CN111261106A - 显示面板及其制作方法、像素发光补偿方法以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示面板及其制作方法以及像素发光补偿方法和显示装置。所述显示面板包括阵列排布的多个像素单元,每个像素单元包括:阵列基板,包括像素驱动电路;像素界定层,设置在所述阵列基板的远离衬底的第一表面上,所述像素界定层中具有通孔;发光单元,设置在所述通孔中,所述发光单元与所述像素驱动电路的输出端电连接,以使得所述像素驱动电路输出的驱动电流能够驱动所述发光单元发光;以及光电转换器,被配置为接收所述发光单元发出的光。
Description
技术领域
本公开涉及显示领域,具体地涉及一种显示面板及其制作方法以及像素发光补偿方法和显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)的显示由于IR-Drop、阈值电压偏移、OLED材料本身的劣化等因素会造成亮度和颜色随着使用时间变长而发生偏差,因此需要对AMOLED的亮度和颜色进行补偿。
发明内容
根据本公开的一个方面,提出了一种显示面板。所述显示面板包括阵列排布的多个像素单元。每个像素单元包括:阵列基板,包括像素驱动电路;像素界定层,设置在所述阵列基板的远离衬底的第一表面上,所述像素界定层中具有通孔;发光单元,设置在所述通孔中,所述发光单元与所述像素驱动电路的输出端电连接,以使得所述像素驱动电路输出的驱动电流能够驱动所述发光单元发光;以及光电转换器,被配置为接收所述发光单元发出的光。
在一些实施例中,所述像素界定层包括透光部,所述透光部形成所述通孔的侧壁的透光区域,其中,所述光电转换器被配置为至少经由所述透光部接收所述发光单元发出的光。
在一些实施例中,所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述透光部在所述阵列基板上的正投影至少部分地重叠。
在一些实施例中,所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述发光单元在所述阵列基板上的正投影不重叠。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:光电读取电路,与所述光电转换器电连接,以读取光电转换器产生的光电信号。
在一些实施例中,所述光电转换器和所述光电读取电路设置在所述阵列基板中。
在一些实施例中,所述像素驱动电路包括驱动晶体管,所述驱动晶体管的源极或漏极之一与所述像素驱动电路的输出端电连接,用于产生驱动电流并将驱动电流提供到所述像素驱动电路的输出端。所述光电读取电路包括读取控制晶体管,所述读取控制晶体管的源极或漏极之一与所述光电转换器电连接,所述读取控制晶体管的源极或漏极中的另一个与信号读取线电连接,用于控制将通过信号读取线读取光电转换器产生的光电信号。所述驱动晶体管和所述读取控制晶体管是通过相同工艺形成的。
在一些实施例中,所述光电转换器在垂直于所述阵列基板的方向上位于所述像素界定层与所述光电读取电路之间。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:上盖板,覆盖所述像素界定层。所述光电转换器和所述光电读取电路设置在所述上盖板中。
在一些实施例中,所述发光单元为有机发光二极管,所述有机发光二极管包括依次堆叠在所述第一表面上的阳极层、有机层和阴极层。所述阳极层与所述像素驱动电路的输出端电连接。
在一些实施例中,所述显示面板还包括补偿处理器,所述补偿处理器经由信号读取线与所述光电读取电路电连接,并且被配置为:从所述光电读取电路接收所述光电信号;以及基于所述光电信号计算亮度补偿值。
根据本公开的另一方面,提出了一种显示面板的制作方法。所述方法包括:形成阵列基板,所述阵列基板包括像素驱动电路、光电读取电路和光电转换器,其中,所述光电读取电路与所述光电转换器电连接;在所述阵列基板的远离衬底的第一表面上形成像素界定层;在所述像素界定层中形成通孔;在所述通孔中形成发光单元,使得所述发光单元与所述像素驱动电路的输出端电连接。所述光电转换器和所述发光单元被形成为使得所述发光单元发出的光能够被所述光电转换器接收。
在一些实施例中,形成像素界定层的步骤还包括:在所述像素界定层中形成透光部。所述透光部形成所述通孔的侧壁的透光区域。
在一些实施例中,所述光电转换器被形成为至少能够经由所述透光部接收所述发光单元发出的光。
在一些实施例中,所述光电转换器和所述透光部被形成为使得所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述透光部在所述阵列基板上的正投影至少部分地重叠。
在一些实施例中,所述光电转换器和所述发光单元被形成为使得所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述发光单元在所述阵列基板上的正投影不重叠。
在一些实施例中,所述像素驱动电路包括驱动晶体管,所述驱动晶体管的源极或漏极之一与所述像素驱动电路的输出端电连接,用于产生驱动电流并将驱动电流提供到所述像素驱动电路的输出端。所述光电读取电路包括读取控制晶体管,所述读取控制晶体管的源极或漏极之一与所述光电转换器电连接,所述读取控制晶体管的源极或漏极中的另一个与信号读取线电连接,用于控制将通过信号读取线读取光电转换器产生的光电信号。所述驱动晶体管和所述读取控制晶体管是通过相同工艺形成的。
在一些实施例中,所述光电转换器被形成为在垂直于所述阵列基板的方向上位于所述像素界定层与所述光电读取电路之间。
在一些实施例中,所述发光单元为有机发光二极管。形成所述发光单元的步骤包括:在所述第一表面上依次形成阳极层、有机层和阴极层。所述阳极层被形成为与所述像素驱动电路的输出端电连接。
根据本公开的又一方面,提供了一种显示面板的制作方法。所述方法包括:形成阵列基板,所述阵列基板包括像素驱动电路;在所述阵列基板的远离衬底的第一表面上形成像素界定层;在所述像素界定层中形成通孔;在所述通孔中形成发光单元,使得所述发光单元与所述像素驱动电路的输出端电连接;形成上盖板,所述上盖板包括光电读取电路和光电转换器,其中,所述光电读取电路与所述光电转换器电连接;将所述上盖板与所述像素界定层对合,使得所述发光单元发出的光能够被所述光电转换器接收。
在一些实施例中,形成像素界定层的步骤还包括:在所述像素界定层中形成透光部,其中,所述透光部形成所述通孔的侧壁的透光区域。
在一些实施例中,将所述上盖板与所述像素界定层对合的步骤使得所述光电转换器至少能够经由所述透光部接收所述发光单元发出的光。
在一些实施例中,将所述上盖板与所述像素界定层对合的步骤使得所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述透光部在所述阵列基板上的正投影至少部分地重叠。
在一些实施例中,将所述上盖板与所述像素界定层对合的步骤使得所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述发光单元在所述阵列基板上的正投影不重叠。
在一些实施例中,将所述上盖板与所述像素界定层对合的步骤使得所述光电转换器在垂直于所述阵列基板的方向上位于所述像素界定层与所述光电读取电路之间。
在一些实施例中,所述发光单元为有机发光二极管,形成所述发光单元的步骤包括:在所述第一表面上依次形成阳极层、有机层和阴极层。其中,所述阳极层被形成为与所述像素驱动电路的输出端电连接。
根据本公开的又一方面,提供了一种针对上述实施例所述的显示面板的像素发光补偿方法。所述方法包括:通过数据驱动电路向所述像素驱动电路提供第一数据电压,使得所述像素驱动电路驱动所述发光单元以初始亮度发光;通过所述光电转换器接收所述初始亮度的光,并产生光电信号;通过所述光电读取电路将所述光电信号读取到补偿处理器;通过所述补偿处理器计算亮度补偿值,并向所述数据驱动电路提供所述亮度补偿值;通过所述数据驱动电路向所述像素驱动电路提供第二数据电压,使得所述像素驱动电路驱动所述发光单元以补偿亮度发光。
根据本公开的又一方面,提供了一种显示装置,包括根据上述实施例所述的显示面板。
附图说明
图1示出了一种针对AMOLED面板的像素单元的像素驱动电路的示意电路图。
图2示出了包括图1所示的像素驱动电路和OLED发光单元的显示面板的结构图。
图3示出了根据本公开一个实施例的显示面板的结构图。
图4示出了根据本公开另一实施例的显示面板的结构图。
图5示出了根据本公开实施例的显示面板的电路结构图。
图6示出了根据本公开一个实施例的显示面板的制作方法的流程图。
图7示出了根据本公开另一实施例的显示面板的制作方法的流程图。
图8示出了针对根据本公开实施例的显示面板的像素发光补偿方法的流程图。
图9示出了根据本公开实施例的显示装置的示意方框图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例中的附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部。基于所描述的本公开实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例都属于本公开保护的范围。应注意,贯穿附图,相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。在以下描述中,一些具体实施例仅用于描述目的,而不应该理解为对本公开有任何限制,而只是本公开实施例的示例。在可能导致对本公开的理解造成混淆时,将省略常规结构或构造。应注意,图中各部件的形状和尺寸不反映真实大小和比例,而仅示意本公开实施例的内容。
在本文中,本公开中所提及的晶体管可以是薄膜晶体管(TFT)。晶体管可以为N型或P型晶体管,通过改变电平的高低,两种晶体管是可以互换使用。在下文中以N型晶体管为例进行描述,其在栅极输入高电平时导通,输入低电平时截止。下文将晶体管描述为包括栅极、第一极和第二极,应该理解的是,第一极是源极和漏极之一,第二极是源极和漏极中的另一个。
以下参照附图描述本公开的各实施例。
图1示出了一种针对AMOLED面板的像素单元的像素驱动电路100的示意电路图。图2示出了包括图1所示的像素驱动电路100和OLED发光单元的显示面板的结构图,为了便于说明,图2中只示出了一个像素单元。
如图1所示,像素驱动电路100的电路结构示意性地具有2T1C结构,包括驱动晶体管T1、充电控制晶体管T2和存储电容Cs。像素驱动电路100用于对OLED发光单元进行驱动。OLED发光单元属于电流驱动,需要稳定的电流来控制发光。
如图2所示,显示面板的层叠结构中只示意性地示出了像素驱动电路100中的驱动晶体管T1(图中的矩形虚线框)和OLED发光单元(图中的椭圆虚线框)。具体地,图2中的结构包括依次堆叠的衬底基板110、缓冲层120、层间介质层130、钝化层140、树脂层150和像素界定层160,这些层构成显示面板的显示基板。此外,显示面板还包括上盖板170,上盖板170与显示基板对合,形成显示面板。驱动晶体管T1形成在层间介质层130中,并被钝化层140覆盖。因此,可以将衬底基板110、缓冲层120、层间介质层130、钝化层140和树脂层150统称为阵列基板。OLED发光单元形成在像素界定层160中,并通过通孔与层间介质层130中的驱动晶体管T1电连接。应该理解的是,在其他实施例中,可以去除图2中所示结构中的某些层,或增加新的层,本公开对此不加以限制。
像素驱动电路100的驱动晶体管T1的具体结构包括形成在缓冲层120上的有源层,有源层包括沟道区131和位于沟道区131两侧的掺杂区132。在有源区上形成有栅极绝缘层133,在栅极绝缘层133上形成有栅极134,二者都被层间介质层130覆盖于有源层上。有源层的沟道区131在衬底基板110上的正投影与栅极134在衬底基板110上的正投影的位置相对应。层间介质层130还在掺杂区132上方的位置处具有通孔,在通孔中形成有源极135和漏极136。源极135和漏极136分别与沟道区131两侧的掺杂区132电连接。如图1所示,在本实施例中,驱动晶体管T1被示例为具有顶栅结构,但应该理解的是,在其他实施例中,驱动晶体管T1也可以具有底栅结构或其他适当的结构,都不会影响本公开实施例的实现。还应理解的是,在其他实施例中,源极135和漏极136的位置可以互换。
OLED发光单元的具体结构包括形成于树脂层150上的阳极层161、有机层162和阴极层163。在制作阳极层161之前,首先在树脂层150和钝化层140中位于漏极136上方的位置处形成通孔,使得阳极层161的材料填充通孔,并由此与漏极136电连接。有机层162是发光层,其在阳极层161和阴极层163分别接入相应电压时会利用电子与空穴的复合发出特定颜色的光。阴极层163覆盖有机层并覆盖像素界定层160。OLED的发光可以分为顶发射和底发射两种情况。在顶发射情况中,OLED发光单元发出的光从上盖板170中射出。在底发射情况中,OLED发光单元发出的光从衬底基板110中射出。应该理解的是,为了使光能够顺利射出,需要对光路径上的层的材料或结构进行适应性改动,本公开在这里不进行具体说明。
在图1中,当扫描线扫描某一行像素单元时,扫描信号Vscan为高电平,针对该行像素单元中的每一个像素单元,T2导通,数据线向存储电容Cs写入数据信号Vdata。当该行扫描结束后,扫描信号线的扫描信号Vscan转为低电平,使得T2截止。此时,存储在存储电容Cs上的电压驱动T1,使其产生电流来驱动OLED发光单元,保证OLED发光单元持续发光(例如在一帧的显示内)。OLED的发光电流的公式为Ids=K(Vdata-Vth)2,其中,K为与工艺、设计和材料相关的参数,Vth为T1的阈值电压。可见Ids的大小至少受到K、Vdata和Vth这三个参量的影响。具体地,当OLED材料本身发生劣化时,参数K会发生变化;由于像素单元离数据线的距离不同,其所接收的数据信号会受到不同的电压降,这将影响每个像素单元的Vdata;各像素单元的驱动晶体管的阈值可能是不均匀分布的或可能发生漂移,这将导致各像素单元的驱动晶体管具有不同的Vth。这些因素都将导致显示面板的亮度不均匀(即mura)。因此,需要进行设计对这种不均匀的现象进行亮度补偿。
一般地,补偿分为内部补偿和外部补偿。例如,在相关技术中,可以通过对上述像素驱动电路进行适当的结构和时序设计来在最终的驱动电流公式中去除Vth,以使得面板不会因驱动晶体管的差异而造成mura,此为内部补偿。这一补偿方式只能针对Vth因素进行补偿,而难以针对所有导致mura的因素进行补偿,具有较大的局限性。
外部补偿包括光学外部补偿方法(即Demura方法)和电学外部补偿方法。在一种相关技术的光学外部补偿方法中,通过光学CCD照相等方法将面板的亮度信号抽取出来,并根据相关算法识别出mura数据,从而根据相应的算法产生Demura数据,并将Demura数据烧录到面板的FLASH ROM中,以实现补偿效果。然而,这一补偿方式只适合用于面板出厂前的初始补偿,很难实现面板的实时补偿。
为了至少部分地解决现有补偿方案中的问题,本公开实施例在例如图2所示的显示面板的基础上,通过在显示面板中设置光电转换器实时采集OLED发光单元的发光强度并基于检测到的强度调节为像素提供的数据电压,实现了一种实时的全面补偿方案。
具体地,本公开提供了一种显示面板,该显示面板包括阵列排布的多个像素单元。图3示出了根据本公开的一个实施例的显示面板300的结构图,为了便于说明,图3中只示出了一个像素单元。
如图3所示,像素单元中包括阵列基板、像素界定层、发光单元和光电转换器。
阵列基板包括衬底基板310、缓冲层320、层间介质层330、钝化层340和树脂层350。阵列基板中形成有像素驱动电路,为了便于描述,图3中只示出了像素驱动电路中的驱动晶体管T1,驱动晶体管T1形成在层间介质层330中,并被钝化层340覆盖。驱动晶体管T1用于产生驱动电流并将驱动电流提供到像素驱动电路的输出端。应该理解的是,在其他实施例中,可以去除阵列基板中所示结构中的某些层(例如缓冲层320和树脂层350),或增加新的层,本公开对此不加以限制。
像素界定层360设置在所述阵列基板的第一表面(即远离衬底基板310的表面)上。像素界定层360中具有通孔,用于容纳发光单元。在本公开的一些实施例中,像素界定层360包括透光部365,透光部365形成通孔的侧壁的一部分,即通孔侧壁上的透光区域366。图3中将透光部365示为与驱动晶体管T1位于通孔的相对侧,应该理解的是,这仅是示例性的。在其他实施例中,透光部365可以位于通孔的任何方位,从而可以用于形成通孔的侧壁的任何区域。
作为发光单元的示例,图3所示的OLED发光单元设置在通孔中,并且覆盖所述通孔的底面和侧壁。具体地,OLED发光单元包括阳极层361、有机层362和阴极层363。在制作阳极层361之前,首先在阵列基板中形成通孔,使得阳极层361的材料填充通孔,并由此与像素驱动电路的输出端(例如,如图3所示与驱动晶体管T1的漏极)电连接。从而,在来自驱动晶体管T1的驱动电流的驱动下,有机层362发光。图3中示出的实施例为顶发射情况,因此图中还示出了上盖板,该上盖板覆盖像素界定层360,OLED发光单元发出的光从上盖板中射出。上盖板在图3中被示为包括衬底基板372和中间层371。应该理解的是,由于上盖板在其上的结构制作完成后与由阵列基板和像素界定层组成的显示基板对合,因此,图3中示出的上盖板是倒置的。
光电转换器邻近透光部365设置,使得OLED发光单元发出的光至少能够穿过透光部365到达光电转换器(应该理解的是,根据光电转换器与OLED发光单元之间的位置关系,在一些实施例中,OLED发光单元发出的光也能直接照射到光电转换器)。在一些实施例中,光电转换器在阵列基板上的正投影与透光部365在阵列基板上的正投影至少部分地重叠,以促进光电转换器对来自OLED发光单元的光的接收。在一些实施例中,光电转换器在阵列基板上的正投影还与OLED发光单元在阵列基板上的正投影不重叠,从而避免对OLED显示面板的正常发光造成影响。
在图3中,将光电转换器示例为PIN光电二极管,并且将PIN光电二极管示例性地置于上盖板中。在图3所示的顶发射OLED发光时,会有光照射到置于上盖板中的PIN光电二极管,使其产生光电信号。应该理解的是,在本公开的其他实施例中,光电转换器可以实现为具有光电转换能力的任何光敏电阻、光电三极管、光电二极管或者光电耦合器件。
在图3的实施例中,将PIN光电二极管示为置于OLED发光单元的阴极层363上。应该理解的是,在本公开的其他实施例中,PIN光电二极管可以与OLED发光单元以及像素界定层360间隔开一定的距离。
在图3的实施例中,示出了具有特定尺寸的透光部365的像素界定层360。应该理解的是,透光部365是为了便于PIN光电二极管接收OLED发光单元发出的光,并从而能够更加灵活地设置PIN光电二极管的位置。然而,如果透光部365的尺寸过大则会对显示面板的正常显示造成影响(例如,不同像素之间的漏光造成混像),因此,应该适当地设置透光部365的大小。在本公开的另一些实施例中,像素界定层360中可以不具有透光部365。在这些实施例中,需要适当地设置光电转换器的位置,使其能够直接接收到OLED发光单元发出的光,而不是被像素界定层完全阻挡。
在一些实施例中,显示面板还包括光电读取电路,光电读取电路与PIN光电二极管电连接,以读取PIN光电二极管产生的光电信号。为了便于说明,在图3的实施例中只示出了光电读取电路中的读取控制晶体管M1。读取控制晶体管M1的源极381连接到PIN光电二极管,漏极382连接显示面板中的信号读取线,通过改变M1的栅极的电平来控制将PIN光电二极管产生的光电信号经由信号读取线传递到外部电路进行补偿计算。图3中,光电读取电路同样位于上盖板中。
在图3所述的实施例中,为了简明,没有对上盖板中的中间层371的具体分层结构进行示例性说明。本领域技术人员应该理解的是,可以通过任意的分层结构来实现上盖板中的中间层,只要能够允许发光单元发出的光从中透射,并且能够在其中形成光电读取电路的电路结构即可。此外,在上盖板的衬底基板372和中间层371之间还可以具有其他层结构,本公开对此不再赘述。
在一些实施例中,光电转换器在垂直于阵列基板的方向上位于像素界定层360与光电读取电路之间。
图4示出了根据本公开另一实施例的显示面板400的结构图,为了便于说明,图4中只示出了一个像素单元。
如图4所示,像素单元中包括阵列基板、像素界定层、发光单元和光电转换器。
阵列基板包括衬底基板410、缓冲层420、层间介质层430、钝化层440和树脂层450。阵列基板中形成有像素驱动电路,为了便于描述,图4中只示出了像素驱动电路中的驱动晶体管T1,驱动晶体管T1形成在层间介质层430中,并被钝化层440覆盖。驱动晶体管T1用于产生驱动电流并将驱动电流提供到像素驱动电路的输出端。应该理解的是,在其他实施例中,可以去除阵列基板中所示结构中的某些层(例如缓冲层420和树脂层450),或增加新的层,本公开对此不加以限制。
像素界定层460设置在所述阵列基板的第一表面(即远离衬底基板410的表面)上。像素界定层460中具有通孔,用于容纳发光单元。在本公开的一些实施例中,像素界定层460包括透光部465,透光部465形成通孔的侧壁的一部分,即通孔侧壁上的透光区域466。图4中将透光部465示为与驱动晶体管T1位于通孔的相对侧,应该理解的是,这仅是示例性的。在其他实施例中,透光部465可以通孔的任何方位,从而可以用于形成通孔的侧壁的任何区域。
作为发光单元的示例,图4所示的OLED发光单元设置在通孔中,并且覆盖所述通孔的底面和侧壁。具体地,OLED发光单元包括阳极层461、有机层462和阴极层463。在制作阳极层461之前,首先在阵列基板中形成通孔,使得阳极层461的材料填充通孔,并由此与像素驱动电路的输出端(例如,如图4所示与驱动晶体管T1的漏极)电连接。从而,在来自驱动晶体管T1的驱动电流的驱动下,有机层462发光。图4中示出的实施例为底发射情况,因此图4中省略了图3中的上盖板结构。OLED发光单元发出的光从衬底基板410射出。
光电转换器邻近透光部465设置,使得OLED发光单元发出的光至少能够穿过透光部465到达光电转换器(应该理解的是,根据光电转换器与OLED发光单元之间的位置关系,在一些实施例中,OLED发光单元发出的光也能直接照射到光电转换器)。在一些实施例中,光电转换器在阵列基板上的正投影与透光部465在阵列基板上的正投影至少部分地重叠,以促进光电转换器对来自OLED发光单元的光的接收。在一些实施例中,光电转换器在阵列基板上的正投影还与OLED发光单元在阵列基板上的正投影不重叠,从而避免对OLED显示面板的正常发光造成影响。
在图4中,将光电转换器示例为PIN光电二极管,并且将PIN光电二极管示例性地置于阵列基板中。图4中PIN光电二极管形成在钝化层440和树脂层450中。在图4所示的底发射OLED发光时,会有光照射到置于阵列基板中的PIN光电二极管,使其产生光电信号。
在图4的实施例中,示出了具有特定尺寸的透光部465的像素界定层460。应该理解的是,透光部465是为了便于PIN光电二极管接收OLED发光单元发出的光,从而能够更加灵活地设置PIN光电二极管的位置。然而,如果透光部465的尺寸过大则会对显示面板的正常显示造成影响,因此,应该适当地设置透光部465的大小。在本公开的另一些实施例中,像素界定层460中可以不具有透光部465。在这些实施例中,需要适当地设置光电转换器的位置,使其能够直接接收到OLED发光单元发出的光,而不是被像素界定层完全阻挡。
在一些实施例中,显示面板还包括光电读取电路,光电读取电路与PIN光电二极管电连接,以读取PIN光电二极管产生的光电信号。为了便于说明,在图4的实施例中只示出了光电读取电路中的读取控制晶体管M1。读取控制晶体管M1的源极481连接到PIN光电二极管,漏极482连接显示面板中的信号读取线,通过改变M1的栅极的电平来控制将PIN光电二极管产生的光电信号经由信号读取线传递到外部电路进行补偿计算。在底发射的情况中,光电读取电路同样形成于阵列基板中。具体地,如图4所示,读取控制晶体管M1与驱动晶体管T1可以具有相同或相似的结构,二者可以是通过相同的工艺同时形成的,从而能够简化形成显示面板400的工序。
在一些实施例中,光电转换器在垂直于阵列基板的方向上位于像素界定层460与光电读取电路之间。
图5示出了根据本公开实施例的显示面板500的电路结构图。显示面板500包括有效显示区域510和非显示区域520。有效显示区域包括阵列排布的多个像素单元530。显示面板500中的各个像素单元530可以具有图3或图4中示出的像素单元的结构。
非显示区域520包括补偿处理器540和数据驱动电路550。应该理解的是,在本公开的其他实施例中,补偿处理器540还可以位于显示面板500的外部。
每个像素单元530包括像素驱动电路531和光电读取电路532、发光单元533和光电转换器534。此外,像素单元530还包括多条栅线GATE(例如GATE1、GATE2)、多条数据线DATA(例如DATA1、DATA2)、多条信号读取线READ(例如,READ1、READ2)和多条读取控制线CON(例如,CON1、CON2)。
像素驱动电路531包括驱动晶体管T1、发光控制晶体管T2以及存储电容器Cs。像素驱动电路531的连接关系以及驱动原理可参见上文结合图1进行的描述,在此不再赘述。每个像素驱动电路531在相应的栅线GATE的控制下经由数据线DATA从数据驱动电路550接收数据信号,并产生与数据信号DATA的电平有关的驱动电流,驱动发光单元533(例如,OLED发光单元)发光。
光电读取电路532包括读取控制晶体管M1,用于在读取控制线CON的控制下从光电传感器534(例如PIN光电二极管)接收光电信号,并将所接收的光电信号经由读取信号线READ传送到补偿处理器540。其中,光电传感器534接收的光电信号是由发光单元533发出的光导致的。
补偿处理器540在接收光电信号后,基于所述光电信号计算补偿亮度值。然后,补偿处理器540将计算出的补偿亮度值发送给数据驱动电路550,使其通过改变提供给数据线DATA的数据电压来改变相应像素单元的发光亮度,从而实现像素特定的全面补偿。
图6示出了根据本公开实施例的显示面板的制作方法600的流程图。所述方法600可以用于制作图3所示的显示面板,因此上文中参照图3进行的解释和说明,在这里同样适应性地适用,在此不再赘述。
在步骤S610中,形成阵列基板。其中,阵列基板包括像素驱动电路。
在步骤S620中,在阵列基板的远离衬底的第一表面上形成像素界定层。
在一些实施例中,步骤S620还包括:在像素界定层中形成透光部。
在步骤S630中,在像素界定层中形成通孔。
在一些实施例中,像素界定层中具有透光部,从而步骤S630中形成的通孔使得所述透光部构成所述通孔的侧壁的一部分,即侧壁上的透光区域。
在步骤S640中,在通孔中形成发光单元,使得发光单元与像素驱动电路的输出端电连接。
在一些实施例中,发光单元为有机发光二极管。从而,步骤S640包括:在阵列基板的远离衬底的第一表面上依次形成阳极层、有机层和阴极层。其中,阳极层被形成为与像素驱动电路的输出端电连接。
在步骤S650中,形成上盖板。其中,上盖板包括光电读取电路和光电转换器,光电读取电路与光电转换器电连接。
在步骤S660中,将上盖板与像素界定层对合,使得发光单元发出的光能够被光电转换器接收。
在一些实施例中,像素界定层中具有透光部,从而步骤S660使得光电转换器至少能够经由所述透光部接收所述发光单元发出的光。
在一些实施例中,在对合后,光电转换器在阵列基板上的正投影与透光部在阵列基板上的正投影至少部分地重叠,光电转换器在阵列基板上的正投影与发光单元在阵列基板上的正投影不重叠,并且光电转换器在垂直于阵列基板的方向上位于像素界定层与光电读取电路之间。
图7示出了根据本公开实施例的显示面板的制作方法700的流程图。所述方法700可以用于制作图4所示的显示面板,因此上文中参照图4进行的解释和说明,在这里同样适应性地适用,在此不再赘述。
在步骤S710中,形成阵列基板。其中,阵列基板包括像素驱动电路、光电读取电路和光电转换器,光电读取电路与光电转换器电连接。
像素驱动电路包括驱动晶体管,以及光电读取电路包括读取控制晶体管。在一些实施例中驱动晶体管和读取控制晶体管是通过相同工艺形成的。
在步骤S720中,在阵列基板的远离衬底的第一表面上形成像素界定层。
在一些实施例中,步骤S720还包括:在像素界定层中形成透光部。
在步骤S730中,在像素界定层中形成通孔。
在一些实施例中,像素界定层中具有透光部,从而步骤S730中形成的通孔使得所述透光部构成所述通孔的侧壁的一部分,即侧壁上的透光区域。
在步骤S740中,在通孔中形成发光单元,使得发光单元与像素驱动电路的输出端电连接。光电转换器和发光单元被形成为使得发光单元发出的光能够被光电转换器接收。
在一些实施例中,像素界定层中具有透光部,从而步骤S740使得光电转换器至少能够经由透光部接收发光单元发出的光。
在一些实施例中,发光单元为有机发光二极管。从而,步骤S740包括:在阵列基板的远离衬底的第一表面上依次形成阳极层、有机层和阴极层。其中,阳极层被形成为与像素驱动电路的输出端电连接。
在一些实施例中,光电转换器、透光部和发光单元被形成为使得:光电转换器在阵列基板上的正投影与透光部在阵列基板上的正投影至少部分地重叠,光电转换器在阵列基板上的正投影与发光单元在阵列基板上的正投影不重叠,以及光电转换器在垂直于阵列基板的方向上位于像素界定层与光电读取电路之间。
图8示出了针对根据本公开实施例的显示面板的像素发光补偿方法800的流程图。方法800可通过图5所示的显示面板来实现,因此上文中参照图5进行的解释和说明,在这里同样适应性地适用,在此不再赘述。
在步骤S810中,通过数据驱动电路(例如,数据驱动电路550)向像素驱动电路(例如像素驱动电路531)提供第一数据电压,使得像素驱动电路驱动发光单元(例如,发光单元533)以初始亮度发光。
在步骤S820中,通过光电转换器(例如,光电转换器534)接收初始亮度的光,并产生光电信号。
在步骤S830中,通过光电读取电路(例如光电读取电路532)将光电信号读取到补偿处理器(例如补偿处理器540)。
在步骤S840中,通过补偿处理器计算亮度补偿值,并向数据驱动电路提供亮度补偿值。
在步骤S850中,通过数据驱动电路向像素驱动电路提供第二数据电压,使得像素驱动电路驱动发光单元以补偿亮度发光。
图9示出了根据本公开实施例的显示装置900的示意方框图。如图9所示,显示装置900可以包括根据本公开上述实施例的显示面板910。显示面板910可以通过图3、图4、图5所示的显示面板来实现。根据本公开实施例的显示装置900可以是电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然已参照几个典型实施例描述了本公开,但应当理解,所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本公开能够以多种形式具体实施而不脱离公开的精神或实质,所以应当理解,上述实施例不限于任何前述的细节,而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释,因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。
Claims (29)
1.一种显示面板,包括阵列排布的多个像素单元,每个像素单元包括:
阵列基板,包括像素驱动电路;
像素界定层,设置在所述阵列基板的远离衬底的第一表面上,所述像素界定层中具有通孔;
发光单元,设置在所述通孔中,所述发光单元与所述像素驱动电路的输出端电连接,以使得所述像素驱动电路输出的驱动电流能够驱动所述发光单元发光;以及
光电转换器,被配置为接收所述发光单元发出的光。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述像素界定层包括透光部,所述透光部形成所述通孔的侧壁的透光区域,
其中,所述光电转换器被配置为至少经由所述透光部接收所述发光单元发出的光。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述透光部在所述阵列基板上的正投影至少部分地重叠。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述发光单元在所述阵列基板上的正投影不重叠。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的显示面板,还包括:光电读取电路,与所述光电转换器电连接,以读取光电转换器产生的光电信号。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中,所述光电转换器和所述光电读取电路设置在所述阵列基板中。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述像素驱动电路包括驱动晶体管,所述驱动晶体管的源极或漏极之一与所述像素驱动电路的输出端电连接,用于产生驱动电流并将驱动电流提供到所述像素驱动电路的输出端,
所述光电读取电路包括读取控制晶体管,所述读取控制晶体管的源极或漏极之一与所述光电转换器电连接,所述读取控制晶体管的源极或漏极中的另一个与信号读取线电连接,用于控制将通过信号读取线读取光电转换器产生的光电信号,
其中,所述驱动晶体管和所述读取控制晶体管是通过同一工艺形成的。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述光电转换器在垂直于所述阵列基板的方向上位于所述像素界定层与所述光电读取电路之间。
9.根据权利要求5所述的显示面板,还包括:上盖板,覆盖所述像素界定层,
其中,所述光电转换器和所述光电读取电路设置在所述上盖板中。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述光电转换器在垂直于所述阵列基板的方向上位于所述像素界定层与所述光电读取电路之间。
11.根据权利要求5所述的显示面板,还包括补偿处理器,所述补偿处理器经由信号读取线与所述光电读取电路电连接,并且被配置为:
从所述光电读取电路接收所述光电信号;以及
基于所述光电信号计算亮度补偿值。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述发光单元为有机发光二极管,所述有机发光二极管包括依次堆叠在所述第一表面上的阳极层、有机层和阴极层,
其中,所述阳极层与所述像素驱动电路的输出端电连接。
13.一种显示面板的制作方法,包括:
形成阵列基板,所述阵列基板包括像素驱动电路、光电读取电路和光电转换器,其中,所述光电读取电路与所述光电转换器电连接;
在所述阵列基板的远离衬底的第一表面上形成像素界定层;
在所述像素界定层中形成通孔;
在所述通孔中形成发光单元,使得所述发光单元与所述像素驱动电路的输出端电连接,
其中,所述光电转换器和所述发光单元被形成为使得所述发光单元发出的光能够被所述光电转换器接收。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,形成像素界定层的步骤还包括:在所述像素界定层中形成透光部,
其中,所述透光部形成所述通孔的侧壁的透光区域。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述光电转换器被形成为至少能够经由所述透光部接收所述发光单元发出的光。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述光电转换器和所述透光部被形成为使得所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述透光部在所述阵列基板上的正投影至少部分地重叠。
17.根据权利要求13所述的方法,其中,所述光电转换器和所述发光单元被形成为使得所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述发光单元在所述阵列基板上的正投影不重叠。
18.根据权利要求13所述的方法,其中,所述像素驱动电路包括驱动晶体管,所述驱动晶体管的源极或漏极之一与所述像素驱动电路的输出端电连接,用于产生驱动电流并将驱动电流提供到所述像素驱动电路的输出端,
所述光电读取电路包括读取控制晶体管,所述读取控制晶体管的源极或漏极之一与所述光电转换器电连接,所述读取控制晶体管的源极或漏极中的另一个与信号读取线电连接,用于控制将通过信号读取线读取光电转换器产生的光电信号,
其中,所述驱动晶体管和所述读取控制晶体管是通过相同工艺形成的。
19.根据权利要求18所述的方法,其中,所述光电转换器被形成为在垂直于所述阵列基板的方向上位于所述像素界定层与所述光电读取电路之间。
20.根据权利要求13所述的方法,其中,所述发光单元为有机发光二极管,形成所述发光单元的步骤包括:
在所述第一表面上依次形成阳极层、有机层和阴极层,
其中,所述阳极层被形成为与所述像素驱动电路的输出端电连接。
21.一种显示面板的制作方法,包括:
形成阵列基板,所述阵列基板包括像素驱动电路;
在所述阵列基板的远离衬底的第一表面上形成像素界定层;
在所述像素界定层中形成通孔;
在所述通孔中形成发光单元,使得所述发光单元与所述像素驱动电路的输出端电连接;
形成上盖板,所述上盖板包括光电读取电路和光电转换器,其中,所述光电读取电路与所述光电转换器电连接;
将所述上盖板与所述像素界定层对合,使得所述发光单元发出的光能够被所述光电转换器接收。
22.根据权利要求21所述的方法,其中,形成像素界定层的步骤还包括:在所述像素界定层中形成透光部,
其中,所述透光部形成所述通孔的侧壁的透光区域。
23.根据权利要求22所述的方法,其中,将所述上盖板与所述像素界定层对合的步骤使得所述光电转换器至少能够经由所述透光部接收所述发光单元发出的光。
24.根据权利要求23所述的方法,其中,将所述上盖板与所述像素界定层对合的步骤使得所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述透光部在所述阵列基板上的正投影至少部分地重叠。
25.根据权利要求21所述的方法,其中,将所述上盖板与所述像素界定层对合的步骤使得所述光电转换器在所述阵列基板上的正投影与所述发光单元在所述阵列基板上的正投影不重叠。
26.根据权利要求21所述的方法,其中,将所述上盖板与所述像素界定层对合的步骤使得所述光电转换器在垂直于所述阵列基板的方向上位于所述像素界定层与所述光电读取电路之间。
27.根据权利要求21所述的方法,其中,所述发光单元为有机发光二极管,形成所述发光单元的步骤包括:
在所述第一表面上依次形成阳极层、有机层和阴极层,
其中,所述阳极层被形成为与所述像素驱动电路的输出端电连接。
28.一种针对根据权利要求5-11中的任一项所述的显示面板的像素发光补偿方法,包括:
通过数据驱动电路向所述像素驱动电路提供第一数据电压,使得所述像素驱动电路驱动所述发光单元以初始亮度发光;
通过所述光电转换器接收所述初始亮度的光,并产生光电信号;
通过所述光电读取电路将所述光电信号读取到补偿处理器;
通过所述补偿处理器计算亮度补偿值,并向所述数据驱动电路提供所述亮度补偿值;
通过所述数据驱动电路向所述像素驱动电路提供第二数据电压,使得所述像素驱动电路驱动所述发光单元以补偿亮度发光。
29.一种显示装置,包括根据权利要求1-12所述的显示面板。
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