CN111258125B - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以避免有机绝缘层产生的气体，导致显示面板显示故障；还可以避免水汽、氧气进入到显示面板的显示区，影响显示面板的显示效果。一种显示面板具有显示区；显示面板包括相互对合的阵列基板和对盒基板、以及设置于阵列基板与对盒基板之间的封框胶；阵列基板包括平坦层；沿阵列基板指向对盒基板的方向，平坦层包括依次层叠设置的第一无机绝缘层、有机绝缘层、第二无机绝缘层，阵列基板还包括设置于有机绝缘层与第二无机绝缘层之间的交联图案；交联图案位于封框胶背离显示区一侧。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
显示装置包括阵列基板，阵列基板包括衬底和设置于衬底上的薄膜晶体管，包括晶体管具有一定图案，需利用平坦层对阵列基板进行平坦化处理。
现有技术中，因有机材料具有低介电常数、高厚度、平坦化的特点，通常采用有机绝缘材料作为平坦层的材料。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以避免有机绝缘层产生的气体，导致显示面板显示故障；还可以避免水汽、氧气进入到显示面板的显示区，影响显示面板的显示效果。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种显示面板，具有显示区；所述显示面板包括相互对合的阵列基板和对盒基板、以及设置于所述阵列基板与所述对盒基板之间的封框胶；所述阵列基板包括平坦层；沿所述阵列基板指向所述对盒基板的方向，所述平坦层包括依次层叠设置的第一无机绝缘层、有机绝缘层、第二无机绝缘层，所述阵列基板还包括设置于所述有机绝缘层与所述第二无机绝缘层之间的交联图案；所述交联图案位于所述封框胶背离所述显示区一侧。
可选的，所述阵列基板还包括设置于所述交联图案与所述第二无机绝缘层之间的保护层，所述保护层在所述对盒基板上的正投影与所述交联图案在所述对盒基板上的正投影完全重叠。
可选的，所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的边沿超出所述有机绝缘层的边沿；所述交联图案覆盖所述有机绝缘层的侧面和靠近所述对盒基板的表面。
可选的，所述有机绝缘层包括沟槽，所述沟槽在所述对盒基板上的正投影与所述封框胶在所述对盒基板上的正投影重叠。
可选的，所述阵列基板还包括设置于所述有机绝缘层与所述第二无机绝缘层之间的第一电极；所述第一电极至少位于所述显示区，所述第一电极与所述保护层同层同材料。
第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
第三方面，提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板具有显示区，所述显示面板的制备方法，包括：分别形成阵列基板和对盒基板，并利用封框胶使所述阵列基板与所述对盒基板对合；形成所述阵列基板，包括：在衬底上依次形成第一无机绝缘层和有机绝缘层；在所述有机绝缘层背离所述衬底一侧形成交联图案和保护层，所述保护层位于所述交联图案背离所述衬底一侧；所述交联图案和所述保护层位于所述封框胶背离所述显示区一侧，且所述交联图案和所述保护层在所述衬底上的正投影完全重叠；在所述有机绝缘层背离所述衬底一侧形成第二无机绝缘层，所述第一无机绝缘层、所述有机绝缘层、以及所述第二无机绝缘层构成平坦层。
可选的，所述在所述有机绝缘层背离所述衬底一侧形成交联图案和保护层，包括：对所述有机绝缘层进行等离子体处理，以形成交联层；在所述交联层背离所述衬底一侧形成保护层；以所述保护层为掩模，对所述交联层进行等离子体处理，以形成所述交联图案。
可选的，对所述有机绝缘层进行等离子体处理，以形成交联层，包括：利用氦气或氩气中的一种，对所述有机绝缘层背离所述衬底的表面进行等离子体处理；对所述交联层进行处理，以形成所述交联图案，包括：利用氮气、氧气、氢气中的一种，对所述交联层进行等离子体处理，以形成所述交联图案；其中，对所述有机绝缘层背离所述衬底的表面进行等离子体处理，和对所述交联层进行等离子体处理的时间和功率均相同。
可选的，对所述有机绝缘层背离所述衬底的表面进行等离子体处理，和对所述交联层进行等离子体处理的时间范围为10～30s、功率范围为8～24kw。
可选的，所述阵列基板还包括位于所述显示区的第一电极；所述保护层与所述第一电极通过同一次构图工艺形成。
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括设置于有机绝缘层与第二无机绝缘层之间的交联图案，且交联图案仅位于封框胶背离显示区一侧。这样一来，一方面，在高温高湿高信赖评价时，有机绝缘层释放的气体不会穿过交联图案，进入到第一无机绝缘层与第二无机绝缘层之间的界面，造成第一无机绝缘层和第二无机绝缘层浮起，从而导致显示面板显示故障；另一方面，虽然在封框胶背离显示区一侧设置有交联图案，导致交联图案与保护层之间连接不牢固，但水汽、氧气在进入到该界面后，被封框胶阻挡，不会进一步进入到显示区，因此，也不会在显示区形成LC bubble，影响显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；
图2为图1中A-A1向的剖视示意图；
图3为本发明实施例提供的一种形成交联图案的过程示意图；
图4为现有技术提供的一种显示面板的结构示意图；
图5为现有技术提供的一种显示面板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种显示面板的制备流程图；
图8为本发明实施例提供的一种形成交联图案的过程示意图。
附图标记：
10-阵列基板；11-衬底；121-第一无机绝缘层；122-有机绝缘层；123-第二无机绝缘层；13-薄膜晶体管；14-交联图案；141-交联层；15-保护层；16-第一电极；17-第二电极；20-对盒基板；30-封框胶；41-取向层；51-液晶气泡；60-液晶层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示面板，如图1和图2所示，具有显示区；显示面板包括相互对合的阵列基板10和对盒基板20、以及设置于阵列基板10与对盒基板20之间的封框胶30；阵列基板10包括平坦层；沿阵列基板10指向对盒基板20的方向，平坦层包括依次层叠设置的第一无机绝缘层121、有机绝缘层122、第二无机绝缘层123，阵列基板10还包括设置于有机绝缘层122与第二无机绝缘层123之间的交联图案14；交联图案14位于封框胶30背离显示区一侧。
在一些实施例中，阵列基板10还包括衬底11和设置于衬底11与平坦层之间的薄膜晶体管13。
由于薄膜晶体管13具有一定的图案，导阵列基板10的表面凹凸不平，因此，可在薄膜晶体管13背离衬底11一侧设置平坦层。
薄膜晶体管13可以是底栅型薄膜晶体管、顶栅型薄膜晶体管、或双栅型薄膜晶体管中的至少一种。
在一些实施例中，显示面板还包括彩色滤光层、黑矩阵、以及取向层41。彩色滤光层和黑矩阵可以设置在阵列基板10上，也可以设置在对盒基板20上。取向层41既设置于阵列基板10上，也设置于对盒基板20上。
在一些实施例中，相较于无机绝缘材料，采用有机绝缘材料，可降低显示面板的寄生电容，从而有利于电路板驱动显示面板显示。
考虑到水汽、氧气容易通过有机绝缘层122进入到显示区，影响显示面板的整体显示效果。因此，本发明实施例在有机绝缘层122靠近衬底11一侧设置第一无机绝缘层121、在有机绝缘层122背离衬底11一侧设置第二无机绝缘层123。
在一些实施例中，显示面板还包括位于显示区***的非显示区。封框胶30和交联图案14均位于非显示区。
平坦层中的第一无机绝缘层121、有机绝缘层122、以及第二无机绝缘层123既位于显示区，也位于非显示区。
在一些实施例中，第一无机绝缘层121和第二无机绝缘层123的材料例如可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOy)等透明的无机绝缘材料。其中，第一无机绝缘层121的材料与第二无机绝缘层123的材料可以相同，也可以不相同。
有机绝缘层122的材料例如可以是树脂等透明的有机绝缘材料。
在一些实施例中，交联图案14可以通过对有机绝缘层122进行处理得到。
具体的，如图3所示，可以利用氦气(He)或氩气(Ar)中的一种，对有机绝缘层122进行等离子体处理，以得到交联层141。交联层141覆盖有机绝缘层122的侧面和背离衬底11的表面。
之后，在交联层141背离衬底11一侧形成保护层15，并以保护层15为掩模，利用氮气(N2)、氧气(O2)、氢气(H2)中的一种，对交联层141进行等离子体处理，以形成交联图案14。
此处，以保护层15为掩模得到的交联图案14在衬底11上的正投影，与交联图案14在衬底11上的正投影完全重叠。
在一些实施例中，形成交联图案14后，可以去除保护层15，也可以保留保护层15。
可选的，可以保留保护层15，以减少剥离保护层15的工艺，从而简化阵列基板10的制备工艺。
在一些实施例中，不对保护层15的材料进行限定，只要在由交联层141形成交联图案14的过程中，保护层15的图案不会受影响即可。
相关技术中，由于有机绝缘层122的表面比较粗糙，在对显示面板进行高温高湿高信赖评价时，高温会迫使有机绝缘层122释放气体进入第一无机绝缘层121与第二无机绝缘层123的界面，造成第一无机绝缘层121和第二无机绝缘层123浮起(图4)，进而导致显示面板显示故障。
而如果形成光滑且致密的交联层141，在高温高湿高压信赖性评价过程中，有机绝缘层122释放的气体将无法进入第一无机绝缘层121与第二无机绝缘层123的界面。然而，光滑的交联层141会影响有机绝缘层122与第二无机绝缘层123之间的固定连接，水汽、氧气很容易从有机绝缘层122与第二无机绝缘层123之间的界面进入显示面板的显示区，形成如图5所示的液晶气泡(LC bubble)51，影响显示面板的显示效果。
基于此，本发明实施例提供一种显示面板，显示面板包括设置于有机绝缘层122与第二无机绝缘层123之间的交联图案14，且交联图案14仅位于封框胶30背离显示区一侧。这样一来，一方面，在高温高湿高信赖评价时，有机绝缘层122释放的气体不会穿过交联图案14，进入到第一无机绝缘层121与第二无机绝缘层123之间的界面，造成第一无机绝缘层121和第二无机绝缘层123浮起，从而导致显示面板显示故障；另一方面，虽然在封框胶30背离显示区一侧设置有交联图案14，导致交联图案14与保护层15之间连接不牢固，但水汽、氧气在进入到该界面后，被封框胶30阻挡，不会进一步进入到显示区，因此，也不会在显示区形成LC bubble，影响显示面板的显示效果。
可选的，如图2所示，第一无机绝缘层121和第二无机绝缘层123的边沿超出有机绝缘层122的边沿；交联图案14和保护层15覆盖有机绝缘层122的侧面和背离衬底11的表面。
本发明实施例中，第一无机绝缘层121和第二无机绝缘层123的边沿超出有机绝缘层122的边沿，可以防止水汽、氧气从有机绝缘层122的侧面进入有机绝缘层122，进而进入到显示面板内。同时，使交联图案14覆盖有机绝缘层122的侧面和背离衬底11的表面，可以有效防止有机绝缘层122产生的气体从有机绝缘层122的侧面和背离衬底11的表面释放到显示面板外。
可选的，如图2所示，有机绝缘层122包括沟槽，沟槽在衬底11上的正投影与封框胶30在衬底11上的正投影重叠。
在一些实施例中，沟槽的深度可以小于或等于有机绝缘层122的厚度。
其中，沟槽的深度等于有机绝缘层122的厚度时，沟槽贯穿有机绝缘层122。
本发明实施例中，通过在有机绝缘层122中设置沟槽，且沟槽在衬底11上的正投影与封框胶30在衬底11上的正投影重叠，可以使得有机绝缘层122更加牢固地设置在阵列基板10与对盒基板20之间，从而提高封框胶30的阻水性能。
可选的，如图6所示，阵列基板10还包括设置于有机绝缘层122与第二无机绝缘层123之间的第一电极16；第一电极16至少位于显示区，第一电极16与保护层15同层同材料。
在此基础上，阵列基板10还包括设置于第二无机绝缘层123背离衬底11一侧的第二电极17；显示面板还包括设置于阵列基板10与对盒基板20之间的液晶层60；第二电极17和液晶层60至少位于显示区；第一电极16与第二电极17用于驱动液晶层60中的液晶偏转。
在一些实施例中，第一电极16为像素电极，第二电极17为公共电极；或者，第一电极16为公共电极，第二电极17为像素电极。
此处，以第一电极16为像素电极为例，像素电极与薄膜晶体管13的漏极电连接。可以在有机绝缘层122上设置过孔，以使得像素电极与薄膜晶体管13的漏极电连接，避免像素电极与其他信号线设置在同一层，导致二者之间相互影响；同时，还可以减小黑矩阵的宽度，提高显示面板的开口率。
在一些实施例中，第一电极16与保护层15同层同材料，即，第一电极16与保护层15通过同一次构图工艺得到，可简化阵列基板10的制备工艺。
此处，第一电极16和保护层15的材料例如可以是氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)等透明导电材料。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述任一实施例所述的显示面板。
在一些实施例中，不对显示装置的用途进行限定，显示装置例如可以用作电脑，平板电脑、手机、手表等。
在一些实施例中，显示装置还可以包括背光模组，背光模组设置于阵列基板10背离对盒基板20一侧，用于为显示面板提供光源。
此处，背光模组可以是侧入式背光模组，也可以是直下式背光模组。
本发明实施例提供一种显示装置，具有与前述显示面板相同的技术效果，在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板具有显示区，所述显示面板的制备方法，包括：分别形成阵列基板10和对盒基板20，并利用封框胶30使阵列基板10与对盒基板20对合。
如图7所示，形成阵列基板10，可通过如下步骤实现：
S11、在衬底11上依次形成第一无机绝缘层121和有机绝缘层122。
在一些实施例中，在形成第一无机绝缘层121之前，所述阵列基板10的制备方法还包括：形成薄膜晶体管13。
薄膜晶体管13可以是底栅型薄膜晶体管、顶栅型薄膜晶体管、或双栅型薄膜晶体管中的至少一种。
在一些实施例中，可以采用光刻工艺形成有机绝缘层122。
其中，若有机绝缘层122的材料包括感光材料，则可采用涂覆、曝光、显影工艺，得到有机绝缘层122。
若有机绝缘层122的材料不包括感光材料，则可先在衬底11上依次形成有机绝缘薄膜和光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影形成光刻胶图案，再对有机绝缘薄膜进行刻蚀，形成有机绝缘层122，最后去除光刻胶图案。
S12、在有机绝缘层122背离衬底11一侧形成交联图案14和保护层15，保护层15位于交联图案14背离衬底11一侧；交联图案14和保护层15位于封框胶30背离显示区一侧，且交联图案14和保护层15在衬底11上的正投影完全重叠。
此处，如图4所示，可以对有机绝缘层122进行等离子体处理，以形成交联层141；之后，如图8所示，在交联层141背离衬底11一侧形成保护层15；以保护层15为掩模，对交联层141进行等离子体处理，形成如图2所示的交联图案14。
此处，例如可以利用He或Ar中的一种，对有机绝缘层122进行等离子体处理，以得到交联层141。
例如可以利用N2、O2、H2中的一种，对交联层141进行等离子体处理，以形成交联图案14。
在一些实施例中，形成交联图案14后，可以去除保护层15，也可以保留保护层15。
可选的，可以保留保护层15，以减少剥离保护层15的工艺，从而简化阵列基板10的制备工艺。
在一些实施例中，不对保护层15的材料进行限定，只要在由交联层141形成交联图案14的过程中，保护层15的图案不会受影响即可。
S13、在有机绝缘层122背离衬底11一侧形成第二无机绝缘层123，第一无机绝缘层121、有机绝缘层122、以及第二无机绝缘层123构成平坦层。
相关技术中，由于有机绝缘层122的表面比较粗糙，在对显示面板进行高温高湿高信赖评价时，高温会迫使有机绝缘层122释放气体进入第一无机绝缘层121与第二无机绝缘层123的界面，造成第一无机绝缘层121和第二无机绝缘层123浮起(图4)，进而导致显示面板显示故障。
而如果形成光滑且致密的交联层141，在高温高湿高压信赖性评价过程中，有机绝缘层122释放的气体将无法进入第一无机绝缘层121与第二无机绝缘层123的界面。然而，光滑的交联层141会影响有机绝缘层122与第二无机绝缘层123之间的固定连接，水汽、氧气很容易从有机绝缘层122与第二无机绝缘层123之间的界面进入显示面板的显示区，形成如图5所示的液晶气泡(LC bubble)51，影响显示面板的显示效果。
基于此，本发明实施例提供一种显示面板的制备方法，显示面板包括阵列基板10和对盒基板20。阵列基板包括设置于有机绝缘层122与第二无机绝缘层123之间的交联图案14，且交联图案14仅位于封框胶30背离显示区一侧。这样一来，一方面，在高温高湿高信赖评价时，有机绝缘层122释放的气体不会穿过交联图案14，进入到第一无机绝缘层121与第二无机绝缘层123之间的界面，造成第一无机绝缘层121和第二无机绝缘层123浮起，从而导致显示面板显示故障；另一方面，虽然在封框胶30背离显示区一侧设置有交联图案14，导致交联图案14与保护层15之间连接不牢固，但水汽、氧气在进入到该界面后，被封框胶30阻挡，不会进一步进入到显示区，因此，也不会在显示区形成LC bubble，影响显示面板的显示效果。
可选的，对有机绝缘层122背离衬底11的表面进行等离子体处理，和对交联层141进行等离子体处理的时间和功率均相同。
此处，对有机绝缘层122背离衬底11的表面进行等离子体处理，和对交联层141进行等离子体处理的时间范围为10～30s、功率范围为8～24kw。
本发明实施例中，一方面，可以避免因对交联层141进行等离子体处理的时间和/或功率过小，而导致交联层141中除交联图案14以外的部分未被完全去除；另一方面，还可避免因对交联层141进行等离子体处理的时间和/或功率过大，而影响位于交联层141下方的有机绝缘层122。
可选的，如图6所示，阵列基板10还包括位于显示区的第一电极16；保护层15与第一电极16通过同一次构图工艺形成。
此处，第一电极16和保护层15的材料例如可以是ITO等透明导电材料。
在此基础上，阵列基板10还包括设置于第二无机绝缘层123背离衬底11一侧的第二电极17；显示面板还包括设置于阵列基板10与对盒基板20之间的液晶层60；第二电极17和液晶层60至少位于显示区；第一电极16与第二电极17用于驱动液晶层60中的液晶偏转。
在一些实施例中，第一电极16为像素电极，第二电极17为公共电极；或者，第一电极16为公共电极，第二电极17为像素电极。
此处，以第一电极16为像素电极为例，像素电极与薄膜晶体管的漏极电连接。可以在有机绝缘层122上设置过孔，以使得像素电极与薄膜晶体管的漏极电连接，避免像素电极与其他信号线设置在同一层，导致二者之间相互影响；同时，还可以减小黑矩阵的宽度，提高显示面板的开口率。
本发明实施例中，通过同一次构图工艺得到保护层15和第一电极16，可简化阵列基板10的制备工艺。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种显示面板，其特征在于，具有显示区；
所述显示面板包括相互对合的阵列基板和对盒基板、以及设置于所述阵列基板与所述对盒基板之间的封框胶；
所述阵列基板包括平坦层；沿所述阵列基板指向所述对盒基板的方向，所述平坦层包括依次层叠设置的第一无机绝缘层、有机绝缘层、第二无机绝缘层，所述阵列基板还包括设置于所述有机绝缘层与所述第二无机绝缘层之间的交联图案；其中，
所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的边沿超出所述有机绝缘层的边沿；所述交联图案覆盖所述有机绝缘层的侧面和靠近所述对盒基板的表面；所述交联图案位于所述封框胶背离所述显示区一侧；
所述阵列基板还包括设置于所述交联图案与所述第二无机绝缘层之间的保护层，所述保护层在所述对盒基板上的正投影与所述交联图案在所述对盒基板上的正投影完全重叠；所述保护层用于作为掩膜以得到所述交联图案。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有机绝缘层包括沟槽，所述沟槽在所述对盒基板上的正投影与所述封框胶在所述对盒基板上的正投影重叠。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述有机绝缘层与所述第二无机绝缘层之间的第一电极；
所述第一电极至少位于所述显示区，所述第一电极与所述保护层同层同材料。
4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的显示面板。
5.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板具有显示区，所述显示面板的制备方法，包括：
分别形成阵列基板和对盒基板，并利用封框胶使所述阵列基板与所述对盒基板对合；
形成所述阵列基板，包括：
在衬底上依次形成第一无机绝缘层和有机绝缘层；
在所述有机绝缘层背离所述衬底一侧形成交联图案和保护层，所述保护层位于所述交联图案背离所述衬底一侧；所述交联图案和所述保护层位于所述封框胶背离所述显示区一侧，且所述交联图案和所述保护层在所述衬底上的正投影完全重叠；所述保护层用于作为掩膜以得到所述交联图案；
在所述有机绝缘层背离所述衬底一侧形成第二无机绝缘层，所述第一无机绝缘层、所述有机绝缘层、以及所述第二无机绝缘层构成平坦层；其中，
所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的边沿超出所述有机绝缘层的边沿；所述交联图案覆盖所述有机绝缘层的侧面和靠近所述对盒基板的表面。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述有机绝缘层背离所述衬底一侧形成交联图案和保护层，包括：
对所述有机绝缘层进行等离子体处理，以形成交联层；
在所述交联层背离所述衬底一侧形成保护层；
以所述保护层为掩模，对所述交联层进行等离子体处理，以形成所述交联图案。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
对所述有机绝缘层进行等离子体处理，以形成交联层，包括：
利用氦气或氩气中的一种，对所述有机绝缘层背离所述衬底的表面进行等离子体处理；
对所述交联层进行处理，以形成所述交联图案，包括：
利用氮气、氧气、氢气中的一种，对所述交联层进行等离子体处理，以形成所述交联图案；
其中，对所述有机绝缘层背离所述衬底的表面进行等离子体处理，和对所述交联层进行等离子体处理的时间和功率均相同。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，对所述有机绝缘层背离所述衬底的表面进行等离子体处理，和对所述交联层进行等离子体处理的时间范围为10～30s、功率范围为8～24kw。
9.根据权利要求5-8任一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述显示区的第一电极；所述保护层与所述第一电极通过同一次构图工艺形成。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011155469A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | 株式会社アルバック | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに液晶表示装置用電極基板 |
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| CN103278978A (zh) * | 2012-08-31 | 2013-09-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种液晶显示面板及其制作方法 |
| CN109378402A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板以及制备方法 |
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