CN111212737B - 流体芯片 - Google Patents

Abstract

一种流体芯片可以包括在其中限定若干个流体通道的流体通道层、设置在流体通道层的一侧上的缝槽层以及限定在缝槽层中的第一流体缝槽和第二流体缝槽。流体通道中的至少一个将第一流体缝槽流体地联接到第二流体缝槽。第一流体缝槽和第二流体缝槽沿着流体芯片的长度限定在缝槽层中。

Description

流体芯片

背景技术

流体芯片是使流体移动通过其各种材料层内的若干个通道的任何流体流动结构或芯片。一种类型的流体芯片是流体喷射芯片，其从芯片喷射流体以便例如当在打印介质上打印图像时将喷射的流体精确地瞄准到基底上。流体盒或打印杆中的流体喷射芯片可以包括在硅基底的表面上的若干个流体喷射元件。通过激活流体喷射元件，流体可以被打印在基底上。流体喷射芯片可包括用于使流体从流体喷射芯片喷射的电阻或压电元件的阵列。流体被促使通过缝缝槽和通道流到流体喷射元件，该缝缝槽和通道流体地联接到流体喷射元件所在的腔室。

附图说明

附图示出了本文所描述的原理的各种示例并且是说明书的一部分。所示出的示例仅是为了说明而给出的，并且不限制权利要求的范围。

图1A是根据本文所描述的原理的一个示例的流体芯片的透视图。

图1B是根据本文所描述的原理的示例的图1A的流体芯片沿着图1A所示的线A-A的剖视图。

图1C是根据本文所描述的原理的示例的图1A的流体芯片沿着图1A所示的线B-B的剖视图。

图1D是根据本文所描述的原理的示例的图1A的流体芯片沿着图1A所示的线C-C的剖视图。

图1E是根据本文所描述的原理的示例的图1A的流体芯片沿着图1A所示的线D-D的剖视图。

图2是根据本文所描述的原理的示例的图1A的流体芯片的一部分的剖面顶视图。

图3是根据本文所描述的原理的另一示例的图1A的流体芯片的一部分的剖面顶视图。

图4是根据本文所描述的原理的又一示例的图1A的流体芯片的一部分的剖面顶视图。

图5是根据本文所描述的原理的又一示例的图1A的流体芯片的一部分的剖面顶视图。

图6A至6D示出了根据本文所描述的原理的示例的流体芯片在制造阶段期间的侧视图。

图7是根据本文所描述的原理的示例的包括图1A至图5的流体芯片的打印流体盒的框图。

图8是根据本文所描述的原理的示例的包括在基底宽打印杆中的若干个流体芯片的打印装置的框图。

图9是根据本文所描述的原理的示例的包括若干个流体芯片的打印杆的框图。

遍及所有附图，相同的附图标记表示相似的但不必相同的元件。附图不一定按比例绘制，并且一些部件的尺寸可能被夸大以更清楚地示出所示的示例。此外，附图提供了与说明书一致的示例和/或实施方式；然而，说明书不限于附图中提供的示例和/或实施方式。

具体实施方式

因为许多流体芯片利用热电阻致动器来分别使流体移动通过流体芯片或者从流体芯片喷射流体，所以流体芯片中的热可能积聚并且导致流体以不期望的方式从芯片喷射，并且导致沿着流体芯片的尺寸出现热梯度。

此外，因为在流体芯片中使用的一些流体（例如墨液）包括可能沉降的颗粒物质，所以流体可能导致在流体芯片的通道或喷嘴中出现粘性堵塞物。这些流体中的一些可以包括可打印流体。可打印流体可以包括墨液、墨粉、清漆、有光涂料、粘合剂、熔合剂、界定剂（defining agent）、生物试剂和生物样品，以及其它可打印流体。在一些示例中，例如，用于打印的流体可以包括墨液和含有固体（诸如颜料）的其他流体。包括颜料的流体可能遭受颜料沉降。颜料可能不能溶于可打印流体（例如墨液连接料）中，并且可形成离散颗粒，如果所述离散颗粒在可打印流体中不稳定，则它们聚集或结块。颜料沉降速率可能是由于颜料尺寸、密度、形状或絮凝程度的差异。为了防止颜料从可打印流体中结块或沉降出来，颜料可以被均匀地分散在可打印流体中并且被以分散形式稳定化，直到可打印流体被用于打印。颜料可以以粒度分布存在于可打印流体中，所述粒度分布可以基于性能属性，例如稳定性、光泽度和光密度（“OD”）等来选择。

此外，随着颜料沉降，可以使用去盖（decapping）来确保具有其颜料的可打印流体准备好打印而不产生不期望的打印错误。颜料沉降导致喷嘴堵塞（流体喷射元件通过该喷嘴喷射可打印流体），从而导致低于最佳打印性能，包括例如具有低于最佳高度的打印带（print swath）。如果这种颜料沉降不是灾难性的，则可以通过在相关联的打印装置中的去盖过程的形式的笔维修的连续步骤而恢复喷嘴。然而，虽然去盖过程可以用于确保可打印流体的喷射如预期的那样发生，但是执行这样的过程花费时间，并且减慢打印产品的生产。

例如，打印质量和速度可能受到流体喷射腔室再填充和从流体芯片上的硅去除热的速率的限制。一些挑战性的流体可能包括由于高固体含量而导致的高粘度流体。这些流体可以受益于再循环和穿透硅再循环（TSR），以防止在通道和喷嘴中由于蒸发而形成颜料沉降和粘性堵塞物。

用于使流体移动通过通道的再循环泵可在再循环回路中产生气穴。这些气穴可能导致与用于移动通道中的流体的uR泵和用于从流体芯片喷射流体的流体致动器有关的打印缺陷、维修停机时间和热失控。增加的热有效载荷和相关联的生成空气的风险限制了流体芯片在引发流体释气、热失控和流体芯片失效之前可以实现的最大流体通量。

引入硅上芯片压力驱动再循环***可以消除对惯性驱动气泡再循环泵及其相关联的负载循环的需要。再循环***可用于通过用流体或洗涤流体吹扫流体芯片的架构区域以便去除空气、沉降的颜料和颗粒来内部地维护流体芯片。减小的负载循环以及再循环新鲜流体的能力还可通过如下方式降低流体芯片的操作温度：改进从流体芯片的大部分硅部分到大部分流体流的热传递，该大部分流体流从流体芯片流出至并穿过外部热交换器或流体再循环***，所述外部热交换器或流体再循环***例如是过滤器、热交换器、流体贮器、其它热交换***和元件或其组合。

因此，可打印流体的再循环可以用于确保颜料沉降和随后的喷嘴的封盖（capping）不会发生或被减轻。再循环过程包括在打印头的引发腔室、流体喷射元件和喷嘴内或附近形成若干个再循环通道。可以使用若干个外部和/或内部泵使可打印流体移动通过再循环通道。再循环通道用作旁通流体路径，并且与内部和外部泵一起使可打印流体再循环通过引发腔室。然而，由再循环泵产生的废热保留在可打印流体中并且增加打印头芯片的温度，包括例如增加打印头芯片中的硅层的温度，该再循环泵可以采用电阻元件的形式。这种温度的增加在打印介质内产生用户可感知的热缺陷。这可能限制再循环的广泛使用以及其减少或消除颜料沉降和喷嘴封盖的益处。

尽管一些打印头和打印头芯片架构能够维持低操作温度，但是来自再循环***（包括其内部的基于电阻器的泵）的废热可能将废热增加到高于期望操作温度。此外，在一些打印头和打印头芯片架构中，再循环***设计可能将通道放置得离流体供给孔（例如，墨液供给孔（IFH））、引发腔室、流体喷射元件、喷嘴或其组合太远，以致不能有效地冷却芯片或用新鲜流体补充流体喷射元件。

本文描述的示例提供了若干个流体芯片。流体芯片可以包括在其中限定若干个流体通道的流体通道层、设置在流体通道层的一侧上的缝槽层、以及限定在缝槽层中的第一流体缝槽和第二流体缝槽。流体通道中的至少一个将第一流体缝槽流体地联接到第二流体缝槽。第一流体缝槽和第二流体缝槽沿着流体芯片的长度限定在缝槽层中。

流体芯片可以包括流体喷射层，该流体喷射层经由限定在流体喷射层内的若干个流体供给孔流体地联接到流体通道。流体喷射层可以包括设置在若干个流体喷射腔室中的若干个流体喷射致动器以及与所述若干个流体喷射腔室对应的若干个喷嘴。流体通道可以基于流体喷射层内的流体喷射致动器的布置而被限定在流体通道层内。

流体芯片可以包括设置在流体通道层和缝槽层之间的绝缘体上硅（SOI）层以及限定在SOI层中的第一SOI孔口口和第二SOI孔口口。第一和第二SOI层可以将第一流体缝槽和第二流体缝槽流体地联接到流体通道中的至少一个。限定在流体通道层中的流体通道在流体通道之间形成若干个肋或柱。

流体芯片可以包括限定在将若干个流体通道中的两个分开的肋或柱中的至少一个通道间通路。通道间通路将流体喷射腔室流体地联接到两个相邻的流体通道，并且微流体泵设置在通道间通路内以将流体从第一流体通道泵送通过通道间通路，经过设置在流体喷射腔室中的一个的第一流体喷射致动器中的一个，并且进入与第一流体通道相邻的第二通道。

第一流体通道可将第一流体缝槽流体地联接到第二流体缝槽，并且两个相邻的流体通道可流体地联接到第一流体缝槽而不是第二流体缝槽。流体芯片可以包括限定在将若干个流体通道中的每个流体通道分开的若干个肋或柱中的若干个通道间通路。通道间通路将流体喷射腔室流体地联接到相邻的流体通道。从第一缝槽流入两个相邻流体缝槽的流体通过通道间通路流入第一流体通道。

本文描述的示例还提供了一种用于使流体在流体芯片内再循环的***。该***可包括流体贮器以及在其中限定若干个流体通道的流体通道层。流体通道层可流体地联接到流体贮器。该***还可以包括设置在流体通道层的流体地邻近流体贮器的一侧上的缝槽层以及限定在缝槽层中的第一流体缝槽和第二流体缝槽。流体通道中的至少一个可将第一流体缝槽流体地联接到第二流体缝槽。第一流体缝槽和第二流体缝槽可以沿着流体芯片的长度限定在缝槽层中。

该***可以包括流体芯片，其中，流体芯片包括流体喷射层。流体喷射层可以包括设置在若干个流体喷射腔室中的若干个流体喷射致动器并包括若干个喷嘴。流体通道可以经由限定在流体喷射层内的若干个流体供给孔流体地联接到流体喷射腔室。流体通道可以基于流体喷射层内的流体喷射致动器的布置而被限定在流体通道层内。

该***可以包括设置在流体通道层和缝槽层之间的绝缘体上硅（SOI）层以及限定在SOI层中的第一SOI孔口和第二SOI孔口。第一和第二SOI层可以将第一流体缝槽和第二流体缝槽流体地联接到流体通道中的至少一个。限定在流体通道层中的流体通道可在流体通道之间形成若干个肋或柱。该***可以包括限定在将若干个流体通道中的两个分开的肋或柱中的至少一个通道间通路。通道间通路可将流体喷射腔室流体地联接到两个相邻的流体通道。微流体泵可以设置在通道间通路内，以将流体从第一流体通道泵送通过通道间通路，经过设置在流体喷射腔室中的一个的第一流体喷射致动器中的一个，并且进入与第一流体通道相邻的第二通道。

第一流体通道可将第一流体缝槽流体地联接到第二流体缝槽，并且两个相邻的流体通道流体地联接到第一流体缝槽而不是第二流体缝槽。流体芯片还可以包括限定在将若干个流体通道中的每个流体通道分隔开的若干个肋或柱中的若干个通道间通路。通道间通路将流体喷射腔室流体地联接到相邻的流体通道。从第一缝槽流入两个相邻流体缝槽的流体通过通道间通路流入第一流体通道。该***可以包括外部泵和热交换装置，该外部泵在流体芯片外部并且流体地联接到第一缝槽以在第一缝槽和第二缝槽之间产生压力差，该热交换装置用于在流体经由第二缝槽离开流体芯片时冷却流体。

如在本说明书和所附权利要求中所使用的，术语“致动器”是指从喷嘴喷射流体的任何装置或任何其它非喷射致动器。例如，操作以从流体喷射芯片的喷嘴喷射流体的致动器可以是例如电阻器或压电致动器，电阻器产生气蚀气泡以喷射流体，压电致动器迫使流体从流体喷射芯片的喷嘴喷出。作为非喷射致动器的示例的再循环泵使流体移动通过流体喷射芯片内的通路、通道和其它路径，并且可以是任何电阻装置、压电装置或其它微流体泵装置。

此外，如本说明书和所附权利要求中所使用的，术语“喷嘴”是指流体喷射芯片的单独部件，流体通过该部件分配到表面上。喷嘴可以与至少一个喷射腔室和用于迫使流体通过喷嘴的开口离开喷射腔室的致动器相关联。

此外，如本说明书和所附权利要求中所使用的，术语“流体打印盒”可以指在将诸如墨液的流体喷射到打印介质上时使用的任何装置。通常，打印流体盒可以是流体喷射装置，其分配流体，例如墨液、蜡、聚合物、生物流体、反应物、分析物、药物或其它流体。流体打印盒可包括至少一个流体喷射芯片。在一些示例中，流体打印盒可用于例如打印装置、三维（3D）打印装置、绘图仪、复印机和传真机中。在这些示例中，流体喷射芯片可以将墨液或另一流体喷射到诸如纸的打印介质上以形成期望的图像或以其他方式将一定量的流体放置在打印介质的数字编址的部分上。

此外，如本说明书和所附权利要求中所使用的，术语“长度”是指所描绘的物体的较长的或最长的维度，而“宽度”是指所描绘的物体的较短的或最短的维度。

更进一步，如本说明书和所附权利要求中所使用的，术语“若干个”或类似语言意在被广泛地理解为包括1至无穷大的任何正数。

现在转到附图，图1A是根据本文所描述的原理的示例的流体芯片（100）的透视图。图1B至1E是根据本文所描述的原理的示例的图1A所示流体芯片（100）分别沿如图1A所示的线A-A、B-B、C-C和D-D的剖视图。图1A至1E的流体芯片（100）包括在本文所描述的示例中通用的元件。

流体芯片（100）包括流体通道层（140）。流体通道层（140）包括形成在通道层中的若干个流体通道（104），以允许流体沿着流体芯片（100）的宽度行进。限定在流体通道层（140）中的流体通道（104）在流体通道（104）之间形成若干个肋或柱。由流体通道（104）形成的这些肋或柱可以沿它们的长度连续或不连续。流体缝槽层（150）可以设置在流体通道层（140）的与流体喷射层（101）相对的一侧上。缝槽层（150）包括形成在其中的至少两个缝槽（151、152）。缝槽（151、152）包括第一流体缝槽（151）和第二流体缝槽（152），其沿着流体芯片（100）的长度限定在缝槽层（150）中并且相对于流体芯片（100）的宽度位于流体芯片（100）的相对侧上。缝槽（151、152）通过缝槽层（150）和通道层（140）流体地联接到流体通道（104），使得如由流体缝槽（151、152）中所示的箭头所示的那样从流体芯片（100）的底部进入的流体通过第一流体缝槽（151）进入流体芯片并且通过第二流体缝槽（152）离开流体芯片（100）。

以这种方式，流体通过第一流体缝槽（151）进入流体芯片（100），行进通过限定在通道层（140）中的若干个通道（104），进入第二流体缝槽（152），并且返回到例如流体源。进入流体芯片（100）的流体中的一些从流体喷射层（101）喷射，但流体通过流体缝槽（151、152）和流体通道（104）的运动确保了沿着流体行进的路径（包括在流体缝槽（151、152）、流体通道（104）以及流体喷射层（101）的流体供给孔（108）、流体喷射腔室（110）和喷嘴孔口（112）内）不形成粘性堵塞物。此外，通过流体缝槽（151、152）和流体通道（104）的流体流用作冷却***以冷却设置在流体芯片（100）内的致动器，包括从流体芯片（100）喷射流体通过流体喷射层（101）的流体喷射致动器（114）以及使流体移动通过流体芯片（100）内的通路、通道和其它路径的非喷射致动器。

在本文所描述的示例中，来自例如流体贮器（图7，750）的流体可流体地联接到缝槽（151、152）以使流体以环形方式进出流体芯片（100）。此外，在一个示例中，热交换器（图7，751）可以被包括在流体贮器（750）中或流体地联接到流体贮器（750），以在流体已经移动通过流体芯片（100）并收集热之后从流体散热。过滤器（图7，752）也可以被包括在流体贮器（750）中或流体地联接到流体贮器（750），以从流体过滤任何杂质。因为流体通道（104）形成在流体通道层（140）中，所以更多的热可以被流体收集，再循环通过流体芯片（100），并通过使用热交换器（图7，751）和流体贮器（750）而消散。

流体通道（104）中的至少一个将第一流体缝槽（151）流体地联接到第二流体缝槽（152）。如本文更详细地描述的，流体通道（104）可以形成在跨过流体芯片的宽度的对角线上。然而，流体通道（104）可以以跨过流体芯片（100）的宽度的任何角度形成，以便将第一流体缝槽（151）流体地联接到第二流体缝槽（152）。

流体芯片（100）还可以包括绝缘体上硅（SOI）层（160）。SOI层（160）可以在制造期间用于SOI蚀刻工艺中，以在流体芯片（100）中形成流体缝槽（151、152）和流体通道（104）。SOI层（160）例如可以由氧化硅制成。此外，在包括了流体供给孔基底（118）的示例中，沉积在流体供给孔基底（118）和流体通道层（140）之间的附加SOI层可用于蚀刻流体缝槽（151、152）直到在流体供给孔基底（118）和流体通道层（140）之间的SOI层，然后使用湿法蚀刻工艺去除。本文更详细地描述制造流体芯片（100）的方法。

如图1B和1C所示，包括形成在流体喷射层（101）中的若干个流体喷射子组件（102）中的一个的图示。为了将流体喷射到诸如打印介质的基底上，流体芯片（100）包括流体喷射子组件（102）的阵列。为了简化，在图1A中，一个流体喷射子组件（102）以及特别是其喷嘴孔口（112）在图1A中已经用附图标记表示。此外，应当注意，流体喷射子组件（102）和流体芯片（100）的相对尺寸不是按比例的，为了说明的目的，流体喷射子组件（102）被放大。流体芯片（100）的流体喷射子组件（102）可以成列地布置成列或者布置成阵列，使得当流体芯片（100）和打印介质相对于彼此移动时，来自流体喷射子组件（102）的适当顺序的流体喷射导致字符、符号和/或其它图形或图像被打印在打印介质上。

在一个示例中，阵列中的流体喷射子组件（102）可以进一步分组。例如，阵列的流体喷射子组件（102）的第一子组可涉及一种颜色的墨液或者涉及具有一组流体性质的一种类型的流体，而阵列的流体喷射子组件（102）的第二子组可涉及另一种颜色的墨液或者涉及具有一组不同的流体性质的流体。流体芯片（100）可以联接到控制器，该控制器控制流体芯片（100）从流体喷射子组件（102）喷射流体。例如，控制器限定喷射流体滴的图案，其在打印介质上形成字符、符号和/或其它图形或图像。喷射流体滴的图案由从计算装置接收的打印作业命令和/或命令参数确定。

为了喷射流体，流体喷射子组件（102）包括若干个部件。例如，流体喷射子组件（102）可以包括喷射腔室（110）、喷嘴孔口（112）和流体喷射致动器（114），喷射腔室（110）用于保持将要喷射的一些流体，一些流体通过喷嘴孔口（112）喷射，流体喷射致动器（114）布置在喷射腔室（110）内以通过喷嘴孔口（112）喷射所述一些流体。喷射腔室（110）和喷嘴孔口（112）可以限定在流体喷射层（101）中，其可以沉积在流体喷射层（101）的流体供给孔基底（118）的顶上，或者在不包括流体供给孔基底（118）的示例中直接设置在流体通道层（140）的顶上。在一些示例中，喷嘴基底（116）可以由SU-8或其他材料形成。

转到流体喷射致动器（114），流体喷射致动器（114）可以包括引发电阻器或其它热装置、压电元件或用于从喷射腔室（110）喷射流体的其它机构。例如，流体喷射致动器（114）可以是引发电阻器。引发电阻器响应于所施加的电压而升温。当该引发电阻升温时，喷射腔室（110）中的流体的一部分蒸发以形成气蚀气泡。该气蚀气泡将流体推出喷嘴孔口（112）并推到打印介质上。随着蒸发的流体气泡爆裂，流体从流体供给孔（108）被吸入喷射腔室（110），并且该过程重复。在该示例中，流体芯片（100）可以是热喷墨（TIJ）流体芯片（100）。

在另一个示例中，流体喷射致动器（114）可以是压电装置。当施加电压时，压电装置改变形状，这在喷射腔室（110）中产生压力脉冲，并且将流体推出喷嘴孔口（112）并推到打印介质上。在该示例中，流体芯片（100）可以是压电喷墨（PIJ）流体芯片（100）。

流体芯片（100）还包括形成在流体供给孔基底（118）中的若干个流体供给孔（108）。流体供给孔（108）将流体输送到对应的喷射腔室（110）和从相应的喷射腔室输送流体。在一些示例中，流体供给孔（108）形成在流体供给孔基底（118）的穿孔膜中。例如，流体供给孔基底（118）可由硅形成，并且流体供给孔（108）可形成在穿孔硅膜中，该穿孔硅膜形成流体供给孔基底（118）的一部分。也就是说，膜可以被穿设有孔，当与喷嘴基底（116）结合时，所述孔与喷射腔室（110）对准以在喷射过程期间形成流体的进入和流出路径。如图1B和1D所示，两个流体供给孔（108）可对应于每个喷射腔室（110），使得该对中的一个流体供给孔（108）是通向喷射腔室（110）的入口，而另一个流体供给孔（108）是离开喷射腔室（110）的出口，如这些图的投影窗口中所示的箭头所示。在一些示例中，流体供给孔（108）可以是圆孔、具有圆角的方孔或其它类型的通路。在包括了流体供给孔基底（118）的示例中，沉积在流体供给孔基底（118）和流体通道层（140）之间的附加SOI层可用于蚀刻流体缝槽（151、152）直到流体供给孔基底（118）和流体通道层（140）之间的SOI层，然后使用湿法蚀刻工艺去除。

此外，在一个示例中，流体芯片（100）可以不包括流体供给孔基底（118）。在该示例中，流体喷射致动器（114）设置在流体通道层（140）上，并且喷嘴基底（116）直接设置在流体通道层（140）的顶上。此外，在该示例中，喷射腔室（110）和喷嘴孔口（112）与流体喷射致动器（114）对准。因此，在该示例中，流体在到达喷射腔室（110）之前不流动通过流体供给孔（108），而是在其行进通过若干个流体通道（104）时直接流过流体喷射致动器（114）。流体芯片（100）不包括流体供给孔基底（118）的该示例在图2至图6D中示出。

流体芯片（100）还可以包括限定在流体通道层（140）中的若干个流体通道（104）。流体通道（104）沿着流体喷射装置的宽度限定在流体通道层（140）内。流体通道（104）可形成为与流体供给孔基底（118）的背侧流体地交界（interface）或直接与流体喷射腔室（110）流体地交界，并且相应地将流体输送至限定在流体供给孔基底（118）内的流体供给孔（108）或流体喷射腔室（110），并且相应地从限定在流体供给孔基底（118）内的流体供给孔（108）或流体喷射腔室（110）输送流体。在一个示例中，每个流体通道（104）流体地联接到流体供给孔（108）的阵列的若干个流体供给孔（108）或流体喷射腔室（110）的阵列。也就是说，流体进入流体通道（104），行进通过流体通道（104），行进到相应的流体供给孔（108）或直接通过流体喷射腔室（110），并且然后离开流体供给孔（108）或流体喷射腔室（110），并且进入流体通道（104）以与相关联的流体输送***中的其它流体混合。

在一些示例中，穿过流体通道（104）的流体路径垂直于穿过在包括流体供给孔基底（118）的示例中的流体供给孔（108）的流动。也就是说，流体进入第一流体缝槽（151），行进通过流体通道（104），行进到相应的流体供给孔（108），然后离开第二流体缝槽（152）以与相关联的流体输送***中的其它流体混合。在不包括流体供给孔基底（118）的示例中，流体进入第一流体缝槽（151），行进通过流体通道（104），行进到相应的流体喷射腔室（110），离开流体喷射腔室（110），并且然后离开第二流体缝槽（152）以与相关联的流体输送***中的其它流体混合。

流体通道（104）由任何若干表面限定。例如，流体通道（104）的一个表面可由流体供给孔基底（118）的膜部分限定，在包括了流体供给孔基底（118）的示例中，流体供给孔（108）限定在该膜部分中。在另一示例中，流体通道（104）的一个表面可以由喷嘴基底（116）限定，在不包括流体供给孔基底（118）的示例中，喷射腔室（110）和喷嘴孔口（112）限定在喷嘴基底（116）中。另一表面可至少部分地由流体通道层（140）限定。

阵列的单独流体通道（104）可对应于特定行的流体供给孔（108）和/或对应的喷射腔室（110）。例如，如图1A中所描绘的，流体喷射子组件（102）的阵列可以成行地布置，并且每个流体通道（104）可以与一行对准，使得一行中的流体喷射子组件（102）可以共享同一个流体通道（104）。虽然图1A描绘了成直线、对角线的流体喷射子组件（102）的行，但是流体喷射子组件（102）的行可以是成角度的、弯曲的、人字形的、交错的、或以其他方式定向或布置的。因此，在这些示例中，流体通道（104）可以类似地成角度、弯曲、人字形、或以其他方式定向或布置成与流体喷射子组件（102）的布置对准。在另一个示例中，特定行的流体供给孔（108）可对应于若干个流体通道（104）。也就是说，行可以是直的，但是流体通道（104）可以是成角度的。虽然具体参考了每两行流体喷射子组件（102）一个流体通道（104），但是更多或更少行的流体喷射子组件（102）可以对应于单个流体通道（104）。

此外，如图1B、1C和1D所示，多个流体通道（104）可由肋或柱（141）隔开。肋或柱（141）可用于支撑流体通道层（140）上方的层，包括喷嘴基底（116）和流体供给孔基底（118）（在包括流体喷射层（101）的流体供给孔基底（118）的示例中。在一个示例中，肋或柱（141）在相邻的流体通道（104）之间延伸流体通道（104）的长度，在另一个示例中，肋或柱（141）可沿着流体通道（104）的长度或宽度是断续的，此外，肋或柱可包括沿流体通道（104）之间形成的这些结构的长度的连续或不连续结构。在例如形成柱的不连续结构的情况中，流体可在流体通道层（140）内在柱周围自由移动。

在一些示例中，流体通道（104）将流体输送到流体供给孔（108）的阵列的不同子组的行。例如，如图1A和1C所示，多个流体通道（104）可以将流体输送到第一子组中的一行流体喷射子组件（102）和第二子组中的一行流体喷射子组件（102）。在该示例中，一种类型的流体（例如第一颜色的一种墨液）可以经由其对应的流体通道（104）被提供给第一子组，并且第二颜色的墨液可以经由其对应的流体通道（104）被提供给第二子组。在特定示例中，单色流体芯片（100）可以实现跨流体喷射子组件（102）的多个子组的至少一个流体通道（104）。这种流体芯片（100）可以用于多色打印流体盒中。

这些流体通道（104）促进通过流体芯片（100）的流体流量增加。例如，在没有流体通道（104）的情况下，在流体芯片（100）的背侧上行进的流体可能不足够靠近流体供给孔（108）和/或喷射腔室（110）行进以与通过流体喷射子组件（102）行进的流体充分混合。然而，流体通道（104）将流体抽吸得更靠近流体喷射子组件（102），从而促进更好的流体混合。当从流体喷射子组件（102）移除用过的流体时，增加的流体流量还改善喷嘴健康，如果用过的流体遍及流体喷射子组件（102）进行再循环，则用过的流体会损坏流体喷射子组件（102）。

此外，当较冷流体移动通过流体通道（104）、进入流体供给孔（108）和/或喷射腔室（110）并且回到流体通道（104）中时，冷的流体通过热传递从流体喷射致动器（114）带走热量而使流体喷射致动器（114）冷却。因此，待由流体喷射子组件（102）喷射的流体还用作冷却剂，以冷却流体芯片（100）内的流体喷射致动器（114），并且进而冷却流体芯片（100）整体。

然而，当流体沿着流体芯片（100）的长度或宽度在第一流体喷射致动器（114）上经过时，流体比其被引入到第一流体喷射致动器（114）时相对更热。当流体经过相继的第一流体喷射致动器（114）时，流体变得越来越热。这导致流体的冷却剂效果随着其沿着流体喷射致动器（114）的行从流体芯片（100）的一端移动到另一端而变得越来越低效，并且导致沿着流体芯片（100）的长度形成热梯度，其中，流体首先被引入流体通道（104）处的流体芯片（100）的第一端比流体离开流体通道（104）处的流体芯片（100）的第二端相对更冷，并且其中，流体首先被引入处的流体芯片（100）的第一侧比第二侧相对更冷。为了减少或消除流体芯片（100）中的这种热梯度，本文所描述的一些示例（包括图2到图5中所描绘的那些）可以将已经与一组致动器（包括单个流体喷射致动器（114）和/或用来使流体移动经过流体喷射致动器（114）的单个泵致动器）相互作用的相对较热的流体倾倒到流体通道（104）中，所述流体通道（114）用来将流体移出流体芯片（100）而不与另一组致动器相互作用，或者用来以相对较热的流体与所述致动器的组相互作用较少的方式将流体移出流体芯片（100）。图4的示例尤其确保了流体绝不流动通过两组致动器，而本文所描述的其它示例减小流体流过两组或更多组致动器的可能性。

假定流体缝槽（151、152）延伸流体芯片（100）的长度，并且流体通道层（140）内的流体通道（104）延伸跨过流体芯片（100）的宽度，则流体缝槽（151、152）用于向流体通道（104）和流体喷射层（101）提供新鲜的、冷的流体，使得可以减小或消除否则可能沿着流体芯片（100）的长度或宽度存在的任何温度梯度。在一个示例中，若干个外部泵可以流体地联接到流体缝槽（151、152）。外部泵导致流体流入和流出流体缝槽（151、152）以及流入和流出流体地联接的流体通道（104）。在冷流体不断流入流体通道（104）以及流体喷射子组件（102）的流体供给孔（108）和/或喷射腔室（110）的情况下，使得新鲜的冷流体可用于流体喷射层（101）。此外，通过将由流体喷射子组件（102）的流体喷射致动器（114）和非喷射致动器加热的流体从流体喷射层（101）和流体通道（104）中拉出，热被连续地从***中移除，并且沿着流体芯片（100）不形成任何热梯度。

在一个示例中，虽然附图示出了直的流体通道（104），但是在一些示例中，侧壁可以包括不平坦或非线性的侧壁，诸如锯齿形侧壁。可以包括另外的柱或其它结构以在微通道中产生湍流，并促进流体通过流体供给孔（108）和/或流体喷射腔室（110）的再循环联接到流体通过流体通道（104）和流体缝槽（151、152）的再循环。

在一个示例中，若干个内部泵可以用于使流体移动通过包括流体供给孔（108）和/或喷射腔室（110）的再循环通道以及诸如流体通道（104）和流体缝槽（151、152）的相对较大的再循环通道。这些内部泵可采取再循环泵的形式，再循环泵是使流体移动通过流体芯片（100）内的通路、通道和其它路径的非喷射致动器的示例。再循环泵可以是任何电阻装置、压电装置或其它微流体泵装置。

图2是根据本文所描述的原理的示例的图1A的流体芯片（200）的一部分的剖面顶视图。流体芯片（200）的流体喷射层（101）已经被去除以示出覆盖缝槽层（150）的流体通道层（140）和SOI层（160）。图2的示例可包括跨过流体芯片（200）的宽度对角地布置的若干个流体喷射腔室（110）。流体喷射致动器（114）设置在每个流体喷射腔室（110）内，并且喷口（201）将流体喷射腔室（110）流体地联接到流体通道（104）。图2中示出的虚线箭头指示流体通过流体缝槽（151、152）和流体通道（104）的流动。如图所示，流体大致从流体芯片（200）的左下部通过流体缝槽（151、152）和流体通道（104）流到如图2所示的右上部。也结合图3和图4示出了这种一般惯例，并且图2至图5所示的虚线箭头指示通过这些示例的流体芯片的流体流动。

如图2中的流体流动通过流体缝槽（151、152）和流体通道（104），并且进入流体喷射腔室（110）。在该示例中，由于流体从流体通道（104）移动到流体喷射腔室（110）中而在流体喷射腔室（110）处流体从流体芯片（200）喷出，由流体喷射致动器（114）的激活而产生的热可以被显著地减少或消除。以这种方式，通过流体喷射致动器（114）的激活而变热的相对较热的流体大部分从流体芯片（200）排出，并且不会再循环回到流体通道（104）中。即使一些流体被排出回到流体通道（104）中，流体通道（104）内的相对较热的流体的这个量可能是可忽略的或者以其他方式对于显著地加热流体芯片（200）而言是无效的。此外，如本文所描述的，图2的示例可以包括或可以不包括流体喷射层（101）的喷嘴基底（116）和流体供给孔基底（118）两者，或可以只包括喷嘴基底（116）。

图3是根据本文所描述的原理的另一示例的图1A的流体芯片（300）的一部分的剖面顶视图。图3的流体芯片（300）可以包括设置在流体喷射腔室（110）的阵列中的流体喷射致动器（114）的阵列。非喷射致动器（314）可以经由通道间通路（320）流体地联接到每个流体喷射腔室（110）。非喷射致动器（314）可以是例如微流体泵。通道间通路（320）可经由位于通道间通路（320）的第一端处的第一喷口（301）和位于通道间通路（320）的第二端处的第二喷口（302）流体地联接到两个相邻的流体通道（104），所述第一喷口（301）流体地联接到第一流体通道（104），所述第二喷口（302）流体地联接到相邻的第二流体通道（104）。因此，在图3的示例中，流体可以从第一流体通道（104）流入第一喷口（301），经过非喷射致动器（314），通过通道间通路（320），并且进入流体喷射腔室（110）。一旦在流体喷射腔室（110）中，就可以使用流体喷射致动器（114）通过流体喷射层（101）（未示出）喷射流体喷射腔室（110）内的流体中的一部分，并且可以将流体的剩余部分通过第二喷口（302）移出流体喷射腔室（110）并进入相邻的第二流体通道（104）。非喷射致动器（314）可以是使流体从第一流体通道（104）通过通道间通路（320）和流体喷射腔室（110）移动到相邻的第二流体通道（104）中的任何致动器。在另一个示例中，非喷射致动器（314）可以是使流体在相反方向上从第二流体通道（104）通过流体喷射腔室（110）和通道间通路（320）移动到相邻的第一流体通道（104）中的任何致动器。此外，在又一个示例中，与流体喷射致动器（114）和流体喷射腔室（110）的阵列相关联的非喷射致动器（314）的阵列可以导致流体在相反方向上移动。

在又一示例中，在对角行（330、340、350）内的非喷射致动器（314）、通道间通路（320）、流体喷射腔室（110）、流体喷射致动器（114）、第一喷口（301）和第二喷口（302）的取向和布局可以相对于相邻的对角行（330、340、350）是相反的。这在图3中示出，其中，对角行（330、340、350）具有相反的取向和布局。在该示例中，未从例如对角行340和350内的流体喷射腔室（110）喷射的任何流体可被倾倒到这两个对角行（340、350）之间的公共流体通道（104）中。以这种方式，通过其与非喷射致动器（314）和流体喷射致动器（114）接触而变热的相对较热的流体可以被倾倒到对角行340和350之间的流体通道（104）中，而不存在相对较热的流体被吸入非喷射致动器（314）、通道间通路（320）、流体喷射腔室（110）、流体喷射致动器（114）、第一喷口（301）和第二喷口（302）的另一对角方向的行（330、340、350）中的风险。图3的对角行（330、340、350）的取向在整个流体芯片（300）中可以是均匀的，使得所有对角行具有面向相反方向的元件，如对角行（330、340、350）之间所示的。图3中示出的非相反面向的对角行用于标识替代的示例。

由于对角行（330、340、350）的相反取向，来自第一流体缝槽（151）的冷流体进入流体通道（104），例如对角行340和350之间的流体通道（104），移动通过那些对角行（340、350）的流体喷射腔室（110）进入对角行（340、350）的相对侧上的流体通道（104）中，远离对角行340和350之间的流体通道（104）。然后，流入位于对角行（340、350）的相对侧上的流体通道（104）中的来自第一流体缝槽（151）的流体将会把从那些对角行（340、350）的流体喷射腔室（110）分配的相对较热的流体冲出到所述第二流体缝槽（152），并且冲出流体芯片（300）。因此，在该示例中，流体在离开流体芯片（300）之前可能不会被多于一组的非喷射致动器（314）和流体喷射致动器（114）加热。

在又一示例中，可以使用非喷射致动器（314）的致动方向和对角行（330、340、350）内的元件的取向的组合，使流体移动通过非喷射致动器（314）、通道间通路（320）、流体喷射腔室（110）、流体喷射致动器（114）、第一喷口（301）和第二喷口（302）。在该示例中，对角行（330、340、350）及其元件的布置和布局以及非喷射致动器（314）的致动方向可以以任何组合使用，以导致相对较热的流体被吸入相继的流体喷射腔室（110）中。

图4是根据本文所描述的原理的又一示例的图1A的流体芯片（400）的一部分的剖面顶视图。图4的流体芯片（400）可以包括设置在流体喷射腔室（110）的阵列中的流体喷射致动器（114）的阵列。在一个示例中，若干个非喷射致动器（414）可以经由通道间通路（420）流体地联接到每个流体喷射腔室（110）。然而，为了简单起见并且为了描述图4的示例的功能，这些非喷射致动器（414）没有结合图4详细描述。被包括在图4的示例中的任何非喷射致动器（414）可以与任何流体喷射致动器（114）和流体喷射腔室（110）一起被包括，并且可以位于通道间通路（420）的第一（401、404）和第二（402、403）喷口处，如图4的单个示例中所示。当存在时，非喷射致动器（414）可以是使流体从第一流体通道（104）通过通道间通路（420）和流体喷射腔室（110）移动到相邻的第二流体通道（104）中的任何致动器。在另一个示例中，非喷射致动器（414）可以是使流体在相反方向上从第二流体通道（104）通过流体喷射腔室（110）和通道间通路（420）移动到相邻的第一流体通道（104）中的任何致动器。此外，在又一示例中，与流体喷射致动器（114）和流体喷射腔室（110）的阵列相关联的非喷射致动器（414）的阵列可以使流体在相反方向上移动。

通道间通路（420）可经由位于通道间通路（420）的第一端处的第一喷口（401）和位于通道间通路（420）的第二端处的第二喷口（402）流体地联接到两个相邻的流体通道（104），第一喷口（401）流体地联接到第一流体通道（104），第二喷口（402）流体地联接到相邻的第二流体通道（104）。因此，在图4的示例中，流体可以从第一流体通道（104）流入第一喷口（401），通过通道间通路（420），并且进入流体喷射腔室（110）。一旦在流体喷射腔室（110）中，就可以使用流体喷射致动器（114）通过流体喷射层（101）（未示出）喷射流体喷射腔室（110）内的流体中的一部分，并且可以将流体的剩余部分通过第二喷口（402）移出流体喷射腔室（110）并进入相邻的第二流体通道（104）。

在图4的示例中，若干个第一转向壁（415）和若干个第二转向壁（416）。转向壁（415、416）用于导致流入流体通道（104）的流体转向通过若干个通道间通路（420）并进入相邻的流体通道（104）。图4中示出的左上流体通道（104）流体地联接到第一流体缝槽（151），并且包括第一转向壁（415）。第一转向壁（415）阻止流体移动到第二流体缝槽（512）中。第一转向壁（415）使用虚线示出以指示第一转向壁（415）结束该特定流体通道（104）使其不能流体地联接到第二流体缝槽（152）。终止于第一转向壁（415）的流体通道（104）的端部也被示出在流体芯片（400）的右侧，并且被示出为在第二流体缝槽（152）之前终止。以这种方式，包括第一转向壁（415）的流体通道流体地联接到第一流体缝槽（151），并且不流体地联接到第二流体缝槽（152）。因此，进入包括第一转向壁（415）的流体通道（104）的任何流体经由第一流体缝槽（151）进入，并且经由若干个通道间通路（420）离开这些流体通道（104）。

相反，第二转向壁（416）流体地联接到第二流体缝槽（152），并且不流体地联接到第一流体缝槽（151）。包括第二转向壁（416）的流体通道（104）的示例在图4的左上方示出，其中，从左上方起的第二个流体通道（104）包括第二转向壁（416）。因此，进入包括第二转向壁（416）的流体通道（104）的任何流体经由若干个通道间通路（420）进入，并且经由第二流体缝槽（152）离开这些流体通道（104）。

在这种理解的情况下，流体可以进入包括第一转向壁（415）的流体通道（104），并且转向进入第一喷口（401、404），通过通道间通路（420），穿过流体喷射致动器（114），离开第二喷口（402、403），进入包括第二转向壁（416）的相邻流体通道（104），并且进入第二流体缝槽（152）。由于包括了第一转向壁（415）和第二转向壁（416），来自第一流体缝槽（151）的冷流体进入流体通道（104），例如对角行440和450之间的流体通道（104），移动通过对角行（440，450）的流体喷射腔室（110）进入对角行（440，450）的相对侧上的流体通道（104），远离对角行440和450之间的流体通道（104）。以这种方式，具有第二转向壁（416）的流体通道用作已经从包括第一转向壁（415）的那些流体通道穿过通道间通路（420）的相对较热的流体的收集器（dump），并且流体在离开流体芯片（300）之前可以不被多于一个的流体喷射致动器（114）加热。

在一个示例中，转向壁（415、416）可以是局部壁或穿孔壁，以允许一些流体离开转向壁（415、416）并注入流体缝槽（151、152）。在该示例中，流体中的一些可以行进通过穿孔的转向壁（415、416），使得转向壁（415、416）用作流体流动限制器。

在图4的示例中，从第一流体缝槽（151）到第二流体缝槽（152）的流体流动可以通过在两个流体缝槽（151、152）之间施加压力差来实现。在另一个示例中，可以通过使用在本文结合所描述的非喷射致动器（414）来帮助流体流动。

图5是根据本文所描述的原理的又一示例的图1A的流体芯片（500）的一部分的剖面顶视图。图5的示例包括若干个流体通道（104），每个流体通道（104）包括设置在多个流体喷射腔室（110）中的多个流体喷射致动器（114），其中，流体喷射腔室（110）流体地串联联接在第一流体缝槽（151）和第二流体缝槽（152）之间。在一个示例中，一个流体喷射腔室（110）及其相关联的流体喷射致动器（114）可以被包括在单个流体通道（104）内。

图5的流体通道（104）形成在流体缝槽（151、152）和覆盖缝槽层（150）的SOI层（160）上。在图5的示例中，可以在第一流体缝槽（151）与第二流体缝槽（152）之间产生压力差，以使流体移动通过流体喷射腔室（110）。此外，中间腔室（515）可以形成在流体喷射腔室（110）之间。流体可进入和离开将流体喷射腔室（110）流体地联接到流体通道（104）和中间腔室（515）的若干个喷口（501、502、503、504）。喷口（501、502、503、504）可流体地联接到流体通道层（140）中的流体通道（104）和流体缝槽层（150）中的至少一个流体缝槽（151、152）。

尽管图5中的流体通道（104）被示出为相对于流体缝槽（151、152）的取向以垂直的方式取向，但是流体通道（104）可以相对于流体缝槽（151、152）成角度，例如如图2至图4所示。同样，尽管图2至图4中的流体通道（104）被示出为相对于流体缝槽（151、152）的取向以非垂直的方式取向，但是流体通道（104）可以相对于流体缝槽（151、152）以垂直的方式取向，例如如图5所示。将流体通道（104）并对应地将流体喷射腔室（110）相对于流体缝槽（151、152）的取向以非垂直的角度取向允许流体喷射腔室（110）和流体喷射致动器（114）沿着流体芯片（100、200、300、400、500，本文统称为100）的宽度和长度具有更高的密度。流体喷射腔室（110）和流体喷射致动器（114）的密度可以被称为喷嘴节距。

图6A至图6D示出了根据本文所描述的原理的示例的流体芯片（100）在制造阶段期间的侧视图。在图6A中，若干个流体喷射致动器（114）和非喷射致动器（314、414）以与图2至图5中所示的流体喷射致动器（114）和非喷射致动器（314、414）的阵列相匹配的阵列的形式沉积或放置在通道层（140）的顶部上，或者以由此预期的阵列的形式。通道层（140）由SOI层（160）与流体缝槽层（150）分开。SOI层（160）充当蚀刻停止层，以允许将硅沟道层（140）和流体缝槽层（150）蚀刻到SOI层（160）深度。

流体喷射致动器（114）和非喷射致动器（314、414）被布置成允许流体通道（104）被蚀刻到通道层（140）中。因此，在图6B中，可以用光掩模来形成通道层（140）的图案，以允许在期望或预期的位置中蚀刻流体通道（104）。在一个示例中，蚀刻工艺可以包括等离子体干法蚀刻工艺。蚀刻工艺允许蚀刻通道层（140）直至SOI层（160）。以此方式，因为SOI层（160）是不可蚀刻的，所以SOI层（160）通过提供蚀刻的停止点而协助蚀刻工艺。

在图6C中，将蜡填料置于图6B处的流体通道层（140）中形成的流体通道（104）中，以便将流体通道层（140）的表面平坦化至流体通道层（140）的最顶部的水平。然后，使用若干次SU-8层处理在流体通道层（140）和蜡填料的顶上形成流体喷射层（101），以形成流体喷射层（101）。如本文所描述的，在一个示例中，流体芯片（100）可以不与喷嘴基底（116）一起在流体喷射层（101）中包括流体供给孔基底（118）。在该示例中，流体喷射致动器（114）设置在流体通道层（140）上，并且喷嘴基底（116）直接设置在流体通道层（140）的顶上，如图6A至图6D所示。在另一个示例中，SU-8流体喷射层（101）可以形成为包括流体供给孔基底（118）。SU-8流体喷射层（101）的形成可以包括底层（primer layer）的沉积、流体喷射腔室（110）和喷嘴孔口（112）的形成、SU-8材料的显影、层压工艺或其组合。

然后，可蚀刻流体芯片（100）的背侧以形成流体缝槽（151、152）。在一个示例中，用于形成流体缝槽（151、152）的蚀刻工艺可以包括蚀刻直到SOI层（160）。然后，可以使用湿法蚀刻工艺去除SOI层（160）的氧化硅，以允许流体缝槽（151、152）与限定在流体通道层（140）中的流体通道（104）流体地联接。

图7是根据本文所描述的原理的示例的包括图1A至图5的流体芯片的打印流体盒的框图。打印流体盒（700）可以是用于利用流体喷射芯片（100）再循环流体的任何***，并且可以包括用于容纳至少一个流体喷射芯片（100）的壳体（701）。壳体（701）还可容纳流体地联接到流体喷射芯片（100）的流体贮器（750），并且将流体提供到流体喷射芯片（100）。

若干个外部泵（760）可以位于壳体（701）的内部和/或外部。外部泵（760）联接到流体贮器（750），用于当流体移入和移出流体通道（104）时，通过施加足以使流体移动通过流体通道（104）的压力差，将流体泵入和泵出流体喷射芯片（100）。流体贮器（750）还可包括热交换器（751），以在流体从流体芯片（100）返回到流体贮器（751）时从流体中散热。在一个示例中，流体贮器（750）还可包括过滤器（752）以从流体中过滤任何杂质。

图8是根据本文所描述的原理的示例的打印装置（800）的框图，打印装置（800）包括在基底宽打印杆（834）中的若干个流体芯片（100）。打印装置（800）可以包括跨越打印基底（836）的宽度的打印杆（834）、与打印杆（834）相关联的若干个流量调节器（838）、基底传输机构（840）、诸如流体贮器（图7，750）的打印流体供应源（842）以及控制器（8544）。控制器（844）代表了程序编制、（一个或多个）处理器和相关联的存储器，以及控制打印装置（800）的操作元件的其它电子电路和部件。打印杆（834）可以包括用于将流体分配到纸或其他打印基底（836）的片材或连续卷材上的流体喷射芯片（100）的布置。每个流体喷射芯片（100）通过流动路径接收流体，该流动路径从流体供应源（842）延伸进入并通过流量调节器（838），并且通过限定在打印杆（834）中的若干个传递模制的流体通道（846）。

图9是根据本文所描述的原理的示例的包括若干个流体芯片（100）的打印杆（900）的框图。在一些示例中，流体芯片（100）可以嵌入在诸如环氧模制化合物（EMC）的长形单片模制件（950）中。流体芯片（100）可以端对端地布置成若干行（920-1、920-2、920-3、920-4，在本文统称为920）。在一个示例中，流体喷射芯片（100）可以布置成交错构造，其中，每行（920）中的流体喷射芯片（100）与该同一行（920）中的另一个流体喷射芯片（100）重叠。在该布置中，流体喷射芯片（100）的每行（920）从至少一个流体缝槽（151、152）接收流体，如图9中的虚线所示。图9示出了供给交错的流体喷射芯片（100）的第一行（920-1）的四个流体缝槽（151、152）。然而，每行（920）可各自包括至少一个流体缝槽（151、152）。在一个示例中，打印杆（900）可以被设计成打印四种不同颜色的流体或墨液，例如青色、品红色、黄色和黑色。在该示例中，不同颜色的流体可以被分配或泵送到单独的流体缝槽（151、152）中。

在本文所描述的示例中，若干个传感器可放置在流体芯片（100）内的若干个流体流动通道内或与其相邻。可设置在流体流动通路内的传感器的一些示例可包括例如热感测电阻器、应变仪传感器和流量传感器以及其它类型的传感器。

说明书和附图描述了流体芯片。流体芯片可以包括在其中限定若干个流体通道的流体通道层、设置在流体通道层的一侧上的缝槽层以及限定在缝槽层中的第一流体缝槽和第二流体缝槽。流体通道中的至少一个将第一流体缝槽流体地联接到第二流体缝槽。第一流体缝槽和第二流体缝槽沿着流体芯片的长度限定在缝槽层中。

本文所描述的流体芯片使冷的可选流体更靠近流体喷射腔室和喷嘴，而不在SU8层中形成流体通道。

已经呈现了前面的描述以说明和描述所描述的原理的示例。本说明书不意图是穷举的，也不意图将这些原理局限于所公开的任何确切形式。根据上述教导，许多修改和变化是可能的。

Claims (15)

1.一种流体芯片，包括：

流体通道层，所述流体通道层在其中限定若干个流体通道；

至少一个通道间通路，所述至少一个通道间通路限定在将所述若干个流体通道中的两个相邻的流体通道分开的肋中，所述通道间通路流体地联接到两个相邻的流体通道；

缝槽层，所述缝槽层布置在所述流体通道层的一侧上；以及

第一流体缝槽和第二流体缝槽，所述第一流体缝槽和第二流体缝槽限定在所述缝槽层中，

其中，所述流体通道中的至少一个将所述第一流体缝槽流体地联接到所述第二流体缝槽，并且

其中，所述第一流体缝槽和所述第二流体缝槽沿着所述流体芯片的长度限定在所述缝槽层中。

2.如权利要求1所述的流体芯片，包括

流体喷射层，所述流体喷射层经由限定在所述流体喷射层内的若干个流体供给孔流体地联接到所述流体通道，所述流体喷射层包括：

设置在若干个流体喷射腔室中的若干个流体喷射致动器；以及

与所述若干个流体喷射腔室对应的若干个喷嘴。

3.如权利要求2所述的流体芯片，其中，基于所述流体喷射层内的所述流体喷射致动器的布置，所述流体通道被限定在所述流体通道层内。

4.如权利要求1所述的流体芯片，包括：

绝缘体上硅层，所述绝缘体上硅层设置在所述流体通道层和所述缝槽层之间；以及

第一绝缘体上硅孔口和第二绝缘体上硅孔口，所述第一绝缘体上硅孔口和所述第二绝缘体上硅孔口限定在所述绝缘体上硅层中，所述第一和第二绝缘体上硅层将所述第一流体缝槽和第二流体缝槽流体地联接到所述流体通道中的至少一个。

5.如权利要求1所述的流体芯片，其中，限定在所述流体通道层中的所述流体通道在所述流体通道之间形成若干个肋。

6.如权利要求2所述的流体芯片，包括微流体泵，所述微流体泵设置在所述通道间通路内，所述通道间通路将流体喷射腔室流体地联接到两个相邻的流体通道，其中，所述微流体泵将流体从第一流体通道泵送通过所述通道间通路，经过设置在所述流体喷射腔室的一个中的所述流体喷射致动器中的一个，并且进入与所述第一流体通道相邻的第二流体通道中。

7.如权利要求1所述的流体芯片，包括：

其中，第一流体通道将所述第一流体缝槽流体地联接到所述第二流体缝槽，并且两个相邻的流体通道被流体地联接到所述第一流体缝槽而不是所述第二流体缝槽，所述流体芯片还包括：

若干个通道间通路，所述若干个通道间通路限定在将所述若干个流体通道中的每个流体通道分开的若干个肋中，所述通道间通路将流体喷射腔室流体地联接到相邻的流体通道；

其中，从所述第一流体缝槽流入所述两个相邻的流体缝槽中的流体通过所述通道间通路流入所述第一流体通道中。

8.一种用于使流体在流体芯片内再循环的***，包括：

流体贮器；

流体通道层，所述流体通道层在其中限定若干个流体通道，所述流体通道层流体地联接到所述流体贮器；

至少一个通道间通路，所述至少一个通道间通路限定在将所述若干个流体通道中的两个相邻的流体通道分开的肋中，所述通道间通路流体地联接到两个相邻的流体通道；

缝槽层，所述缝槽层设置在所述流体通道层的流体地邻近所述流体贮器的一侧上；以及

第一流体缝槽和第二流体缝槽，所述第一流体缝槽和第二流体缝槽限定在所述缝槽层中，

其中，所述流体通道中的至少一个将所述第一流体缝槽流体地联接到所述第二流体缝槽，并且

其中，所述第一流体缝槽和所述第二流体缝槽沿着所述流体芯片的长度限定在所述缝槽层中。

9.如权利要求8所述的***，包括：

流体芯片，所述流体芯片包括：

流体喷射层，包括：

若干个流体喷射致动器，所述若干个流体喷射致动器设置在若干个流体喷射腔室中；以及

若干个喷嘴，

其中，所述流体通道经由限定在所述流体喷射层内的若干个流体供给孔流体地联接到所述流体喷射腔室，并且

其中，基于所述流体喷射层内的所述流体喷射致动器的布置，所述流体通道被限定在所述流体通道层内。

10.如权利要求8所述的***，包括：

绝缘体上硅层，所述绝缘体上硅层设置在所述流体通道层和所述缝槽层之间；以及

第一绝缘体上硅孔口和第二绝缘体上硅孔口，所述第一绝缘体上硅孔口和所述第二绝缘体上硅孔口限定在所述绝缘体上硅层中，所述第一和第二绝缘体上硅层将所述第一流体缝槽和第二流体缝槽流体地联接到所述流体通道中的至少一个。

11.如权利要求8所述的***，其中，限定在所述流体通道层中的所述流体通道在所述流体通道之间形成若干个肋。

12.如权利要求9所述的***，包括微流体泵，所述微流体泵设置在所述通道间通路内，所述通道间通路将流体喷射腔室流体地联接到两个相邻的流体通道，其中，所述微流体泵将流体从第一流体通道泵送通过所述通道间通路，经过设置在所述流体喷射腔室的一个中的所述流体喷射致动器中的一个，并且进入与所述第一流体通道相邻的第二流体通道中。

13.如权利要求8所述的***，其中，第一流体通道将所述第一流体缝槽流体地联接到所述第二流体缝槽，并且两个相邻的流体通道被流体地联接到所述第一流体缝槽而不是所述第二流体缝槽，所述流体芯片还包括：

若干个通道间通路，所述若干个通道间通路限定在将所述若干个流体通道中的每个流体通道分开的若干个肋中，所述通道间通路将流体喷射腔室流体地联接到相邻的流体通道；

其中，从所述第一流体缝槽流入所述两个相邻的流体缝槽中的流体通过所述通道间通路流入所述第一流体通道中。

14.如权利要求8所述的***，包括外部泵，所述外部泵在所述流体芯片外部并且流体地联接到所述第一流体缝槽以在所述第一流体缝槽和所述第二流体缝槽之间产生压力差。

15.如权利要求8所述的***，包括热交换装置，以在所述流体经由所述第二流体缝槽离开所述流体芯片时冷却所述流体。

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