CN111279267B - 用于接收导电燃料的设备 - Google Patents

用于接收导电燃料的设备 Download PDF

Info

Publication number
CN111279267B
CN111279267B CN201880069896.5A CN201880069896A CN111279267B CN 111279267 B CN111279267 B CN 111279267B CN 201880069896 A CN201880069896 A CN 201880069896A CN 111279267 B CN111279267 B CN 111279267B
Authority
CN
China
Prior art keywords
fuel
current
conductive
radiation
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880069896.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111279267A (zh
Inventor
约翰内斯·克里斯蒂安·里昂纳多斯·弗兰肯
M·R·德巴尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN111279267A publication Critical patent/CN111279267A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111279267B publication Critical patent/CN111279267B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70175Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

一种用于接收导电燃料的设备包括:主体;电流产生机构;和磁产生机构。主体限定用于接收燃料的表面。电流产生机构适用于在所述主体中产生电流,所述电流具有至少平行于所述表面的分量。磁产生机构布置成产生具有至少垂直于所述表面的分量的磁场。

Description

用于接收导电燃料的设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月26日提交的欧洲/美国申请17198469.3的优先权,该欧洲/美国申请通过引用全文并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于接收导电燃料的设备。本发明具体涉及一种用于接收导电燃料的设备,所述设备设置有用于对所接收的燃料施力以使其移动的机构。所述设备可以是适合于接收并至少部分地容纳其接收的导电燃料的燃料收集器。所述设备可以构成激光产生等离子体辐射源的部分。
背景技术
光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将来自图案形成装置(例如,掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射波长决定了能够在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(具有在4-20nm范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可用于在衬底上形成比常规光刻设备(所述常规光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。
EUV辐射可以使用等离子体来产生。等离子体可以例如通过将激光束引导至辐射源中的燃料处而生成。所产生的等离子体可以发射EUV辐射。这种辐射源被称为激光产生等离子体(LPP)辐射源。在这种LPP辐射源内,燃料的至少一部分可被入射到所述辐射源内的表面上。可能期望限制入射到LPP源内的至少光学元件(诸如例如辐射收集器)的表面上的这种燃料的量。燃料对辐射源中这种光学元件表面的污染可能导致辐射源性能下降,进而可能导致相关联的光刻设备性能劣化。最终,这可能导致光刻设备的大量停机时间,同时清洗或更换辐射源的部件。
本发明的目的是消除或减轻现有技术的至少一个问题。
发明内容
根据本发明的第一方面,提供了一种用于接收导电燃料的设备,所述设备包括:主体,限定用于接收燃料的表面;电流产生机构,用于在所述主体中产生电流,所述电流具有至少平行于所述表面的分量;和磁产生机构,布置成产生具有至少垂直于所述表面的分量的磁场。
所述设备可以是燃料收集器。所述燃料收集器可以是适合于接收并至少部分地容纳其接收的导电燃料。
导电燃料可以被由主体限定的表面接收。接近表面的主体的至少一部分由导电材料形成,以支持电流。当电流产生机构在主体中产生电流时,电流的至少一部分可以流过沉积在表面上并因此与表面接触的任何导电燃料。当电流流过燃料时,电流将对燃料施加力。
所施加的力由洛伦兹力公式给出。特别地,所述力既垂直于磁场又垂直于电流。
根据本发明的第一方面的设备是有利的,因为它提供了用于接收导电燃料的表面,并且电流产生机构和磁产生机构一起提供了向燃料施加力的机构。这例如能够允许引导燃料远离其所入射的表面的区域或区,并且引导燃料朝向例如该燃料的收集容器或储存器。
根据本发明的第一方面的设备的有益效果是,该设备提供了向入射于其上的燃料施加力的机构,该机构能够防止燃料在表面上积聚。通常,当燃料入射在表面上时,燃料的第一部分可以沉积在表面上,并且燃料的第二部分可以从表面散射或反弹。可能方便的是,例如,将表面布置成使得在使用时燃料以掠入射角入射到表面上。通过这种布置,从入口孔等入射到表面上并且从表面反弹的燃料的所述部分将趋于具有整体上远离入口孔指向的轨迹。但是,如果足够大量的燃料积聚在表面上,则被引导朝向表面的燃料的至少一部分可能会朝向入口孔反弹回来。
本发明的第一方面能够因此通常检索从表面反向散射的燃料的量,即沿着大致反向平行于入射燃料的初始轨迹的方向反弹的燃料的量。
所述主体可以包括非导电支撑部分和导电材料层,所述导电材料层限定所述表面。
这种布置是有利的,如现在所论述的。提供支撑部分允许相对于在主体的导电部分是自支撑的情况下所需的材料厚度,减小导电材料层的厚度。此外,通过由非导电材料形成支撑部分,限制了在主体中产生的电流在可能相对薄的导电材料层中流动。
如上所解释的,当电流产生机构在主体中产生电流时,电流的至少一部分可以流过沉积在表面上的任何导电燃料。流过沉积的导电燃料的电流的量值依赖于以下的相对电阻:导电燃料和形成主体的一部分的导电材料层。
导电材料层的电阻依赖于其厚度(并依赖于其特定的电阻)。特别地,通过减小导电材料层的厚度,导电材料层的电阻增加。进而,这增加了流过表面上的导电燃料的沉积物的电流的部分。这具有增加施加在这种沉积物上的力的效应,从而提高了使它们移动远离从其入射到的表面的区域或区的效率,降低了燃料从主体反向散射的趋势。
导电燃料的沉积物的电阻也依赖于其厚度(并依赖于其特定的电阻)。燃料的沉积物越大,沉积物的电阻越低,因此流过导电燃料的沉积物的电流的量值会越大。进而,更大的电流将导致更大的力施加在沉积物上。以这种方式可以看出,有利地是,根据本发明的第一方面的设备是自调节的,因为它对更大的沉积物施加了更大的力(这可能趋于引起更多的反向散射)。
导电材料层的至少一部分包括易被锡润湿的材料。
应当了解,易被锡润湿的材料可以被定义为这样一种材料:对该材料来说,沉积在所述材料上的锡小滴的液汽界面与锡和所述材料之间的界面相交所处于的接触角小于90°。适当的材料包括例如不锈钢ANSI 316L。
导电材料层的至少一部分包括液锡层。例如,所述设备可以设置有用于用锡润湿表面的机构。
所述设备还包括布置成加热表面的加热器。加热器可以布置成将表面加热到高于在使用时被设备收集的导电燃料(诸如例如锡)的熔点的温度。
所述设备可以还包括用于收集入射在表面上的燃料的至少一部分的容器。
在使用时,导电燃料可以撞击表面,然后可以被引导朝向容器。所述电流产生机构可以被布置成产生电流,所述磁产生机构可以被布置成产生磁场使得力被施加在支持所述电流的介质上,所述力整体上指向所述容器。
由电流产生机构产生的电流的至少一部分可以由沉积在表面上的导电燃料支撑。利用其中施加于支持电流的介质的力被引导整体上朝向容器的布置,沉积在表面上的任何导电燃料被引导朝向容器。
所述电流产生机构包括电源,所述电源经由物理链路连接到所述主体以实现在所述主体中所述电流的产生。应当了解,这种电源将被布置成经由物理链路向主体传输电流并且从主体接收电流,从而与主体形成电路。例如,电源可以能够操作以横跨表面的至少一部分产生电压。
可替代地,电流产生机构可以能够操作以经由电磁感应在所述主体中产生电流。所述电流产生机构可以包括磁体,所述磁体能够操作以产生用于在所述主体内产生涡流的时变磁场。
例如,磁体可以包括电磁体,该电磁体可以通过改变供应至磁体的电流产生时变磁场。另外或替代地,磁体可以相对于表面移动,使得在表面上的给定点处由磁体产生的磁场随时间变化。时变磁场将在主体(和沉积在其上的任何导电燃料)中感应出涡流。对于这种实施例,同一磁体也可以构成磁场产生机构的部分。
所述电流产生机构可以布置成产生沿着大致第一线性方向横跨所述表面流动的电流。通过这种布置,磁场施加于支持电流的介质上的力大致垂直于第一线性方向。也就是,磁场施加于支持电流的介质上的力与表面的平面中的所有位置大致在同一方向上。对于其中磁场垂直于表面的布置,施加于支持电流的介质上的力在第二线性方向上,所述第二线性方向大致与表面平行。
磁产生机构可以包括电磁体。这种布置可能是有益的,因为这种电磁体可以能够操作以在更大的环境温度范围内施加磁场。例如,所述设备可以构成激光产生等离子体辐射源SO的部分,并且可以在超过诸如例如锡的燃料的熔点的温度下操作。也就是,在使用时,所述设备可以在超过232℃的温度下操作。使用电磁体的另一优点可以能够操作以还用作电流产生机构。
可替代地,磁产生机构可以包括永磁体。对于这种实施例,永磁体优选地具有居里温度,该居里温度高于期望利用设备收集的导电燃料的熔点。例如,所述设备可以构成激光产生等离子体辐射源的部分,并且可以在超过诸如例如锡之类的燃料的熔点的温度下操作。因此可能优选的是永磁体具有高于锡的熔点(232℃)的居里温度。
所述设备可以还包括限定入口孔的壁。所述壁可以例如将所述主体与导电燃料源(诸如例如激光产生等离子体辐射源内的燃料小滴产生器)分离开。导电燃料可以通过入口孔并撞击表面。壁因此可以在接收燃料的主体与期望相对不含这种燃料的区(例如,激光产生等离子体辐射源的容器)之间提供屏障。
所述壁可以构成壳体的部分,所述壳体限定其内设置有所述主体的腔。这种壳体可以更好地容纳通过入口孔接收的燃料。
根据本发明的第二方面,提供了一种辐射***,包括:燃料发射器,配置成将燃料提供至等离子体形成区;激励装置,布置成在所述等离子体形成区处提供激励束以将所述燃料的至少第一部分转换成发射辐射的等离子体;和本发明的第一方面所述的设备,配置成收集所述燃料的至少第二部分。
所述燃料的第二部分可以包括穿过所述等离子体形成区而没有被转换成发射辐射的等离子体的燃料。
所述主体的表面可以布置成使得所述燃料的第二部分以掠入射角入射到所述表面上。这种布置减少了从表面“反向散射”的燃料的量。也就是,较少的导电燃料沿与燃料的初始轨迹大致反向平行的方向从表面散射或反弹。
应当了解,这里的术语“掠入射角”是指导电燃料的传播方向和其入射到的表面之间的角度。这一角度与入射角互补,即掠入射角与入射角之和是直角。还将了解,以掠入射角入射在表面上的燃料旨在表示掠入射角相对较小,使得燃料的路径几乎平行于表面。例如,掠入射角可以小于30°。在一些实施例中,掠入射角可以在2°至12°的范围内,例如大约7°。
根据本发明的第三方面,提供了一种光刻***,包括:光刻设备,布置成将来自图案形成装置的图案投影到衬底上;和根据本发明的第二方面所述的辐射***,布置成将所述辐射的至少一些提供至所述光刻设备。
所述光刻设备可以包括照射***,所述照射***配置成调节所述辐射的至少一些以便形成辐射束。所述光刻设备可以包括支撑结构,所述支撑结构构造成支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够在辐射束的横截面中赋予辐射束图案以形成图案化的辐射束。所述光刻设备可以包括构造成保持衬底的衬底台。所述光刻设备可以包括投影***,所述投影***配置成将图案化的辐射束投影到衬底上。
根据本发明的第四方面,提供了一种移动主体的表面上的导电燃料的沉积物的方法,所述方法包括:产生具有至少垂直于表面的分量的磁场;在主体中产生电流,所述电流具有至少与表面平行的分量,使得电流的至少一部分流过导电燃料的沉积物。
当电流流过导电燃料的沉积物时,电流将对燃料施加力。所施加的力由洛伦兹力公式给出。特别地,所述力既垂直于磁场又垂直于电流。
根据本发明第四方面的方法是有利的,因为它提供了一种用于将力施加到燃料的沉积物的简单布置。这例如能够允许引导燃料远离其所入射的表面的区域或区,并且引导燃料朝向例如该燃料的收集容器或储存器。
导电燃料的沉积物的电阻依赖于其厚度。燃料的沉积物越大,沉积物的电阻越低,因此流过导电燃料的沉积物的电流的量值将会越大。进而,更大的电流将导致通过磁场将更大的力施加在沉积物上。以这种方式可以看出,有利地是,根据本发明的第四方面的方法是自调节的,因为它对更大的沉积物施加了更大的力(这可能趋于引起更多的反向散射)。
磁场和电流可以连续产生。这可以允许导电燃料在表面上连续地移动,从而限制了能够在表面上形成的导电燃料的沉积物的大小。可替代地,磁场和电流可以间歇地或周期性地产生。这可以允许当没有磁场和电流正被产生时导电燃料积聚在表面上,并且随后每次产生磁场和电流时使积聚物移动。
对本领域技术人员将清楚的是,上文或下文提出的本发明的各个方面和特征可与本发明的各个其它方面和特征组合。
附图说明
现在将参考随附示意图仅通过举例的方式描述本发明的实施例,在附图中:
-图1描绘了光刻***,所述光刻***包括光刻设备和并入根据本发明的实施例的燃料收集器的辐射源;
-图2是根据本发明的实施例的燃料收集器的第一视图,其可以构成图1所示的光刻***的部分;
-图3是根据本发明的实施例的燃料收集器的第二视图,其可以构成图1所示的光刻***的部分,图3示出了在主体的表面上的燃料的沉积物;
-图4是根据本发明的实施例的燃料收集器的第三视图,其可以构成图1所示的光刻***的部分,图4示出了由磁体产生的磁场和作用在燃料的沉积物上的洛伦兹力;
-图5示出了图2、图3和图4所示的燃料收集器的主体的平面图,图5示出了由电源产生的电流和作用于燃料的沉积物上的洛伦兹力;并且
-图6是图2、图3和图4所示的燃料收集器的主体的部分的横截面图。
具体实施方式
图1示出了包括根据本发明的一个实施例的燃料收集器15的光刻***。光刻***包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO被配置成产生极紫外(EUV)辐射束B。光刻设备LA包括:照射***IL,被配置为支撑图案形成装置MA(例如掩模)的支撑结构MT,投影***PS和被配置为支撑衬底W的衬底台WT。照射***IL被配置成在辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节辐射束B。投影***被配置为将辐射束B(现在通过掩模MA图案化)投影到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下,光刻设备将图案化的辐射束B与先前在衬底W上形成的图案对准。
辐射源SO、照射***IL和投影***PS都可以被构造和布置成使得它们可以与外部环境隔离。可以在辐射源SO中提供处于低于大气压的压力下的气体(例如氢气)。可以在照射***IL和/或投影***PS中提供真空。可以在照射***IL和/或投影***PS中提供处于远低于大气压的压力下的少量气体(例如氢气)。
图1中所示的辐射源SO属于可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。激光器1(例如可以是CO2激光器)布置成经由激光束2将能量沉积到燃料(诸如从燃料发射器3提供的锡(Sn))中。尽管在下文描述中提到锡,但是可以使用任何合适的燃料。所述燃料可以例如呈液体形式,并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴,所述喷嘴配置成沿着朝向等离子体形成区4的轨迹16引导例如呈小滴的形式的锡。激光束2入射到在等离子体形成区4处的锡上。激光能量沉积到锡中,在等离子体形成区4处产生等离子体7。在等离子体的离子的去激励和复合期间,从等离子体7发射包括EUV辐射的辐射。
EUV辐射由近正入射式辐射收集器5(有时更一般地称为正入射式辐射收集器)收集和聚焦。收集器5可以具有多层结构,其布置成反射EUV辐射(例如,具有诸如13.5nm的期望波长的EUV辐射)。收集器5可以具有椭圆形配置,所述配置具有两个椭圆形焦点。第一焦点可以在等离子体形成区4处,第二焦点可以在中间焦点6处,如下所述。
辐射源SO还包括燃料收集器15。燃料收集器15可以布置成收集传递通过辐射源SO的等离子体形成区4(即,沿着轨迹16)而没有转化成发射辐射的等离子体的燃料的至少一部分。
激光器1可以与辐射源SO分离。在这种情况下,激光束2可以借助于束传递***(未示出)从激光器1传递到辐射源SO,所述束传递***包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器、和/或其它光学器件。激光器1和辐射源SO可以一起被认为是辐射***。
氢的供应也可以大致沿着与激光束相同的轴线通过开口1提供。氢也可以在收集器5的周围和/或可选地通过供应端口被供给。氢具有多种目的,包括最大程度地抑制收集器5(和也可选地量测模块,未示出)的污染,充当用于净化的氢自由基源,和调节等离子体以使热电离气体远离收集器CO和量测模块。
由收集器5反射的辐射形成辐射束B。辐射束B在点6处聚焦以形成等离子体形成区4的图像,其用作照射***IL的虚拟辐射源。辐射束B被聚焦于的点6可以称为中间焦点。辐射源SO布置成使得中间焦点6位于辐射源的封闭结构9中的开口8处或附近。
辐射束B从辐射源SO传递进入照射***IL中,该照射***IL被配置成调节辐射束。照射***IL可包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为辐射束B提供所期望的横截面形状和所期望的角分布。辐射束B从照射***IL传递并入射到由支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA反射辐射束B并使辐射束B图案化。除了琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11之外或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11,照射***IL可以包括其它反射镜或装置。
在从图案形成装置MA反射之后,图案化的辐射束B进入投影***PS。投影***包括多个反射镜,所述多个反射镜配置成将辐射束B投影到由衬底台WT保持的衬底W上。投影***PS可以对辐射束施加缩小因子,从而形成其特征小于图案形成装置MA上的对应特征的图像。例如,可以施加为4的缩小因子。尽管投影***PS在图1中具有两个反射镜,但是投影***可包括任意数量的反射镜(例如六个反射镜)。
图1所示的辐射源SO可以包括未图示的部件。例如,光谱滤光器可以设置在辐射源中。光谱滤光器可以对EUV辐射实质上是透射的,但是对其它波长的辐射(诸如红外辐射)实质上是阻挡的。
图2和图3示意性地示出了根据本发明的实施例的燃料收集器20。燃料收集器20可以适合用作图1所示的燃料收集器15。因此燃料收集器20可以被布置成收集传递通过辐射源SO的等离子体形成区4而没有被转化成发射辐射的等离子体的燃料的至少一部分。这样的燃料通常可以沿着轨迹21传播,该轨迹可以与图1所示的轨迹16重合。
应当理解,术语“燃料”可以被认为包括燃料小滴或燃料液滴。传递到燃料收集器的燃料的至少一部分可以包括尚未被转换成等离子体和/或尚未被激光束2撞击的液滴或小滴(见图1)。
燃料收集器20包括主体22,该主体22限定了用于接收导电燃料(例如锡)的表面24。
燃料收集器20还包括壳体26,壳体26限定腔28,主体22设置在腔28中。壳体的壁30限定了燃料收集器20的入口孔32。在使用时,燃料收集器20被设置成使得大致沿着轨迹21传播的燃料传递通过入口孔32进入腔28中并入射到主体22的表面24上。
壳体26的壁30将主体22与诸如例如LPP辐射源SO内的燃料发射器3之类的导电燃料源分离开。壁30因此在接收燃料的主体22与期望相对不含这种燃料的区(例如,LPP辐射源SO的容器)之间提供屏障。壳体26用于至少部分地容纳通过入口孔32接收的燃料。
在使用时,燃料收集器20被设置成使得任何入射到主体22的表面24上的燃料(该燃料大致沿着轨迹21传播)以掠入射角入射到表面24上。这种布置减少了从表面24“反向散射”的燃料的量。也就是说,较少的导电燃料沿与燃料的初始轨迹大致反向平行的方向从表面24散射或反弹(即沿轨迹21返回并从入口孔32射出)。而不是,如箭头34所示,从表面24散射或反弹的燃料趋于大致远离入口孔32传播。
应当了解,这里的术语“掠入射角”是指导电燃料的传播方向(即轨迹21)和其入射到的表面24之间的角度。这一角度与入射角互补,即掠入射角与入射角之和是直角。还将了解,以掠入射角入射在表面24上的燃料旨在表示掠入射角相对较小,使得燃料的路径几乎平行于表面24。例如,掠入射角可以小于30°。在一些实施例中,掠入射角可以在2°至12°的范围内,例如大约7°。
燃料收集器20还包括布置成加热表面24的加热器。特别地,加热器可以布置成将表面24加热到高于在使用时被设备收集的导电燃料(诸如例如锡)的熔点的温度。例如,主体22可以被加热到介于250至350℃之间的温度。
应当了解,这种加热器可以以各种方式来实施。例如,加热器可以包括配置成加热主体22的加热元件,该加热元件可以例如嵌入在主体22中。可替代地,加热元件可以与主体22分离地设置。这种加热元件可以包括:钨或碳,例如钨丝或碳丝。可替代地,主体22可以被感应加热。应当了解,另外地或可替代地,加热也能够通过被驱动通过主体22的电流来实现。
当燃料入射到表面24上时,燃料趋于积聚在表面24上。如所解释的,将燃料收集器20布置成使得燃料以掠入射角入射到主体22的表面24上,减少了从表面24“反向散射”的燃料的量。但是,如果足够大量的燃料积聚在表面24上,则被引导朝向表面的燃料的至少一部分可能会朝向入口孔反弹回来。这在图3中进行了图示,图3示出了在表面24上的燃料的沉积物36。沉积物36可以是在表面24上的燃料液滴的形式,其可以例如已经由从燃料发射器3接收的多个小滴形成。当这种沉积物36在表面上形成时,如箭头38所示,从表面24散射或反弹的大部分的燃料趋于大致朝向入口孔32传播。
燃料收集器20还包括磁体40。如图4所示,磁体40被布置成至少在燃料所入射到的表面24的区中产生大致垂直于表面24的磁场B(由虚线描绘)。燃料所入射到的表面24的区可以被称为着陆区并且可以具有2mm×2mm量级的尺寸。磁体40可以布置成至少在表面24的区上产生磁场,该磁场的尺寸为5cm×5cm的量级并且以着陆区为中心。磁体40可以被认为是磁场产生机构。
应当了解,至少对于图2至图4所示的布置,为了使磁体40在表面24上的着陆区中产生磁场B,主体22可以由大致不可磁化的材料制成。也就是,主体22可以由具有相对低磁化率的材料形成,以便最小化由主体22对磁场B的任何屏蔽。适合于主体22的材料包括例如不锈钢。
在一个实施例中,磁体40包括电磁体。这种布置可能是有益的,因为这种电磁体可以能够操作以在更大的环境温度范围内施加磁场。例如,在使用时,LPP辐射源SO可以在超过诸如例如锡之类的燃料的熔点的温度下操作。也就是,在使用时,燃料收集器20可以在超过232℃的温度下操作。替代地,磁体40可以包括永磁体。对于这种实施例,永磁体优选地具有居里温度,该居里温度高于期望利用燃料收集器20收集的导电燃料(例如锡)的熔点。
如图5所示,燃料收集器还包括经由例如线44之类的物理链路连接到主体22的电源42。电源42能够操作以产生输出电流并输送输出电流,使得输出电流I流过主体22(由虚线描绘)。电源42因此被布置成经由线44向主体22输送电流并且从主体22接收电流,从而与主体22形成电路。电源42能够操作以横跨表面24的至少一部分产生电压。如图5所示,电流I横跨且平行于表面24流动。电源42和线44可以被认为构成电流产生机构,所述电流产生机构能够操作以在主体22中产生电流。
燃料收集器20适用于接收并至少部分容纳其接收的导电燃料(例如锡)。
在使用时,导电燃料可以被由主体22限定的表面24接收。接近表面24的主体22的至少一部分由导电材料形成,以支持电流。当电源42在主体22中产生电流时,电流I的至少一部分可以流过沉积在表面24上并因此与表面24接触的任何导电燃料。由于磁体40产生的磁场B,所以当电流流过燃料时将在燃料上施加力。所施加的力由洛伦兹力公式给出。特别地,力既垂直于磁场又垂直于电流。
燃料收集器20是有利的,因为它提供了用于接收导电燃料的表面24,并且电源42和磁体40一起提供了向燃料施加力的机构。这例如能够允许引导燃料远离其所入射的表面24的区域或区,并且引导燃料朝向例如该燃料的收集容器或储存器。
由于燃料收集器20具有向入射在其上的燃料施加力的机构,因此燃料收集器20能够防止燃料积聚在表面24上。进而,这通常能够通过减少能够导致燃料从表面24反向散射的燃料积聚而减少从表面24反向散射的燃料的量(即沿与入射燃料的初始轨迹21大致反向平行的方向反弹)(参见图3)。
如上所述,驱动通过主体22的电流(诸如例如,由电源42驱动的电流I)能够加热主体22,例如以将表面24加热到高于使用时由设备所收集的导电燃料的熔点的温度。尽管如果在使用时间歇地(即仅以重复的时间间隔)使用用于对入射到表面24上的这种燃料施加洛伦兹力的机构,但也可以提供分离的热源或加热器。
燃料收集器20还包括用于收集入射在表面24上的燃料的至少一部分的容器46。在使用时,导电燃料可以撞击表面24,然后可以被引导朝向容器46。
电源42被布置成产生电流I,并且磁体40被布置成产生磁场,使得力被施加在支持电流的介质上,所述力整体上指向容器46,正如现在论述的那样。
由主体22限定的表面24可以是大致平坦的。在下文中,大致垂直于表面24的方向可以被称为z方向。表面24的平面所在的方向可以被称为x-y平面。
如图4所示,至少在导电燃料入射的表面的区附近,由磁体40产生的磁场B垂直于表面24,即,磁场B大致在z方向上。如图5所示,大致由电源42产生的电流I在负y方向上大致平行于表面24流过主体22。大致由电源42产生的电流I的至少一部分可以由沉积在表面24上的导电燃料支撑,大致也沿负y方向。通过这种布置,施加于支持电流I的介质上的力大致沿负x方向指向。从图4可以看出,这将燃料引向设置在容器46上方的表面24的边缘25。燃料能够从表面24的边缘25经过或滴下,并在重力作用下落入容器46中。以这种方式,沉积在表面24上的任何导电燃料都被引向容器46。
应当了解,随着燃料的沉积物36大小的增加,其电阻将降低,因此流过燃料的沉积物36的电流的部分增加。因此,尽管未在图5中示出(其仅是示意性的),但实际上,由燃料的沉积物36支持的电流量可以明显大于由周围表面24(或设置在其上的导电燃料层)支持的电流量。
容器46的容积可以被选择成使得在可能需要去除在容器46中收集的燃料之前,可能需要更换辐射源SO或其一个或更多个部件。换句话说,容器46的容积可以被选择成使得能够将辐射源SO的维护操作之间的时间段内入射的燃料量收集和/或保留在第二容器中。例如,容器46可包括1升至8升的容积,例如2升至5升。替代地或另外地,诸如泵之类的抽吸装置(未示出)可以被布置成从容器46中抽取燃料,例如当容器46被填满或几乎填满时。抽吸装置可以布置成将燃料从容器46转移到辐射源SO的外部。
容器46可以设置有加热器(未示出),该加热器配置成将容器46加热到等于或大于燃料的熔化温度的温度。通过将容器46加热到等于或大于燃料的熔化温度的温度,容器46中的燃料可以均匀地散布开和/或可以防止石笋状的积聚。容器46可以被频繁地或不频繁地加热以散布开其中的燃料和/或防止石笋状的积聚。
如图6所示,主体22包括非导电支撑部分22a和导电部分22b。进而,导电部分22b包括易于被导电燃料(例如锡)润湿的材料层48和导电燃料(例如锡)层50。导电部分22b可以被称为导电材料层22b。
注意,一般来说,将在磁场B中且电流流过的所有材料中产生洛伦兹力。因此,洛伦兹力施加于在磁场B中的整个导电部分22b上。
应当了解,容易被锡润湿的材料可以被定义为这样一种材料:对该材料来说,沉积在所述材料上的锡小滴的液汽界面(即锡小滴的边缘)与锡和所述材料之间的界面相交所处于的接触角小于90°。这种材料可以被称为“亲锡的”。适当的材料包括例如不锈钢ANSI316L。可以对钨进行处理以使其具有亲锡性。
不锈钢ANSI 316L的电阻率(比电阻)为74μΩcm,而锡的电阻率(比电阻)为1100μΩcm。因此,对于其中容易被锡润湿的材料层48包括不锈钢ANSI 316L并且层48的厚度与锡层50的厚度大致相同的实施例,通过锡的电流的量值将比通过不锈钢的电流的量值大大约14倍。
应该了解,燃料收集器20可以设置有用于用锡润湿层48的表面的机构,以便提供体锡层50。导电材料层22b限定表面24。
提供支撑部分22a允许相对于在主体的导电部分22b是自支撑的情况下所需的材料厚度,减小导电材料层22b的厚度。此外,通过由非导电材料形成支撑部分22a,限制了在主体中产生的电流在该可能相对薄的导电材料层22b中的流动。
如上所解释的,当电源42在主体22中产生电流I时,电流的至少一部分可以流过沉积在表面24上的任何导电燃料。流过导电燃料沉积物的电流I的量值依赖于以下的相对电阻:导电燃料和形成主体22的一部分的导电材料层22b。
导电材料层22b的电阻依赖于其厚度。特别地,通过减小导电材料层22b的厚度,导电材料层22b的电阻增加。进而,这增加了流过表面24上的导电燃料的沉积物的电流的部分。这具有增加施加在这种沉积物上的力的效应,从而提高了使它们移动远离从其入射到的表面24的区域或区的效率,降低了燃料从主体22反向散射的趋势。
导电燃料的沉积物的电阻也依赖于其厚度。燃料的沉积物越大,沉积物的电阻越低,因此流过导电燃料的沉积物的电流的量值将会越大。进而,更大的电流将导致更大的力施加在沉积物上。以这种方式可以看出,有利地是,燃料收集器20是自调节的,因为它对更大的沉积物施加了更大的力(这可能趋于引起更多的反向散射)。
电源布置成产生大致在第一线性方向(图5中的y方向)上横跨主体22的表面24流动的电流I。通过这种布置,磁场B施加于支持电流I的介质上的力大致垂直于第一线性方向。也就是,磁场B施加于支持电流I的介质上的力对于表面24的平面中的所有位置大致在同一方向上。由于磁场B垂直于表面24,因此施加于支持电流I的介质上的力F在第二线性方向上,所述第二线性方向与表面大致平行(图4和图5中的负x方向)。注意,将电流I和磁场B的方向选择成使得施加于支持电流I的介质上的力F指向设置在容器46上方的表面24的边缘25。
对于其中磁体40在着陆区上施加大致恒定的0.2T的磁场强度并且驱动10A的电流通过长度(沿y方向)为0.05m的主体22的实施例,电流承受的力为0.1N。如果该电流的大部分由质量为1g的锡块承载,则锡块将经历100m/s2量级的加速度。
根据本发明的实施例,提供了一种用于移动在主体22的表面24上的导电燃料的沉积物的方法,如现在所论述的。
所述方法包括:产生具有至少垂直于表面24的分量的磁场B;在主体22中产生电流I,所述电流具有至少与表面24平行的分量,使得电流I的至少一部分流过导电燃料的沉积物。当电流I流过导电燃料的沉积物时,电流I将对燃料施加力。所施加的力由洛伦兹力公式给出。特别地,所述力既垂直于磁场B又垂直于电流I。
该方法是有利的,因为它提供了一种用于将力施加到燃料的沉积物的简单布置。这例如能够允许引导燃料远离其所入射的表面24的区域或区,并且引导燃料朝向例如该燃料的收集容器46或储存器。
导电燃料的沉积物的电阻依赖于其厚度。燃料的沉积物越大,沉积物的电阻越低,因此流过导电燃料的沉积物的电流I的量值将会越大。进而,更大的电流将导致通过磁场B来使得更大的力施加在沉积物上。以这种方式可以看出,有利地是,所述方法是自调节的,因为它对更大的沉积物施加了更大的力(这可能趋于引起更多的反向散射)。
磁场B和电流I可以连续产生。这可以允许导电燃料在表面24上连续地移动,从而限制了能够在表面24上形成的导电燃料的沉积物的大小。可替代地,磁场B和电流I可以间歇地或周期性地产生。这可以允许当没有磁场B和电流I正被产生时导电燃料积聚在表面上,并且随后每次产生磁场B和电流I时使该积聚物移动。
在替代实施例中,磁体40可以能够操作产生以下两者:(a)具有至少垂直于表面24的分量的磁场;和(b)主体22中的电流,如现在所论述的。
在该第二实施例中,磁体40能够操作以产生具有至少垂直于表面24的分量的时变磁场。例如,磁体40可以包括电磁体,该电磁体可以通过改变供应至磁体40的电流产生时变磁场。另外或替代地,磁体可以相对于表面24移动,使得表面24上给定点处的磁场随时间变化。随时间变化的磁场将在主体22(和沉积在其上的任何导电燃料)中感应出涡流。因此,在这种实施例中,磁体40可以被认为构成电流产生机构,所述电流产生机构能够操作以在主体22中产生电流(除了磁场产生机构之外)。进而,这些涡流与磁场相互作用,从而洛伦兹力将作用在支撑涡流的介质上(例如,导电燃料的沉积物)。
注意,在该第二实施例中,流过主体22的电流I通常不在线性方向上,而将是在闭环中循环。因此,通常施加于表面24上的不同位置中的载流介质上的力将经受不同方向范围内的力。应该了解,磁体40被布置成使得时变磁场使得沉积在着陆区(即,在使用期间燃料入射在其上的表面24的区)上的表面上的导电燃料被输送远离着陆区。例如,时变磁场可以被布置成使得沉积在着陆区上的导电燃料被大致从着陆区的中心向外推动。
在这种实施例中,洛伦兹力通常将不会将燃料引向设置在容器46上方的表面24的边缘25。但是,如图所示,主体22可以布置成使得表面24相对于水平方向倾斜。这可以允许导电燃料在重力作用下大致流向边缘25,以在重力作用下落入容器46中。
这种实施例不包括经由物理链路连接到主体22的电源42(尽管它可以包括用于电磁体的电源)。
尽管上述具体实施例包括燃料收集器20,所述燃料收集器设置有用于将力施加到入射在表面上的导电燃料上的机构,但是替代实施例可以包括其它设备。这种其它设备可以例如包括激光产生等离子体辐射源SO的部件。例如,这种其它设备可以包括辐射收集器。一般而言,本发明的实施例可以涉及期望从其去除导电燃料(例如锡)的任何表面。
尽管在本文中在光刻设备的内容背景下对本发明的实施例进行具体的参考,但是本发明的实施例可以用于其它设备。本发明的实施例可以构成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的物体的任何设备的一部分。这些设备通常可称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
术语“EUV辐射”可以被认为包括波长在4-20nm范围内(例如在13nm-14nm范围内)的电磁辐射。EUV辐射可以具有小于10nm的波长,例如在4-10nm范围内的波长,诸如6.7nm或6.8nm的波长。
尽管图1将辐射源SO描绘为激光产生等离子体LPP源,但任何合适的源可以被用于生成EUV辐射。例如,发射EUV的等离子体可以通过使用放电将燃料(例如锡)转换成等离子体状态来产生。这种类型的辐射源可以被称为放电产生等离子体(DPP)源。放电可以由电源产生,该电源可以构成辐射源的一部分,或者可以是经由电连接连接到辐射源SO的分立的实体。
尽管在本文中可以对在IC制造中的光刻设备的使用进行了具体的参考,但是应该理解,本文描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括集成光学***,用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。
尽管上文已经具体参考了在光学光刻术的内容背景中使用本发明的实施例,但是应当了解,本发明可以用于其它应用,例如压印光刻术,并且在所述内容背景允许的情况下,不限于光学光刻术。在压印光刻术中,图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被压制到被供给衬底的抗蚀剂层中,于是抗蚀剂通过施加电磁辐射、热、压力或者它们的组合被固化。在抗蚀剂被固化之后所述图案形成装置被移出抗蚀剂,在其中留下图案。
虽然上文已经描述了本发明的具体实施例,但是应当了解,本发明可以以与上述不同的方式来实践。上文描述旨在是说明性的而不是限制性的。因此,本领域技术人员将明白,可以在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

Claims (15)

1.一种用于接收导电燃料的设备,所述设备包括:
主体,限定用于接收燃料的表面;
电流产生机构,用于在所述主体中产生电流,所述电流具有至少平行于所述表面的分量;和
磁产生机构,布置成产生具有至少垂直于所述表面的分量的磁场,其中所述电流产生机构和所述磁产生机构配置成在使用中向所述燃料施加力。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述主体包括非导电支撑部分和导电材料层,所述导电材料层限定所述表面。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述导电材料层的至少一部分包括易被锡润湿的材料。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的设备,其中所述导电材料层的至少一部分包括液锡层。
5.根据前述权利要求中任一项所述的设备,还包括布置成加热所述表面的加热器。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备,还包括用于收集入射在所述表面上的燃料的至少一部分的容器。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述电流产生机构被布置成产生电流,所述磁产生机构被布置成产生磁场使得向支持所述电流的介质施加力,所述力整体上指向所述容器。
8.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述电流产生机构布置成产生沿着大致第一线性方向横跨所述表面流动的电流。
9.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述磁产生机构包括电磁体。
10.根据前述权利要求中任一项所述的设备,还包括限定入口孔的壁。
11.根据权利要求10所述的设备,其中所述壁构成壳体的部分,所述壳体限定其内设置有所述主体的腔。
12.一种辐射***,包括:
燃料发射器,配置成将燃料提供至等离子体形成区;
激励装置,布置成在所述等离子体形成区处提供激励束以将所述燃料的至少第一部分转换成发射辐射的等离子体;和
根据前述权利要求中任一项所述的设备,配置成收集所述燃料的至少第二部分。
13.根据权利要求12所述的辐射***,其中所述主体的表面布置成使得所述燃料的所述第二部分以掠入射角入射到所述表面上。
14.一种光刻***,包括:光刻设备,布置成将来自图案形成装置的图案投影到衬底上;和根据权利要求12-13中任一项所述的辐射***,布置成将所述辐射的至少一些提供至所述光刻设备。
15.一种用于移动主体的表面上的导电燃料的沉积物的方法,所述方法包括:
产生具有至少垂直于所述表面的分量的磁场;
在所述主体中产生电流,所述电流具有至少与所述表面平行的分量,使得所述电流的至少一部分流动通过导电燃料的所述沉积物。
CN201880069896.5A 2017-10-26 2018-09-05 用于接收导电燃料的设备 Active CN111279267B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17198469.3 2017-10-26
EP17198469 2017-10-26
PCT/EP2018/073797 WO2019081105A1 (en) 2017-10-26 2018-09-05 APPARATUS FOR RECEIVING CONDUCTIVE FUEL

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111279267A CN111279267A (zh) 2020-06-12
CN111279267B true CN111279267B (zh) 2023-08-29

Family

ID=60186129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880069896.5A Active CN111279267B (zh) 2017-10-26 2018-09-05 用于接收导电燃料的设备

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR20200068679A (zh)
CN (1) CN111279267B (zh)
NL (1) NL2021562A (zh)
WO (1) WO2019081105A1 (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201403254A (zh) * 2012-06-22 2014-01-16 Asml Netherlands Bv 輻射源及微影裝置
WO2014121873A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 Asml Netherlands B.V. Radiation source for an euv optical lithographic apparatus, and lithographic apparatus comprising such a power source

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5553833B2 (ja) * 2008-09-11 2014-07-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源およびリソグラフィ装置
NL2004085A (en) * 2009-03-11 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
JP2011023712A (ja) * 2009-06-19 2011-02-03 Gigaphoton Inc 極端紫外光源装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201403254A (zh) * 2012-06-22 2014-01-16 Asml Netherlands Bv 輻射源及微影裝置
WO2014121873A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 Asml Netherlands B.V. Radiation source for an euv optical lithographic apparatus, and lithographic apparatus comprising such a power source

Also Published As

Publication number Publication date
NL2021562A (en) 2019-05-01
KR20200068679A (ko) 2020-06-15
WO2019081105A1 (en) 2019-05-02
CN111279267A (zh) 2020-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6613271B2 (ja) 放射源及びリソグラフィ装置
KR100777414B1 (ko) 방사선 발생 장치, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및그에 의해 제조되는 디바이스
JP4881443B2 (ja) 放射システムおよびリソグラフィ装置
US9007560B2 (en) Radiation source
US20160252821A1 (en) Radiation source device, lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200934308A (en) Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI609246B (zh) 輻射源及微影方法
KR102243881B1 (ko) Euv 광 요소를 보호하는 장치
JP4429302B2 (ja) 電磁放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および該製造方法によって製造されたデバイス
NL2004085A (en) Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
US10871647B2 (en) Apparatus and method for prevention of contamination on collector of extreme ultraviolet light source
CN111279267B (zh) 用于接收导电燃料的设备
CN113812215A (zh) 用于极紫外光源的保护***
KR20230054859A (ko) 레티클 및 펠리클 어셈블리를 처리하기 위한 장치 및 방법
JP5503108B2 (ja) 約1nmから約30nmの波長範囲の放射線を発生させる方法および機器、ならびにリソグラフィー装置
CN117859094A (zh) 用于制备和清洁部件的设备和方法
TW202332986A (zh) 微影設備及相關方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant