喷入时的比例来形成的，并且在形成时直接形成金属锆的氧化物。
继续参考图3，在本申请实施例提供的打底层20的厚度低于200纳米，如190纳米、150纳米、100纳米、50纳米等不同的厚度，以改善膜层的电磁信号通过效果。
在形成中间层30时，该中间层30可以选择不同的层结构，如绝缘层或绝缘层，具体的可以为氧化物层、氧化物与碳化物的混合层或氧化物与氮化物的混合层等。并且在本申请中，打底层20、表面层40及中间层30中至少一层为非氧化物层。因此，在设置中间层30时，如图3中所示，采用了氧化物与碳化物的混合层。在具体制备时，首先开启乙炔气体，提供碳原子，并且最终形成原子配比1：1.9～1：2.1的氧化锆、和形成原子配比接近1：1的碳化锆，最终形成的是这两种材料的混合物。在形成上述混合物时，通过控制加入的锆原子、氧原子及碳原子的配比进行控制。且形成的氧化锆与碳化锆的比例在本申请实施例中不进行限定，可以根据实际的需要选择不同的比例。
在形成表面层40时，该表面层40覆盖第二中间层31，该表面层40可以为金属氧化物层、金属氮化物层或金属氮化物层。如氧化锆、碳化锆或氮化锆等。在图1所示的结构中，该表面层40为碳化锆层。在具体制备时，关闭氧化、加大乙炔含量，最终形成原子配比接近1：1的碳化锆层。如1：0.9、1：1、1：1.2等不同的比例的碳化锆。
由上述描述可以看出，在本申请实施例提供的上述膜层的各层在制备时，通过采用连续制备的方式形成各层，因此，在各层之间，会存在一些纳米级别的相邻层之间的混合状态，也在本申请实施例的保护范围之内。如打底层20与第一中间层32之间存在打底层20物质与第一中间层32物质的混合状态，第一中间层32与第二中间层31之间存在第一中间层32物质与第二中间层31物质之间的混合状态等不同的情况。
在制备的上述的打底层20、中间层30及表面层40中，至少一层为非透明的绝缘层。如采用打底层20为非透明的、或者中间层30(第一中间层32或第二中间层31)为非透明的，或者表面层40为非透明的。当然还可以采用两层或者多层均为非透明的层结构，在具体设置时，可以根据实际的需要进行设定。
此外，在制备完表面层40后，在本申请实施例提供的膜层中，还可以包含其他的膜层，如图4中所示，该膜层还可以包括类金刚石层50，且类金刚石层50设置在表面层40背离打底层20的一面。在具体制备时，在表面层40形成类金刚石层50。并且在具体制备该类金刚石层50时，该类金刚石层50中的SP3键含量不低于30％。
当然除了上述膜层外，该膜层还包括设置在表面层40背离打底层20一面的抗***层，以改善在膜层上留下指纹的情况。该抗***层可以采用现有技术中已知的材质制备的抗***层，如AF膜。且在具体制备该抗***层时，当包含类金刚石层50时，该抗***层制备在了该类金刚石层50背离打底层20的一面。
一并参考图3及图4，由图3及图4可以看出，该膜层最终形成：(1)打底层20：原子配比接近1：2的氧化锆绝缘膜；(2)中间层302：原子配比接近1：2的氧化锆、和形成原子配比接近1：1的碳化锆，最终形成的是这两种材料的混合物；(3)表面层40为原子配比接近1：1的碳化锆，或者在碳化锆基础上的类金刚石层50。
参考图5，图5示出了另外的一种膜层。在图5中，该壳体中的缝隙中填充的绝缘材质10可以选择锆基非晶合金和氧化锆组成的无缝材料，即由锆基非晶合金和氧化锆组成的混合物组成。也可以单独以氧化锆陶瓷作为绝缘材质10。
继续参考图5，在图5所示的结构中，打底层20与图1所示的打底层20的结构及制备方式相同，在此不再赘述。唯一的区别在于图5的打底层20采用钛金属材质，即形成的绝缘层为金属钛及钛氧化物的混合物。且钛氧化物的原子配比为：1:1.9～1:2.1之间。在具体制备时，可以根据需要进行调节，如形成的氧化物中的钛原子与氧原子之间的原子配比为：1:1.9、1:2、1:2.1等任意介于1:1.9～1:2.1之间的比例。在具体形成上述比例时，通过控制钛原子与氧原子喷入时的比例来形成的，并且在形成时直接形成金属钛以及金属钛的氧化物，从而形成不连续的金属钛以及氧化钛。并且在形成的金属钛与氧化钛之间的比例可以根据需要进行调节，在本申请中对此不进行限定。
继续参考图5，在制备的中间层30中，包括两个中间层30，分别为第一中间层32及第二中间层31。其制备方式可以参考图1中的制备方式，唯一的区别是形成的为第一中间层32为氧化钛，钛氧化物的原子配比为：1:1.9～1:2.1之间。在具体制备时，可以根据需要进行调节，如形成的氧化物中的钛原子与氧原子之间的原子配比为：1:1.9、1:2、1:2.1等任意介于1:1.9～1:2.1之间的比例。在形成第二中间层31时，该第二金属层采用钛氧化物及钛氮化物的混合物作为第二中间层31。在具体制备时，开启氮气气体，最终形成原子配比接近2：1的氧化钛、和形成原子配比接近1：1的氮化钛，最终形成的是这两种材料的混合物。
在形成表面层40时，该表面层40覆盖第二中间层31，该表面层40可以为金属氧化物层、金属氮化物层或金属氮化物层。如氧化钛、碳化钛或氮化钛等。在图5所示的结构中，该表面层40为氮化钛层。在制备时，关闭氧化、加大氮含量，最终形成原子配比接近1：1的氮化钛层。如1：0.9、1：1、1：1.2等不同的比例的氮化钛层。
同样的，在图5所示的膜层中，也可以增加类金刚石层以及抗指纹层，在此不再赘述。
继续参考图5，该膜层最终形成：(1)打底层20：超薄层氧化钛和不连续的钛金属的混合物层；(2)第一中间层32：原子配比接近2：1的氧化钛绝缘膜；(3)第二中间层31：原子配比接近2：1的氧化钛、和形成原子配比接近1：1的氮化钛，最终形成的是这两种材料的混合物；(4)表面层40为原子配比接近1：1的氮化钛。
参考图6，图6示出了另外的一种膜层，该壳体的缝隙中填充的绝缘材质10可以选择铝合金和蓝宝石组成的无缝材料，即由铝合金和蓝宝石组成的混合物组成的绝缘材质10。也可以单独以蓝宝石作为绝缘材质10。
继续参考图6，该膜层包括打底层20、中间层30及表面层40，其中，该中间层30的个数为1个。
该打底层20采用钛氧化物作为打底层20，其制备凡是可以参考图5中结构对应的制备方式，仅需控制氧气的加入量，最终形成钛氧化物的原子配比为：1:1.9～1:2.1之间。在具体制备时，可以根据需要进行调节，如形成的氧化物中的钛原子与氧原子之间的原子配比为：1:1.9、1:2、1:2.1等任意介于1:1.9～1:2.1之间的比例。
继续参考图6，在形成中间层30时，该中间层30仅为一层，且采用氧化钛与氮化钛的混合物。开启氮气气体，最终形成原子配比接近2：1的氧化钛、和形成原子配比接近1：1的氮化钛，最终形成的是这两种材料的混合物。
在形成表面层40时，该表面层40覆盖中间层30，该表面层40可以为金属氧化物层、金属氮化物层或金属碳化物层。如氧化钛、碳化钛或氮化钛等。在图5所示的结构中，该表面层40为氮化钛层。在制备时，关闭氧化、加大氮含量，最终形成原子配比接近1：1的氮化钛层。如1：0.9、1：1、1：1.2等不同的比例的氮化钛层。
同样的，在图6所示的膜层中，也可以增加类金刚石层以及抗指纹层，在此不再赘述。
继续参考图6，该膜层最终形成：(1)打底层20：原子配比接近2：1的氧化钛绝缘膜；(3)中间层301：原子配比接近2：1的氧化钛、和形成原子配比接近1：1的氮化钛，最终形成的是这两种材料的混合物；(4)表面层40为原子配比接近1：1的氮化钛。
如图7所示，图7示出了另外的一种膜层，该壳体的缝隙中填充的绝缘材质10可以选择17-4不锈钢和氧化锆组成的无缝材料，即由17-4和氧化锆组成的混合物组成的绝缘材质10。(2)单独以氧化锆陶瓷作为绝缘材质10。
继续参考图7，该打底层20采用金属锆与氧化锆的混合物，具体的可以参考图1中的描述，在此不再赘述。
该膜层的中间层30为一层，该中间层30采用氧化物作为中间层30，具体的可以参考图1中的第一中层的材质及制备。
该膜层的表面层40采用氧化物与氮化物的混合物，即氧化锆及氮化锆的混合物，在具体制备时，开启氮气气体，最终形成原子配比接近1：2的氧化锆，如原子配比为：1:1.9、1:2、1:2.1等任意介于1:1.9～1:2.1之间的比例的氧化锆，及形成原子配比接近1：1的氮化锆，如1：0.9、1：1、1：1.2等不同的比例的氮化锆。并且最终形成的是这两种材料的混合物，混合比例在此不做限定。
此外，还可以通过调整增加这两种混合物料厚度、依次可选择沉积红橙黄绿青蓝紫等颜色中的一种，从而形成不同颜色的膜层。
同样的，在图7所示的膜层中，也可以增加类金刚石层以及抗指纹层，在此不再赘述。
继续参考图7，该膜层最终形成：(1)打底层20：超薄层氧化钛和不连续的钛金属的混合物层；(2)中间层301：原子配比接近2：1的氧化钛绝缘膜；(3)表面层40：原子配比接近2：1的氧化钛、和形成原子配比接近1：1的氮化钛，最终形成的是这两种材料的混合物。
参考图8、图8示出了另外的一种膜层，该壳体的缝隙中填充的绝缘材质10可以选择17-4不锈钢和氧化锆组成的无缝材料，即由17-4和氧化锆组成的混合物组成的绝缘材质10。还可以单独以氧化锆陶瓷作为绝缘材质10。
继续参考图8，该膜层包括打底层20及表面层40。其中，打底层20采用氧化锆，在制备时，采用PVD工艺选择锆作为靶材。开炉洗靶半小时，去除靶表面的氧化物等杂质，同时洁净炉内真空，减少气体杂质。开启锆靶、并同时开启氧气，加大氧气含量，形成最终原子配比接近1：2的氧化锆绝缘膜。其中，形成的氧化物中的锆原子与氧原子之间的原子配比为：1:1.9、1:2、1:2.1等任意介于1:1.9～1:2.1之间的比例。
该表面层40采用氮化锆和氧化锆的混合物，在制备时，开启氮气气体，最终形成原子配比接近1：2的氧化锆，如原子配比为：1:1.9、1:2、1:2.1等任意介于1:1.9～1:2.1之间的比例的氧化锆，及形成原子配比接近1：1的氮化锆，如1：0.9、1：1、1：1.2等不同的比例的氮化锆。并且最终形成的是这两种材料的混合物，混合比例在此不做限定。
此外，还可以通过调整增加这两种混合物料厚度、依次可选择沉积红橙黄绿青蓝紫等颜色中的一种，从而形成不同颜色的膜层。
同样的，在图8所示的膜层中，也可以增加类金刚石层以及抗指纹层，在此不再赘述。
继续参考图8，该膜层最终形成：打底层20：原子配比接近2：1的氧化钛绝缘膜；(3)表面层40：原子配比接近2：1的氧化钛、和形成原子配比接近1：1的氮化钛，最终形成的是这两种材料的混合物。
参考图9，图9示出了另外一种膜层结构，在该结构中，打底层采用半导体材质形成，如硅。
此时，该壳体的缝隙中填充的绝缘材质10可以选择钛及玻璃组成的无缝材料，即由钛和玻璃组成的混合物组成的绝缘材质10。还可以单独以玻璃作为绝缘材质10。
继续参考图9，该膜层包括打底层20、中间层30及表面层(图中未示出)。其中，打底层20采用半导体材质，在绝缘材质10上制备出半导体层。
该中间层采用半导体与氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种的混合层，如硅与氧化硅、硅与氮化硅、硅与碳化硅等不同的材质组成的混合物。最终形成的混合物中各材质所占的比例在此不做限定。
此外，还可以通过调整增加这两种混合物料厚度、依次可选择沉积红橙黄绿青蓝紫等颜色中的一种，从而形成不同颜色的膜层。
在设置表面层时，该表面层可以采用氧化物、氮化物或者碳化物。
同样的，在图9所示的膜层中，也可以增加类金刚石层以及抗指纹层，在此不再赘述。
通过上述具体的实施例可以看出，在本申请实施例提供的移动终端外壳中，在壳体上设置膜层，该膜层包括多层，如包括设置在壳体上的打底层20，以及设置在打底层20的表面层；为了改善屏蔽效果，在设置时，表面层为绝缘层；打底层20为绝缘层或绝缘的混合物层，且表面层及打底层20至少一层为非氧化物层。通过采用绝缘层来制作膜层，从而改善膜层的屏蔽效果，同时提高膜层对移动终端外壳的美观效果。
此外，本申请实施还提供了一种移动终端，该移动终端可以为手机、平板电脑、手环等常见的移动终端。并且该移动终端包括上述任一项所述的移动终端外壳，以及设置在所述移动终端外壳的显示屏。如图10所示，图10示出了移动终端为手机的结构示意图，该手机包括移动终端外壳100，以及设置在该外壳100内的显示屏200。其中，该外壳100包括上述的壳体以及膜层，并且采用绝缘层来制作膜层，改善了膜层的屏蔽效果，同时提高膜层对移动终端外壳100的美观效果。
以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种移动终端外壳，其特征在于，包括：壳体及膜层；
所述壳体上割裂出至少一个缝隙，所述缝隙内填充有绝缘材质；所述壳体的材质为不锈钢、钛合金、非晶合金、铝合金、镁合金、锌合金中的任意一种或多种的组合；或，所述壳体包括基底以及设置于所述基底表面的单质或合金涂层，所述基底的材质为不锈钢、钛合金、非晶合金、铝合金、镁合金、锌合金中的任意一种或多种的组合；所述绝缘材质为氧化锆陶瓷、氧化铝陶瓷、蓝宝石、玻璃中的任意一种；或，所述绝缘材质为不锈钢与氧化锆陶瓷组成的混合物、钛合金与氧化铝陶瓷组成的混合物、锆基非晶合金与氧化锆陶瓷组成的混合物、钛与玻璃组成的混合物、铝合金与蓝宝石组成的混合物中的任意一种；
所述膜层覆盖所述缝隙，所述膜层包括层叠设置在所述壳体上的至少两层层结构，其中，最靠近所述壳体的一层层结构为打底层，最远离所述壳体的一层层结构为表面层；所述至少两层层结构均为绝缘层，且所述至少两层层结构中的至少一个层结构为非氧化物层；所述打底层为金属及该金属的绝缘化合物组成的混合层，或所述打底层为半导体层；
所述膜层还包括设置在所述打底层及所述表面层之间的中间层；所述打底层、所述中间层及所述表面层为连续制备的层结构，其中，所述中间层包含有所述打底层部分材质和所述中间层部分材质的混合层；且在各层之间，存在纳米级别的相邻层之间的混合状态。
2.根据权利要求1所述的移动终端外壳，其特征在于，所述中间层及所述表面层为金属氧化物、金属碳化物、金属氮化物中的一种或者至少两种的混合层。
3.根据权利要求1所述的移动终端外壳，其特征在于，所述打底层、中间层及表面层中至少一层为非透明的绝缘层。
4.根据权利要求2所述的移动终端外壳，其特征在于，所述金属化合物、金属氧化物、金属碳化物、金属氮化物中的金属原子与非金属原子的配比符合化合的原子配比，且误差不大于10％。
5.根据权利要求1所述的移动终端外壳，其特征在于，所述混合层的厚度小于200纳米。
6.根据权利要求1所述的移动终端外壳，其特征在于，所述中间层至少为一层，且在所述中间层为至少两层时，至少两层中间层层叠设置。
7.根据权利要求1所述的移动终端外壳，其特征在于，所述打底层、中间层及表面层的电阻值均不低于105Ω。
8.根据权利要求1～7任一项所述的移动终端外壳，其特征在于，还包括类金刚石层，且所述类金刚石层设置在所述表面层背离所述打底层的一面。
9.根据权利要求8所述的移动终端外壳，其特征在于，所述类金刚石层中的SP3键含量不低于30％。
10.根据权利要求1～7任一项所述的移动终端外壳，其特征在于，还包括设置在所述表面层背离所述打底层一面的抗***层。
11.一种移动终端，其特征在于，包括如权利要求1～10任一项所述的移动终端外壳，以及设置在所述移动终端外壳的显示屏。
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