CN111341279A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示面板和显示装置。该显示面板可包括:第一板;设置在第一板上的第二板;设置在第一板与第二板之间的第一层堆叠体;设置在第一层堆叠体内的第一晶体管;设置在第二板上的第二层堆叠体;和设置在第二层堆叠体内的第二晶体管,其中第一晶体管设置在与有效区域重叠的位置中,有效区域对应于图像显示区域。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2018年12月19日在韩国提交的韩国专利申请第10-2018-0165270号的优先权,为了所有目的通过引用将该专利申请并入本文,如同在此完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
相关技术的显示装置可包括设置有多条数据线和多条栅极线的显示面板、以及驱动显示面板的驱动器电路。驱动器电路可包括驱动多条数据线的数据驱动器和驱动多条栅极线的栅极驱动器。
相关技术的显示面板包括显示图像的有效区域和在有效区域的***的边框区域。数据驱动器安装在显示面板的边框区域上或者电连接至显示面板的边框区域。此外,栅极驱动器可电连接至显示面板的边框区域或者设置在显示面板的边框区域内。
因此,为了连接有效区域和驱动电路,相关技术的显示装置必须具有较大的边框区域或在一定程度上需要边框区域。这种显示面板中边框的存在和尺寸对显示装置的设计具有很大限制。
发明内容
本公开内容的各方面提供了一种具有无边框结构的显示面板和显示装置。
还提供了一种显示面板和显示装置,当在其中包括氧化物晶体管以及低温多晶硅晶体管时,该显示面板和显示装置具有能够改善氧化物晶体管的元件特性的结构。
还提供了一种具有能够保护易受氢影响的晶体管的结构的显示面板和显示装置。
还提供了一种包括分别具有无边框结构的显示面板的多重显示装置。
根据一个方面,示例性实施方式可提供一种显示面板,包括:第一板;设置在所述第一板上的第二板;设置在所述第一板与所述第二板之间的第一层堆叠体,并且在所述第一层堆叠体中设置有第一晶体管;和设置在所述第二板上的第二层堆叠体,并且在所述第二层堆叠体中设置有第二晶体管。所述第一晶体管设置在与对应于图像显示区域的有效区域重叠的位置中,所述有效区域对应于图像显示区域。
所述第二晶体管可以是设置在设置于所述有效区域中的多个子像素中的每一个中的晶体管。
所述第一晶体管可设置成与所述多个子像素中的至少一个子像素的区域重叠。
所述第一晶体管可设置在内置于所述显示面板中的栅极驱动电路中。
所述第一晶体管可设置成与所述多个子像素之中的设置在***部分中的至少一个子像素的区域重叠。
用于将设置在所述第一层堆叠体中的第一金属构件和设置在所述第二层堆叠体中的第二金属构件电连接的侧方布线可沿所述第二板的侧表面设置。
所述第一金属构件可以是所述第一晶体管的源极电极或漏极电极,或者所述第一金属构件可对应于与所述第一晶体管的源极电极或漏极电极电连接的图案。
所述第二金属构件可以是与所述第二晶体管的栅极电极电连接的栅极线,或者所述第二金属构件可对应于与所述第二晶体管的栅极电极电连接的图案。
所述第一板和所述第二板中的每一个可以是聚酰亚胺基板。
所述第一板可以是聚酰亚胺基板,所述第二板可以是有机绝缘膜。
所述第一层堆叠体可包括至少一个无机绝缘膜。
底部屏蔽金属可设置在所述第一晶体管下方。
所述底部屏蔽金属可电浮置。
所述底部屏蔽金属可电连接至所述第一晶体管的源极电极、漏极电极和栅极电极之一。
所述第一晶体管和所述第二晶体管可以是不同类型的晶体管。
在一示例中,所述第一晶体管可以是低温多晶硅晶体管,并且所述第二晶体管可以是与低温多晶硅晶体管不同的氧化物晶体管。
在另一示例中,所述第二晶体管可以是氧化物晶体管,并且所述第一晶体管可以是与氧化物晶体管不同的晶体管。
在另一示例中,所述第一晶体管可以是低温多晶硅晶体管,并且所述第二晶体管可以是氧化物晶体管。在该情形中,所述第二板可以是氢阻挡板、氢收集板等。例如,所述第二板可以是聚酰亚胺基板。
所述第一晶体管和所述第二晶体管可以是相同类型的晶体管。
在一示例中,所述第一晶体管和所述第二晶体管可以是多晶硅晶体管。在该情形中,所述第二板可以是有机绝缘膜、聚酰亚胺基板等。
在另一示例中,所述第一晶体管和所述第二晶体管可以是氧化物晶体管。在该情形中,所述第二板可以是聚酰亚胺基板、有机绝缘膜等。
根据另一个方面,示例性实施方式可提供一种显示装置,包括:包括一个或多个显示面板的显示器;和用于驱动设置在所述一个或多个显示面板中的数据线的数据驱动电路。
所述一个或多个显示面板中的每一个可包括:第一板;设置在所述第一板上的第二板;设置在所述第一板与所述第二板之间的第一层堆叠体,并且在所述第一层堆叠体中设置有第一晶体管;和设置在所述第二板上的第二层堆叠体,并且在所述第二层堆叠体中设置有第二晶体管。
所述第二晶体管可以是设置在设置于有效区域中的多个子像素中的每一个中的晶体管,所述有效区域对应于图像显示区域。
所述第一晶体管可设置在与有效区域重叠的位置中,所述有效区域对应于图像显示区域。
所述第一晶体管可设置成与所述多个子像素中的至少一个子像素的区域重叠。
所述第一晶体管可设置在内置于多个显示面板中的每一个中的栅极驱动电路中,并且所述第一晶体管可设置成与所述多个子像素之中的设置在***部分中的至少一个子像素的区域重叠。
所述显示器可包括两个或更多个显示面板。
所述显示器可具有平板形状或圆柱形状。
所述第一板和所述第二板可以是柔性板,使得所述显示器具有圆柱形形状。
根据实施方式,提供了具有无边框结构的显示面板和显示装置。
根据实施方式,当包括氧化物晶体管以及LTPS晶体管时,显示面板和显示装置具有能够具有能够改善氧化物晶体管的元件特性的结构。
根据实施方式,提供了具有能够保护易受氢影响的晶体管的结构的显示面板和显示装置。
根据实施方式,提供了包括具有无边框结构的显示面板的多重显示装置。
附图说明
将从下面结合附图的详细描述更清楚地理解本公开内容上述和其他的目的、特征、优点,其中:
图1图解了根据实施方式的显示装置的示意性构造;
图2至图4图解了根据实施方式的显示面板的示意性剖面结构;
图5图解了根据实施方式的显示面板的有效区域和栅极驱动电路区域;
图6图解了根据实施方式的用于将第一层堆叠体中的第一金属构件与第二层堆叠体中的第二金属构件电连接的侧方连接结构;
图7图解了根据实施方式的显示面板的子像素电路;
图8图解了根据实施方式的栅极驱动电路;
图9图解了根据实施方式的显示面板的剖面结构;
图10至图12按照类型图解了根据实施方式的第一层堆叠体中包括的第一晶体管和第二层堆叠体中包括的第二晶体管的剖面结构;
图13图解了根据实施方式的多重显示装置;
图14图解了根据实施方式的图13中所示的多重显示装置的应用。
具体实施方式
参照附图和实施方式的详细描述,本公开内容的优点和特征以及其实现方法将是显而易见的。本公开内容不应解释为限于在此阐述的实施方式,可以以许多不同的形式实施。而是,提供这些实施方式是为了使本公开内容全面和完整,并将本公开内容的范围充分地传递给本领域普通技术人员。本公开内容的范围仅由所附权利要求限定。
为了说明示例性实施方式而在附图中描述的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅是举例说明性的,本公开内容不限于附图中示出的实施方式。在整个文件中,将使用相同的参考数字和符号指代相同或相似的部件。在本公开内容下面的描述中,并入到本公开内容中的已知功能和部件的详细描述在使本公开内容的主旨由此变得不清楚的情况下将被省略。将理解到,在此使用的术语“包括”、“包含”、“具有”及其任何变形旨在涵盖非排他性的包含,除非明确有相反描述。在此使用的单数形式的部件的描述旨在包括复数形式的部件的描述,除非明确有相反描述。
在对部件的分析中,应当理解包括误差范围,即便是在没有明确描述的情况下。
还将理解到,尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”之类的术语来描述各元件,但这些术语仅用来区分一个元件与其他元件。这些元件的实质、顺序、次序或数量不被这些术语限制。将理解到,当称一元件“连接至”、“耦接至”或“链接至”另一元件时,其不仅可“直接连接、直接耦接或直接链接”至其他元件,而且还可经由“中间”元件“间接连接、间接耦接或间接链接”至其他元件。在同一上下文中,将理解到,当称一元件形成在另一元件“上”或“下”时,其不仅可直接位于其他元件上或下,而且还可经由中间元件间接位于其他元件上或下。
此外,在此可使用诸如“第一”和“第二”之类的术语描述各种部件。然而,应当理解,这些部件不被这些术语限制。这些术语仅用来区分一个元件或部件与其他元件或部件。因而,在本公开内容的精神内,下文中被称为第一的第一元件可以是第二元件。
示例性实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合并且可彼此协同工作或者可以以各种技术方法操作。此外,各个实施方式可独立实施,或者可以以与其他实施方式相关并协同实施。
下文中,将参照附图详细描述实施方式。
图1图解了根据实施方式的显示装置100的示意性构造。
根据实施方式的显示装置100可以是图像显示装置、照明装置、发光装置等。
根据实施方式的显示装置100可包括显示图像或发光的显示面板110和驱动显示面板110的驱动器电路。
在显示面板110中可设置有多条数据线DL和多条栅极线GL,并且可以以矩阵形式排列有由多条数据线DL和多条栅极线GL界定的多个子像素SP。
在显示面板110中,多条栅极线GL设置在第一方向上,而多条数据线DL设置在与第一方向不同的第二方向上。因此,多条数据线DL和多条栅极线GL可设置成彼此交叉。例如,多条栅极线GL可排列成行或列,而多条数据线DL可排列成列或行。在下面的描述中,为了方便起见,多条栅极线GL被认为排列成行,而多条数据线DL被认为排列成列。
根据子像素结构等,可在显示面板110中设置除多条数据线DL和多条栅极线GL之外的其他各种信号线。可进一步设置驱动电压线、基准电压线、公共电压线等。
显示面板PNL可以是诸如液晶显示(LCD)面板和有机发光二极管(OLED)面板之类的各种类型的面板之一。
设置在显示面板PNL中的信号线的类型可根据子像素结构、面板类型(例如,LCD面板或OLED面板)等而变化。此外,在此使用的术语“信号线”在概念上可包括被施加信号的电极。
驱动器电路可包括驱动多条数据线DL的数据驱动器120、驱动多条栅极线GL的栅极驱动器130、控制数据驱动器120和栅极驱动器130的控制器140。
数据驱动器120可通过给多条数据线DL输出数据信号(或数据电压)来驱动多条数据线DL。
栅极驱动器130可通过给多条栅极线GL输出扫描信号来驱动多条栅极线GL。
控制器140通过传输用于驱动数据驱动器120和栅极驱动器130的各种控制信号DCS和GCS来控制数据驱动器120和栅极驱动器130。此外,控制器140可给数据驱动器120提供数字图像数据DATA。
控制器140在由各个帧实现的时间点处开始扫描,将从外部源输入的图像数据转换为具有被数据驱动器120可读取的数据信号格式的图像数据DATA,输出图像数据DATA,并且根据该扫描在适当的时间点处控制数据驱动。
控制器140从外部源(例如,主机***)接收包括垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、输入数据使能信号DE、时钟信号CLK等的时序信号,产生各种控制信号,并且将各种控制信号输出至数据驱动器120和栅极驱动器130,以便控制数据驱动器120和栅极驱动器130。
例如,控制器140输出包括栅极起始脉冲(GSP)、栅极移位时钟(GSC)、栅极输出使能(GOE)信号等的各种栅极控制信号GCS,以控制栅极驱动器130。
此外,控制器140输出包括源极起始脉冲(SSP)、源极采样时钟(SSC)、源极输出使能(SOE)信号等的各种数据控制信号DCS,以控制数据驱动器120。
控制器140可以是通常显示装置中使用的时序控制器,或者可以是包括时序控制器并且执行其他控制功能的控制装置。
控制器140可设置为与数据驱动器120分离的部件,或者可设置为与数据驱动器120结合(或集成)的集成电路(IC)。
数据驱动器120接收来自控制器140的图像数据DATA并且将数据电压提供至多条数据线DL,以驱动多条数据线DL。数据驱动器120也称为源极驱动器。
数据驱动器120可经由各种接口给控制器140发送各种信号或数据并从控制器140接收各种信号或数据。
当通过栅极驱动器130开启特定栅极线时,数据驱动器120将从控制器140接收的图像数据DATA转换为模拟数据信号,并且将数据信号提供至多条数据线DL。
数据驱动器120可连接至面板110的一个部分(例如,面板110的上侧部分、下侧部分、右侧部分或左侧部分)。在一些情形中,根据驱动***、面板的设计等,数据驱动器120可设置在面板110的两个部分(例如,面板110的上侧部分和下侧部分,或右侧部分和左侧部分)上。
数据驱动器120可包括一个或多个源极驱动器IC(SDIC)。
每个源极驱动器IC可包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器(DAC)、输出缓冲器等。在一些情形中,数据驱动器120可进一步包括一个或多个模数转换器(ADC)。
每个源极驱动器IC可通过带式自动焊接(TAB)方法或玻璃上芯片(COG)方法连接至显示面板110的结合焊盘,或者可直接安装在显示面板110上。在一些情形中,每个源极驱动器IC可与显示面板110集成。此外,每个源极驱动器IC可使用膜上芯片(COF)结构来实现。在此情形中,每个源极驱动器IC可安装在电路膜上,以经由电路膜电连接至显示面板110中的数据线DL。
栅极驱动器130通过将扫描信号顺序地提供给多条栅极线GL来顺序地驱动多条栅极线GL。栅极驱动130也称为扫描驱动器。
在控制器140的控制下,栅极驱动器130顺序地将具有导通电压或截止电压的扫描信号提供至多条栅极线GL。
栅极驱动器130可连接至面板110的一个部分(例如,面板110的上侧部分、下侧部分、右侧部分或左侧部分)。在一些情形中,根据驱动***、面板的设计等,栅极驱动器130可设置在面板110的两个部分(例如,面板110的上侧部分和下侧部分,或右侧部分和左侧部分)上。
栅极驱动器130可包括多个栅极驱动器电路(GDC)。多个栅极驱动器电路可分别对应于多条栅极线GL。
每个栅极驱动器电路可包括移位寄存器、电平转换器等。
多个栅极驱动器电路可直接制造在显示面板110中。就是说,多个栅极驱动器电路可设置在显示面板110内。换句话说,栅极驱动器电路可称为内置于面板中的栅极驱动器电路。
图2至图4图解了根据实施方式的显示面板110的示意性剖面结构。图5图解了根据实施方式的显示面板110的有效区域A/A和栅极驱动电路区域G/A。图6图解了根据实施方式的用于将第一层堆叠体LST1中的第一金属构件M1与第二层堆叠体LST2中的第二金属构件M2电连接的侧方连接结构。
参照图2至图4,根据实施方式的显示面板110可包括第一板PLT1、第一层堆叠体LST1、第二板PLT2、第二层堆叠体LST2等。
第二板PLT2设置在第一板PLT1上。
第一层堆叠体LST1可设置在第一板PLT1与第二板PLT2之间并且可包括多个层。金属材料或绝缘材料可形成在多个层中的每一个中。
第二层堆叠体LST2可设置在第二板PLT2上并且可包括多个层。金属材料或绝缘材料可形成在多个层中的每一个中。
第一层堆叠体LST1和第二层堆叠体LST2被第二板PLT2分离。
第一层堆叠体LST1中设置有多个第一晶体管TR1。
第二层堆叠体LST2中设置有多个第二晶体管TR2。
设置在第一层堆叠体LST1中的多个第一晶体管TR1和设置在第二层堆叠体LST2中的多个第二晶体管TR2被第二板PLT2分离。
多个第一晶体管TR1可设置在设置于第一板PLT1与第二板PLT2之间的第一层堆叠体LST1的整个区域中,或者可设置在第一层堆叠体LST1的特定区域(例如,***区域)中。
多个第二晶体管TR2可设置在设置于第二板PLT2上的第二层堆叠体LST2的整个区域或特定区域中。
参照图3至图5,构成多个子像素SP的多个第二晶体管TR2可设置在第二层堆叠体LST2中,多个子像素SP布置在与图像显示区域对应的有效区域A/A中。
参照图3至图5,第一层堆叠体LST1可包括栅极驱动电路区域G/A。
多个栅极驱动电路GIP可形成在显示面板110的第一层堆叠体LST1中的栅极驱动电路区域G/A中。
设置在第一层堆叠体LST1中的多个第一晶体管TR1可以是构成多个栅极驱动电路GIP的晶体管。
第一晶体管TR1可设置成与多个子像素SP中的至少一个子像素SP的区域重叠。例如,第一晶体管可设置成与多个子像素SP之中的设置在***部分中的至少一个子像素SP的区域重叠。
如图3中所示,第一层堆叠体LST1中的形成多个栅极驱动电路GIP的位置可以是第一层堆叠体LST1的一侧。
就是说,构成多个栅极驱动电路GIP的多个第一晶体管TR1可在第一层堆叠体LST1中设置在一侧的***区域中。
换句话说,构成多个栅极驱动电路GIP的多个第一晶体管TR1可与有效区域A/A,例如,有效区域A/A的一侧区域重叠。换句话说,栅极驱动电路可直接设置在其控制的子像素下方或与其控制的子像素直接重叠,全都设置在同一面板内,因而提供了非常紧凑的结构。
如图4中所示,第一层堆叠体LST1中的形成多个栅极驱动电路GIP的位置可以是第一层堆叠体LST1的一侧和另一侧(例如,GIP形成在两侧上)。
就是说,构成多个栅极驱动电路GIP的多个第一晶体管TR1可设置在第一层堆叠体LST1中一侧的***区域和另一侧的***区域中。
换句话说,构成多个栅极驱动电路GIP的多个第一晶体管TR1可与有效区域A/A,例如,有效区域A/A的两侧区域重叠。
如上所述,由于栅极驱动电路区域G/A不是与有效区域A/A分离存在,而是与有效区域A/A的一部分垂直地重叠而存在,所以在显示面板110中可不存在边框区域,或者即使存在边框区域,但边框区域可非常小。因而,根据实施方式的显示面板110具有无边框结构。
参照图3和图4,第一层堆叠体LST1可进一步包括至少一个无机绝缘膜300。
至少一个无机绝缘膜300可用作用于形成构成栅极驱动电路GIP的多个第一晶体管TR1的绝缘膜,可用于将栅极驱动电路GIP与第二板PLT2分离,并且可用作减小第一板PLT1对第二层堆叠体LST2的影响的缓冲。
除了构成多个子像素SP的多个第二晶体管TR2之外,在第二层堆叠体LST2中还可形成与多个子像素SP的部件对应的多个电容器和多个发光元件、以及用于驱动多个子像素SP的各种信号线。
参照图3至图5,设置在有效区域A/A外部的边框区域可非常小,或者在用于驱动多个子像素SP的各种信号线中的栅极线GL两侧上可不存在边框区域。
过去,由于栅极驱动电路GIP形成在与有效区域A/A的外部区域对应的边框区域中,例如,形成栅极驱动电路GIP的边框区域与有效区域A/A不重叠,所以必须存在边框区域,并且边框区域必须十分大。在此,边框尺寸限制了显示装置100的设计自由度。
然而,根据图3至图5的剖面结构,由于栅极驱动电路区域G/A与有效区域A/A垂直地重叠,所以不必存在在第一方向上设置在有效区域A/A外部的待用于栅极驱动电路区域的边框区域。
参照图6,显示面板110可包括将设置在第一层堆叠体LST1中的第一金属构件M1与设置在第二层堆叠体LST2中的第二金属构件M2电连接的侧方布线SRL。在此,第一层堆叠体LST1和第二层堆叠体LST2被第二板PLT2分离。
侧方布线SRL可沿第二板PLT2的侧表面设置。
参照图6,与侧方布线SRL的一端电连接的第一金属构件M1可以是设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1的源极电极或漏极电极,或者可对应于与第一晶体管TR1的源极电极或漏极电极电连接的图案。
参照图6,与侧方布线SRL的另一端电连接的第二金属构件M2可以是与设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2的栅极电极电连接的栅极线,或者可对应于与栅极线电连接的图案。在此,如图6所示,由于第一金属构件M1,可在第一层堆叠体LST1的侧面处形成台阶部分,并且侧方布线SRL设置在第一层堆叠体LST1的台阶部分上。
第一板PLT1和第二板PLT2中的每一个可以是柔性板。
第一板PLT1可用作其上形成第一层堆叠体LST1的基板,例如可以是聚酰亚胺(PI)基板。
第二板PLT2可用作其上形成第二层堆叠体LST2的基板,例如可以是聚酰亚胺基板或有机绝缘层。
第二板PLT2可用作基板,并且还可用于阻挡从第一层堆叠体LST1迁移的氢。
另一方面,就物理特性和结构方面而言,设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1可设置为各种类型的晶体管。就物理特性和结构方面而言,设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2可设置为各种类型的晶体管。
例如,由于设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1是构成栅极驱动电路GIP的晶体管并且因而需要高电子迁移率和高速驱动,所以第一晶体管TR1可设置为低温多晶硅(LTPS)晶体管。
LTPS工艺是需要氢的工艺。因此,在第一层堆叠体LST1中可存在氢。
另一方面,由于设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2构成用于驱动图像的子像素SP,所以迁移率等的均匀性非常重要。因此,第二晶体管TR2可设置为具有出色均匀性的氧化物晶体管。
在这点上,设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2可包括氧化物晶体管(例如,晶体管的沟道或有源层可由氧化物形成)。然而,在该情形中,当设置在第二层堆叠体LST2中的氧化物半导体暴露于氢时,氧化物半导体的性能可劣化。
因此,尽管第一层堆叠体LST1中存在氢而且设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2易受氢影响,但当设置在第一层堆叠体LST1与第二层堆叠体LST2之间的第二板PLT2设置为能够阻挡氢的层时,由于第二板PLT2的氢阻挡功能,可防止第二晶体管TR2暴露于氢。换句话说,第二层堆叠体中的氧化物晶体管的沟道可易于被用于制作第一层堆叠体中的LTPS晶体管的氢损坏,因而第二板可防止第一晶体管的沟道暴露于氢。
另一方面,设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2可包括不同类型的晶体管(例如,氧化物晶体管、LTPS晶体管等)。此外,设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1可包括不同类型的晶体管(例如,氧化物晶体管、LTPS晶体管等)。
第一板PLT1的厚度和第二板PLT2的厚度可相同。
或者,第一板PLT1的厚度和第二板PLT2的厚度可彼此不同。例如,第一板PLT1的厚度可大于第二板PLT2的厚度。
图7图解了根据实施方式的显示面板110的子像素电路。
参照图7,当显示面板110是OLED面板时,多个子像素SP中的每一个可包括有机发光二极管OLED、驱动晶体管DRT、开关晶体管SWT、存储电容器Cst等。
有机发光二极管OLED可包括阳极、有机发光层、阴极等。
根据图7所示,有机发光二极管OLED的阳极对应于像素电极,并且对应于公共电压的基电压EVSS可施加至有机发光二极管OLED的阴极(也称为公共电极)。
在此,基电压EVSS例如可以是地电压或者高于或低于地电压的电压。此外,基电压EVSS可根据驱动状态而变化。例如,图像驱动期间的基电压EVSS和感测驱动期间的基电压EVSS可设为彼此不同。
驱动晶体管DRT给有机发光二极管OLED提供驱动电流,以驱动有机发光二极管OLED。
驱动晶体管DRT的栅极节点电连接至第一节点N1。
驱动晶体管DRT的源极节点(或漏极节点)可电连接至第二节点N2。在此,有机发光二极管OLED的阳极可连接至第二节点N2。
驱动晶体管DRT的漏极节点(或源极节点)可电连接至第三节点N3。在此,第三节点N3可以是与驱动电压线DVL电连接的节点,并且驱动电压EVDD可施加至第三节点N3。
开关晶体管SWT可连接在第一节点N1与相应数据线DL之间。
开关晶体管SWT的栅极节点可电连接至提供扫描信号SCAN的栅极线GL。开关晶体管SWT的漏极节点(或源极节点)可电连接至数据线DL。
开关晶体管SWT可通过经由栅极线GL施加至栅极节点的扫描信号SCAN进行导通-截止控制。
当开关晶体管SWT通过扫描信号SCAN导通时,开关晶体管SWT可将从相应数据线DL提供的数据电压Vdata传输至驱动晶体管DRT的栅极节点。
存储电容器Cst可用于将一定电压(certain voltage)保持一定量(certainamount)的时间(例如,单个帧时间)。
存储电容器Cst可电连接在第一节点N1与第二节点N2之间或者可电连接在第一节点N1与第三节点N3之间。
存储电容器Cst是有意设计成设置在驱动晶体管DRT外部的外部晶体管,而不是寄生电容器(例如,Cgs或Cgd),例如,存在于驱动晶体管DRT的源极节点/漏极节点/栅极节点之间的内部电容器。
驱动晶体管DRT和开关晶体管SWT中的每一个可以是n型晶体管或p型晶体管。
仅出于说明性目的提供了图7中所示的子像素结构(即,2T1C结构),在一些情形中,可进一步包括一个或多个晶体管或者一个或多个电容器。或者,多个子像素SP中的每一个可具有相同的结构,或多个子像素SP中的一些子像素可具有不同的结构。
图8图解了根据实施方式的栅极驱动电路GIP。
参照图8,栅极驱动电路GIP可包括上拉晶体管Tup、下拉晶体管Tdown、控制开关电路CSC等。
控制开关电路CSC可以是控制与上拉晶体管Tup的栅极节点对应的节点Q的电压和与下拉晶体管Tdown的栅极节点对应的节点QB的电压并且包括多个开关(晶体管)的电路。
上拉晶体管Tup是经由输出节点Nout给栅极线GL提供与导通电平电压(例如,高电平电压VGH)对应的扫描信号SCAN的晶体管。
下拉晶体管Tdown是经由输出节点Nout给栅极线GL提供与截止电平电压(例如,低电平电压VGL)对应的扫描信号SCAN的晶体管。
上拉晶体管Tup和下拉晶体管Tdown可在不同的时间点导通。
上拉晶体管Tup电连接在被施加时钟信号CLK的时钟信号施加节点Nclk与电连接至栅极线GL的输出节点Nout之间并且被节点Q的电压导通和截止。
上拉晶体管Tup的栅极节点电连接至节点Q。上拉晶体管Tup的漏极节点或源极节点电连接至时钟信号施加节点Nclk。上拉晶体管Tup的源极节点或漏极节点电连接至输出扫描信号的输出节点Nout。
上拉晶体管Tup被节点Q的电压导通并且将在时钟信号CLK的高电平区段中具有高电平电压VGH的扫描信号SCAN提供至输出节点Nout。
输出至输出节点Nout的具有高电平电压VGH的扫描信号SCAN被提供至相应的栅极线GL。
下拉晶体管Tdown电连接在输出节点Nout与基电压节点Nvss之间并且被节点QB的电压导通和截止。
下拉晶体管Tdown的栅极节点电连接至节点QB。下拉晶体管Tdown的漏极节点或源极节点电连接至基电压节点Nvss,以接收对应于恒定电压的基电压VSS。下拉晶体管Tdown的源极节点或漏极节点电连接至输出扫描信号SCAN的输出节点Nout。
下拉晶体管Tdown被节点QB的电压导通并且将具有低电平电压VGL的扫描信号SCAN输出至输出节点Nout。具有低电平电压VGL的扫描信号SCAN可经由输出节点Nout被提供至相应的栅极线GL。在此,具有低电平电压VGL的扫描信号SCAN例如可以是基电压VSS。
另一方面,控制开关电路CSC可包括至少两个晶体管并且可包括诸如节点Q、节点QB、置位节点S(也称为开始节点)和复位节点R之类的主要节点。在一些情形中,控制开关电路CSC可进一步包括被输入诸如驱动电压VDD之类的各种电压的输入节点等。
在控制开关电路CSC中,节点Q电连接至上拉晶体管Tup的栅极节点,并且重复充电和放电。
在控制开关电路CSC中,节点QB电连接至下拉晶体管Tdown的栅极节点,并且重复充电和放电。
在控制开关电路CSC中,用于指示栅极驱动电路GIP开始栅极驱动的置位信号SET施加至置位节点S。
施加至置位节点S的置位信号SET可以是从栅极驱动器130外部输入的起始信号VST,或者可以是从在当前栅极驱动电路GIP之前的前级的栅极驱动电路GIP输出的扫描信号SCAN的反馈信号(进位信号)。
在控制开关电路CSC中,施加至复位节点R的复位信号RST可以是用于将整个级的栅极驱动电路GIP同时初始化的复位信号并且可以是从另一级(前级或后级)输入的复位信号。
控制开关电路CSC响应于置位信号SET将节点Q充电并且响应于复位信号RST将节点Q放电。控制开关电路CSC可包括反相器电路,以在不同的时间点将节点Q和节点QB充电或放电。
图9图解了根据实施方式的显示面板110的剖面结构。
在图9至图12的图示中,设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1是图8的上拉晶体管Tup,设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2是图7的驱动晶体管DRT和开关晶体管SWT。
参照图9,基于根据实施方式的显示面板110的剖面结构,第一层堆叠体LST1可设置在第一板PLT1上,第二板PLT2可设置在第一层堆叠体LST1上,并且第二层堆叠体LST2可设置在第二板PLT2上。
第一层堆叠体LST1可包括与有效区域A/A垂直地重叠的栅极驱动电路区域G/A。可在栅极驱动电路区域G/A中形成包括第一晶体管TR1的栅极驱动电路GIP。换句话说,栅极驱动电路可直接设置在其控制的子像素下方,全都在同一面板内。
第一晶体管TR1可包括第一有源层ACT1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1。
下文中,将更详细地描述第一晶体管TR1的结构。
下部缓冲层BUF0可设置在第一板PLT1上。
底部屏蔽金属BSM可设置在下部缓冲层BUF0上。
第一缓冲层BUF1可设置在下部缓冲层BUF0上,以覆盖下部缓冲层BUF0上的底部屏蔽金属BSM。
第一有源层ACT1设置在第一缓冲层BUF1上。
第一栅极绝缘膜GI1设置在第一有源层ACT1上。
第一栅极电极G1可设置在第一栅极绝缘膜GI1上。第一栅极电极G1可与第一有源层ACT1的一部分重叠。
第一源极电极S1和第一漏极电极D1可设置在第一栅极绝缘膜GI1上。在一些情形中,第一源极电极S1和第一漏极电极D1可设置在第一栅极绝缘膜GI1上的另一绝缘膜(例如,层间绝缘膜)上。
第一源极电极S1可通过第一栅极绝缘膜GI1的孔与第一有源层ACT1的一部分直接接触,或者可经由连接图案与第一有源层ACT1的一部分接触。
第一漏极电极D1可通过第一栅极绝缘膜GI1的另一孔与第一有源层ACT1的另一部分直接接触,或者可经由连接图案与第一有源层ACT1的另一部分接触。
第一有源层ACT1的与第一栅极电极G1重叠的区域是形成沟道的区域,第一有源层ACT1的其余区域可以是被处理成导电的区域。
第一层间绝缘膜ILD1可设置在第一栅极绝缘膜GI1上,以覆盖设置在第一栅极绝缘膜GI1上的第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1。
在此,第一层间绝缘膜ILD1、第一栅极绝缘膜GI1、第一缓冲层BUF1和下部缓冲层BUF0可对应于如图3和图4中所示的无机绝缘膜300。
第二板PLT2可设置在第一层间绝缘膜ILD1上。
第二层堆叠体LST2可设置在第二板PLT2上,并且可在第二层堆叠体LST2中形成第二晶体管TR2。
第二晶体管TR2包括第二有源层ACT2、第二栅极电极G2、第二源极电极S2和第二漏极电极D2。
下面将更详细地描述第二晶体管TR2的结构。
第二有源层ACT2设置在第二缓冲层BUF2上。
第二栅极绝缘膜GI2设置在第二有源层ACT2上。
第二栅极电极G2可设置在第二栅极绝缘膜GI2上。第二栅极电极G2可与第二有源层ACT2的一部分重叠。
第二层间绝缘膜ILD2可设置在第二栅极绝缘膜GI2上,以覆盖第二栅极绝缘膜GI2上的第二栅极电极G2。
第二源极电极S2和第二漏极电极D2可设置在第二层间绝缘膜ILD2上。
第二源极电极S2可通过第二层间绝缘膜ILD2和第二栅极绝缘膜GI2的孔与第二有源层ACT2的一部分直接接触,或者可经由连接图案与第二有源层ACT2的一部分接触。
第二漏极电极D2可通过第二层间绝缘膜ILD2和第二栅极绝缘膜GI2的另一个孔与第二有源层ACT2的另一部分直接接触,或者可经由连接图案与第二有源层ACT2的另一部分接触。
第二有源层ACT2的与第二栅极电极G2重叠的区域是形成沟道的区域,第二有源层ACT2的其余区域可以是被处理成导电的区域。
在此,第二层间绝缘膜ILD2、第二栅极绝缘膜GI2和第二缓冲层BUF2可对应于无机绝缘膜。
其中形成有有机发光二极管OLED的发光元件叠层ELS可设置在第二层间绝缘膜ILD2上。在发光元件叠层ELS中,阳极和发光层设置在每一个子像素区域中,并且阴极可形成在整个表面上。
此外,封装层可形成在发光元件叠层ELS上。
封装层例如可包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如,封装层可按无机层、有机层和无机层的顺序包括无机层、有机层和无机层。
在另一示例中,封装层可以是薄膜形式的金属层。
进一步参照图9、图7的子像素结构和图8的栅极驱动电路GIP,与栅极驱动电路GIP中包括的上拉晶体管Tup对应的第一晶体管TR1的第一源极电极S1应当电连接至栅极线GL,栅极线GL连接至与子像素SP中包括的开关晶体管SWT对应的第二晶体管TR2的第二栅极电极G2。亦或,当晶体管类型改变时,与栅极驱动电路GIP中包括的上拉晶体管Tup对应的第一晶体管TR1的第一漏极电极D1应当电连接至栅极线GL,栅极线GL连接至与子像素SP中包括的开关晶体管SWT对应的第二晶体管TR2的第二栅极电极G2。
作为这种连接结构,侧方布线SRL可设置在第二板PLT2的侧表面上。侧方布线SRL还可设置在第一层堆叠体LST1的上层的侧表面上以及第二层堆叠体LST2的下层的侧表面上。
侧方布线SRL将与形成在第一层堆叠体LST1中的第一金属构件M1对应的第一晶体管TR1的第一源极电极S1和与形成在第二层堆叠体LST2中的第二金属构件M2对应的栅极线GL电连接。在此,例如,第一层堆叠体LST1中的连接至侧方布线SRL的第一金属构件M1可以是栅极驱动电路GIP中的上拉晶体管Tup的源极电极或漏极电极、或者下拉晶体管Town的源极电极或漏极电极。
与图9一起参照图7的子像素结构,在第二层堆叠体LST2中,与子像素SP中的开关晶体管SWT对应的第二晶体管TR2的第二源极电极S2或第二漏极电极D2可电连接至与子像素SP中的驱动晶体管DRT对应的第二晶体管TR2的第二栅极电极G2。
另外,设置在第一晶体管TR1下方的底部屏蔽金属BSM可浮置。在该情形中,没有电力(电压或电流)施加至底部屏蔽金属BSM。
底部屏蔽金属BSM用于阻挡从下方进入的光。
设置在第一晶体管TR1下方的底部屏蔽金属BSM可电连接至第一晶体管TR1的第一源极电极S1或第一漏极电极D1。
在该情形中,底部屏蔽金属BSM可用于阻挡从下方进入的光并且还可用作第一晶体管TR1的主体,因而可使第一晶体管TR1稳定可靠地操作,由此提高第一晶体管TR1的性能。
设置在第一晶体管TR1下方的底部屏蔽金属BSM可不连接至第一晶体管TR1的第一源极电极S1或第一漏极电极D1,而是可电连接至第一栅极电极G1。
在该情形中,底部屏蔽金属BSM和第一栅极电极G1可作为第一晶体管TR1的多栅极电极操作,以提高第一晶体管TR1的导通-截止特性。
另一方面,设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1和设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2可包括不同类型的晶体管。例如,第二晶体管TR2可包括氧化物晶体管,第一晶体管TR1可包括与氧化物晶体管不同的晶体管(例如,非晶硅晶体管、LTPS晶体管等)。在另一示例中,第一晶体管TR1包括LTPS晶体管,并且第二晶体管TR2可包括氧化物晶体管。
另一方面,当第一层堆叠体LST1包括LTPS晶体管并且第二层堆叠体LST2包括氧化物晶体管时,第二板PLT2可以是聚酰亚胺(PI)基板。因此,第二板PLT2可防止第一层堆叠体LST1中的氢等不利地影响第二层堆叠体LST2中包括的氧化物晶体管。
另一方面,当第一层堆叠体LST1不包括LTPS晶体管时,或者当第二层堆叠体LST2不包括氧化物晶体管时,第二板PLT2可以是聚酰亚胺基板或与聚酰亚胺基板不同的基板。
另一方面,设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1和设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2可以是相同的晶体管。例如,第一晶体管TR1和第二晶体管TR2可以是LTPS晶体管或氧化物晶体管。
图10至图12按照类型图解了第一层堆叠体LST1中包括的第一晶体管TR1和第二层堆叠体LST2中包括的第二晶体管TR2的剖面结构。
根据图10的图示,第一层堆叠体LST1可以是包括LTPS半导体材料的LTPS叠层,第二层堆叠体LST2可以是包括氧化物半导体材料的氧化物叠层。
设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1可以是其中第一有源层ACT1是LTPS半导体的LTPS晶体管,设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2可以是其中第二有源层ACT2是氧化物半导体的氧化物晶体管。
在此,LTPS晶体管具有高迁移率。氧化物晶体管具有高均匀性。
根据图11的图示,第一层堆叠体LST1和第二层堆叠体LST2二者都可以是包括LTPS半导体材料的LTPS叠层。
参照图11,设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1可以是其中第一有源层ACT1是LTPS半导体的LTPS晶体管。设置在第二层堆叠体LST2中的第二晶体管TR2也可以是其中第二有源层ACT2是LTPS半导体的LTPS晶体管。
根据图12的图示,第一层堆叠体LST1可以是包括LTPS半导体材料的LTPS叠层,第二层堆叠体LST2可以是包括氧化物半导体材料和LTPS半导体材料的LTPS和氧化物叠层。
参照图12,设置在第一层堆叠体LST1中的第一晶体管TR1是其中第一有源层ACT1是LTPS半导体的LTPS晶体管。
参照图12,设置在第二层堆叠体LST2中的一些第二晶体管TR2可以是其中第二有源层ACT2是氧化物半导体的氧化物晶体管,其他第二晶体管TR2可以是其中第二有源层ACT2是LTPS半导体的LTPS晶体管。
例如,需要高速驱动的驱动晶体管DRT可实现为LTPS晶体管,而不需要高速驱动并且均匀性重要的驱动晶体管可实现为氧化物晶体管。
上述氧化物晶体管可以是n型或p型晶体管。就是说,氧化物半导体可以是n型氧化物半导体或p型氧化物半导体。
例如,n型氧化物半导体可包括选自氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。p型氧化物半导体可包括选自CuOx、SnOx、NiOx等中的至少一种。
另外,可通过利用根据实施方式的上述显示面板110实现多重显示装置。
图13图解了根据实施方式的多重显示装置1300。图14图解了图13中所示的多重显示装置1300的应用。
参照图13,根据实施方式的多重显示装置1300是包括多个显示面板110的显示装置100的应用。
在多重显示装置1300中,多个显示面板110可用作独立的显示器并且还可彼此互相配合,以用作像单个显示面板一样的单个显示器。
在这点上,多重显示装置1300中包括的多个显示面板110中的每一个的边框区域应当最小化。
上面参照图1至图12描述的显示面板110可具有其中边框区域可被最小化或被去除的结构,由此显著地有助于实现多重显示装置1300。
参照图13,根据实施方式的多重显示装置1300可包括:包括至少两个显示面板110的显示器1310、用于驱动设置在至少两个显示面板110中的数据线的数据驱动电路1320、和用于控制数据驱动电路1320等的控制电路1340。
由于显示器1310中包括的至少两个显示面板110中的每一个与参照图1至图12描述的相同,所以下面仅给出简要描述。
显示器1310中包括的多个显示面板110中的每一个可包括第一板PLT1、第一层堆叠体LST1、第二板PLT2、第二层堆叠体LST2等。
第二板PLT2设置在第一板PLT1上。
第一层堆叠体LST1可设置在第一板PLT1与第二板PLT2之间并且可包括多个层。金属材料或绝缘材料可形成在多个层中的每一个中。
第二层堆叠体LST2可设置在第二板PLT2上并且可包括多个层。金属材料或绝缘材料可形成在多个层中的每一个中。
第一层堆叠体LST1和第二层堆叠体LST2被第二板PLT2分离。
第一层堆叠体LST1中设置有多个第一晶体管TR1。
第二层堆叠体LST2中设置有多个第二晶体管TR2。
设置在第一层堆叠体LST1中的多个第一晶体管TR1和设置在第二层堆叠体LST2中的多个第二晶体管TR2被第二板PLT2分离。
多个第一晶体管TR1可设置在设置于第一板PLT1与第二板PLT2之间的第一层堆叠体LST1的整个区域中,或者可设置在第一层堆叠体LST1的特定区域(例如,***区域)中。
多个第二晶体管TR2可设置在设置于第二板PLT2上的第二层堆叠体LST2的整个区域或特定区域中。
构成多个子像素SP的多个第二晶体管TR2可设置在第二层堆叠体LST2中,多个子像素SP布置在与图像显示区域对应的有效区域A/A中。
栅极驱动器130可内置在多个显示面板110中的每一个中。
在这点上,构成栅极驱动器130的多个栅极驱动电路GIP可形成在第一层堆叠体LST1中。
设置在第一层堆叠体LST1中的多个第一晶体管TR1可以是构成多个栅极驱动电路GIP的晶体管。
第一晶体管TR1可设置成与多个子像素SP中的至少一个子像素SP的区域重叠。例如,第一晶体管可设置成与多个子像素SP之中的设置在***部分中的至少一个子像素SP的区域重叠。
数据驱动电路1320可驱动设置在多个显示面板110中的整个数据线。数据驱动电路1320可包括与多个显示面板110对应的全部数据驱动器120。
此外,如上所述,栅极驱动器130可内置在多个显示面板110中的每一个中。
控制电路1340可控制数据驱动器电路1320和内置在多个显示面板110中的每一个中的栅极驱动器130。
因而,多个显示面板110可独立进行显示,或者仅多个显示面板110中的一些显示面板进行显示。
此外,可在多个显示面板110上分布并显示其中一个屏幕被分为多个屏幕的小屏幕。
上述多重显示装置1300也可用作标识装置,例如,安装在公共场所或商业空间中的显示器。
当多重显示装置1300用作标识装置时,包括多个显示面板110的显示器1310可被用作平板大屏幕。例如,多重显示装置1300可用作大幅广告牌或者可安装在体育场、展览厅、表演大厅等中以用作大屏幕。
或者,当多重显示装置1300用作标识装置时,如图14中所示,包括多个显示面板110的显示器1310也可被用作安装在圆柱形结构1400(例如,围绕圆柱或柱子使用,或体育竞技场中的曲线形记分牌)中的具有圆柱形形状的大屏幕。例如,圆柱形多重显示装置1300可用作大幅广告牌或者可安装在体育场、展览厅、表演大厅等中以用作大屏幕。
在该情形中,在多个显示面板110中的每一个中,第一板PLT1和第二板PLT2可以是柔性板。
如上所述,根据实施方式,提供了具有无边框结构的显示面板110和显示装置100。
根据实施方式,当包括氧化物晶体管以及LTPS晶体管时,显示面板110和显示装置100具有能够改善氧化物晶体管的元件特性的结构。
根据实施方式,提供了具有能够保护易受氢影响的晶体管的结构的显示面板110和显示装置100。
根据实施方式,提供了包括具有无边框结构的显示面板110的多重显示装置1300。
为了解释本公开内容的特定原理,通过示例的方式呈现了前面的描述和附图。在不背离本公开内容的原理的情况下,本公开内容所属领域的普通技术人员可通过组合、分离、替换或改变元件来进行各种修改和变化。在此公开的前述实施方式应当解释为对于本公开内容的原理和范围来说是举例说明性的,而不是限制性的。应当理解,本公开内容的范围应由所附权利要求限定,其所有等同均落在本公开内容的范围内。
Claims (24)
1.一种显示面板,包括:
第一板;
设置在所述第一板上的第二板;
设置在所述第一板与所述第二板之间的第一层堆叠体;
设置在所述第一层堆叠体内的第一晶体管;
设置在所述第二板上的第二层堆叠体;和
设置在所述第二层堆叠体内的第二晶体管,
其中所述第一晶体管设置在与有效区域重叠的位置中,所述有效区域对应于图像显示区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第二晶体管是设置在设置于所述有效区域中的多个子像素中的每一个中的晶体管,并且
其中所述第一晶体管设置成与所述多个子像素中的至少一个子像素的区域重叠。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述第一晶体管设置在内置于所述显示面板中的栅极驱动电路中,并且
其中所述第一晶体管与所述有效区域的***部分中的至少一个子像素的区域重叠。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中所述栅极驱动电路直接设置在其控制的子像素下方。
5.根据权利要求1所述的显示面板,进一步包括:
侧方布线,所述侧方布线将设置在所述第一层堆叠体中的第一金属构件与设置在所述第二层堆叠体中的第二金属构件电连接,所述侧方布线沿所述第二板的侧表面设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中所述第一金属构件是所述第一晶体管的源极电极或漏极电极,或者所述第一金属构件对应于与所述第一晶体管的源极电极或漏极电极电连接的图案,并且
其中所述第二金属构件是与所述第二晶体管的栅极电极电连接的栅极线,或者所述第二金属构件对应于与所述第二晶体管的栅极电极电连接的图案。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其中所述侧方布线接触所述第二金属构件的上表面、所述第二金属构件的侧表面和所述第一金属构件的上表面。
8.根据权利要求5所述的显示面板,进一步包括:
所述第一层堆叠体的侧面处的台阶部分,
其中所述侧方布线设置在所述第一层堆叠体的所述台阶部分上。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第一层堆叠体包括设置在所述第一板与所述第二板之间的至少一个无机绝缘膜。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第一晶体管设置在内置于所述显示面板中的栅极驱动电路中,
其中所述第一层堆叠体包括设置在所述第一晶体管下方的底部屏蔽金属,并且
其中所述底部屏蔽金属电浮置或者电连接至所述第一晶体管的源极电极、漏极电极和栅极电极之一。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第一晶体管是与所述第二晶体管不同类型的晶体管。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中所述第一晶体管是低温多晶硅晶体管(LTPS),
其中所述第二晶体管是氧化物晶体管,并且
其中所述第二板是聚酰亚胺基板。
13.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第一晶体管是与所述第二晶体管相同类型的晶体管。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是多晶硅晶体管,并且
其中所述第二板包括有机绝缘膜或聚酰亚胺基板。
15.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第二板是氢阻挡板或氢收集板。
16.一种显示装置,包括:
包括一个或多个显示面板的显示器;和
用于驱动设置在所述一个或多个显示面板中的数据线的数据驱动电路,
其中所述一个或多个显示面板中的每一个包括:
第一板;
设置在所述第一板上的第二板;
设置在所述第一板与所述第二板之间的第一层堆叠体;
设置在所述第一层堆叠体内的第一晶体管;
设置在所述第二板上的第二层堆叠体;和
设置在所述第二层堆叠体内的第二晶体管,
其中所述第一晶体管设置在与有效区域重叠的位置中,所述有效区域对应于图像显示区域。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中所述第二晶体管是设置在设置于所述有效区域中的多个子像素中的每一个中的晶体管,并且
其中所述第一晶体管设置成与所述多个子像素中的至少一个子像素的区域重叠。
18.根据权利要求17所述的显示装置,其中所述第一晶体管设置在内置于所述一个或多个显示面板中的每一个中的栅极驱动电路中,并且
其中所述第一晶体管设置成与所述有效区域的***部分中的至少一个子像素的区域重叠。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中所述栅极驱动电路直接设置在其控制的子像素下方。
20.根据权利要求16所述的显示装置,其中所述显示器包括形成圆柱形形状的两个或更多个显示面板,并且
其中所述第一板和所述第二板是柔性板。
21.根据权利要求16所述的显示装置,进一步包括:
侧方布线,所述侧方布线将设置在所述第一层堆叠体中的第一金属构件与设置在所述第二层堆叠体中的第二金属构件电连接,所述侧方布线沿所述第二板的侧表面设置。
22.根据权利要求21所述的显示装置,进一步包括:
所述第一层堆叠体的侧面处的台阶部分,
其中所述侧方布线设置在所述第一层堆叠体的所述台阶部分上。
23.根据权利要求21所述的显示装置,其中所述侧方布线接触所述第二金属构件的上表面、所述第二金属构件的侧表面和所述第一金属构件的上表面。
24.根据权利要求16所述的显示装置,其中所述第二板是氢阻挡板或氢收集板。
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---|---|---|---|---|
KR20210022808A (ko) * | 2019-08-20 | 2021-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
WO2022176772A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | ディスプレイモジュールおよびその製造方法、ならびに電子機器 |
KR20240033247A (ko) * | 2021-07-16 | 2024-03-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 장치 |
KR20240093706A (ko) * | 2021-10-22 | 2024-06-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080225195A1 (en) * | 2007-01-17 | 2008-09-18 | Oohara Ken | Display device and manufacturing method thereof |
CN101553086A (zh) * | 2003-01-22 | 2009-10-07 | 日本电气株式会社 | 电路基板装置及布线基板间的连接方法 |
CN101636689A (zh) * | 2007-03-20 | 2010-01-27 | 富士通株式会社 | 层叠型显示元件及其制造方法 |
CN101910932A (zh) * | 2008-04-17 | 2010-12-08 | 夏普株式会社 | Tft阵列基板和液晶显示装置 |
US20130277650A1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | Sony Corporation | Signal transmission unit, display unit, and electronic apparatus |
CN104103669A (zh) * | 2013-04-11 | 2014-10-15 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示面板 |
US20150279918A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-01 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
US20160349567A1 (en) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
CN106449706A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-02-22 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
CN107132708A (zh) * | 2016-02-26 | 2017-09-05 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
CN107248521A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled背板结构 |
US20180012549A1 (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Innolux Corporation | Display device |
CN107579075A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN107623023A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
US20180151654A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-05-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Device Comprising Multi-Type Thin Film Transistor |
CN108206198A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 乐金显示有限公司 | 具有集成触摸传感器的显示装置及其制造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101377891B1 (ko) * | 2010-01-13 | 2014-03-25 | 샤프 가부시키가이샤 | 어레이 기판 및 액정 표시 패널 |
TW201324760A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 畫素結構及其製造方法 |
KR102159830B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2020-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시소자 |
US9544994B2 (en) * | 2014-08-30 | 2017-01-10 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same |
US9276055B1 (en) * | 2014-08-31 | 2016-03-01 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same |
KR101658716B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2016-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10529745B2 (en) * | 2016-07-05 | 2020-01-07 | Innolux Corporation | Display device |
US10593743B2 (en) * | 2016-12-30 | 2020-03-17 | Lg Display Co., Ltd. | Light emitting diode display device and multi-screen display device using the same |
US10984703B2 (en) * | 2017-03-24 | 2021-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display system which corrects image data, and electronic device |
KR102438256B1 (ko) * | 2017-06-07 | 2022-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린을 갖는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20190010052A (ko) * | 2017-07-20 | 2019-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 디바이스 |
KR102413606B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2022-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 구동 회로 내장형 표시패널 및 이를 이용한 영상 표시장치 |
CN110349547A (zh) * | 2018-04-03 | 2019-10-18 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN110556072B (zh) * | 2018-05-31 | 2024-07-02 | 三星电子株式会社 | 显示面板以及显示面板的驱动方法 |
KR102538488B1 (ko) * | 2018-10-04 | 2023-06-01 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 구동 방법 |
-
2018
- 2018-12-19 KR KR1020180165270A patent/KR102612390B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-07-17 CN CN201910644833.4A patent/CN111341279B/zh active Active
- 2019-07-26 US US16/523,421 patent/US11367399B2/en active Active
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101553086A (zh) * | 2003-01-22 | 2009-10-07 | 日本电气株式会社 | 电路基板装置及布线基板间的连接方法 |
US20080225195A1 (en) * | 2007-01-17 | 2008-09-18 | Oohara Ken | Display device and manufacturing method thereof |
CN101636689A (zh) * | 2007-03-20 | 2010-01-27 | 富士通株式会社 | 层叠型显示元件及其制造方法 |
CN101910932A (zh) * | 2008-04-17 | 2010-12-08 | 夏普株式会社 | Tft阵列基板和液晶显示装置 |
US20130277650A1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | Sony Corporation | Signal transmission unit, display unit, and electronic apparatus |
CN103376580A (zh) * | 2012-04-18 | 2013-10-30 | 索尼公司 | 信号传输单元、显示单元和电子设备 |
CN104103669A (zh) * | 2013-04-11 | 2014-10-15 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示面板 |
US20150279918A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-01 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
US20160349567A1 (en) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
CN107132708A (zh) * | 2016-02-26 | 2017-09-05 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
US20180012549A1 (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Innolux Corporation | Display device |
CN107579075A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN106449706A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-02-22 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
US20180151654A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-05-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Device Comprising Multi-Type Thin Film Transistor |
CN108122928A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 乐金显示有限公司 | 包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置 |
CN108206198A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 乐金显示有限公司 | 具有集成触摸传感器的显示装置及其制造方法 |
CN107248521A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled背板结构 |
CN107623023A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11367399B2 (en) | 2022-06-21 |
US20200203382A1 (en) | 2020-06-25 |
KR102612390B1 (ko) | 2023-12-12 |
CN111341279B (zh) | 2022-05-03 |
KR20200076302A (ko) | 2020-06-29 |
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