CN111384307B - 量子点发光二极管的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供设置有电子传输层的基板；在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料；在经所述混合溶剂处理后的电子传输层上制备其它膜层，制备量子点发光二极管，且使得所述量子点发光二极管至少包括以下结构：相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述量子点发光层与所述阴极之间的电子传输层。

Description

量子点发光二极管的制备方法
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。
背景技术
量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes QLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。
QLED器件基础结构包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在阳极和阴极之间的量子点发光层。为了平衡QLED器件的载流子传输性能，会在量子点发光层和电极之间引入空穴功能层。通常的，在量子点发光层和阴极之间，设置电子传输层。QLED器件制备过程中，电子传输层不可避免地会引入杂质，杂质的存在，影响量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法，旨在解决量子点发光二极管中的电子传输层中含有杂质，影响量子点发光二极管的发光效率和使用寿命的的问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层；
在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料；或，
提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阴极基板，以及设置在所述阴极基板上的电子传输层；
在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料。
本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述电子传输层表面沉积溶液，其中，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解述电子传输层中的电子传输材料。所述溶液在所述电子传输层表面浸润，溶质通过固液两相界面吸附在所述电子传输层的膜层表面，将残留在电子传输层中的杂质溶解，并通过后续加热处理去除，从而提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
附图说明
图1是本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法流程图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
如图1所示，一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层；或，
提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阴极基板，以及设置在所述阴极基板上的电子传输层；
S02.在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料；
S03.在经所述混合溶剂处理后的电子传输层上制备其它膜层，制备量子点发光二极管，且使得所述量子点发光二极管至少包括以下结构：相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述量子点发光层与所述阴极之间的电子传输层。
本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述电子传输层表面沉积溶液，其中，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解述电子传输层中的电子传输材料。所述溶液在所述电子传输层表面浸润，溶质通过固液两相界面吸附在所述电子传输层的膜层表面，将残留在电子传输层中的杂质溶解，并通过后续加热处理去除，从而提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
具体的，上述步骤S01中，提供设置有电子传输层的基板。所述电子传输层的基板包括两种情形。
作为一种实施情形，所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层。此时，所述设置有电子传输层的基板可以通过下述方法制备：提供设置有阳极的基板即阳极基板，在所述阳极表面制备量子点发光层，在所述量子点发光层表面制备电子传输层。
其中，所述阳极基板包括衬底，以及设置在所述衬底上的阳极。所述衬底的选择没有严格限制，可以采用硬质衬底，如玻璃衬底；也可以采用柔性衬底，如聚酰亚胺衬底、聚降冰片烯衬底，但不限于此。在一些实施例中，所述阳极可以选用ITO，但不限于此。
在一些实施例中，采用溶液加工法在所述阳极上沉积量子点溶液，制备量子点发光层。更优选的，采用喷墨打印方法在所述底电极上沉积量子点墨水，制备量子点发光层。本发明实施例中，所述量子点发光层中的量子点为本领域常规的量子点。在一些实施例中，所述量子点发光层的厚度为20-50nm。
在一些实施例中，在所述量子点发光层表面制备电子传输层，优选采用溶液加工法实现。所述电子传输层的材料可以采用常规的电子传输材料，包括但不限于n型氧化锌，所述电子传输层的厚度为10-100nm。
在上述实施例的基础上，为了获得更佳的器件性能，可以引入其他功能层。
在一些实施例中，在所述阳极表面制备空穴功能层(所述空穴功能层设置在所述阳极与所述量子点发光层之间)的步骤。所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层。其中，所述空穴注入层、空穴传输层用于降低空穴注入难度，所述电子阻挡层用于阻挡过量的电子，使过量的电子不能到达阳极形成漏电流，从而提高量子点发光二极管的电流效率。作为一个具体优选实施例，当阳极设置所述基板上形成阳极基板时，在制备量子点发光层之前，还包括：在所述基板的阳极表面制备空穴注入层，在所述空穴注入层背离所述阳极的一侧制备空穴传输层的步骤。其中，所述空穴注入层的材料可以采用常规的空穴注入材料，包括但不限于PEDOT:PSS。所述空穴传输层的材料可以采用常规的空穴传输材料，包括但不限于NPB、TFB等有机材料，以及NiO、MoO3等无机材料及其复合物，所述空穴传输层的厚度为10-100nm。
作为另一种实施情形，所述设置有电子传输层的基板包括：阴极基板，以及设置在所述阴极基板上的电子传输层。此时，所述设置有电子传输层的基板可以通过下述方法制备：提供设置有阴极的基板即阴极基板，在所述阴极表面制备电子传输层。
其中，所述阴极基板包括衬底，以及设置在所述衬底上的阴极极。所述衬底的选择如上文所述。在一些实施例中，所述阴极可以选用金属电极，包括但不限于银电极、铝电极。所述阴极的厚度为30-120nm，具体优选为100nm。
在一些实施例中，在所述阴极表面制备电子传输层，优选采用溶液加工法实现。所述电子传输层的材料及其厚度如前文所述。
在上述实施例的基础上，为了获得更佳的器件性能，可以引入其他功能层。
在一些实施例中，在制备电子传输层之前，在所述阴极表面制备电子注入层和空穴阻挡层中的至少一层。其中，所述电子注入层、电子传输层用于降低电子注入难度，所述空穴阻挡层用于阻挡过量的空穴，使过量的空穴不能到达阴极形成漏电流，从而提高量子点发光二极管的电流效率。作为一个具体优选实施例，在制备电子传输层之前，还包括：在所述表面制备电子注入层。所述电子注入层的材料可以采用常规的电子穴注入材料，包括但不限于LiF、CsF，所述电子传输层的厚度为10-100nm。所述电子传输层的材料可以采用常规的电子传输材料，包括但不限于n型氧化锌，所述电子传输层的厚度为10-100nm。
上述步骤S02中，在所述电子传输层表面沉积溶液，静置使溶液中的溶质通过固液两相界面吸附在所述电子传输层的膜层表面，将残留在电子传输层中的杂质溶解，并通过后续加热处理去除，从而提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
本发明实施例中，所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料。具体的，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，其中，所述主体溶剂不溶解所述电子传输层中的电子传输材料。
在一些实施例中，所述主体溶剂选自直链中碳原子数目小于20的烷烃及其衍生物、碳原子数目小于20的环烷烃及其衍生物、直链中的碳原子数目小于20的烯烃及其衍生物、直链中的碳原子数目小于20的酯类中的一种或两种以上的组合。上述溶剂可以为功能层二次成膜提供温和的液相环境，是优异的功能层改善介质。
在一些实施例中，所述主体溶剂选自直链碳原子数目小于20的烷烃及其衍生物选自正己烷、正庚烷、1-辛烷、3-甲基庚烷和1-氯己烷中的一种或多种。在一些实施例中，所述碳原子数目小于20的环烷烃及其衍生物选自环己烷、2-甲基环己烷、环庚烷和环己基乙酸中的一种或多种。在一些实施例中，所述直链中的碳原子数目小于20的酯类及其衍生物选自乙酸乙酯、丁酸乙酯和扁桃酸乙酯中的一种或多种。在一些实施例中，所述直链中的碳原子数目小于20的烯烃及其衍生物选自3-己烯、4-辛烯、5-癸烯、5-甲基-5-癸烯和9-十八烯酸中的一种或多种。上述溶剂可以为功能层二次成膜提供温和的液相环境，是优异的功能层改善介质。
本发明实施例中，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，所述溶质可以对电子传输层中的电子传输材料有一定的溶解性，但其与主体溶剂混合形成溶液后，不会造成电子传输层中电子传输材料的溶解。
在一些实施例中，所述溶质选自直链中的碳原子数目小于20的硫醇、直链中的碳原子数目小于15的有机酸、直链中的碳原子数目小于20的卤代烃、氨基酸、有机碱中的一种或两种以上的组合。上述溶质具有改善器件功能层成膜，提高器件效率的效果。
在一些实施例中，所述直链中的碳原子数目小于20的硫醇选自丁硫醇、戊硫醇、庚硫醇、辛硫醇和十八硫醇中的一种或多种。在一些实施例中，所述直链中的碳原子数目小于15的有机酸选自全氟辛酸、全氟癸基膦酸、全氯癸基羧酸和全氟十二烷酸中的一种或多种。在一些实施例中，所述直链中的碳原子数目小于20的卤代烃选自1-氟丙烷、1-氯丁烷、1-氯己烷和3-氟己烷中的一种或多种。在一些实施例中，所述氨基酸选自甘氨酸、丝氨酸、半胱氨酸和异亮氨酸中的一种或多种。在一些实施例中，所述有机碱选自乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和四甲基氢氧化铵中的一种或多种。上述溶质具有改善器件功能层成膜，提高器件效率的效果。
本发明实施例中所述溶质的含量较少，不超过所述溶液总重量的1％，形成的整体溶液对电子传输层中电子传输材料没影响。在一些实施例中，以所述溶液的总重量为100％计，所述溶质的重量百分含量为0.0001-1％。若所述溶液中极性偏低的溶质的含量过高，则可能溶解电子传输层中的部分电子传输材料，进而影响电子传输层的功能。进一步优选的，以所述溶液的总重量为100％计，所述溶质的重量百分含量为0.0001-0.5％。
在一些实施例中，在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层浸润后进行干燥处理的步骤中，在所述电子传输层表面沉积溶液后，在温度为10℃-60℃条件下静置处理。该温度范围有利于溶质通过固液两相界面吸附在所述电子传输层的膜层表面，去除残留在电子传输层中的杂质溶解，并通过后续加热处理去除。同时，也不会影响电子传输层或已经形成的其他功能层的材料。
在一些实施例中，在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层浸润后进行干燥处理的步骤中，通过抽真空处理去除溶液组分。进一步优选的，所述抽真空处理在真空度为8Pa-200Pa的条件下进行，以便在提高量子点发光二极管发光效率的同时，不影响使用寿命。更优选的，所述抽真空处理在真空度为8Pa-100Pa的条件下进行。
在一些实施例中，在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层浸润后进行干燥处理的步骤中，在温度为10℃-180℃的条件下加热干燥，以去除沉积的溶液，以及所述溶液溶解的原本残留在电子传输层中的杂质，特别是残留试剂。
在一些实施例中，在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层浸润后进行干燥处理的步骤中，所述静置的时间为10分钟-100分钟。在该时间内，通过溶液浸润去除电子传输层中的杂质的效果较明显，且不会因为时间过长，而影响量子点发光二极管的其他性能。
上述步骤S03中，在经所述混合溶剂处理后的电子传输层上制备其它膜层，制备量子点发光二极管，且使得所述量子点发光二极管至少包括以下结构：相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述量子点发光层与所述阴极之间的电子传输层。
作为一种实施方法，当所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层时，在所述电子传输层背离所述阳极的一侧制备阴极。所述阴极的选择如前文所述。
优选的，在制备阴极之前，在所述电子传输层背离所述阳极的一侧制备电子注入层，所述电子注入层的选择如前文所述。
作为另一种实施方式，当所述设置有电子传输层的基板包括：阴极基板，以及设置在所述阴极基板上的电子传输层时，在所述电子传输层背离所述阴极的一侧制备量子点发光层，在所述量子点发光层背离所述阴极的表面制备阳极。所述量子点发光层、所述阳极的选择如前文所示。
在一些实施例中，在所述电子传输层背离所述阴极的一侧制备空穴阻挡层后，制备量子点发光层。所述空穴阻挡层的选择如前文所述。
在一些实施例中，在所述量子点发光层背离所述阴极的表面制备空穴功能层后，制备阳极。所述空穴功能层的选择如前文所述。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供设置有阳极(ITO)的玻璃基板，在所述阳极上制备空穴注入层(PEDOT:PSS)，在空穴注入层背离阳极一侧制备空穴传输层(TFB)，在空穴传输层背离阳极一侧制备量子点发光层(CdSe/ZnS QDs)；在量子点发光层背离阳极一侧制备电子传输层(ZnO)；
在所述电子传输层表面沉积聚1-丁硫醇含量为100ppm、三乙醇胺含量为1000ppm的庚烷溶液，常温静置20分钟后抽真空去除残余溶液组分；
在电子传输层背离所述阳极的表面制备电子注入层(LiF)，电子注入层背离所述阳极的表面制备铝阴极。
实施例2
一种量子点发光二极管的制备方法，与实施例1的不同之处在于：在所述电子传输层表面沉积聚1-丁硫醇含量为500ppm、三乙醇胺含量为5000ppm的庚烷溶液，常温静置20分钟后抽真空去除残余溶液组分。
对比例1
一种量子点发光二极管的制备方法，与实施例1的不同之处在于：在所述电子传输层表面沉积正庚烷，常温静置20分钟后抽真空去除残余溶液组分。
对比例2
一种量子点发光二极管的制备方法，与实施例1的不同之处在于：直接在制备得到的电子传输层背离所述阳极的表面制备电子注入层(LiF)，电子注入层背离所述阳极的表面制备铝阴极。即不进行“在所述电子传输层表面沉积聚1-丁硫醇含量为100ppm、三乙醇胺含量为1000ppm的庚烷溶液，常温静置20分钟后抽真空去除残余溶液组分”的步骤。
分别检测实施例1-2、对比例1-2制备的量子点发光二极管通电熟化后的外量子效率变化(％)，结果如下表1所示。
表1
Figure BDA0001930867110000101
由上表1可见，在所述电子传输层的表面沉积一定含量的聚1-丁硫醇、三乙醇胺的庚烷溶液，抽真空烘干后，可以一定程度提高量子点发光二极管的外量子效率。
实施例3
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供设置有阳极(ITO)的玻璃基板，在所述阳极上制备空穴注入层(PEDOT:PSS)，在空穴注入层背离阳极一侧制备空穴传输层(TFB)，在空穴传输层背离阳极一侧制备量子点发光层(CdSe/ZnS QDs)；在量子点发光层背离阳极一侧制备电子传输层(ZnO)；
在所述电子传输层表面沉积聚1-丁硫醇含量为100ppm、三乙醇胺含量为1000ppm的己烷溶液，常温静置20分钟后在真空度为8Pa的条件下，抽真空去除残余溶液组分；
在电子传输层背离所述阳极的表面制备电子注入层(LiF)，电子注入层背离所述阳极的表面制备铝阴极。
实施例4
一种量子点发光二极管的制备方法，与实施例3的不同之处在于：在所述电子传输层表面沉积聚1-丁硫醇含量为100ppm、三乙醇胺含量为1000ppm的己烷溶液，常温静置20分钟后在真空度为40Pa的条件下，抽真空去除残余溶液组分。
实施例5
一种量子点发光二极管的制备方法，与实施例3的不同之处在于：在所述电子传输层表面沉积聚1-丁硫醇含量为100ppm、三乙醇胺含量为1000ppm的己烷溶液，常温静置20分钟后在真空度为200Pa的条件下，抽真空去除残余溶液组分。
分别检测实施例3-5、对比例1-2制备的量子点发光二极管寿命(T50@100nits～hrs)，结果如下表2所示。
表2
Figure BDA0001930867110000111
由上表2可见，在一定条件下进行抽真空处理去除溶剂时，可以提高量子点发光二极管的使用寿命。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层；
在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润，使所述溶液中的溶质将残留在电子传输层中的杂质溶解后，进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料；或，
提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阴极基板，以及设置在所述阴极基板上的电子传输层；
在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润，使所述溶液中的溶质将残留在电子传输层中的杂质溶解后，进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述主体溶剂选自直链中碳原子数目小于20的烷烃及其衍生物、碳原子数目小于20的环烷烃及其衍生物、直链中的碳原子数目小于20的烯烃及其衍生物和直链中的碳原子数目小于20的酯类及其衍生物中的一种或两种以上的组合。
3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述主体溶剂选自直链碳原子数目小于20的烷烃及其衍生物选自正己烷、正庚烷、1-辛烷、3-甲基庚烷和1-氯己烷中的一种或多种；
所述碳原子数目小于20的环烷烃及其衍生物选自环己烷、2-甲基环己烷、环庚烷和环己基乙酸中的一种或多种；
所述直链中的碳原子数目小于20的酯类及其衍生物选自乙酸乙酯、丁酸乙酯和扁桃酸乙酯中的一种或多种；
所述直链中的碳原子数目小于20的烯烃及其衍生物选自3-己烯、4-辛烯、5-癸烯、5-甲基-5-癸烯和9-十八烯酸中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述溶质选自直链中的碳原子数目小于20的硫醇、直链中的碳原子数目小于15的有机酸、直链中的碳原子数目小于20的卤代烃、氨基酸和有机碱中的一种或两种以上的组合。
5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述直链中的碳原子数目小于20的硫醇选自丁硫醇、戊硫醇、庚硫醇、辛硫醇和十八硫醇中的一种或多种；
所述直链中的碳原子数目小于15的有机酸及其衍生物选自十四酸、全氟辛酸、全氯癸基羧酸和全氟十二烷酸中的一种或多种；
所述直链中的碳原子数目小于20的卤代烃选自1-氟丙烷、1-氯丁烷、1-氯己烷和3-氟己烷中的一种或多种；
所述氨基酸选自甘氨酸、丝氨酸、半胱氨酸和异亮氨酸中的一种或多种；
所述有机碱选自乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和四甲基氢氧化铵中的一种或多种。
6.如权利要求1至5任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，以所述溶液的总重量为100％计，所述溶质的重量百分含量为0.0001-1％。
7.如权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，以所述溶液的总重量为100％计，所述溶质的重量百分含量为0.0001-0.5％。
8.如权利要求1至5任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述电子传输层表面沉积溶液，在温度为10℃-60℃条件下静置至所述电子传输层浸润后进行干燥处理。
9.如权利要求1至5任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层浸润后通过抽真空进行干燥处理。
10.如权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述抽真空处理在真空度为8Pa-200Pa的条件下进行。
11.如权利要求1至5任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述电子传输层表面沉积溶液，静置10分钟-100分钟至所述电子传输层浸润后进行干燥处理。
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