CN111224016A - 封装膜层、显示屏及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施方式公开一种封装膜层、显示屏及电子设备。封装膜层包括第一保护层、缓冲层及第一过渡层。第一保护层具有第一折射率，缓冲层具有第二折射率，其中，第一折射率与第二折射率的差值大于预设折射率。缓冲层用于在封装膜层弯折时减小封装膜层承受的应力；第一过渡层设置在第一保护层与缓冲层之间，第一过渡层的折射率处于第一折射率与第二折射率之间。本申请的封装膜层、显示屏及电子设备中，在第一保护层和缓冲层之间设置第一过渡层，第一过渡层的折射率处于第一保护层的折射率和缓冲层的折射率之间，光线依次穿过第一保护层、第一过渡层、及缓冲层的反射率较小，减少了光线在第一保护层与缓冲层之间发生的反射，有利于光线穿过封装膜层。

Description

封装膜层、显示屏及电子设备

技术领域

本申请涉及封装技术，特别涉及一种封装膜层、显示屏及电子设备。

背景技术

为了实现对元件(例如显示屏)的保护，可以利用封装膜层对显示屏进行封装。然而，封装膜层的反射率较大，导致光线穿过封装膜层时会发生严重的反射现象，从而不利于光线穿过显示屏，使得处于显示屏下的摄像头的成像效果较差。并且，处于封装膜层下方的显示屏发出的光在经过封装膜层时，也会发生严重的反射，由于部分显示屏的光线被反射，导致用户看到的显示屏图像为失真图像，降低了用户体验。

发明内容

本申请的实施例提供了一种封装膜层、显示屏及电子设备。

本申请实施方式的封装膜层包括：第一保护层、缓冲层及第一过渡层。所述第一保护层具有第一折射率，所述缓冲层具有第二折射率，其中，所述第一折射率与所述第二折射率的差值大于预设折射率。所述缓冲层用于在所述封装膜层弯折时减小所述封装膜层承受的应力。所述第一过渡层设置在所述第一保护层与所述缓冲层之间，所述第一过渡层的折射率处于所述第一折射率与所述第二折射率之间。

本申请实施方式的显示屏包括显示层及封装膜层。所述显示层用于显示图像；所述显示层设于所述缓冲层的远离所述第一保护层的一侧。所述封装膜层包括：第一保护层、缓冲层及第一过渡层。所述第一保护层具有第一折射率，所述缓冲层具有第二折射率，其中，所述第一折射率与所述第二折射率的差值大于预设折射率。所述缓冲层用于在所述封装膜层弯折时减小所述封装膜层承受的应力。所述第一过渡层设置在所述第一保护层与所述缓冲层之间，所述第一过渡层的折射率处于所述第一折射率与所述第二折射率之间。

本申请实施方式的电子设备包括摄像头及显示屏，所述显示屏包括显示层及封装膜层。所述显示层用于显示图像；所述显示层设于所述缓冲层的远离所述第一保护层的一侧。所述封装膜层包括：第一保护层、缓冲层及第一过渡层。所述第一保护层具有第一折射率，所述缓冲层具有第二折射率，其中，所述第一折射率与所述第二折射率的差值大于预设折射率。所述缓冲层用于在所述封装膜层弯折时减小所述封装膜层承受的应力。所述第一过渡层设置在所述第一保护层与所述缓冲层之间，所述第一过渡层的折射率处于所述第一折射率与所述第二折射率之间。所述显示层包括用于显示图像的显示区，所述显示区形成有相背的正面及背面，所述显示屏发出的光线沿所述背面指向所述正面的方向、并经过所述缓冲层、所述第一过渡层和所述第一保护层后向外界发射，所述摄像头设置在所述显示层的所述背面所在一侧。

本申请实施方式的封装膜层、显示屏和电子设备中，在第一保护层和缓冲层之间设置第一过渡层，第一过渡层的折射率处于第一保护层的折射率和缓冲层的折射率之间，使得光线能在折射率相差较小的第一保护层和第一过渡层、及在折射率更小的第一过渡层和缓冲层之间传播。一方面，相较于光线直接穿过第一保护层和缓冲层，光线依次穿过第一保护层、第一过渡层、及缓冲层的反射率更小，由于减少了在第一保护层与缓冲层之间发生的反射，有利于光线更好地穿过封装膜层，提高了设于封装膜层下的摄像头能够接收到更多的光线，成像品质较佳。另一方面，显示屏发出的光线在缓冲层和第一过渡层、第一过渡层和第一保护层之间传播时的反射率更小，使得用户看到的显示屏图像更加清晰，提高了用户体验。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1至图7是本申请某些实施方式的封装膜层的结构示意图。

图8至图10是本申请某些实施方式的显示屏的结构示意图。

图11至图13是本申请某些实施方式的显示屏对不同波长的光线的反射率的示意图。

图14是本申请某些实施方式的电子设备的结构示意图。

图15是图14沿剖面线XV-XV的剖面示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

请参阅图1，本申请实施方式的封装膜层10包括第一保护层11、缓冲层12及第一过渡层13。第一保护层11具有第一折射率，缓冲层12具有第二折射率，第一折射率与第二折射率的差值大于或等于预设折射率。缓冲层12用于在封装膜层10弯折时减小封装膜层10承受的应力。第一过渡层13设置在第一保护层11与缓冲层12之间，第一过渡层13的折射率处于第一折射率与第二折射率之间。

需要说明的是，第一保护层11、缓冲层12及第一过渡层13均为透明材料形成，以使得光线能在第一保护层11、缓冲层12及第一过渡层13之间传播。光线由一个介质进入另一个介质时，由于两个介质的折射率不相同，光线会发生相应的折射和反射。光线在多个介质之间发生反射时，是根据两个介质之间的折射率的差值决定光线的反射率，反射率是指一个单位的光中反射的光线占整个单位的光的比值。例如，有一束光线在第一保护层11和缓冲层12之间传播，封装膜层10的反射率为7.28％，即该束光线中的7.28％的光线会在第一保护层11或缓冲层12内进行反射。两个介质之间的折射率相差越大，则对应的反射率则越大，表明光线在这两个介质之间发生反射的比例更大。因此，在第一保护层11的第一折射率与缓冲层12的第二折射率的差值大于或等于预设折射率时，则在第一保护层11和缓冲层12之间设置第一过渡层13，第一过渡层13的折射率处于第一折射率与第二折射率之间，以降低光线在经过第一保护层11和缓冲层12时的反射率。

其中，预设折射率可为一个预先设定的已知值，该预设折射率可为(0，1.00]，例如，预设折射率可为0.01、0.02、0.05、0.1、0.11、0.12、0.20、0.30、0.31、0.32、0.33、0.35、0.38、0.40、0.50、1.00等等。以预设折射率为0.20为例进行说明，在得到第一折射率与第二折射率的差值为0.3时，说明第一保护层11与缓冲层12之间的折射率相差较大，则该封装膜层10内的反射率较大，因此，可在该封装膜层10中设置第一过渡层13，以降低封装膜层10内的反射率。

本申请实施方式的封装膜层10在第一保护层11和缓冲层12之间设置第一过渡层13，第一过渡层13的折射率处于第一保护层11的折射率和缓冲层12的折射率之间，使得光线能在折射率相差较小的第一保护层11和第一过渡层13之间、及在折射率相差较小的第一过渡层13和缓冲层12之间传播。一方面，相较于光线直接穿过第一保护层11和缓冲层12，光线依次穿过第一保护层11、第一过渡层13、及缓冲层12的反射率更小，由于减少了在第一保护层11与缓冲层12之间发生的反射，有利于光线更好地穿过封装膜层10，设置在屏下的摄像头能够接收到更多的光线，成像品质较佳。另一方面，显示屏100(图15所示)发出的光线在缓冲层12和第一过渡层13、第一过渡层13和第一保护层11之间传播时的反射率更小，使得用户看到的显示屏100的图像更加清晰，提高了用户体验。

在某些实施方式中，第一保护层11可采用氮化硅形成，氮化硅的结构比较致密，能有效防止外界的水汽、氧气等进入封装膜层10内，从而防止对封装膜层10保护的元件(例如指纹模组或图8所示的显示层20)造成损坏。缓冲层12采用高分子材料形成，高分子材料可包括含氟树脂。含氟树脂可为聚四氟乙烯，该材料的介电性能优异，且柔韧性高。缓冲层12有效增加了封装膜层10的柔韧性，减小了封装膜层10在弯折时承受的压力，避免了封装膜层10发生破裂。

其中，第一保护层11的厚度可以为1000nm，即氮化硅层的厚度可以为1000nm，此时，氮化硅对波长为550nm的可见光的折射率为1.85，即第一折射率为1.85。缓冲层12的厚度可以为8000nm，即高分子材料层的厚度可以为8000nm，此时，高分子材料对波长为550nm的可见光的折射率为1.52，即第二折射率为1.52。第一折射率与第二折射率之间的差值为0.33。

在某些实施方式中，第一过渡层13可采用折射率处于第二折射率和第一折射率之间的任意材料。例如，第一过渡层13可采用折射率在(1.52，1.85)之间的任意材料。需要说明的是，该材料需为可透光材料。其中，第一过渡层13可采用氧化硅形成，氧化硅对波长为550nm的可见光的折射率为1.65。此时封装膜层10可包括依次层叠设置的高分子材料层、氧化硅层、及氮化硅层，则氮化硅层与氧化硅层之间的折射率的差值为1.85-1.65＝0.20。相较于氮化硅层与高分子材料层之间的折射率的差值0.33，氮化硅层与氧化硅层之间的折射率差值更小。即，相较于光线在氮化硅层与高分子材料层之间的反射率，光线在氮化硅层与氧化硅层之间的反射率更小。换而言之，光线在氮化硅层与氧化硅层之间更不容易发生反射。同理，氧化硅层与高分子材料层之间的折射率的差值为1.65-1.52＝0.13，即光线在氧化硅层与高分子材料层之间的反射率更小。也就是说，封装膜层10通过在氮化硅层和高分子材料层之间增加了一层氧化硅，减小了光线在该封装膜层10中的反射率。

第一过渡层13还可采用氮氧化硅形成，氮氧化硅对波长为550nm的可见光的折射率为1.75。此时封装膜层10可包括依次层叠设置的高分子材料层、氮氧化硅层及氮化硅层，则氮化硅层与氮氧化硅层之间的折射率的差值为1.85-1.75＝0.10，相较于氮化硅层与高分子材料层之间的折射率的差值0.33，氮化硅层与氮氧化硅层之间的折射率差值更小。同理，氮氧化硅层与高分子材料层之间的折射率的差值为1.75-1.52＝0.23，即光线在氮氧化硅层与高分子材料层之间的反射率更小。也就是说，封装膜层10通过在氮化硅层和高分子材料层之间增加了一层氮氧化硅，减小了光线在该封装膜层10中的反射率。

第一过渡层13还可采用三氧化二铝或者三氧化钨等材料，其中，三氧化二铝对波长为550nm的可见光的折射率为1.63，三氧化钨对波长为550nm的可见光的折射率为1.70。当封装膜层10包括依次层叠设置的高分子材料层、三氧化二铝层及氮化硅层，则氮化硅层与三氧化二铝层之间的折射率的差值为1.85-1.63＝0.22，高分子材料层与三氧化二铝层之间的折射率的差值为1.63-1.52＝0.11，相较于氮化硅层与高分子材料层之间的折射率的差值0.33，氮化硅层与三氧化二铝层之间的折射率的差值更小，高分子材料层与三氧化二铝层之间的折射率的差值也更小。也就是说，封装膜层10通过在氮化硅层和高分子材料层之间增加了一层三氧化二铝，减小了光线在该封装膜层10中的反射率。

当封装膜层10包括依次层叠设置的高分子材料层、三氧化钨层及氮化硅层，则氮化硅层与三氧化钨层之间的折射率的差值为1.85-1.70＝0.15，高分子材料层与三氧化钨层之间的折射率的差值为1.70-1.52＝0.18，相较于氮化硅层与高分子材料层之间的折射率的差值0.33，氮化硅层与三氧化钨层之间的折射率的差值更小，高分子材料层与三氧化钨层之间的折射率的差值也更小。也就是说，封装膜层10通过在氮化硅层和高分子材料层之间增加了一层三氧化钨，减小了光线在该封装膜层10中的反射率。

由于在制取氧化硅和氮氧化硅时，与制取氮化硅的工艺相似，可通过控制通入不同的气体来制取相应的氧化硅、氮氧化硅和氮化硅。这些气体可包括甲硅烷、氧气及氨气等等。相较于采用其他材料形成的第一过渡层13，采用氧化硅或氮氧化硅形成的第一过渡层13，其制取工艺更加简单，可简单地通过控制不同的气体即可得到对应所需的材料，无需在制备上添加新的工艺。

请参阅图2，在某些实施方式中，第一过渡层13可包括第一层131和第二层132，该封装膜层10可包括依次层叠设置的缓冲层12、第二层132、第一层131及第一保护层11。其中，第一过渡层13的第一层131的折射率处于第一保护层11的第一折射率与第二层132的折射率之间；第一过渡层13的第二层132的折射率处于第一层131的折射率与缓冲层12的第二折射率之间。例如，第一保护层11采用氮化硅形成，即第一折射率为1.85，第一过渡层13的第一层131采用氮氧化硅形成，即第一过渡层13的第一层131的折射率为1.75，第一过渡层13的第二层132采用氧化硅形成，即第一过渡层13的第二层132的折射率为1.65，缓冲层12可采用高分子材料形成，该高分子材料可为含氟树脂，即第二折射率为1.52。此时，该封装膜层10中，第一保护层11、第一过渡层13的第一层131、第一过渡层13的第二层132和缓冲层12的相邻两层之间的折射率的差值相较氮化硅层与高分子材料层之间的折射率的差值更小，进一步降低了该封装膜层10整体的反射率；而且，第一保护层11、第一过渡层13的第一层131、第一过渡层13的第二层132和缓冲层12的折射率是依次减小的，相邻两层之间的折射率的差值均为一个较小的值，进一步降低了该封装膜层10整体的反射率。

在某些实施方式中，第一过渡层13的第一层131的折射率和第一过渡层13的第二层132的折射率的大小可调换。例如，第一保护层11采用氮化硅形成，即第一折射率为1.85。第一过渡层13的第一层131采用氧化硅形成，即第一过渡层13的第一层131的折射率为1.65。第一过渡层13的第二层132采用氮氧化硅形成，即第一过渡层13的第二层132的折射率为1.75。缓冲层12可采用高分子材料形成，该高分子材料可为含氟树脂，即第二折射率为1.52。此时，相较于封装膜层10仅包括第一保护层11和缓冲层12的情况，在第一保护层11和缓冲层12之间增加两层第一过渡层13，使得封装膜层10的相邻两层膜层之间的折射率差值较小，即封装膜层10的反射率更小。

在某些实施方式中，第一过渡层13的厚度小于或等于第一预设厚度。第一预设厚度可为[80nm，220nm]中的任意值，例如，第一预设厚度可为80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm、200nm、210nm、220nm等等。在本申请实施方式中，第一预设厚度为200nm。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该第一过渡层13的厚度可为95nm；在第一过渡层13采用一层氮氧化硅形成时，该第一过渡层13的厚度可为80nm；在第一过渡层13采用一层氧化硅和一层氮氧化硅形成时，该第一过渡层13的厚度可为175nm。当然，第一过渡层13还可为其他厚度，在此不再一一列举。由于第一保护层11的厚度可为1000nm，缓冲层12的厚度可为8000nm，因此，第一过渡层13的厚度在小于或等于第一预设厚度时，第一过渡层13的厚度对整个封装膜层10的厚度影响较小，封装膜层10更轻薄。

请参阅图3，本申请实施方式的封装膜层10还可包括第二保护层14，缓冲层12设置在第一保护层11和第二保护层14之间。第一保护层11和第二保护层14可对封装膜层10保护的元件(例如指纹模组或图8所示的显示层20)进行有效的保护。其中，第二保护层14可与第一保护层11的材料相同，例如，第二保护层14由氮化硅形成。当然，第二保护层14可与第一保护层11的材料不相同。在本申请实施方式中，第一保护层11和第二保护层14均采用氮化硅形成，氮化硅材料的结构的致密性能够满足正常使用的要求，由于氮化硅的制造工艺相对简单，因此能够降低封装膜层10的制造成本。采用氮化硅形成的第二保护层14可以避免水汽、氧气等穿过第二保护层14对封装膜层10保护的元件(例如指纹模组或图8所示的显示层20)造成损坏。

请参阅图4，在某些实施方式中，第二保护层14具有第三折射率，由于第二保护层14与第一保护层11均为氮化硅，因此，第三折射率可与第一折射率相同，均可为1.85。在第三折射率与第二折射率的差值大于或等于预设折射率时，说明缓冲层12与第二保护层14之间的折射率相差较大，因此，可在该封装膜层10中设置第二过渡层15，第二过渡层15的折射率处于第三折射率与第二折射率之间，以降低封装膜层10的反射率。在第三折射率与第二折射率的差值小于预设折射率时，说明缓冲层12与第二保护层14之间的折射率相差较小，则该封装膜层10内的反射率较小，因此，无需在该封装膜层10中设置第二过渡层15。

在某些实施方式中，第二过渡层15可采用氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层及氮化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层及氮化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层及氮化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、及氮化硅层。

在某些实施方式中，第二过渡层15可采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层及氮化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层及氮化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层及氮化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层及氮化硅层。

请参阅图5，在某些实施方式中，第二过渡层15可包括第一层151和第二层152，第二过渡层15的第一层151可采用氧化硅形成，第二过渡层15的第二层152可采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层及氮化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层及氮化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层及氮化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层及氮化硅层。

当然，第二过渡层15的第一层151和第二过渡层15的第二层152的材料可调换。例如，第二过渡层15的第一层151可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15的第二层152可采用氧化硅形成。此时，在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层及氮化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层及氮化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层及氮化硅层；或该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层及氮化硅层。

在某些实施方式中，第二过渡层15的厚度小于或等于第二预设厚度。第二预设厚度可与第一预设厚度相同，在此不再赘述。当然，第二预设厚度也可与第一预设厚度不一样，例如，第二预设厚度大于第一预设厚度，或者第二预设厚度小于第一预设厚度，在此不再一一列举。

请参阅图6，本申请实施方式的封装膜层10还可包括第三过渡层16。第三过渡层16设置在第一保护层11的远离缓冲层12的一侧。第三过渡层16的折射率可处于第一保护层11的第一折射率与空气折射率之间。其中，第三过渡层16可为一层或可为两层。第三过渡层16可与不同材料和层数的第一过渡层13和/或不同材料和层数的第二过渡层15任意组合。

在某些实施方式中，第三过渡层16可采用氧化硅形成，第二过渡层15可采用氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。

在某些实施方式中，第三过渡层16可采用氧化硅形成，第二过渡层15可采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅、氧化硅层、氮化硅及氧化硅层。

在某些实施方式中，第三过渡层16可采用氧化硅形成，第二过渡层15可包括第一层151和第二层152，第二过渡层15的第一层151可采用氧化硅形成，第二过渡层15的第二层152可采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。当然，第二过渡层15的第一层151和第二过渡层15的第二层152的材料可调换。例如，第二过渡层15的第一层151可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15的152第二层可采用氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。

在某些实施方式中，第三过渡层16可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15可采用氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。

在某些实施方式中，第三过渡层16可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15可采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅、氧化硅层、氮化硅及氮氧化硅层。

在某些实施方式中，第三过渡层16可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15可包括第一层151和第二层152，第二过渡层15的第一层151可采用氧化硅形成，第二过渡层15的第二层152可采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。当然，第二过渡层15的第一层151和第二过渡层15的第二层152的材料可调换。例如，第二过渡层15的第一层151可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15的第二层152可采用氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。

请参阅图7，在某些实施方式中，第三过渡层16可包括第一层161和第二层162，第三过渡层16的第一层161可采用氧化硅形成，第三过渡层16的第二层162可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15可采用氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。

在某些实施方式中，第三过渡层16的第一层161可采用氧化硅形成，第三过渡层16的第二层162可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。

在某些实施方式中，第三过渡层16的第一层161可采用氧化硅形成，第三过渡层16的第二层162可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15可包括第一层151和第二层152，第二过渡层15的第一层151可采用氧化硅形成，第二过渡层15的第二层152可采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。当然，第二过渡层15的第一层151和第二过渡层15的第二层152的材料可调换。例如，第二过渡层15的第一层152可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15的第二层152可采用氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅层。

当然，第三过渡层16的第一层161和第二层162的材料可调换，在某些实施方式中，例如，第三过渡层16的第一层161可采用氮氧化硅形成，第三过渡层16的第二层162可采用氧化硅形成，第二过渡层15采用氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。

在某些实施方式中，第三过渡层16的第一层161可采用氮氧化硅形成，第三过渡层16的第二层162可采用氧化硅形成，第二过渡层15采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。

在某些实施方式中，第三过渡层16的第一层161可采用氮氧化硅形成，第三过渡层16的第二层162可采用氧化硅形成，第二过渡层15可包括第一层151和第二层152，第二过渡层15的第一层151可采用氧化硅形成，第二过渡层15的第二层152可采用氮氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。当然，第二过渡层15的第一层151和第二过渡层15的第二层152的材料可调换。例如，第二过渡层15的第一层151可采用氮氧化硅形成，第二过渡层15的第二层152可采用氧化硅形成。在第一过渡层13采用氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13采用氮氧化硅形成时，该封装膜层10包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。在第一过渡层13包括第一层131和第二层132时，该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层；或者该封装膜层10可包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层及氮氧化硅层。

在某些实施方式中，封装膜层10还可缺省第二过渡层15，即封装膜层10包括第三过渡层16和第一过渡层13，而不设置第二过渡层15。

在某些实施方式中，第三过渡层16的厚度小于或等于第三预设厚度。第三预设厚度可与上述的第一预设厚度和/或第二预设厚度相同，在此不再赘述。当然，第三预设厚度也可与第一预设厚度或第二预设厚度不同，在此不再一一列举。

由于第一过渡层13、第二过渡层15及第三过渡层16的厚度可分别小于或等于预设厚度，避免了第一过渡层13、第二过渡层15及第三过渡层16的厚度对该封装膜层10的厚度造成影响。

请参阅图8，本申请实施方式的显示屏100包括显示层20及上述任一实施方式的封装膜层10，显示层20设于缓冲层12的远离第一保护层11的一侧。例如，封装膜层10包括依次层叠设置的第二保护层14、第二过渡层15、缓冲层12、第一过渡层13、第一保护层11及第三过渡层16。此时，显示层20则设于第二保护层14远离第二过渡层15的一侧。将显示层20设于封装膜层10下方，通过封装膜层10对显示层20进行封装，保证了显示层20不受外界的水汽、氧气的干扰。

具体地，第一保护层11和第二保护层14可采用氮化硅形成，氮化硅的致密分子结构能对显示层20进行更加致密的保护，以防止外界水汽、氧气对显示屏100造成损坏。

在某些实施方式中，显示层20可包括依次层叠设置的基板24、阳极23、发光层22及阴极21。

具体地，阴极21和阳极23用于对发光层22通电以使发光层22发光并显示图像。在一个显示屏100中，可拥有成矩阵排序的多个阴极21、发光层22及阳极23，通过控制每个阴极21和阳极23通电，以使得相应的发光层22发光，以使得在显示屏100上显示图像。其中，发光层22可为有机材料形成，例如，该有机材料为有机EL(Organic Electro-Luminescence)。

基板24用于控制发光层22发光以显示图像。其中，基板24用于支撑显示层20及封装膜层10。控制器(例如CPU)可以通过基板24传输电流和信号以控制发光层发光。基板24可以包括TFT基板。

请参阅图9，在某些实施方式中，显示屏100还包括光取出层25，其中，光取出层25的材料可与发光层22的材料相同，例如，光取出层25的材料为有机EL。当然，光取出层25还可以为其他材料，例如，光取出层25的材料为电子阻挡层(electron-blocking layer，缩写为EBL)等等。光取出层25的设置在第二保护层14与阴极21之间。第二保护层14可对光取出层25进行保护，以防止水汽、氧气进入光取出层25内，对光取出层25造成损坏。发光层22发出的光可由光取出层25传导至封装膜层10，以避免发光层22中的光线在显示屏100内发生多次反射，从而增大发光层22中发出的光线在显示屏100内的透光效率。

请参阅图10，在某些实施方式中，基板24具有第四折射率，该显示屏100中还可包括增透膜26，该增透膜26设置在基板24远离阳极23的一侧。增透膜26的折射率是处于第四折射率与空气折射率之间。例如，基板24的第四折射率为1.5，而空气的折射率约为1，因此，经过封装膜层10的光线在经过基板24时会发生反射。因此，在增透膜26的折射率是处于(1，1.5)时，光线在穿过基板24进入空气，反射率减小。

在某些实施方式中，显示屏100还可包括高分子膜材，该高分子膜材可设于封装膜层10远离显示层20的一侧。具体地，高分子膜材可设于第三过渡层16远离第一保护层11的一侧。该高分子膜材可为偏光片或者触屏膜等等，以实现显示屏100的触屏等功能。

请继续参阅图9，在一个实施方式中，显示屏100包括第三过渡层16、第一保护层11、第一过渡层13、缓冲层12、第二过渡层15、第二保护层14、光取出层25、阴极21、发光层22、阳极23及基板24。对应的第三过渡层16、第一保护层11、第一过渡层13、缓冲层12、第二过渡层15及第二保护层14的材料、厚度及折射率的对应关系如表1所示。

表1

膜层名称	材料	厚度(nm)	折射率@550nm
				第三过渡层16	氧化硅	95	1.65
第一保护层11	氮化硅	1000	1.85
				第一过渡层13	氧化硅	95	1.65
缓冲层12	高分子材料	8000	1.52
				第二过渡层15	氧化硅	95	1.65
第二保护层14	氮化硅	1000	1.85

由表1可知，第三过渡层16、第一过渡层13及第二过渡层15均采用氧化硅形成，第一保护层11及第二保护层14均采用氮化硅形成，缓冲层12采用高分子材料形成。则该显示屏100包括依次层叠设置的基板24、阳极23、发光层22、阴极21、光取出层25、氮化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮化硅层及氧化硅层。对该显示屏100进行反射率检测，请参阅图11，图11为该显示屏100在仿真软件中的震荡图，由该震荡图可得到该显示屏100的平均反射率为6.07％。其中，平均反射率是指照射该显示屏100的所有光线(波长在380nm～780nm之间)中，有6.07％的光线会在显示屏100内发生反射。

请继续参阅图9，在另一个实施方式中，显示屏100包括第三过渡层16、第一保护层11、第一过渡层13、缓冲层12、第二过渡层15、第二保护层14、光取出层25、阴极21、发光层22、阳极23及基板24。对应的第三过渡层16、第一保护层11、第一过渡层13、缓冲层12、第二过渡层15及第二保护层14的材料、厚度及折射率的对应关系请参阅表2。

表2

膜层名称	材料	厚度(nm)	折射率@550nm
				第三过渡层16	氮氧化硅	80	1.75
第一保护层11	氮化硅	1000	1.85
				第一过渡层13	氮氧化硅	80	1.75
缓冲层12	高分子材料	8000	1.52
				第二过渡层15	氮氧化硅	80	1.75
第二保护层14	氮化硅	1000	1.85

由表2可知，第三过渡层16、第一过渡层13及第二过渡层15均采用氮氧化硅形成，第一保护层11及第二保护层14均采用氮化硅形成，缓冲层12采用高分子材料形成。则该显示屏100包括依次层叠设置的基板24、阳极23、发光层22、阴极21、光取出层25、氮化硅层、氮氧化硅层、高分子材料层、氮氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层。对该显示屏100进行反射率检测，请参阅图12，图12为该显示屏100在仿真软件中的震荡图，由该震荡图可得到该显示屏100的平均反射率为6.17％。

请继续参阅图9，在另一个实施方式中，显示屏100包括第三过渡层16、第一保护层11、第一过渡层13、缓冲层12、第二过渡层15、第二保护层14、光取出层25、阴极21、发光层22、阳极23及基板24。对应的第三过渡层16、第一保护层11、第一过渡层13、缓冲层12、第二过渡层15及第二保护层14的材料、厚度及折射率的对应关系请参阅表3。

表3

由表3可知，第三过渡层16、第一过渡层13及第二过渡层15均采用氧化硅和氮氧化硅形成，第一保护层11及第二保护层14均采用氮化硅形成，缓冲层12采用高分子材料形成。其中，由于氮氧化硅的折射率大于氧化硅的折射率，因此将氮氧化硅设于靠近氮化硅的一层，使得相邻两层膜层的折射率的差值更小。降低了显示屏100的平均反射率。该显示屏100包括依次层叠设置的基板24、阳极23、发光层22、阴极21、光取出层25、氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、高分子材料层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及氧化硅。对该显示屏100进行反射率检测，请参阅图13，图13为该显示屏100中在仿真软件中的震荡图，由该震荡图可得到该显示屏100的平均反射率为5.56％。

另外，在某些实施方式中，封装膜层10还可以用于封装指纹模组，如此可以防止外界的水汽、气体等进入指纹模组内对指纹模组造成损坏。

请一并参阅图14和图15，本申请实施方式的电子设备1000包括摄像头200及上述任意一种显示屏100，显示屏100包括用于显示图像的显示区110，该显示区110形成有相背的正面111及背面112，显示屏100发出的光线沿背面112指向正面111的方向、并经过缓冲层12、第一过渡层13和第一保护层11后向外界发射，摄像头200设置在显示层20的背面112所在一侧。

具体地，摄像头200可为前置的屏下摄像头，外部光线穿过显示屏100被摄像头200接收。若显示屏100的反射率过大，则显示屏100中会发生更多的反射，经显示屏100反射后的光线最终可能会再被摄像头200接收，影响摄像头200的成像清晰度。因此，在显示屏100内增加第一过渡层13、第二过渡层15及第三过渡层16，以降低显示屏100的平均反射率，提升摄像头200的成像清晰度。当然，显示屏100中的显示层的光线在穿过封装薄膜时，反射率也更小，提高了电子设备100中显示屏100的显示效果。

本申请实施方式的显示屏100和电子设备1000在第一保护层11和缓冲层12之间设置第一过渡层13，第一过渡层13的折射率处于第一保护层11的折射率和缓冲层12的折射率之间，使得光线能在折射率相差较小的第一保护层11和第一过渡层13、第一过渡层13和缓冲层12之间传播。相较于光线直接穿过第一保护层11和缓冲层12，光线依次穿过第一保护层11、第一过渡层13、及缓冲层12的反射率更小，减少了在第一保护层11与缓冲层12之间发生的反射，有利于光线更好地穿过封装膜层10，设置在屏下的摄像头能够接收到更多的光线，成像品质较佳。另一方面，显示屏100(图15所示)发出的光线在缓冲层12和第一过渡层13、第一过渡层13和第一保护层11之间传播时的反射率更小，使得用户看到的显示屏100图像更加清晰，提高了用户体验。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (15)

1.一种封装膜层，其特征在于，包括：

第一保护层，所述第一保护层具有第一折射率；

缓冲层，所述缓冲层具有第二折射率，其中，所述第一折射率与所述第二折射率的差值大于预设折射率，所述缓冲层用于在所述封装膜层弯折时减小所述封装膜层承受的应力；及

第一过渡层，所述第一过渡层设置在所述第一保护层与所述缓冲层之间，所述第一过渡层的折射率处于所述第一折射率与所述第二折射率之间。

2.根据权利要求1所述的封装膜层，其特征在于，所述第一保护层采用氮化硅形成，所述缓冲层采用高分子材料形成。

3.根据权利要求2所述的封装膜层，其特征在于，所述第一过渡层采用氧化硅或氮氧化硅形成。

4.根据权利要求1所述的封装膜层，其特征在于，所述第一过渡层包括第一层和第二层，所述缓冲层、所述第二层、所述第一层及所述第一保护层依次层叠设置。

5.根据权利要求4所述的封装膜层，其特征在于，所述第一层的折射率处于所述第一折射率与所述第二层的折射率之间，所述第二层的折射率处于所述第一层的折射率与所述第二折射率之间。

6.根据权利要求5所述的封装膜层，其特征在于，所述第一保护层采用氮化硅形成，所述第一层采用氮氧化硅形成，所述第二层采用氧化硅形成，所述缓冲层采用高分子材料形成。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的封装膜层，其特征在于，所述封装膜层还包括：

第二保护层，所述缓冲层设置在所述第一保护层和所述第二保护层之间。

8.根据权利要求7所述的封装膜层，其特征在于，所述第二保护层具有第三折射率，所述第三折射率与所述第二折射率的差值大于所述预设折射率，所述封装膜层还包括：

第二过渡层，所述第二过渡层设置在所述缓冲层与所述第二保护层之间，所述第二过渡层的折射率处于所述第三折射率与所述第二折射率之间，所述第二过渡层采用氧化硅或氮氧化硅形成。

9.根据权利要求8所述的封装膜层，其特征在于，所述封装膜层还包括：

第三过渡层，所述第三过渡层设置在所述第一保护层的远离所述缓冲层的一侧，所述第三过渡层的折射率处于所述第一折射率与空气的折射率之间，所述第二过渡层采用氧化硅或氮氧化硅形成。

10.根据权利要求9所述的封装膜层，其特征在于，所述第一过渡层的厚度小于第一预设厚度；和/或

所述第二过渡层的厚度小于第二预设厚度；和/或

所述第三过渡层的厚度小于第三预设厚度。

11.一种显示屏，其特征在于，包括：

显示层，所述显示层用于显示图像；及

权利要求1至10任意一项所述的封装膜层，所述显示层设于所述缓冲层的远离所述第一保护层的一侧。

12.根据权利要求11所述的显示屏，其特征在于，所述显示层包括依次层叠设置的基板、阳极、发光层及阴极，其中，所述阴极和所述阳极用于对所述发光层通电以使所述发光层发光并显示图像；所述基板用于控制所述发光层发光以显示图像。

13.根据权利要求12所述的显示屏，其特征在于，所述显示屏还包括：

光取出层，所述光取出层设置在所述第二保护层与所述阴极之间，所述光取出层用于将所述发光层的光传导至所述封装膜层。

14.根据权利要求12所述的显示屏，其特征在于，所述基板具有第四折射率，所述显示屏还包括：

增透膜，所述增透膜设置在所述基板远离所述阳极的一侧，所述增透膜的折射率处于所述第四折射率与空气的折射率之间。

15.一种电子设备，其特征在于，包括：

摄像头；及

权利要求11至14任意一项所述的显示屏，所述显示屏包括用于显示图像的显示区，所述显示区形成有相背的正面及背面，所述显示屏发出的光线沿所述背面指向所述正面的方向、并经过所述缓冲层、所述第一过渡层和所述第一保护层后向外界发射，所述摄像头设置在所述显示层的所述背面所在一侧。

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