CN111225512A - 电子装置与电子装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电子装置与电子装置的制造方法。电子装置包括可挠式基板与电子元件层，电子元件层设置在可挠式基板上。可挠式基板具有第一凹陷结构，设置在可挠式基板相反于电子元件层的基板表面，且第一凹陷结构与可挠式基板边缘的距离小于或等于10毫米。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子装置与电子装置的制造方法，特别是涉及一种可以提高电子装置与载板之间的分离合格率的电子装置与电子装置的制造方法。
背景技术
随着现今科技与技术的演进与发展，电子装置在社会中已成为不可或缺的物品，以显示器或触控显示器为例，显示器与触控显示器具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，因此已被广泛地应用在各式携带式或穿戴式电子产品例如笔记本计算机(notebook)、智能型手机(smart phone)、手表以及车用显示器等，以提供更方便的信息传递与显示。在具有可挠式基板的电子装置中，由于可挠式基板的刚性不足，因此具有可挠式基板的电子装置的现有制造方法是先在可挠式基板与载板之间设置具有附着力的膜层，以将可挠式基板固定在刚性较优的载板上，等制作好电子元件后，再通过分离工艺使电子装置与载板分离。然而，在分离工艺中，若具有附着力的膜层与可挠式基板之间的附着力过强会影响分离工艺的合格率，因此，需对此进行适当的设计，进而提高电子装置的生产良率。
发明内容
本发明提供一种电子装置与电子装置的制造方法，其通过在可挠式基板上设置凹陷结构，以降低可挠式基板与具有附着功能的膜层之间的整体附着力，进而提高电子装置与载板分离的合格率，并提高电子装置的生产良率。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种电子装置，其包括可挠式基板与电子元件层，电子元件层设置在可挠式基板上。可挠式基板具有第一凹陷结构，设置在可挠式基板相反于电子元件层的基板表面，且第一凹陷结构与可挠式基板边缘的距离小于或等于10毫米。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种电子装置的制造方法，其包括：提供载板；在载板上形成离型层，其中离型层具有相反于载板的离型表面；在离型层的离型表面上形成可挠式基板，其中可挠式基板具有与离型表面接触的基板表面；在可挠式基板上形成电子元件层，以使可挠式基板与电子元件层形成电子装置；在形成可挠式基板之后，在基板表面形成至少一凹陷结构，使得离型层与可挠式基板在凹陷结构的位置处彼此不接触；以及在形成凹陷结构之后，进行离型工艺，将电子装置从离型层分离。
在本发明中，由于凹陷结构的形成使得可挠式基板与离型层之间的接触面积减少，以降低可挠式基板与离型层之间的整体附着力，因此在离型工艺中所需克服的附着力下降，可减少可挠式基板破裂或毁损的可能性，以提升分离电子装置与载板的合格率，进而提高电子装置的生产良率，此外，甚至可以降低分离电子装置与载板所施加的力。
附图说明
图1所示为本发明一实施例的电子装置的制造方法的流程图。
图2到图4所示为本发明一实施例的电子装置的制造过程的剖面示意图。
图5到图8所示为本发明的一些实施例的电子装置的可挠式基板的基板表面的平面示意图。
图9与图10所示为本发明另一实施例的电子装置的制造过程的剖面示意图。
其中，附图标记说明如下：
100 电子装置
110 可挠式基板
110a 基板表面
112 凹陷结构
112a 第一凹陷结构
112b 第二凹陷结构
120 电子元件层
122 电子元件
CB 载板
D 距离
DBL 离型层
DBLa 离型表面
LS 激光脉冲
S1～S6 步骤
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，以下特列举本发明的优选实施例，并配合附图详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本发明有关之元件与组合关系，以对本发明的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的元件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本发明的各附图中所示之元件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。
请参考图1到图4，图1所示为本发明一实施例的电子装置的制造方法的流程图，图2到图4所示为本发明一实施例的电子装置的制造过程的剖面示意图，其中图4同时为本发明一实施例的电子装置的剖面示意图。须说明的是，电子装置100举例可为可挠式显示器(如液晶显示器(liquid crystal display,LCD)、微型发光二极管显示器(micro light-emitting diode display,micro LED display)、主动式有机发光二极管显示器(active-matrix organic light-emitting diode display,AMOLED display)等)、可挠式触控传感器件或其他适合的可挠式电子装置，但本发明不以此为限，电子装置100也可为不可挠的电子装置。如图1与图2所示，在本实施的电子装置的制造方法中，首先进行步骤S1，提供载板CB，再进行步骤S2，在载板CB上形成离型层DBL，而离型层DBL具有相反于载板CB的离型表面DBLa，接着再进行步骤S3，在离型层DBL的离型表面DBLa上形成可挠式基板110，而可挠式基板110具有与离型表面DBLa接触的基板表面110a。载板CB为刚性较高的硬质载板，例如包括玻璃、塑料、石英、蓝宝石基板、合成树脂基板或其他适合的材料的载板，用以承载可挠式基板110、或设置在可挠式基板110上的电子元件等结构，使得具有可挠式基板110的电子装置100可在载板CB上制造。离型层DBL可在载板CB与可挠式基板110之间提供附着力，藉此使可挠式基板110黏着并固定在载板CB上，其中离型层DBL举例可包括氧化硅(SiOx)、氧化锆(ZrOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铌(NbOx)、氧化铝(AlOx)、含硅的有机材料、含氟的有机材料与其他适合的材料的其中至少一种，但本发明不以此为限。可挠式基板110用以作为电子装置100的基板，并举例可包含聚亚酰胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PolyethyleneTerephthalate,PET)、环烯烃聚合物(Cyclic Olefin Polymer,COP)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚甲基丙酰酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)、环烯烃共聚物(Cyclic Olefin Copolymer,COC)、三醋酸纤维素(Triacetyl Cellulose,TAC)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚苯乙烯(Poly Styrene,PS)、玻璃或其他适合的可挠性材料，但本发明不以此为限。而可挠式基板110可透过例如涂布的方式形成在载板CB上，但本发明不以此为限。
在步骤S3之后，本实施例的电子装置的制造方法进行步骤S4，在可挠式基板110上形成电子元件层120，以使可挠式基板110与电子元件层120形成电子装置100。电子元件层120中可包括一个或多个电子元件122，而电子元件122可依据电子装置100的种类而对应改变，举例来说，电子元件122可包括开关元件、发光元件(例如有机或无机发光二极管或MicroLED)、薄膜晶体管、导线、电极、电阻、电感、电容、二极管、放大器、处理器、控制器、微机电元件、回馈元件、压力感测元件、温度感测元件、光学感测元件、周边驱动电路(例如栅极驱动电路、源极驱动电路)、集成电路(integrated circuit,IC)、或其他适合的主动元件或被动元件，使得电子装置100可具有显示画面、触控传感或其他所需功能。此外，还可在电子装置100中设置其他膜层或结构，例如彩色滤光层、遮蔽层及/或偏光片等，但本发明不以此为限。
如图1与图3所示，本实施例的电子装置的制造方法进行步骤S5，在可挠式基板110的基板表面110a形成至少一凹陷结构112，使得离型层DBL与可挠式基板110在凹陷结构112的位置处彼此不接触。凹陷结构112可利用适合的工艺来形成，而本实施例的形成凹陷结构112的步骤包括利用激光脉冲(laser)工艺形成凹陷结构112，但本发明不以此为限。详细而言，在激光脉冲工艺中，可通过将激光脉冲LS聚焦于适当的位置与深度，也就是可将激光脉冲LS聚焦在可挠式基板110的基板表面110a或邻近基板表面110a的可挠式基板110的部分，以移除(或灼蚀)激光脉冲LS的聚焦处的可挠式基板110而形成凹陷结构112，以达成离型层DBL与可挠式基板110在凹陷结构112的位置处彼此不接触，借此减少可挠式基板110与离型层DBL之间的接触面积，进而降低可挠式基板110与离型层DBL之间的整体附着力。须说明的是，由于可挠式基板110与离型层DBL之间的整体附着力降低，因此，可挠式基板110与离型层DBL之间的整体附着力可小于离型层DBL与载板CB之间的整体附着力。此外，在激光脉冲工艺中，激光脉冲LS可由适当的角度与方向射向可挠式基板110，举例而言，本实施例的激光脉冲LS在图3中由下而上地发射，并穿过载板CB与离型层DBL而聚焦在可挠式基板110，以在聚焦处形成凹陷结构112，但本发明不以此为限。另外，由于本实施例的凹陷结构112由激光脉冲工艺所形成，因此所形成的凹陷结构112可具有烧灼痕迹或粗糙化的表面，但本发明不以此为限。
最后，如图1与图4所示，进行步骤S6，进行离型工艺以将电子装置100从离型层DBL分离。离型工艺可包括任何适合的分离方式，举例而言，在一种离型工艺中，可先在电子装置100上形成转换膜，例如紫外光膜(UV film)或热塑膜(thermoplastic film)，接着对转换膜施予相反于载板CB方向的力(例如剥离力)，使得电子装置100与转换膜可由可挠式基板110与离型层DBL之间的界面及/或离型层DBL与载板CB之间的界面分离，然后，在可挠式基板110的基板表面110a一侧形成支持层(例如可选用紫外光膜或热塑膜)，最后再将转换膜移除，以完成离型工艺，但离型工艺不以此为限。在本发明中，由于凹陷结构112的形成使得可挠式基板110与离型层DBL之间的整体附着力降低，因此，在离型工艺中所需克服的附着力下降，使得可挠式基板110破裂或毁损的可能性降低，以提升分离电子装置100与载板CB的合格率，进而提高电子装置100的生产良率，此外，甚至可以降低分离电子装置100与离型层DBL所施加的力。另一方面，由于可挠式基板110与离型层DBL之间的整体附着力降低，因此在进行离型工艺时，可省略预离型的步骤，例如可不需额外切割出一个分离切口，使得可挠式基板110与离型层DBL由此分离切口处进行分离。
由此可知，所形成的电子装置100包括可挠式基板110以及设置在可挠式基板110上的电子元件层120，并可选择性地包括其他所需的结构与膜层，例如但不限于彩色滤光层、遮蔽层及/或偏光片等。可挠式基板110具有凹陷结构112，设置在可挠式基板110相反于电子元件层120的基板表面110a，而凹陷结构112可具有制作时所造成的烧灼痕迹或粗糙化表面。
关于凹陷结构112的部分，请参考图5到图8，并同时参考图4，图5到图8所示为本发明的一些实施例的电子装置的可挠式基板的基板表面的平面示意图。如图4与图5所示，本实施例的凹陷结构112可包括第一凹陷结构112a，邻近于可挠式基板110的边缘，举例来说，第一凹陷结构112a与可挠式基板110边缘的距离D小于或等于10毫米，使得在刚开始进行离型工艺时，可挠式基板110的边缘部分可较容易地从离型层DBL上剥离。在本实施例中，多个第一凹陷结构112a大体上沿着可挠式基板110的边缘环状设置，但本发明不以此为限，第一凹陷结构112a的数量与设置位置可依据需求而设计。可选择性地，本实施例的凹陷结构112还可包括第二凹陷结构112b，而第二凹陷结构112b在设置位置上并无特定要求，但大体上由俯视方向看第二凹陷结构112b，其位置较佳为位于可挠式基板110表面远离边缘部分，且不与第一凹陷结构112a有投影重叠的关系。举例来说，本实施例的多个第一凹陷结构112a大体上环绕第二凹陷结构112b，而第二凹陷结构112b可排列成阵列，也可以设计成具有规律性变化或是任意分布的方式，但本发明不以此为限，第二凹陷结构112b的数量与设置位置可依据需求而设计，通过第二凹陷结构112b的设计可使得在剥离可挠式基板110时，可减轻由非边缘部分的附着力，能再进一步提升剥除可挠式基板110的成功率。另外，凹陷结构112的深度可小于或等于10微米、或是小于或等于8微米，或者，凹陷结构112的深度与可挠式基板110的最大厚度的比值可小于1、或是小于或等于0.8，但本发明不以此为限。此外，凹陷结构112在俯视方向上的图案为点状、条状、圆形、多边形、上述形状的组合或其他适合的形状，图案的尺寸也可依据实际需求而设计，举例来说，在图5中，第一凹陷结构112a的图案为矩形(或称为条状)或L型(或称为多边形)，第二凹陷结构112b的图案为圆形(或称为点状)，第一凹陷结构112a的图案的尺寸(长、宽)大于第二凹陷结构112b的图案的尺寸(长、宽)，但本发明不以此为限，在变化实施例中，第一凹陷结构112a的图案的宽度可小于第二凹陷结构112b的图案的直径长。另外，凹陷结构112的侧壁可与基板表面110a垂直或不垂直，但本发明不以此为限。
在另一实施例中，如图6所示，一个第一凹陷结构112a可沿着可挠式基板110的边缘环状设置而环绕第二凹陷结构112b，各行的第二凹陷结构112b彼此可错位设置，第一凹陷结构112a的图案可为多个条状所形成的框形图案，第二凹陷结构112b的图案可为矩形。在另一实施例中，如图7所示，多个第一凹陷结构112a大体上可沿着可挠式基板110的边缘环状设置而环绕第二凹陷结构112b，第二凹陷结构112b可排列成阵列，第一凹陷结构112a与第二凹陷结构112b的图案、深度等可彼此相同或不同，其中图案可为圆形(或称为点状)，但本发明不以此为限。在另一实施例中，如图8所示，多个第一凹陷结构112a可位于可挠式基板110的边缘而从可挠式基板110的侧边暴露出，并沿着可挠式基板110的边缘环状设置而环绕第二凹陷结构112b，第二凹陷结构112b可排列成阵列，第一凹陷结构112a的图案可为矩形(或称为条状)或L型(或称为多边形)，第二凹陷结构112b的图案可为圆形(或称为点状)。须说明的是，在一实施例中，图8所示的可挠式基板110的第一凹陷结构112a可通过将激光脉冲LS直接聚焦在可挠式基板110的边缘上而形成，在另一实施例中，图8所示的可挠式基板110的第一凹陷结构112a可形成在邻近可挠式基板110的边缘的位置，而在离型工艺之后，额外进行一切割工艺，将可挠式基板110的***切除一部分，使得第一凹陷结构112a位于切割后的可挠式基板110的边缘，其中切割工艺所切割的切割道在俯视方向上可位在第一凹陷结构112a内，但本发明不以此为限。
第一凹陷结构112a与第二凹陷结构112b的设置位置、图案、尺寸与深度可依据实际需求而设计，并不限于上述实施例，举例来说，在另一实施例中，凹陷结构112可以任何分布的方式形成在可挠式基板110的基板表面110a，其中在凹陷结构112中，与可挠式基板110边缘的距离D小于或等于10毫米的凹陷结构112定义为第一凹陷结构112a，而其余凹陷结构112则定义为第二凹陷结构112b。
另外，由于凹陷结构112的形成，可挠式基板110的基板表面110a具有粗糙化表面的部分，也就是基板表面110a由于凹陷结构112的形成而使得至少部分粗糙化。举例而言，如图5所示，由于可挠式基板110的凹陷结构112大体上均匀分布在基板表面110a，也就是第一凹陷结构112a邻近于可挠式基板110的边缘，第二凹陷结构112b位于较接近可挠式基板110中心的位置，因此，整个基板表面110a都因为凹陷结构112的形成而粗糙化。在另一实施例中，若凹陷结构112仅包含邻近于可挠式基板110边缘的第一凹陷结构112a，则可挠式基板110的基板表面110a仅在邻近边缘的部分为粗糙化表面。
此外，如图4所示，第二凹陷结构112b相比于第一凹陷结构112a较接近于可挠式基板110的中心，因此，电子元件层120中所包含的电子元件122在俯视方向上可重叠于第二凹陷结构112b，举例来说，假使电子装置100为可挠式显示器，则位于较中心的显示元件、发光元件等电子元件122可重叠于第二凹陷结构112b。另一方面，由于第一凹陷结构112a邻近于可挠式基板110边缘，因此，电子元件层120中的电子元件122依据布局与设计的需求，在俯视方向上可重叠或不重叠于第一凹陷结构112a，但本发明不以此为限。
请参考图9与图10，并同时参考图1、图3与图4，图9与图10所示为本发明另一实施例的电子装置100的制造过程的剖面示意图。如图1与图9所示，在另一实施例的电子装置的制造方法中，首先先进行步骤S1，提供载板CB，再进行步骤S2，在载板CB上形成离型层DBL，接着再进行步骤S3，在离型层DBL的离型表面DBLa上形成可挠式基板110。然后，如图1与图10所示，在步骤S3之后，进行步骤S5，在可挠式基板110的基板表面110a形成至少一凹陷结构112，使得离型层DBL与可挠式基板110在凹陷结构112的位置处彼此不接触。再来，如图1与图3所示(其中，在本实施例中，请忽略图3下方所示的激光脉冲LS)，进行步骤S4，在可挠式基板110上形成电子元件层120，以使可挠式基板110与电子元件层120形成电子装置100。最后，如图1与图4所示，进行步骤S6，进行离型工艺以将电子装置100从离型层DBL分离。也就是说，与前述实施例制造方法相比，步骤S4与步骤S5的顺序可以互换。
因此，由图1以及上述电子装置的制造方法的两个实施例可知，步骤S4所述的形成电子元件层120的步骤可在步骤S5所述的形成凹陷结构112的步骤的之前或之后进行，步骤S5所述的形成凹陷结构112的步骤要在形成可挠式基板110的步骤(即步骤S3)之后进行，而步骤S6要在形成凹陷结构112的步骤(即步骤S5)之后进行。
另外，在本发明的电子装置的制造方法中，还可另外包括其他步骤，而此些步骤可于上述任何步骤之前或之后进行，或是在上述任两步骤之间进行。此外，上述的电子装置的制造方法的步骤可在不违背本发明的精神和原则的情况下调整执行顺序或对其改变。
综上所述，在本发明中，由于凹陷结构的形成使得可挠式基板与离型层之间的接触面积减少，以降低可挠式基板与离型层之间的整体附着力，因此在离型工艺中所需克服的附着力下降，可减少可挠式基板破裂或毁损的可能性，以提升分离电子装置与载板的合格率，进而提高电子装置的生产良率，此外，甚至可以降低分离电子装置与载板所施加的力。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一可挠式基板；以及
一电子元件层，设置在所述可挠式基板上；
其中所述可挠式基板具有一第一凹陷结构，设置在所述可挠式基板相反于所述电子元件层的一基板表面，且所述第一凹陷结构与所述可挠式基板边缘的距离小于或等于10毫米。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述可挠式基板还具有一第二凹陷结构，设置在所述可挠式基板的所述基板表面，所述电子元件层包括一电子元件，且所述第二凹陷结构在俯视方向上与所述电子元件重叠。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一凹陷结构的深度小于或等于10微米。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一凹陷结构的深度与所述可挠式基板的最大厚度的比值小于1。
5.如权利要求1或权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一凹陷结构在俯视方向上的图案为点状、条状、圆形、多边形或其组合。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述基板表面具有粗糙化表面的部分。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一凹陷结构具有烧灼痕迹。
8.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一载板；
在所述载板上形成一离型层，其中所述离型层具有相反于所述载板的一离型表面；
在所述离型层的所述离型表面上形成一可挠式基板，其中所述可挠式基板具有与所述离型表面接触的一基板表面；
在所述可挠式基板上形成一电子元件层，以使所述可挠式基板与所述电子元件层形成一电子装置；
在形成所述可挠式基板之后，在所述基板表面形成至少一凹陷结构，使得所述离型层与所述可挠式基板在所述凹陷结构的位置处彼此不接触；以及
在形成所述凹陷结构之后，进行一离型工艺，将所述电子装置从所述离型层分离。
9.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述可挠式基板与所述离型层之间的整体附着力小于所述离型层与所述载板之间的整体附着力。
10.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在形成所述凹陷结构的步骤中，包括利用一激光脉冲工艺形成所述凹陷结构。
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|---|---|---|---|---|
| JP2000158642A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 可撓性基板と着脱部材との間における電極接触構造 |
| CN202633263U (zh) * | 2012-06-05 | 2012-12-26 | 久元电子股份有限公司 | 基材包覆结构 |
| CN108231675A (zh) * | 2016-12-22 | 2018-06-29 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 可挠式显示面板的制造方法 |
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