CN111246349A - 发声装置单体、发声装置模组及电子终端 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发声装置单体、发声装置模组及电子终端，所述发声装置单体，包括振动***和磁路***，所述振动***包括振膜以及与所述振膜连接固定的音圈，所述磁路***包括导磁轭以及设置在导磁轭上的中心磁路和边磁路，所述中心磁路与所述边磁路之间形成有磁间隙，所述音圈悬置于所述磁间隙中，所述导磁轭包括位于底面的水平表面，所述导磁轭的厚度由第一侧向第二侧递增形成位于顶面的倾斜表面，所述中心磁路和所述边磁路设置在所述倾斜表面上。本发明旨在提供一种能够提升和改善声学性能、声学良率及音质的发声装置单体。

Description

发声装置单体、发声装置模组及电子终端

技术领域

本发明涉及发声设备技术领域，特别涉及一种发声装置单体和应用该发声装置单体的发声装置模组和电子终端。

背景技术

随着高品质智能手机、Pad等便携式电子产品的广泛应用，人们对电子产品具备能够逼真再现各种音效的高保真音质性能有了更高的要求。现有电子设备受到自身厚度及结构影响，导致喇叭单体装入电子产品等发声模组内，造成音质、声学性能不佳等限制。

上述仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认为现有技术。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种发声装置单体、发声装置模组及电子终端，旨在提供一种能够提升和改善声学性能、声学良率及音质的发声装置单体。

为实现上述目的，本发明提出的发声装置单体，包括振动***和磁路***，所述振动***包括振膜以及与所述振膜连接固定的音圈，所述磁路***包括导磁轭以及设置在导磁轭上的中心磁路和边磁路，所述中心磁路与所述边磁路之间形成有磁间隙，所述音圈悬置于所述磁间隙中，所述导磁轭包括位于底面的水平表面，所述导磁轭的厚度由第一侧向第二侧递增形成位于顶面的倾斜表面，所述中心磁路和所述边磁路设置在所述倾斜表面上。

在一实施例中，所述倾斜表面所在的平面与所述水平表面所在的平面形成夹角θ，0°＜θ＜90°。

在一实施例中，所述中心磁路和所述边磁路的厚度方向垂直于所述倾斜表面；

所述振动***的振动方向垂直于所述倾斜表面。

在一实施例中，所述中心磁路包括中心磁铁和中心导磁板，所述边磁路包括边磁铁和边导磁板，所述中心磁铁和所述边磁铁固定在所述导磁轭上，且所述中心磁铁和所述边磁铁的侧表面均垂直于所述倾斜表面，所述中心导磁板设于所述中心磁铁背向所述倾斜表面的一侧，所述边导磁板设于所述边磁铁背向所述倾斜表面的一侧。

在一实施例中，所述发声装置单体还包括壳体，所述边导磁板注塑在所述壳体上。

本发明还提出一种发声装置模组，包括模组壳体和上述所述的发声装置单体，所述模组壳体内设有腔体，所述发声装置单体设于所述腔体内。

在一实施例中，所述发声装置单体将所述模组壳体内的腔体分为前声腔和后声腔，所述模组壳体的侧壁上开设有出声孔，所述前声腔与所述出声孔连通；

所述导磁轭的第一侧靠近所述出声孔设置，所述导磁轭的第二侧远离所述出声孔设置，所述导磁轭的水平表面与所述发声装置模组的厚度方形垂直。

在一实施例中，所述模组壳体对应所述导磁轭的位置设有贯通孔，所述导磁轭安装于所述贯通孔内。

在一实施例中，所述中心磁路和所述边磁路的厚度方向垂直于所述倾斜表面；

所述振动***的振动方向垂直于垂直于所述倾斜表面；

靠近出声孔处的所述发声装置单体一端到所述模组壳体内表面的垂直距离为h1，远离出声孔处的所述发声装置一端到所述模组壳体内表面的垂直距离为h2，h1>h2。

本发明还提出一种电子终端，包括终端壳体和上述所述的发声装置模组，所述发声装置模组设置在所述终端壳体内。

本发明技术方案的发声装置单体通过将导磁轭设置成倾斜结构，使导磁轭的厚度由第一侧向第二侧递增形成位于顶面的倾斜表面，并将中心磁路和边磁路设置于倾斜表面，使得发声装置单体在进行声波传播过程中，利用导磁轭第一侧和第二侧两端不同的高度差有效改善偏振状态，从而有效提升和改善声学性能、声学良率及音质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中发声装置单体的结构示意图；

图2为本发明一实施例中发声装置单体的剖面示意图；

图3为本发明一实施例中发声装置单体的***示意图；

图4为本发明一实施例中导磁轭的结构示意图；

图5为本发明一实施例中导磁轭另一视角的结构示意图；

图6为本发明一实施例中发声装置模组的结构示意图；

图7为本发明一实施例中发声装置模组的剖面示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	发声装置单体	2	振动***
1	磁路***‘’	21	振膜
				11	导磁轭	211	中心部
111	倾斜表面	212	折环部
				112	水平表面	213	固定部
113	第一侧	22	音圈
				114	第二侧	23	补强部
12	中心磁路	3	壳体
				121	中心磁铁	400	模组壳体
122	中心导磁板	410	腔体
				13	边磁路	420	前声腔
131	边磁铁	430	出声孔
				132	边导磁板	440	贯通孔
14	磁间隙	500	发声装置模组

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种发声装置单体100。可以理解的，发声装置单体100应用于发声装置模组500。可选地，发声装置模组500可以是电子设备，例如耳机、音箱、手机、ipad等，在此不做限定。

请结合参照图1、图2、图3、图4和图5所示，在本发明实施例中，该发声装置单体100包括振动***2和磁路***1，其中，振动***2包括振膜21以及与振膜21连接固定的音圈22，磁路***1包括导磁轭11以及设置在导磁轭11上的中心磁路12和边磁路13，中心磁路12与边磁路13之间形成有磁间隙14，音圈22悬置于磁间隙14中。在本实施例中，导磁轭11包括位于底面的水平表面112，导磁轭11的厚度由第一侧113向第二侧114递增形成位于顶面的倾斜表面111，中心磁路12和边磁路13设置在倾斜表面111上。

可以理解的，导磁轭11用于固定中心磁路12和边磁路13并修正磁力线，中心磁路12和边磁路13可固设于导磁轭11的倾斜表面111，例如采用焊接等方式，如此可提高中心磁路12和边磁路13的连接稳定性。可以理解的，中心磁路12和边磁路13与导磁轭11的倾斜表面111也可采用可拆卸连接方式，例如采用卡扣连接、插接配合、螺钉连接或销钉连接，当然也可通过在导磁轭11的倾斜表面111设置对应的卡扣结构或连接结构，实现中心磁路12和边磁路13与导磁轭11的可拆卸连接，如此可方便中心磁路12和边磁路13拆装、更换或维修等。

在本实施例中，为了便于导磁轭11固定中心磁路12和边磁路13并修正磁力线，中心磁路12固设于导磁轭11的倾斜表面111中部，边磁路13设于导磁轭11倾斜表面111的周缘，并环绕中心磁路12设置，且边磁路13与中心磁路12之间形成有磁间隙14。可以理解的，中心磁路12为一个整体磁铁结构，边磁路13可以是一个整体磁铁结构，此时为了使得边磁路13与中心磁路12之间形成有磁间隙14，边磁路13呈环状或框体结构，也即边磁路13呈中空结构，中心磁路12位于边磁路13中空结构的中间。当然，边磁路13也可采用多块磁铁组合形成，如图3所示，中心磁路12呈方形设置，边磁路13包括四个，四个边磁路13分布在中心磁路12的四周，在此不做限定。

本发明技术方案的发声装置单体100通过将导磁轭11设置成倾斜结构，使导磁轭11的厚度由第一侧113向第二侧114递增形成位于顶面的倾斜表面111，并将中心磁路12和边磁路13设置于倾斜表面111，使得发声装置单体100在进行声波传播过程中，利用导磁轭11第一侧113和第二侧114两端不同的高度差从而改变发声装置单体内的磁感线密集程度，进而有效改善偏振状态，从而有效提升和改善声学性能、声学良率及音质。

可以理解的，发声装置单体100将导磁轭11设置成倾斜结构，也即导磁轭11的厚度沿倾斜方向逐渐增大，也即导磁轭11的厚度从第一侧113向第二侧114逐渐递增，从而使得导磁轭11在倾斜方向的两端具有不同的厚度差，也即导磁轭11第一侧113的厚度与第二侧114的厚度不同，如此使得发声装置单体100的整体厚度存在一定的厚度差，发声装置单体100的声波进行传播时，利用导磁轭11两端的不同厚度差有利于改善偏振状态，从而提升进而改善声学良率、全频段性能及整机音质；同时，发声装置单体100整体呈倾斜，将发声装置单体100装设于发声装置模组500内时，发声装置单体100靠近发声装置模组500出声孔430侧空间大，使得气流流通更顺畅，进一步改善声模组500整机的音质。

在一实施例中，如图2和图5所示，倾斜表面111所在的平面与水平表面112所在的平面形成夹角θ，0°＜θ＜90°。

可以理解的，导磁轭11呈板状或块状结构，通过将板状或块状的导磁轭11设置为倾斜结构，也即导磁轭11的相对两表面不是平行设置，如图2和图5所示，导磁轭11的倾斜表面111和水平表面112为导磁轭11的相对两表面，当导磁轭11的水平表面112与水平面平行或重合时，导磁轭11的倾斜表面111所在平面与水平表面112呈夹角设置，此时导磁轭11的倾斜表面111与水平表面112之间的距离沿倾斜表面111的倾斜方向逐渐增大，从而使得导磁轭11的两端具有不同的厚度差。

在本实施例中，倾斜表面111所在的平面与水平表面112所在的平面形成的夹角θ在0°～90°范围内。可选地，夹角θ为3°、5°、8°、10°、15°、20°、25°、30°、35°、40°、45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°、80°、85°等。夹角θ进一步限定在5°～60°范围内。如此设置，使得导磁轭11的两端具有不同的厚度差，从而利用导磁轭11两端的不同厚度差，使得发声装置单体100在进行声波传播时，有利于改善偏振状态，从而提升进而改善声学良率、全频段性能及整机音质。

在一实施例中，如图2和图7所示，中心磁路12和边磁路13的厚度方向垂直于倾斜表面111；振动***2的振动方向垂直于倾斜表面111。

在本实施例中，中心磁路12的厚度与边磁路13的厚度相同，当中心磁路12和边磁路13固定在导磁轭11的倾斜表面111时，中心磁路12和边磁路13背向倾斜表面111的一侧也呈倾斜设置，且倾斜方向与倾斜表面111的倾斜方向一致，如此使得发声装置单体100的磁路***1整体呈倾斜设置，将振动***2与磁路***1装配后，发声装置单体100整体呈倾斜。可以理解的，将发声装置单体100装设于发声装置模组500内时，发声装置单体100靠近发声装置模组500出声孔430侧空间大，使得气流流通更顺畅，进一步改善声模组500整机的音质。

在本实施例中，第一侧113和第二侧114位于导磁轭11的相对两端，且位于倾斜表面111和水平表面112之间，也即第一侧113连接倾斜表面111和水平表面112邻近夹角θ的一端，第二侧114连接倾斜表面111和水平表面112远离夹角θ的一端。可以理解的，第一侧113为倾斜表面111和水平表面112之间的最小距离，第二侧114为倾斜表面111和水平表面112之间的最大距离，倾斜表面111与水平表面112之间的距离从第一侧113至第二侧114逐渐增大。

在本实施例中，第一侧113的宽度d1为倾斜表面111和水平表面112之间的最小距离，第二侧114的宽度d2为倾斜表面111和水平表面112之间的最大距离，第一侧113与第二侧114之间的垂直距离L为水平表面112的长度，也即水平表面112在第一侧113和第二侧114之间的垂直长度。

可以理解的，第二侧114的宽度d2与第一侧113的宽度d1和第一侧113与第二侧114之间的垂直距离L之间存在如下对应关系，即d2＝d1+L*tanθ。

在一实施例中，如图5所示，第一侧113的宽度d1在0.1mm～100mm范围内。可选地，第一侧113的宽度d1为0.1mm、0.3mm、0.5mm、0.8mm、1mm、5mm、10mm、15mm、20mm、30mm、40mm、50mm、60mm、70mm、80mm、90mm、100mm等，具体根据实际的应用场景选择，在此不做限定。

可以理解的，第一侧113的宽度d1不能设置过大或过小，第一侧113的宽度d1设置过大，则导致整个导磁轭11的厚度过大，进而影响发声装置单体100的整体结构。第一侧113的宽度d1设置过小，则导致导磁轭11减小修正磁力线的能力，从而无法达到改善发声装置单体偏振的目的。

在一实施例中，如图5所示，第一侧113与第二侧114之间的垂直距离L在1mm～1m范围内。可选地，第一侧113与第二侧114之间的垂直距离L为1mm、5mm、10mm、15mm、20mm、30mm、40mm、50mm、60mm、70mm、80mm、100mm、200mm、300mm、400mm、500mm、600mm、700mm、800mm、900mm、1m等，具体根据实际的应用场景选择，在此不做限定。

可以理解的，第一侧113与第二侧114之间的垂直距离L(也即导磁轭11的水平表面112长度)不能设置过大或过小，第一侧113与第二侧114之间的垂直距离L设置过大，则导致整个导磁轭11的长度过大，进而影响发声装置单体100的整体结构。第一侧113与第二侧114之间的垂直距离L设置过小，则导致导磁轭11的结构过小，无法稳固安装中心磁路12和边磁路13等结构，从而影响导磁轭11的整体结构强度。

在一实施例中，如图2和图3所示，中心磁路12包括中心磁铁121和中心导磁板122，边磁路13包括边磁铁131和边导磁板132，中心磁铁121和边磁铁131固定在导磁轭11上，且中心磁铁121和边磁铁131的侧表面均垂直于倾斜表面111，中心导磁板122设于中心磁铁121背向倾斜表面111的一侧，边导磁板132设于边磁铁131背向倾斜表面111的一侧。

在本实施例中，中心磁铁121和边磁铁131均设于导磁轭11上，此时中心磁铁121设于导磁轭11的中部，边磁铁131设于导磁轭11的周缘，并环绕中心磁铁121设置，且边磁铁131与中心磁铁121之间形成有磁间隙14。可以理解的，中心导磁板122设于中心磁铁121背向倾斜表面111的一侧，且中心导磁板122位于中心磁铁121的中部，边导磁板132设于边磁铁131背向倾斜表面111的一侧，且边导磁板132环绕中心导磁板122设置，此时边导磁板132与中心导磁板122之间形成有间隙，该间隙与磁间隙14对应且连通。

可以理解的，将中心导磁板122设置在中心磁铁121的中部，从而有利于提高中心导磁板122的导磁作用，使得中心磁路12在中心导磁板122的作用下修正磁感线，从而提高发声装置单体100的灵敏度。通过将中心导磁板122与中心磁铁121设置为一体结构，从而简化中心磁路12的加工步骤和装配步骤，提高结构稳定性。

在一实施例中，如图1、图2、图3和图7所示，发声装置单体100还包括壳体3，边导磁板132注塑在壳体3上。

可以理解的，外壳3设有两端开口的容置腔，振膜21盖合于容置腔一端的开口，导磁轭11盖合于容置腔另一端的开口，中心磁路12、边磁路13以及音圈22均位于容置腔内。

在本实施例中，外壳3用于支撑、固定和安装磁路***1和振动***2，外壳3的结构可以是安装壳、安装框、安装架等框体结构，外壳3的框体结构形成有容置腔，外壳3还具有连通容置腔的两个开口，两个开口位于容置腔的相对两端。振膜21和导磁轭11分别封盖于外壳3的两个开口，从而与外壳3的容置腔配合形成安装空间，中心磁路12和边磁路13以及音圈22均位于容置腔的该安装空间内。

在一实施例中，如图1、图2和图3所示，振动***2还包括补强部23，补强部23设于振膜21背向中心导磁板122的一侧。可以理解的，振膜21位于中心磁路12和边磁路13背向导磁轭11的一侧，并与中心磁路12和边磁路13间隔设置；音圈22设于振膜21面向中心磁路12和边磁路13的一侧，且音圈22远离振膜21的一端悬设于中心磁路12和边磁路13之间的磁间隙14内。

可以理解的，通过在中心磁路12和边磁路13之间设置磁间隙121，从而方便音圈22远离振膜21的一端悬设在磁间隙121内，如此音圈在磁场的作用下上下振动。磁间隙121环绕中心导磁板122设置，进一步通过中心导磁板122的导磁作用，使得音圈22受到均匀磁场的影响，提高发声装置单体100的音质。

在本实施例中，补强部23设于振膜21的中心位置，补强部23用于调节发声装置单体100的声学性能和高频性能。为了降低振动***2的总体质量，通常在振膜21的中部对应补强部23的位置设置去料(也即设置通孔或中空结构)，补强部23则覆盖在该去料位置(也即设置通孔或中空结构)处。音圈22用于带动振膜21振动。

在一实施例中，如图1、图2和图3所示，振膜21包括中心部211、折环部212及固定部213，其中，中心部211的一侧与补强部23连接，中心部211背向补强部23的一侧与音圈22连接；折环部212设于中心部211的边缘，折环部212呈凸起或凹陷设置；固定部213设于折环部212远离中心部211的周缘。

可以理解的，振膜21通过固定部213与外壳3的周缘连接。折环部212呈凸起或凹陷设置，从而方便音圈22带动振膜21振动产生声音。为了降低振动***1的整体质量，振膜21的中心部211可设置镂空、通孔或中空结构，此时补强部23覆盖在该中心部211的镂空、通孔或中空结构处。

如图6和图7所示，本发明还提出一种发声装置模组500，包括模组模组壳体400和发声装置单体100，模组模组壳体400内设有腔体410，发声装置单体100设于腔体410内。该发声装置单体100的具体结构参照前述实施例，由于本发声装置模组500采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

在一实施例中，如图6和图7所示，发声装置单体100将模组模组壳体400内的腔体410分为前声腔420和后声腔，模组模组壳体400的侧壁上开设有出声孔430，前声腔420与出声孔430连通。

在本实施例中，发声装置单体100中导磁轭11的第一侧113靠近出声孔430设置，导磁轭11的第二侧114远离出声孔430设置，导磁轭11的水平表面112与发声装置模组500的厚度方形垂直。

在一实施例中，如图6和图7所示，模组模组壳体400对应导磁轭11的位置设有贯通孔440，导磁轭11安装于贯通孔440内。

在本实施例中，模组壳体400的后壳开设有贯通孔440，贯通孔440与腔体410连通，此时导磁轭11安装于贯通孔440内。可以理解的，发声装置单体100可通过贯通孔440装设于模组壳体400的腔体410内。

可以理解的，发声装置单体100的导磁轭11与模组壳体400采用可拆卸连接，如此可实现发声装置单体100的拆装、更换或维修等。

在一实施例中，如图7所示，中心磁路12和边磁路13的厚度方向垂直于倾斜表面111，振动***2的振动方向垂直于垂直于倾斜表面111。

如图7所示，靠近出声孔430处的发声装置单体100一端到模组模组壳体400内表面的垂直距离为h1，远离出声孔430处的发声装置一端到模组模组壳体400内表面的垂直距离为h2，h1>h2。

可以理解的，发声装置单体100通过将导磁轭11设置成倾斜结构，使导磁轭11形成倾斜表面111，将中心磁路12和边磁路13设置于倾斜表面111，并将振动***2与磁路***1一起装设于外壳3上，从而使得发声装置单体100的整体厚度存在一定的厚度差，将发声装置单体100装设于发声装置模组500的模组壳体400内时，发声装置单体100靠近发声装置模组500出声孔430处的前腔空间增大，如此在声波传播过程中，气流在侧出声模组500前腔中流通顺畅，从而改善发声装置模组500的音质；同时，导磁轭11的倾斜设置，有效提升全频段性能及整机音质。

可以理解的，导磁轭11的倾斜角度在0°～90°范围内可调，导磁轭11两侧厚度值不同，有效改善了发声装置单体100的偏振状态，使得气流在发声装置模组500前腔中流通顺畅，进一步改善整机音质，提升全频段性能及整机音质。

本发明还提出一种电子终端，包括终端壳体和发声装置模组500，发声装置模组500设置在终端壳体内。该发发声装置模组500的具体结构参照前述实施例，由于本电子终端采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种发声装置单体，包括振动***和磁路***，所述振动***包括振膜以及与所述振膜连接固定的音圈，所述磁路***包括导磁轭以及设置在导磁轭上的中心磁路和边磁路，所述中心磁路与所述边磁路之间形成有磁间隙，所述音圈悬置于所述磁间隙中，其特征在于，所述导磁轭包括位于底面的水平表面，所述导磁轭的厚度由第一侧向第二侧递增形成位于顶面的倾斜表面，所述中心磁路和所述边磁路设置在所述倾斜表面上。

2.如权利要求1所述的发声装置单体，其特征在于，所述倾斜表面所在的平面与所述水平表面所在的平面形成夹角θ，0°＜θ＜90°。

3.如权利要求2所述的发声装置单体，其特征在于，所述中心磁路和所述边磁路的厚度方向垂直于所述倾斜表面；

所述振动***的振动方向垂直于所述倾斜表面。

4.如权利要求1所述的发声装置单体，其特征在于，所述中心磁路包括中心磁铁和中心导磁板，所述边磁路包括边磁铁和边导磁板，所述中心磁铁和所述边磁铁固定在所述导磁轭上，且所述中心磁铁和所述边磁铁的侧表面均垂直于所述倾斜表面，所述中心导磁板设于所述中心磁铁背向所述倾斜表面的一侧，所述边导磁板设于所述边磁铁背向所述倾斜表面的一侧。

5.如权利要求4所述的发声装置单体，其特征在于，所述发声装置单体还包括壳体，所述边导磁板注塑在所述壳体上。

6.一种发声装置模组，其特征在于，包括模组壳体和如权利要求1至5中任一项所述的发声装置单体，所述模组壳体内设有腔体，所述发声装置单体设于所述腔体内。

7.如权利要求6所述的发声装置模组，其特征在于，所述发声装置单体将所述模组壳体内的腔体分为前声腔和后声腔，所述模组壳体的侧壁上开设有出声孔，所述前声腔与所述出声孔连通；

所述导磁轭的第一侧靠近所述出声孔设置，所述导磁轭的第二侧远离所述出声孔设置，所述导磁轭的水平表面与所述发声装置模组的厚度方形垂直。

8.如权利要求7所述的发声装置模组，其特征在于，所述模组壳体对应所述导磁轭的位置设有贯通孔，所述导磁轭安装于所述贯通孔内。

9.如权利要求7所述的发声装置模组，其特征在于，所述中心磁路和所述边磁路的厚度方向垂直于所述倾斜表面；

所述振动***的振动方向垂直于垂直于所述倾斜表面；

靠近出声孔处的所述发声装置单体一端到所述模组壳体内表面的垂直距离为h1，远离出声孔处的所述发声装置一端到所述模组壳体内表面的垂直距离为h2，h1>h2。

10.一种电子终端，其特征在于，包括终端壳体和如权利要求6至9中任一项所述的发声装置模组，所述发声装置模组设置在所述终端壳体内。

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