CN111262531B - 一种探测电路、其制作方法及探测面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种探测电路、其制作方法及探测面板，该探测电路包括：包括薄膜晶体管、三极管和光电转换器，薄膜晶体管的栅极与控制信号端电连接，薄膜晶体管的源极与三极管的集电极电连接，薄膜晶体管的漏极与探测信号端电连接；三极管的基极与光电转换器的第一端电连接，三极管的发射极与电源端电连接，光电转换器的第二端与偏置电极电连接。通过在薄膜晶体管和光电转换器之间设置三极管，这样光电转换器转换后的电信号作为三极管的基极信号，因此该电信号可以通过三极管进行放大后输出至薄膜晶体管的源极，进而将放大的电信号通过薄膜晶体管输出至探测端；因此本发明实施例提供的探测电路可以提高平板探测器的信噪比。
Description
技术领域
本发明涉及探测电路技术领域，特别涉及一种探测电路、其制作方法及探测面板。
背景技术
基于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术制作的平板X射线探测器(Flat X-ray Panel Detector，FPXD)是数字影像技术中至关重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点，广泛应用于医学影像(如X光胸透)、工业检测(如金属探伤)、安保检测、航空运输等领域。
但是，目前现有的平板探测器的信噪比较低。
发明内容
本发明实施例提供一种探测电路、其制作方法及探测面板，用以解决现有的平板探测器的信噪比较低的问题。
本发明实施例提供了一种探测电路，包括位于衬底基板上的薄膜晶体管、三极管和光电转换器，所述薄膜晶体管的栅极与控制信号端电连接，所述薄膜晶体管的源极与所述三极管的集电极电连接，所述薄膜晶体管的漏极与探测信号端电连接；所述三极管的基极与所述光电转换器的第一端电连接，所述三极管的发射极与电源端电连接，所述光电转换器的第二端与偏置电极电连接。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述源极通过与所述栅极同层设置的走线和所述集电极电连接，且所述走线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述三极管和所述光电转换器在所述衬底基板上的正投影。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述集电极与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且所述集电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述三极管和所述光电转换器在所述衬底基板上的正投影。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述光电转换器包括位于所述衬底基板上依次叠层设置的第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层；
所述第一半导体层与所述基极电连接，或所述第一半导体层与所述基极为一体结构。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述三极管为NPN型三极管，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述三极管为PNP型三极管，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。
相应地，本发明实施例还提供了一种探测面板，包括多个探测单元，每一所述探测单元均包括如本发明实施例提供的上述任一项所述的探测电路。
相应地，本发明实施例还提供了一种如本发明实施例提供的上述探测电路的制作方法，包括：
在衬底基板上分别形成薄膜晶体管、三极管、光电转换器和偏置电极；其中，
形成薄膜晶体管，具体包括：在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、和钝化层；
形成三极管，具体包括：在所述衬底基板上依次形成集电极、基极和发射极；
形成光电转换器，具体包括：在所述衬底基板上依次形成第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，通过一次构图工艺形成所述栅极和所述走线。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，通过一次构图工艺形成所述有源层和所述集电极。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述基极、所述发射极、所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层，具体包括：
在所述集电极上依次沉积第一半导体材料膜层、本征半导体材料膜层、第二半导体材料膜层和导电材料膜层；
对所述导电材料膜层进行刻蚀，形成偏置电极；
以所述偏置电极为掩膜，去除未被所述偏置电极覆盖的第二半导体材料膜层，所述偏置电极覆盖的第二半导体材料膜层构成所述第二半导体层；
以所述偏置电极为掩膜，去除未被所述偏置电极覆盖的预设厚度的本征半导体材料膜层，所述偏置电极覆盖的本征半导体材料膜层构成所述本征半导体层；
对未被所述偏置电极覆盖的本征半导体材料膜层进行离子掺杂，形成所述发射极；其中，被所述发射极覆盖的第一半导体材料膜层构成所述基极，被所述本征半导体层覆盖的第一半导体材料膜层构成所述第一半导体层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述基极、所述发射极、所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层，具体包括：
在所述集电极上依次形成层叠设置的第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层，以形成所述光电转换器；
在所述第二半导体层上形成偏置电极；
在所述薄膜晶体管和所述光电转换器之间的集电极上形成与所述第一半导体层电连接的基极；
在所述基极上形成发射极。
本发明的有益效果如下：
本发明实施例提供的探测电路、其制作方法及探测面板，该探测电路包括：包括薄膜晶体管、三极管和光电转换器，薄膜晶体管的栅极与控制信号端电连接，薄膜晶体管的源极与三极管的集电极电连接，薄膜晶体管的漏极与探测信号端电连接；三极管的基极与光电转换器的第一端电连接，三极管的发射极与电源端电连接，光电转换器的第二端与偏置电极电连接。通过在薄膜晶体管和光电转换器之间设置三极管，这样光电转换器转换后的电信号作为三极管的基极信号，因此该电信号可以通过三极管进行放大后输出至薄膜晶体管的源极，进而将放大的电信号通过薄膜晶体管输出至探测端；因此本发明实施例提供的探测电路可以提高平板探测器的信噪比。
附图说明
图1为本发明实施例提供的探测电路的电路结构示意图；
图2为本发明实施例提供的探测电路的剖面结构示意图之一；
图3为本发明实施例提供的探测电路的剖面结构示意图之二；
图4为本发明实施例提供的探测电路的制作方法流程图之一；
图5为本发明实施例提供的探测电路的制作方法流程图之二；
图6A至图6G为图2所示的探测电路在执行各步骤后的剖面结构示意图；
图7A至图7J为图3所示的探测电路在执行各步骤后的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的探测电路、其制作方法及探测面板的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映探测电路的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种探测电路，如图1-图3所示，图1为探测电路的电路结构示意图，图2和图3分别为探测电路中各膜层的剖面结构示意图，包括位于衬底基板100上的薄膜晶体管T、三极管Q和光电转换器1，薄膜晶体管T的栅极G与控制信号端电连接，薄膜晶体管T的源极S与三极管Q的集电极c电连接，薄膜晶体管T的漏极D与探测信号端电连接(例如探测信号通过探测信号端传输至外部IC，以保存图像数据)；三极管Q的基极b与光电转换器1的第一端电连接，三极管Q的发射极e与电源端电连接，光电转换器1的第二端与偏置电极2电连接。
本发明实施例提供的上述探测电路，通过在薄膜晶体管和光电转换器之间设置三极管，这样光电转换器转换后的电信号作为三极管的基极信号，因此该电信号可以通过三极管进行放大后输出至薄膜晶体管的源极，进而将放大的电信号通过薄膜晶体管输出至探测端；因此本发明实施例提供的探测电路可以提高平板探测器的信噪比。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，如图2和图3所示，源极S通过与栅极G同层设置的走线01和集电极c电连接，且走线01在衬底基板100上的正投影覆盖三极管Q和光电转换器1在衬底基板100上的正投影。这样，只需要在形成栅极G时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成走线01与栅极G的图形，不用增加单独制备走线01的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，如图2和图3所示，集电极c与薄膜晶体管T的有源层02同层设置，且集电极c在衬底基板100上的正投影覆盖三极管Q和光电转换器1在衬底基板100上的正投影。这样，只需要在形成有源层02时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成集电极c与有源层02的图形，不用增加单独制备集电极c的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
具体地，有源层的材料可以是氧化铟镓锌(IGZO)、非晶硅、多晶硅等半导体材料。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，如图2和图3所示，光电转换器1包括位于衬底基板100上依次叠层设置的第一半导体层11、本征半导体层12和第二半导体层13；
如图2所示，第一半导体层11与基极b电连接，或如图3所示，第一半导体层11与基极b为一体结构。例如，工作时，例如向偏置电极2施加-5～-10V的电压，使光电转换器1工作在负偏压下，光电转换器1将外界可见光信号转换为不同的电信号，该电信号传输至基极b作为三极管Q的基区信号，从而通过三极管Q的电流放大作用，将该电信号进行放大后通过集电极c输出至薄膜晶体管T的源极S，然后放大的电信号通过薄膜晶体管T的漏极D输出至探测端，探测端的信号传输至外部芯片(IC)，以保存图像数据。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，如图1至图3所示，三极管Q可以为NPN型三极管，即集电极c为N型区，基极b为P型区，发射极e为N型区，则第一半导体层11为P型半导体层，第二半导体层13为N型半导体层。这样光电转换器1转换后的电信号就可以作为三极管Q的基极信号，以对电信号进行放大后输出。
当然，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，三极管也可以为PNP型三极管，即集电极c为P型区，基极b为N型区，发射极e为P型区，则第一半导体层为N型半导体层，第二半导体层为P型半导体层。这样光电转换器1转换后的电信号就可以作为三极管Q的基极信号，以对电信号进行放大后输出。三极管为PNP型三极管的原理与三极管为NPN型三极管的原理相同，区别仅在于电源极性不同。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测电路中，如图2和图3所示，为了增大光电转换器1的光转换面积，提升灵敏度，偏置电极2的材料可以为透明导电材料。具体地，透明导电材料可以为ITO。当然，透明导电材料不限于ITO，也可以为其它透明导电材料。
具体地，如图2和图3所示，本发明实施例提供的上述探测电路上还设置平坦层3，三极管Q的发射极通过贯穿平坦层3的过孔通过引线03与电源端电连接，偏置电极2通过贯穿平坦层3的过孔与偏置电压线04电连接。具体地，平坦层3的材料可以为树脂，引线03和偏置电压线04的材料可以为Mo、Cu或Al等常用金属。
本发明实施例提供的上述探测电路不仅可以通过三极管的设置使得探测到的信号量增强，提高信噪比，并且将三极管的集电极与薄膜晶体管的源极导通的走线以及三极管的集电极均采用与薄膜晶体管中对应的膜层同层设置，因此可以减少成本。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述探测电路的制作方法，包括：
在衬底基板上分别形成薄膜晶体管、三极管、光电转换器和偏置电极；其中，
形成薄膜晶体管，具体包括：在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、和钝化层；
形成三极管，具体包括：在衬底基板上依次形成集电极、基极和发射极；
形成光电转换器，具体包括：在衬底基板上依次形成第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层。
本发明实施例提供的探测电路的制作方法，通过在薄膜晶体管和光电转换器之间制作三极管，这样光电转换器转换后的电信号作为三极管的基极信号，因此该电信号可以通过三极管进行放大后输出至薄膜晶体管的源极，进而将放大的电信号通过薄膜晶体管输出至探测端；因此采用本发明实施例提供的探测电路的制作方法制作得到的探测电路可以提高平板探测器的信噪比。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测电路中，通过一次构图工艺形成栅极和走线。这样，只需要在形成栅极时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成走线与栅极的图形，不用增加单独制备走线的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测电路中，通过一次构图工艺形成有源层和集电极。这样，只需要在形成有源层时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成集电极与有源层的图形，不用增加单独制备集电极的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测电路中，如图4所示，形成基极、发射极、第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层，具体包括：
S401、在集电极上依次沉积第一半导体材料膜层、本征半导体材料膜层、第二半导体材料膜层和导电材料膜层；
S402、对导电材料膜层进行刻蚀，形成偏置电极；
S403、以偏置电极为掩膜，去除未被偏置电极覆盖的第二半导体材料膜层，偏置电极覆盖的第二半导体材料膜层构成第二半导体层；
S404、以偏置电极为掩膜，去除未被偏置电极覆盖的预设厚度的本征半导体材料膜层，偏置电极覆盖的本征半导体材料膜层构成本征半导体层；
S405、对未被偏置电极覆盖的本征半导体材料膜层进行离子掺杂，形成发射极；其中，被发射极覆盖的第一半导体材料膜层构成基极，被本征半导体层覆盖的第一半导体材料膜层构成第一半导体层。
具体地，上述图4所示的制作方法是以偏置电极为掩膜，可以省mask，但对未被偏置电极覆盖的本征半导体材料膜层进行离子掺杂的过程以及后期高温制程中，部分掺杂离子会向本征半导体层扩散造成缺陷。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测电路中，如图5所示，形成基极、发射极、第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层，具体包括：
S501、在集电极上依次形成层叠设置的第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层，以形成光电转换器；
S502、在第二半导体层上形成偏置电极；
S503、在薄膜晶体管和光电转换器之间的集电极上形成与第一半导体层电连接的基极；
S504、在基极上形成发射极。
具体地，上述图5所示的制作方法是先形成光电转换器，再单独制作三极管Q的基极和发射极，三极管Q的制作过程对光电转换器无影响。但图5所示的制作方法的缺点是形成三极管的基极和发射极过程中需要进行一次光刻工艺，增加一道mask。为了不影响光电转换器的性能，本发明实施例优选图5所示的制作方法。
下面通过具体实施例对图2所示的探测电路的制作方法进行详细阐述，图2中薄膜晶体管T的有源层材料为n型氧化物半导体材料，三极管Q为NPN型结构，光电转换器1的第一半导体层11为P型半导体、本征半导体层12为I型半导体、第二半导体层13为N型半导体。
(1)在衬底基板100上沉积栅金属层材料，通过第一次构图工艺形成栅极G和走线01，如图6A所示；具体地，栅金属层的材料可以为Mo、Cu或Al等常用金属，栅金属层的厚度可以为1000A～5000A。
(2)在步骤(1)的基础上沉积栅绝缘层材料并进行图案化形成栅绝缘层GI，如图6B所示；具体地，栅绝缘层的材料可以为SiO、SiN、SiON等单层或叠层结构，栅绝缘层的厚度可以为1000A～5000A。
(3)在步骤(2)的基础上沉积氧化物半导体材料，通过第一次构图工艺形成有源层02和集电极c，如图6C所示；具体地，有源层02的材料可以为IGZO、非晶Si、多晶Si或者其他氧化物半导体材料，有源层02的厚度可以为30nm～100nm。
(4)在步骤(3)的基础上沉积源漏金属层并进行图案化形成源极S和漏极D，源极D通过贯穿栅绝缘层GI的过孔与走线01电连接，实现通过薄膜晶体管T读取探测信号，如图6D所示；具体地，源漏金属层的材料可以为Mo、Cu或Al等常用金属，厚度可以为1000A～5000A。
(5)在步骤(4)的基础上沉积钝化层材料并图案化形成钝化层PVX，如图6E所示；具体地，钝化层PVX的材料可以为SiO、SiN、SiON等单层或叠层结构，厚度可以为1000A～5000A。
(6)在步骤(5)的基础上在集电极c上依次沉积p型a-Si、本征a-Si、n型a-Si，图案化形成层叠设置的第一半导体层11、本征半导体层12和第二半导体层13，以形成光电转换器1；在第二半导体层13上沉积ITO导电材料并图案化形成偏置电极2，如图6F所示；具体地，第一半导体层11的厚度可以为10nm～50nm，本征半导体层12的厚度可以为500nm～900nm、第二半导体层13的厚度可以为10nm～50nm。
(7)在步骤(6)的基础上在薄膜晶体管T和光电转换器1之间的集电极c上沉积P型半导体材料并图案化形成与第一半导体层11电连接的基极b，在基极b上沉积N型半导体材料并图案化形成发射极e，如图6G所示；
(8)在步骤(7)的基础上沉积树脂材料并图案化形成平坦层3，沉积Mo、Cu或Al等常用金属并图案化形成与发射极e电连接的引线03，以及与偏置电极2电连接的偏置电压线04，如图3所示；具体地，平坦层3的厚度可以为1μm～3μm，引线03和偏置电压线04的厚度可以分别为1000A～5000A。
通过上述实施例一的步骤(1)至步骤(8)后可以得到本发明实施例提供的图2所示的探测电路。
下面通过具体实施例对图3所示的探测电路的制作方法进行详细阐述，图3中薄膜晶体管T的有源层材料为n型氧化物半导体材料，三极管Q为NPN型结构，光电转换器1的第一半导体层11为P型半导体、本征半导体层12为I型半导体、第二半导体层13为N型半导体。
(1)在衬底基板100上沉积栅金属层材料，通过第一次构图工艺形成栅极G和走线01，如图7A所示；具体地，栅金属层的材料可以为Mo、Cu或Al等常用金属，栅金属层的厚度可以为1000A～5000A。
(2)在步骤(1)的基础上沉积栅绝缘层材料并进行图案化形成栅绝缘层GI，如图7B所示；具体地，栅绝缘层的材料可以为SiO、SiN、SiON等单层或叠层结构，栅绝缘层的厚度可以为1000A～5000A。
(3)在步骤(2)的基础上沉积氧化物半导体材料，通过第一次构图工艺形成有源层02和集电极c，如图7C所示；具体地，有源层02的材料可以为IGZO、非晶Si、多晶Si或者其他氧化物半导体材料，有源层02的厚度可以为30nm～100nm。
(4)在步骤(3)的基础上沉积源漏金属层并进行图案化形成源极S和漏极D，源极D通过贯穿栅绝缘层GI的过孔与走线01电连接，实现通过薄膜晶体管T读取探测信号，如图7D所示；具体地，源漏金属层的材料可以为Mo、Cu或Al等常用金属，厚度可以为1000A～5000A。
(5)在步骤(4)的基础上沉积钝化层材料并图案化形成钝化层PVX，如图7E所示；具体地，钝化层PVX的材料可以为SiO、SiN、SiON等单层或叠层结构，厚度可以为1000A～5000A。
(6)在步骤(5)的基础上在集电极c上依次沉积第一半导体材料膜层001(p型a-Si)、本征半导体材料膜层002(本征a-Si)、第二半导体材料膜层003(n型a-Si)和导电材料膜层004(ITO材料)，如图7F所示；具体地，p型a-Si的厚度可以为10nm～50nm，本征a-Si的厚度可以为500nm～900nm、n型a-Si的厚度可以为10nm～50nm。
(7)在步骤(6)的基础上对导电材料膜层004进行刻蚀，形成偏置电极2，如图7G所示；
(8)在步骤(7)的基础上以偏置电极2为掩膜，去除未被偏置电极2覆盖的第二半导体材料膜层003，偏置电极2覆盖的第二半导体材料膜层003构成第二半导体层13，如图7H所示。
(9)在步骤(8)的基础上以偏置电极2为掩膜，去除未被偏置电极2覆盖的预设厚度的本征半导体材料膜层002，保留一定厚度的未被偏置电极2覆盖的本征半导体材料膜层005，偏置电极2覆盖的本征半导体材料膜层002构成本征半导体层12，如图7I所示。
(10)在步骤(9)的基础上对未被偏置电极2覆盖的本征半导体材料膜层005进行离子掺杂(如掺杂磷等)，形成发射极e；其中，被发射极e覆盖的第一半导体材料膜层001构成基极b，被本征半导体层12覆盖的第一半导体材料膜层001构成第一半导体层11，如图7J所示。
(11)在步骤(10)的基础上沉积树脂材料并图案化形成平坦层3，沉积Mo、Cu或Al等常用金属并图案化形成与发射极e电连接的引线03，以及与偏置电极2电连接的偏置电压线04，如图3所示；具体地，平坦层3的厚度可以为1μm～3μm，引线03和偏置电压线04的厚度可以分别为1000A～5000A。
通过上述实施例一的步骤(1)至步骤(11)后可以得到本发明实施例提供的图3所示的探测电路。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种探测面板，包括多个探测单元，每一探测单元均包括本发明实施例提供的上述探测电路。该探测面板解决问题的原理与前述探测电路相似，因此该探测面板的实施可以参见前述探测电路的实施，重复之处在此不再赘述。
本发明实施例提供的探测电路、其制作方法及探测面板，该探测电路包括：包括薄膜晶体管、三极管和光电转换器，薄膜晶体管的栅极与控制信号端电连接，薄膜晶体管的源极与三极管的集电极电连接，薄膜晶体管的漏极与探测信号端电连接；三极管的基极与光电转换器的第一端电连接，三极管的发射极与电源端电连接，光电转换器的第二端与偏置电极电连接。通过在薄膜晶体管和光电转换器之间设置三极管，这样光电转换器转换后的电信号作为三极管的基极信号，因此该电信号可以通过三极管进行放大后输出至薄膜晶体管的源极，进而将放大的电信号通过薄膜晶体管输出至探测端；因此本发明实施例提供的探测电路可以提高平板探测器的信噪比。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种探测电路，其特征在于，包括位于衬底基板上的薄膜晶体管、三极管和光电转换器，所述薄膜晶体管的栅极与控制信号端电连接，所述薄膜晶体管的源极与所述三极管的集电极电连接，所述薄膜晶体管的漏极与探测信号端电连接；所述三极管的基极与所述光电转换器的第一端电连接，所述三极管的发射极与电源端电连接，所述光电转换器的第二端与偏置电极电连接；
所述源极通过与所述栅极同层设置的走线和所述集电极电连接，所述走线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述三极管和所述光电转换器在所述衬底基板上的正投影；
所述集电极与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，所述集电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述三极管和所述光电转换器在所述衬底基板上的正投影。
2.如权利要求1所述的探测电路，其特征在于，所述光电转换器包括位于所述衬底基板上依次叠层设置的第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层；
所述第一半导体层与所述基极电连接，或所述第一半导体层与所述基极为一体结构。
3.如权利要求2所述的探测电路，其特征在于，所述三极管为NPN型三极管，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层。
4.如权利要求2所述的探测电路，其特征在于，所述三极管为PNP型三极管，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。
5.一种探测面板，包括多个探测单元，其特征在于，每一所述探测单元均包括如权利要求1-4任一项所述的探测电路。
6.一种如权利要求1-4任一项所述的探测电路的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上分别形成薄膜晶体管、三极管、光电转换器和偏置电极；其中，
形成薄膜晶体管，具体包括：在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、和钝化层；
形成三极管，具体包括：在所述衬底基板上依次形成集电极、基极和发射极；其中，通过一次构图工艺形成所述栅极和所述走线，通过一次构图工艺形成所述有源层和所述集电极；
形成光电转换器，具体包括：在所述衬底基板上依次形成第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述基极、所述发射极、所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层，具体包括：
在所述集电极上依次沉积第一半导体材料膜层、本征半导体材料膜层、第二半导体材料膜层和导电材料膜层；
对所述导电材料膜层进行刻蚀，形成偏置电极；
以所述偏置电极为掩膜，去除未被所述偏置电极覆盖的第二半导体材料膜层，所述偏置电极覆盖的第二半导体材料膜层构成所述第二半导体层；
以所述偏置电极为掩膜，去除未被所述偏置电极覆盖的预设厚度的本征半导体材料膜层，所述偏置电极覆盖的本征半导体材料膜层构成所述本征半导体层；
对未被所述偏置电极覆盖的本征半导体材料膜层进行离子掺杂，形成所述发射极；其中，被所述发射极覆盖的第一半导体材料膜层构成所述基极，被所述本征半导体层覆盖的第一半导体材料膜层构成所述第一半导体层。
8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述基极、所述发射极、所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层，具体包括：
在所述集电极上依次形成层叠设置的第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层，以形成所述光电转换器；
在所述第二半导体层上形成偏置电极；
在所述薄膜晶体管和所述光电转换器之间的集电极上形成与所述第一半导体层电连接的基极；
在所述基极上形成发射极。
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