CN111328005B - 压电式mems麦克风 - Google Patents

压电式mems麦克风 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种压电式MEMS麦克风，包括具有腔体的基底、压电振膜、支撑梁和固定梁，所述支撑梁连接所述基底和固定梁，所述固定梁连接所述压电振膜，所述压电振膜包括多个膜片，每一膜片均由所述固定梁固定，每一膜片包括固定端和自由端，所述固定端与所述固定梁连接，所述自由端自固定端向两侧延伸并悬置于所述腔体上方。本发明提供的压电式MEMS麦克风，将任意给定形状的压电振膜的膜片的固定端固定，自固定端向两侧形成自由端，固定端由固定梁固定，自由端的长度相对变短，改善了所述膜片的机械强度，提高其结构的可靠性及膜片的谐振频率；同时有两处靠近固定端的地方可以产生电荷，可以叠加提升信号的输出强度，提升灵敏度。

Description

压电式MEMS麦克风
【技术领域】
本发明涉及声电转换装置技术领域,具体涉及一种压电式MEMS麦克风。
【背景技术】
压电式微机电***(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)麦克风相比于传统的电容式MEMS麦克风具有很多优势，包括防尘性和防水性，以及较高的最大输出声压(Acoustic Overload Point，AOP)等。为了减小残余应力对膜片表面造成的形变，从而减小噪底和提升灵敏度，压电式MEMS麦克风的膜片很多都是一端固定一端自由的悬臂梁结构。请参阅图1和图2，压电振膜20上膜片21的固定端211在基底10上腔体14的四周、自由端212在中心。在声压的作用下，自由端212带动悬臂梁发生振动，靠近固定端211的膜片21在力的作用下产生电压，当外部的声音信号从声孔中传入，声压引起悬臂梁形变，产生电压变化，从而感知声学信号。这一结构的特点是，固定端211被约束在基座10上，另一端自由端212可以在声压的作用下沿着箭头方向上下振动，通过压电材料进而产生电荷，电荷被电极收集，转换为电压信号，从而感知声学信号。但这种设计的灵敏度存在局限，不考虑其他因素，该压电式MEMS麦克风的膜片的灵敏度一般在-44dB左右，很难得到进一步的提升。因此，为了进一步提升压电MEMS麦克风的灵敏度，有必要对结构进行改进以提升灵敏度。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种压电式MEMS麦克风，通过改进压电振膜的结构，提升其灵敏度，改善其结构的可靠性。
为实现上述目的，本发明提供了一种压电式MEMS麦克风，所述压电式MEMS麦克风包括具有腔体的基底、压电振膜、支撑梁和固定梁，所述支撑梁连接所述基底和固定梁，所述固定梁连接所述压电振膜，所述压电振膜包括多个膜片，每一膜片均由所述固定梁固定，每一膜片包括固定端和自由端，所述固定端与所述固定梁连接，所述自由端自固定端向两侧延伸并悬置于所述腔体上方。
优选地，所述固定梁于所述膜片的中部对所述膜片进行固定。
优选地，所述支撑梁设于相邻的膜片之间的缝隙的上侧或者下侧。
优选地，每一膜片由压电材料和电极叠设形成，所述电极至少包括两个，每一膜片的最外层设置所述电极；相邻的电极中间由所述压电材料间隔设置。
优选地，所述固定梁位于所述压电振膜的上侧对所述压电振膜进行固定。
优选地，所述固定梁位于所述压电振膜的下侧对所述压电振膜进行固定。
优选地，所述固定梁位于所述压电振膜的上下两侧对所述压电振膜进行固定。
优选地，所述固定梁位于所述膜片的对称位置。
优选地，所述固定梁位于所述膜片的不对称位置。
优选地，每一膜片的宽度自所述固定端朝向所述自由端逐渐增大或者缩小。
优选地，每一膜片的形状为由所述固定端朝向所述自由端的无固定规则变化的多边形或者曲形。
优选地，相邻的膜片的自由端使用弹性结构件连接。
优选地，所述弹性结构件设于相邻的膜片之间的缝隙。
优选地，所述弹性结构件设于相邻的膜片的自由端的端部。
本发明的有益效果在于：
本发明的压电式MEMS麦克风，在声压的作用下，自由端发生振动，靠近固定端的压电振膜产生电压信号。相比于现有技术，将任意给定形状的压电振膜的膜片的固定端固定，自所述固定端向两侧形成自由端，自由端的长度相对变短，从而改善所述膜片的机械强度，提升了膜片的谐振频率；同时，两侧自由端都可以进行振动，从而有两处靠近固定端的地方可以产生电荷，可以叠加提升信号的输出强度，提升灵敏度。
【附图说明】
图1为现有技术中压电式MEMS麦克风的俯视图；
图2为图1中A-A处的剖视图；
图3为本发明实施例一提供的压电式MEMS麦克风的俯视平面图；
图4为本发明实施例一提供的立体结构示意图；
图5为图3中的B-B处的剖视图；
图6为图3中的C-C处的剖视图；
图7为本发明实施例二提供的压电式MEMS麦克风的俯视立体结构平面图；
图8为本发明实施例二提供的压电式MEMS麦克风的仰视立体结构平面图；
图9为图7中的D-D处的剖视图；
图10为图7中的E-E处的剖视图；
图11为本发明实施例三提供的压电式MEMS麦克风的俯视立体结构平面图；
图12为本发明实施例三提供的压电式MEMS麦克风的仰视立体结构平面图；
图13为图11中的F-F处的剖视图；
图14为图11中的G-G处的剖视图；
图15为本发明实施例一提供的固定梁在压电振膜上方的剖面示意图；
图16为本发明实施例二提供的固定梁在压电振膜下方的剖面示意图；
图17为本发明实施例三提供的固定梁在压电振膜上方和下方的剖面示意图；
图18为本发明实施例四提供的对称模片的固定梁位置示意图；
图19为本发明实施例五提供的不对称模片的固定梁位置示意图；
图20为本发明实施例六提供的对称模片的压电式MEMS麦克风的俯视平面图；
图21为本发明实施例七提供的不对称模片的压电式MEMS麦克风的俯视平面图；
图22A为本发明实施例八提供的三种典型的对称模片之一的固定梁的位置示意图；
图22B为本发明实施例八提供的三种典型的对称模片之二的固定梁的位置示意图；
图22C为本发明实施例八提供的三种典型的对称模片之三的固定梁的位置示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
需要说明的是，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、内、外、顶部、底部……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
请结合参阅图3、图4、图5和图6，本发明的实施例一提供了一种压电式MEMS麦克风，所述压电式MEMS麦克风包括基底30、压电振膜40、支撑梁50和固定梁60，所述基底30设有腔体31，所述支撑梁50连接所述基座30和固定梁60，所述固定梁60连接所述压电振膜40，所述压电振膜40包括多个膜片41，每一膜片41均由所述固定梁60在所述膜片41的上侧中部固定；所述支撑梁50设于相邻的膜片之间的缝隙的上侧。外部的声音信号从声孔中传入，声音所产生的声压将引起压电振膜40形变，产生电压变化，从而感知声学信号。
请结合参阅图7、图8、图9和图10，与实施例一不同在于，在实施例二中，所述固定梁60设于所述膜片41的下侧，由所述固定梁60在所述膜片41的下侧中部固定，所述支撑梁50连接所述基底30和所述固定梁60；所述支撑梁50设于相邻的膜片之间的缝隙的下侧。
请结合参阅图11、图12、图13和图14，与实施例一不同在于，在实施例三中，所述固定梁60设于所述膜片41的上侧和下侧；在膜片41的上侧由所述固定梁60在所述膜片41的上侧中部固定，在膜片41的下侧由所述固定梁60在所述膜片41的下侧中部固定，所述固定梁60连接所述支撑梁50，所述支撑梁50连接所述基底30；所述支撑梁50设于相邻的膜片之间的缝隙的上侧和下侧。
请参阅图15、图16和图17，所述膜片41由压电材料401和电极402叠设形成，所述电极402至少包括两个，在本发明提供的实施例中，所述电极402设于所述压电材料401的上下两侧，构成所述膜片的三层结构；在其他实施例的所述膜片的五层结构中，所述电极由所述压电材料间隔叠设，自下而上依次叠设第一电极、第一压电材料、第二电极、第二压电材料和第三电极，或者其他任何电极与压电材料叠加而形成的压电振膜，同样适用于本发明。
请再次参阅图15，在实施例一中，每一膜片41包括固定端411和自所述固定端411向两侧延伸的自由端412，所述固定端411与所述固定梁60连接，所述固定端411形成在所述膜片41的中部位置，但并不一定局限于所述膜片41的中部位置，在其他实施例中，固定端411可以是膜片41的任意位置，只要是两侧延伸形成自由端412即可。所述自由端412自固定端411向两侧延伸并悬置于所述腔体的上方；所述固定梁60在膜片41的上侧连接固定端411，所述自由端412在所述基底底部的垂直投影轮廓投射在所述基底的腔体内。通过固定梁60将所述膜片41的中部固定，形成有中部为固定端411、两侧为自由端412的振膜结构，当两侧的自由端412在声压的作用下，沿着箭头方向进行上下振动，膜片41靠近固定端411的两侧产生电荷，进而被电极402收集，形成输出电压信号。
请再次参阅图16，与实施例一不同在于，在实施例二中，所述固定梁60位于所述膜片41的下侧。
请再次参阅图17，与实施例一不同在于，在实施例三中，所述固定梁60位于所述膜片41的上侧和下侧。
请结合参阅图18和图19，图18所示的实施例四中，所述固定梁60位于所述膜片41的对称位置，使所述膜片41的两侧呈对称形状；图19所示的实施例五中，所述固定梁60位于所述膜片41的不对称位置，使所述膜片41的两侧呈不对称形状；在一侧所述膜片41的宽度由所述固定端411朝向所述自由端412逐渐增大，在另一侧所述膜片41的宽度由所述固定端411朝向所述自由端412逐渐缩小。
请一并参阅图20、图21和图22，图20所示的实施例六中，固定梁60两侧膜片41为对称形状的压电式MEMS麦克风。图21所示的实施例七中，固定梁60两侧膜片41为不对称形状的压电式MEMS麦克风。图22所示的实施例八提供三种典型的对称膜片41，图22A所示的对称膜片41分别自固定端412向自由端411逐渐加宽，图22B所示的对称膜片41自固定端412向自由端411逐渐收窄，图22C所示的对称膜片41自固定端412向自由端411无典型的变化规律的多边形或者曲形。具体的设计可以由所需要的压电MEMS麦克风的尺寸、信噪比、谐振频率、可靠性等性能要求决定。
请再次参阅图20和图21，特别的,对于相邻膜片41的自由端之间可以选择设计弹性结构件70将相邻的膜片41进行连接，所述弹性结构件70可以设于相邻的膜片41之间的缝隙，或者设于相邻的膜片41的自由端的端部，所述弹性结构件使得相邻的膜片可以同步进行振动，减小膜片间隙的差异性，改善压电式MEMS麦克风在低频范围内的频率特性。
本发明的压电式MEMS麦克风，在声压的作用下，自由端发生振动，靠近固定端的压电振膜产生电压信号。相比于现有技术，将任意给定形状的压电振膜的膜片的固定端固定，自固定端向两侧形成自由端，固定端由固定梁固定，自由端的长度相对变短，从而改善所述膜片的机械强度，提升了膜片的谐振频率；同时，两侧自由端都可以进行振动，从而有两处靠近固定端的地方可以产生电荷，可以叠加提升信号的输出强度，提升灵敏度。
以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种压电式MEMS麦克风，其特征在于，包括具有腔体的基底、压电振膜、支撑梁和固定梁，所述支撑梁连接所述基底和固定梁，所述固定梁连接所述压电振膜，所述压电振膜包括多个膜片，每一膜片均由所述固定梁固定，每一膜片包括固定端和自由端，所述固定端与所述固定梁连接，所述自由端自固定端向两侧延伸并悬置于所述腔体上方。
2.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述固定梁于所述膜片的中部对所述膜片进行固定。
3.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述支撑梁设于相邻的膜片之间的缝隙的上侧或者下侧。
4.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，每一膜片由压电材料和电极叠设形成，所述电极至少包括两个，每一膜片的最外层设置所述电极；相邻的电极中间由所述压电材料间隔设置。
5.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述固定梁位于所述压电振膜的上侧对所述压电振膜进行固定。
6.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述固定梁位于所述压电振膜的下侧对所述压电振膜进行固定。
7.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述固定梁位于所述压电振膜的上下两侧对所述压电振膜进行固定。
8.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述固定梁位于所述膜片的对称位置。
9.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述固定梁位于所述膜片的不对称位置。
10.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，每一膜片的宽度自所述固定端朝向所述自由端逐渐增大或者缩小。
11.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，每一膜片的形状为由所述固定端朝向所述自由端的无固定规则变化的多边形或者曲形。
12.根据权利要求1所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，相邻的膜片的自由端使用弹性结构件连接。
13.根据权利要求12所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述弹性结构件设于相邻的膜片之间的缝隙。
14.根据权利要求12所述的压电式MEMS麦克风，其特征在于，所述弹性结构件设于相邻的膜片的自由端的端部。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN215918085U (zh) * 2020-07-02 2022-03-01 瑞声科技（南京）有限公司 压电超声换能器
CN213342677U (zh) * 2020-09-27 2021-06-01 瑞声科技（南京）有限公司 一种压电式麦克风
CN213991016U (zh) * 2020-11-19 2021-08-17 瑞声科技（南京）有限公司 压电式麦克风
CN112492472B (zh) * 2020-11-25 2022-01-11 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司 压电式麦克风及压电式麦克风装置
CN112601169B (zh) * 2020-12-15 2021-09-24 武汉大学 一种宽频带高灵敏度谐振式压电mems麦克风
CN113115188B (zh) * 2021-03-29 2023-07-04 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems压电麦克风
CN114222231B (zh) * 2021-12-10 2023-12-29 武汉敏声新技术有限公司 基于固支梁结构的双晶压电式mems麦克风
CN116761124A (zh) * 2022-03-03 2023-09-15 华为技术有限公司 压电mems麦克风和电子设备
CN114666717B (zh) * 2022-05-24 2022-08-26 武汉敏声新技术有限公司 压电mems麦克风芯片及压电mems麦克风

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1578537A (zh) * 2003-07-24 2005-02-09 太阳诱电株式会社 压电振动装置
CN102932717A (zh) * 2011-08-08 2013-02-13 庆良电子股份有限公司 能量转换模块
CN104602170A (zh) * 2008-06-30 2015-05-06 密执安大学评议会 压电mems麦克风
CN106375914A (zh) * 2015-07-22 2017-02-01 罗伯特·博世有限公司 具有声压敏感膜片元件和压敏信号感测装置的mems构件
CN108282730A (zh) * 2017-01-05 2018-07-13 罗伯特·博世有限公司 微机械声换能器组件和相应的制造方法
WO2018207578A1 (ja) * 2017-05-09 2018-11-15 富士フイルム株式会社 圧電マイクロフォンチップおよび圧電マイクロフォン
WO2018215669A2 (de) * 2017-05-26 2018-11-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikromechanischer schallwandler
TW201906422A (zh) * 2017-06-23 2019-02-01 英屬開曼群島商智動全球股份有限公司 電聲轉換器
CN110677795A (zh) * 2019-11-12 2020-01-10 安徽奥飞声学科技有限公司 一种mems结构

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005004535A1 (ja) * 2003-07-02 2005-01-13 Citizen Electronics Co., Ltd. パネル型スピーカ
WO2013002847A1 (en) * 2011-03-31 2013-01-03 Bakr-Calling, Inc. Acoustic transducer with gap-controlling geometry and method of manufacturing an acoustic transducer
CN102176506B (zh) * 2011-04-02 2013-03-27 北方工业大学 一种压电厚膜驱动的横向mems微驱动器及其制作方法
US9029963B2 (en) * 2012-09-25 2015-05-12 Sand 9, Inc. MEMS microphone
US20160037263A1 (en) * 2014-08-04 2016-02-04 Knowles Electronics, Llc Electrostatic microphone with reduced acoustic noise
DE102015213771A1 (de) * 2015-07-22 2017-01-26 Robert Bosch Gmbh MEMS-Bauelement mit schalldruckempfindlichem Membranelement
DE102016111909B4 (de) * 2016-06-29 2020-08-13 Infineon Technologies Ag Mikromechanische Struktur und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2018176632A1 (zh) * 2017-03-31 2018-10-04 纳智源科技（唐山）有限责任公司 雾化器及吸药量监测***
IT201800004758A1 (it) * 2018-04-20 2019-10-20 Trasduttore acustico mems piezoelettrico e relativo procedimento di fabbricazione
CN109587612A (zh) * 2018-12-31 2019-04-05 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式麦克风
CN110545511B (zh) * 2019-08-16 2021-05-07 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风
CN110545514B (zh) * 2019-08-16 2021-01-08 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1578537A (zh) * 2003-07-24 2005-02-09 太阳诱电株式会社 压电振动装置
CN104602170A (zh) * 2008-06-30 2015-05-06 密执安大学评议会 压电mems麦克风
CN102932717A (zh) * 2011-08-08 2013-02-13 庆良电子股份有限公司 能量转换模块
CN106375914A (zh) * 2015-07-22 2017-02-01 罗伯特·博世有限公司 具有声压敏感膜片元件和压敏信号感测装置的mems构件
CN108282730A (zh) * 2017-01-05 2018-07-13 罗伯特·博世有限公司 微机械声换能器组件和相应的制造方法
WO2018207578A1 (ja) * 2017-05-09 2018-11-15 富士フイルム株式会社 圧電マイクロフォンチップおよび圧電マイクロフォン
WO2018215669A2 (de) * 2017-05-26 2018-11-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikromechanischer schallwandler
TW201906422A (zh) * 2017-06-23 2019-02-01 英屬開曼群島商智動全球股份有限公司 電聲轉換器
CN110677795A (zh) * 2019-11-12 2020-01-10 安徽奥飞声学科技有限公司 一种mems结构

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