CN111194112B - 纹波抑制器 - Google Patents
纹波抑制器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111194112B CN111194112B CN201811342684.8A CN201811342684A CN111194112B CN 111194112 B CN111194112 B CN 111194112B CN 201811342684 A CN201811342684 A CN 201811342684A CN 111194112 B CN111194112 B CN 111194112B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage
- constant current
- compensation value
- generating circuit
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
本发明公开了一种纹波抑制器。所述纹波抑制器包含一定电流产生电路和一稳压电路。所述定电流产生电路用以产生一检测电压，以及产生一定电流给一发光二极管串；所述稳压电路用以根据所述检测电压和一补偿值使所述定电流产生电路产生所述定电流，或根据所述检测电压使所述定电流产生电路产生所述定电流，其中所述补偿值会随所述稳压电路所产生的一平均电压改变，且所述平均电压和所述发光二极管串的一端的电压有关。因此，本发明所公开的纹波抑制器不仅可在驱动所述发光二极管串的功率校正电压转换器的高调光占空比时，节省电能损耗，也可在所述功率校正电压转换器的低调光占空比时，防止所述发光二极管串产生闪烁。
Description
技术领域
本发明涉及一种纹波抑制器，尤其涉及一种可在驱动发光二极管串的功率校正电压转换器的高调光占空比时，节省电能损耗，以及在功率校正电压转换器的低调光占空比时，防止发光二极管串产生闪烁的纹波抑制器。
背景技术
因为高发光效率以及低电能损耗，发光二极管(light emitting diode，LED)已经被广泛地应用来做为照明光源。在现有技术中，用以驱动发光二极管的驱动电路仅仅使用单一一级的功率校正(power factor correction，PFC)电压转换器，来驱动所述发光二极管，但所述功率校正电压转换器的特性是所述功率校正电压转换器所产生用以驱动所述发光二极管的驱动电压同时具有产生很大的纹波(ripple)。所述纹波有可能会使在低光占空比时耦接于所述发光二极管的功率晶体管处于三极管区(triode region)，所以此时所述功率晶体管无法提供稳定的驱动电流，导致所述发光二极管出现闪烁。因此，如何设计出一个纹波抑制器成为一项重要的课题。
发明内容
本发明的一实施例公开一种纹波抑制器(ripple suppressor)。所述纹波抑制器包含一定电流产生电路和一稳压电路。所述定电流产生电路耦接于一发光二极管串，用以产生一检测电压，以及产生一定电流给所述发光二极管串；所述稳压电路耦接于所述发光二极管串和所述定电流产生电路，用以根据所述检测电压和一补偿值使所述定电流产生电路产生所述定电流，或根据所述检测电压使所述定电流产生电路产生所述定电流，其中所述补偿值会随所述稳压电路所产生的一平均电压改变，且所述平均电压和所述发光二极管串的一端的电压有关。
本发明公开一种纹波抑制器。所述纹波抑制器可利用一稳压电路根据和耦接所述纹波抑制器的发光二极管串的一端的电压有关的平均电压决定是否产生一补偿值，以及利用所述稳压电路根据一定电流产生电路所产生的检测电压和所述补偿值使所述定电流产生电路产生一定电流，或根据所述检测电压使所述定电流产生电路产生所述定电流。因此，相较于现有技术，因为在驱动所述发光二极管串的功率校正电压转换器的高调光占空比时，所述稳压电路不产生所述补偿值，以及在所述功率校正电压转换器的低调光占空比时，所述稳压电路产生所述补偿值，所以本发明所公开的纹波抑制器不仅可在所述功率校正电压转换器的高调光占空比时，节省电能损耗，也可在所述功率校正电压转换器的低调光占空比时，防止所述发光二极管串产生闪烁。
附图说明
图1是本发明的第一实施例所公开的一种纹波抑制器的示意图。
图2是说明功率晶体管的漏源极电压和定电流的关系示意图。
图3是本发明的第二实施例所公开的一种纹波抑制器的示意图。
其中，附图标记说明如下：
100、300 纹波抑制器
102 定电流产生电路
104、304 稳压电路
1022 功率晶体管
1024 电流检测电阻
1026 运算放大器
1042 低通滤波器
1044 补偿值产生电路
1046 乘法器
10422 增益放大器
10424 电容
200 发光二极管串
210 功率校正电压转换器
3042 除法器
FSV 第一设定电压
GND 地端
IF 定电流
IM 电流
LVDS、L1-L5 曲线
SSV 第二设定电压
VC 补偿电压
VD 检测电压
VOUT 输出电压
VDR 驱动电压
VMD 电压
VA 平均电压
VDS 漏源极电压
VGS1-VGS5 栅源极电压
VP 相对应值
具体实施方式
请参照图1，图1是本发明的第一实施例所公开的一种纹波抑制器(ripplesuppressor)100的示意图，其中纹波抑制器100包含一定电流产生电路102和一稳压电路104，定电流产生电路102耦接于一发光二极管串200，稳压电路104耦接于发光二极管串200和定电流产生电路102，以及发光二极管串200包含至少一发光二极管。如图1所示，定电流产生电路102包含一功率晶体管1022、一电流检测电阻1024和一运算放大器1026。如图1所示，功率晶体管1022具有一漏极、一源极以及一栅极，其中功率晶体管1022的漏极耦接于发光二极管串200；电流检测电阻1024耦接于功率晶体管1022的源极与一地端GND之间，其中当功率晶体管1022操作在一饱和区(saturation region)时，功率晶体管1022可产生一定电流IF给发光二极管串200，定电流IF和电流检测电阻1024是用以决定一检测电压VD。如图1所示，运算放大器1026的输出端耦接于功率晶体管1022的栅极，所述输出端的输出电压VOUT是用以使功率晶体管1022的栅源极电压大于功率晶体管1022的临界电压VTN。
如图1所示，稳压电路104包含一低通滤波器1042、一补偿值产生电路1044和一乘法器1046，其中低通滤波器1042包含一增益放大器10422和一电容10424，低通滤波器1042耦接于发光二极管串200，补偿值产生电路1044耦接于定电流产生电路102和低通滤波器1042，以及乘法器1046耦接于补偿值产生电路1044、定电流产生电路102和低通滤波器1042。如图1所示，增益放大器10422具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，其中增益放大器10422的正输入端耦接于发光二极管串200，增益放大器10422的负输入端耦接于运算放大器1026的负输入端和乘法器1046，以及增益放大器10422的输出端耦接于运算放大器1026的正输入端；电容10424具有一第一端以及一第二端，其中电容10424的第一端耦接于增益放大器10422的输出端，以及电容10424的第二端耦接于地端GND。
如图1所示，发光二极管串200是由一功率校正电压转换器210所产生的驱动电压VDR驱动，但因为功率校正电压转换器210的特性，所以驱动电压VDR具有很大的纹波，导致发光二极管串200的一端的电压VMD(功率晶体管1022的漏极电压)也具有很大的纹波。然而因为低通滤波器1042耦接于发光二极管串200，所以低通滤波器1042可用以滤除电压VMD的纹波，以及根据电压VMD，产生一平均电压VA，其中平均电压VA和电压VMD有关。如图1所示，补偿值产生电路1044可根据平均电压VA决定是否产生一补偿值，也就是说当平均电压VA大于一预定值(对应功率校正电压转换器210的高调光占空比)时，补偿值产生电路1044不会产生所述补偿值。也就是说如图2所示，当功率晶体管1022的漏源极电压VDS大于一相对应值VP时，补偿值产生电路1044不会产生所述补偿值，其中图2的纵轴代表流经功率晶体管1022的电流IM，图2的横轴代表电压，曲线LVDS代表功率晶体管1022的漏源极电压VDS，以及曲线L1-L5分别对应功率晶体管1022的栅源极电压VGS1-VGS5，其中栅源极电压VGS5大于栅源极电压VGS4，栅源极电压VGS4大于栅源极电压VGS3，栅源极电压VGS3大于栅源极电压VGS2，栅源极电压VGS2大于栅源极电压VGS1，栅源极电压VGS1大于功率晶体管1022的临界电压VTN，以及相对应值VP是对应功率晶体管1022。另外，曲线L1-L5在曲线LVDS右侧是分别对应不同的定电流IF。
另外，因为平均电压VA和电压VMD(功率晶体管1022的漏极电压)有关，所以当平均电压VA大于所述预定值时，功率晶体管1022的漏源极电压VDS的相对应值VP可参照图2。因此，如图1所示，当补偿值产生电路1044不产生所述补偿值时，补偿值产生电路1044可让检测电压VD通过，此时乘法器1046根据检测电压VD，产生一第一设定电压FSV，其中第一设定电压FSV大于检测电压VD。另外，当平均电压VA小于所述预定值(对应功率校正电压转换器210的低调光占空比)时，补偿值产生电路1044会产生所述补偿值。也就是说如图2所示，当功率晶体管1022的漏源极电压VDS小于相对应值VP时，补偿值产生电路1044会产生所述补偿值。因此，如图1所示，当补偿值产生电路1044产生所述补偿值时，补偿值产生电路1044可根据检测电压VD和所述补偿值，产生一补偿电压VC，此时乘法器1046是根据补偿电压VC，产生第一设定电压FSV，其中第一设定电压FSV大于补偿电压VC。
如图1所示，在第一设定电压FSV产生后，耦接于乘法器1046的运算放大器1026可使平均电压VA等于第一设定电压FSV，导致电压VMD被提高(也就是功率晶体管1022的漏源极电压VDS被提高)。因此，如图2所示，因为功率晶体管1022的漏源极电压VDS被提高，所以功率晶体管1022的漏源极电压VDS大于功率晶体管1022的栅源极电压与功率晶体管1022的临界电压的差，也就是说功率晶体管1022的漏源极电压VDS必须大于所述栅源极电压与所述临界电压的差以及所述栅源极电压必须大于所述临界电压以确保功率晶体管1022操作在所述饱和区，其中当功率晶体管1022操作在所述饱和区时，功率晶体管1022可产生定电流IF以使发光二极管串200不产生闪烁。
请参照图3，图3是本发明的第二实施例所公开的一种纹波抑制器300的示意图，其中纹波抑制器300包含定电流产生电路102和一稳压电路304。如图3所示，纹波抑制器300和纹波抑制器100的差别在于稳压电路304包含一除法器3042而没有乘法器1046，补偿值产生电路1044耦接于定电流产生电路102和低通滤波器1042，以及除法器3042耦接于增益放大器10422的负输入端和输出端和运算放大器1026的正输入端。如图3所示，除法器3042是用以根据平均电压VA，产生一第二设定电压SSV。另外，如图3所示，补偿值产生电路1044可根据平均电压VA决定是否产生所述补偿值，也就是说当平均电压VA大于所述预定值时，补偿值产生电路1044不会产生所述补偿值。因此，如图3所示，当补偿值产生电路1044不产生所述补偿值时，补偿值产生电路1044可让检测电压VD通过至运算放大器1026。如图3所示，当补偿值产生电路1044让检测电压VD通过至运算放大器1026时，运算放大器1026可使第二设定电压SSV等于检测电压VD以提高平均电压VA，导致电压VMD被提高(也就是功率晶体管1022的漏源极电压VDS被提高)。因此，如图2所示，因为功率晶体管1022的漏源极电压VDS被提高，所以功率晶体管1022的漏源极电压VDS大于功率晶体管1022的栅源极电压与功率晶体管1022的临界电压的差，也就是说功率晶体管1022的漏源极电压VDS必须大于所述栅源极电压与所述临界电压的差以及所述栅源极电压必须大于所述临界电压以确保功率晶体管1022操作在所述饱和区，其中当功率晶体管1022操作在所述饱和区时，功率晶体管1022可产生定电流IF。
另外，当平均电压VA小于所述预定值时，补偿值产生电路1044会产生所述补偿值。因此，如图3所示，当补偿值产生电路1044产生所述补偿值时，补偿值产生电路1044可根据检测电压VD和所述补偿值，产生补偿电压VC至运算放大器1026。因此，如图3所示，当补偿值产生电路1044不产生所述补偿值时，补偿值产生电路1044可让检测电压VD通过至运算放大器1026。如图3所示，当补偿值产生电路1044产生补偿电压VC至运算放大器1026时，运算放大器1026可使第二设定电压SSV等于补偿电压VC以提高平均电压VA，导致电压VMD被提高(也就是功率晶体管1022的漏源极电压VDS被提高)。因此，如图2所示，因为功率晶体管1022的漏源极电压VDS被提高，所以功率晶体管1022的漏源极电压VDS大于功率晶体管1022的栅源极电压与功率晶体管1022的临界电压的差，也就是说功率晶体管1022的漏源极电压VDS必须大于所述栅源极电压与所述临界电压的差以及所述栅源极电压必须大于所述临界电压以确保功率晶体管1022操作在所述饱和区。
另外，纹波抑制器300内的定电流产生电路102和低通滤波器1042的操作原理可参照纹波抑制器100内的定电流产生电路102和低通滤波器1042的操作原理，在此不再赘述。
综上所述，本发明所公开的纹波抑制器可利用所述稳压电路根据和所述发光二极管串的一端的电压有关的平均电压决定是否产生所述补偿值，以及利用所述稳压电路根据所述定电流产生电路所产生的检测电压和所述补偿值使所述定电流产生电路产生所述定电流，或根据所述检测电压使所述定电流产生电路产生所述定电流。因此，相较于现有技术，因为在所述功率校正电压转换器的高调光占空比时，所述稳压电路不产生所述补偿值，以及在所述功率校正电压转换器的低调光占空比时，所述稳压电路产生所述补偿值，所以本发明所公开的纹波抑制器可在所述功率校正电压转换器的高调光占空比时，节省电能损耗，以及在所述功率校正电压转换器的低调光占空比时，防止所述发光二极管串产生闪烁。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种纹波抑制器，包含：
一定电流产生电路，耦接于一发光二极管串，用以产生一检测电压，以及产生一定电流给所述发光二极管串；及
所述纹波抑制器的特征在于还包含：
一稳压电路，耦接于所述发光二极管串和所述定电流产生电路，用以根据所述检测电压和一补偿值使所述定电流产生电路产生所述定电流，或根据所述检测电压使所述定电流产生电路产生所述定电流，
其中所述补偿值会随所述稳压电路所产生的一平均电压改变，且所述平均电压和所述发光二极管串的一端的电压有关。
2.如权利要求1所述的纹波抑制器，其特征在于所述定电流产生电路包含：一功率晶体管，具有一漏极、一源极以及一栅极，其中所述漏极耦接于所述发光二极管串的所述端；
一电流检测电阻，耦接于所述源极与一地端之间，其中所述定电流和所述电流检测电阻是用以决定所述检测电压，且所述定电流和所述发光二极管串的所述端的电压有关；
一运算放大器，其中所述运算放大器的输出端耦接于所述栅极，所述输出端的输出电压是用以使所述功率晶体管的栅源极电压大于所述功率晶体管的临界电压以及使所述功率晶体管产生所述定电流，且所述发光二极管串耦接所述漏极的所述端的电压大于所述栅源极电压与所述临界电压的差。
3.如权利要求1所述的纹波抑制器，其特征在于所述稳压电路包含：
一低通滤波器，耦接于所述发光二极管串，用以滤除所述发光二极管串的所述端的电压的纹波，以及根据所述发光二极管串的所述端的电压，产生所述平均电压；
一补偿值产生电路，耦接于所述定电流产生电路和所述低通滤波器，用以根据所述平均电压决定是否产生所述补偿值，其中当所述补偿值产生电路产生所述补偿值时，所述补偿值产生电路另根据所述检测电压和所述补偿值，产生一补偿电压，以及当所述补偿值产生电路未产生所述补偿值时，所述补偿值产生电路让所述检测电压通过；
及
一乘法器，耦接于所述补偿值产生电路、所述定电流产生电路和所述低通滤波器，用以根据所述补偿电压或所述检测电压，产生一第一设定电压，其中所述定电流产生电路所包含的一运算放大器使所述平均电压等于所述第一设定电压以提高所述发光二极管串的所述端的电压。
4.如权利要求3所述的纹波抑制器，其特征在于所述低通滤波器包含：
一增益放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，其中所述增益放大器的正输入端耦接于所述发光二极管串的所述端，所述增益放大器的负输入端耦接于所述运算放大器的负输入端和所述乘法器，以及所述增益放大器的输出端耦接于所述运算放大器的正输入端；及
一电容，具有一第一端以及一第二端，其中所述电容的第一端耦接于所述增益放大器的输出端，以及所述电容的第二端耦接于一地端。
5.如权利要求1所述的纹波抑制器，其特征在于所述稳压电路包含：
一低通滤波器，耦接于所述发光二极管串，用以滤除所述发光二极管串的所述端的电压的纹波，以及根据所述发光二极管串的所述端的电压，产生所述平均电压；
一补偿值产生电路，耦接于所述定电流产生电路和所述低通滤波器，用以根据所述平均电压决定是否产生所述补偿值，其中当所述补偿值产生电路产生所述补偿值时，所述补偿值产生电路另根据所述检测电压和所述补偿值，产生一补偿电压至所述定电流产生电路，以及当所述补偿值产生电路未产生所述补偿值时，所述补偿值产生电路让所述检测电压通过至所述定电流产生电路；及
一除法器，耦接于所述低通滤波器和所述定电流产生电路之间，用以根据所述平均电压，产生一第二设定电压，其中所述定电流产生电路所包含的一运算放大器会使所述第二设定电压等于所述补偿电压以提高所述发光二极管串的所述端的电压，或使所述第二设定电压等于所述检测电压以提高所述发光二极管串的所述端的电压。
6.如权利要求5所述的纹波抑制器，其特征在于所述低通滤波器包含：
一增益放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，其中所述增益放大器的正输入端耦接于所述发光二极管串的所述端，所述增益放大器的负输入端耦接于所述除法器，以及所述增益放大器的输出端耦接于所述除法器；及
一电容，具有一第一端以及一第二端，其中所述电容的第一端耦接于所述增益放大器的输出端，以及所述电容的第二端耦接于一地端。
7.如权利要求3或5所述的纹波抑制器，其特征在于所述发光二极管串的所述端的电压是用以使所述定电流产生电路所包含的一功率晶体管运作于一饱和区。
8.如权利要求3或5所述的纹波抑制器，其特征在于当所述平均电压小于一预定值时，所述补偿值产生电路产生所述补偿值。
9.如权利要求1所述的纹波抑制器，其特征在于所述发光二极管串包含至少一发光二极管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811342684.8A CN111194112B (zh) | 2018-11-13 | 2018-11-13 | 纹波抑制器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811342684.8A CN111194112B (zh) | 2018-11-13 | 2018-11-13 | 纹波抑制器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111194112A CN111194112A (zh) | 2020-05-22 |
| CN111194112B true CN111194112B (zh) | 2021-06-25 |
Family
ID=70706975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811342684.8A Active CN111194112B (zh) | 2018-11-13 | 2018-11-13 | 纹波抑制器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111194112B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102958236A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-06 | 美国亚德诺半导体公司 | 电流控制电路、发光二极管驱动器及其制作方法 |
| CN103533721A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-01-22 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 脉冲式电流led驱动电路 |
| CN203884058U (zh) * | 2014-06-11 | 2014-10-15 | 无锡硅动力微电子股份有限公司 | 提升退磁检测精度的led恒流驱动电路 |
| CN106879109A (zh) * | 2017-02-09 | 2017-06-20 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 用于消除led驱动***电流纹波的控制器、芯片及方法 |
| CN206585793U (zh) * | 2017-02-09 | 2017-10-24 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 控制器、芯片和led驱动*** |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9661704B2 (en) * | 2015-05-27 | 2017-05-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor light source drive device |
-
2018
- 2018-11-13 CN CN201811342684.8A patent/CN111194112B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102958236A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-06 | 美国亚德诺半导体公司 | 电流控制电路、发光二极管驱动器及其制作方法 |
| CN103533721A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-01-22 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 脉冲式电流led驱动电路 |
| CN203884058U (zh) * | 2014-06-11 | 2014-10-15 | 无锡硅动力微电子股份有限公司 | 提升退磁检测精度的led恒流驱动电路 |
| CN106879109A (zh) * | 2017-02-09 | 2017-06-20 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 用于消除led驱动***电流纹波的控制器、芯片及方法 |
| CN206585793U (zh) * | 2017-02-09 | 2017-10-24 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 控制器、芯片和led驱动*** |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111194112A (zh) | 2020-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10721799B2 (en) | LED driving device, constant-power dimming circuit and dimming method thereof | |
| US10531528B2 (en) | LED drive circuit with a programmable input for LED lighting | |
| CN108200685B (zh) | 用于可控硅开关控制的led照明*** | |
| CN202310187U (zh) | 发光元件的驱动电路、使用它的发光装置及电子设备 | |
| US20110115391A1 (en) | Led lamp and led lamp module | |
| US20110227497A1 (en) | Power systems for driving light emitting diodes and associated methods of control | |
| US9799263B2 (en) | Power supply circuit and organic light-emitting diode display device | |
| US11540371B2 (en) | Systems and methods for controlling power factors of LED lighting systems | |
| EP3731601A1 (en) | Current drive circuit, and light emitting diode lighting device using the same | |
| US10038502B1 (en) | Lighting device, luminaire, and signboard | |
| Mu et al. | A high precision constant current source applied in LED driver | |
| US20200107417A1 (en) | Led current ripple elimination circuit applicable to very low triac dimming depth | |
| CN103281834B (zh) | 一种应用在交流led驱动***中的过压保护电路 | |
| TW201434344A (zh) | 發光二極體驅動裝置 | |
| US10638580B2 (en) | Multi-mode dimming control method and dimming circuit | |
| EP3675603A1 (en) | Driving circuit and driving method for driving light emitting diode load | |
| KR20110014506A (ko) | 정전류장치 및 그 응용 | |
| US20150048750A1 (en) | Light emitting system and voltage conversion device thereof | |
| CN114384964A (zh) | 功率改善电路的控制电路及半导体集成电路装置 | |
| US10708994B2 (en) | System and method for shaping input current in light emitting diode (LED) system | |
| US8853969B1 (en) | Light emitting element drive device | |
| CN111194112B (zh) | 纹波抑制器 | |
| CN203840596U (zh) | 一种纹波电流抑制电路和led电路 | |
| CN111642041B (zh) | 线性led驱动电路、***及其驱动方法 | |
| JP6978914B2 (ja) | 電源装置及びこれを備えた光照射システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |